JPH04163455A - フォトマスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造工程で用いられるフォトマス
クに関する。

〔従来の技術〕

従来この種のフォトマスクは、第３図に示すように、例
えばガラス基板１上にクロム等の金属膜を形成し、この
金属膜をパターニングし半導体基板上に転写すべき回路
パターンに対応する光遮断用パターン２のみが形成され
た構造となっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のフォトマスクは、半導体基板に転写すべ
き回路パターンに対応する光遮断用パターン２のみが形
成されていたので、回路パターンの微細化に伴ない露光
時光の回折現象により生ずる光透過用領域３からの透過
光４の光強度分布の不均一さが増大し、結果として、第
４図（ａ＞に示すように、半導体基板６上のフォトレジ
スト膜７に回路パターンを転写し現像した場合、第４図
（ｂ）に示すように、フォトレジストパターン７Ｂは台
形状となり、寸法制御が困難となるため、素子の微細化
が困難になるという欠点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のフォトマスクは、透明基板上に形成された金属
膜または金属酸化膜からなる光遮断用バターンを有する
半導体装置用のフォトマスクであって、光透過用領域内
に、露光時フォトレジスト膜に転写されない程度の微細
な擬装パターンを設けたものである。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の断面図であり、露光に用い
た場合を示している。

第１図においてフォトマスクは、ガラス基板１と、この
ガラス基板１上に形成されたクロム等の金属膜や金属酸
化膜をパターニングして形成した光遮断用パターン２と
、光透過用領域３内に形成された微細な擬装パターン５
とから構成されている。この擬装パターン５は光遮断用
パターン２と同一工程で形成され、露光時フォトレジス
ト膜に転写されない程度の大きさとなっている。

このように構成された本実施例を用いて露光を行う場合
、光透過用領域３内の透過光４Ａの光強度分布は、第１
図に示したようにほぼ均一なものとなる。

従って第２図（ａ）に示すように、半導体基板６上のフ
ォトレジスト膜７をこのフォトマスつて露光した場合、
現像後のフォトレジストパターン７Ａは第２図（ｂ）に
示すように、フォトマスクの光遮断用パターン２か忠実
に転写されたものとなる。このため微細な半導体素子パ
ターンを精度良く形成できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、半導体基板に転写すべき
回路パターンの他に、半導体基板上のフォトレジストに
転写されない程度の微細な擬装フォトマスクパターンを
、光透過領域に形成することにより、露光時の透過光の
光強度分布を均一にできるなめ、回路パターンを精度良
くフォトレジスト膜に転写することができる。このため
、微細化された半導体素子を精度良く形成てきるという
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
実施例を用いて露光した場合を説明するための半導体チ
ップの断面図、第３図は従来例の断面図、第４図は従来
例を用いて露光した場合を説明するための半導体チップ
の断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・光遮断用パターン、３・
・光透過用領域、４，４Ａ・・・透過光、５・・・擬装
パターン、６・・・半導体基板、７・・・フォトレジス
ト膜、７Ａ、７Ｂ・・・フォトレジストパターン。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　透明基板上に形成された金属膜または金属酸化膜から
   なる光遮断用パターンを有する半導体装置用のフォトマ
   スクであって、光透過用領域内に、露光時フォトレジス
   ト膜に転写されない程度の微細な擬装パターンを設けた
   ことを特徴とするフォトマスク。