JPS58120A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58120A JPS58120A JP56098525A JP9852581A JPS58120A JP S58120 A JPS58120 A JP S58120A JP 56098525 A JP56098525 A JP 56098525A JP 9852581 A JP9852581 A JP 9852581A JP S58120 A JPS58120 A JP S58120A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- films
- alumina
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造方法にかかり、特に半導体
表面に形成された金属膜をノ（ターニングする方法に関
するものである。
表面に形成された金属膜をノ（ターニングする方法に関
するものである。
従来、半導体表面の金属膜をパターニングする場合、湿
式エツチング法が多く用いられてきた。
式エツチング法が多く用いられてきた。
しかしながらこの湿式エツチング法では、同時に横方向
へのエツチングが進む為に所望の金属配線幅を得る事が
できない欠点がある。従って、近年になシ半導体装置の
高集積化が進み金属配線幅が狭くなるにつれて精度の高
い金属膜のエツチング技術が要求される様になった。そ
こでよシ精度の高いエツチング技術としてドライエツチ
ング法の実用化が試みられており、中でもスバツタエ、
チング法は、横方向のエツチングがほとんど生じないの
で注目されている。
へのエツチングが進む為に所望の金属配線幅を得る事が
できない欠点がある。従って、近年になシ半導体装置の
高集積化が進み金属配線幅が狭くなるにつれて精度の高
い金属膜のエツチング技術が要求される様になった。そ
こでよシ精度の高いエツチング技術としてドライエツチ
ング法の実用化が試みられており、中でもスバツタエ、
チング法は、横方向のエツチングがほとんど生じないの
で注目されている。
しかしながら、このスパッタエツチング法は、横方向の
エツチングが生じない点においては優れているが、スバ
ツタエ、チングの際のイオン衝撃により半導体基板に損
傷を与えたシ、金属膜の下にある物質との工、チングの
選択比が十分にとれない等の欠点がある。あるいＦｉま
た、金属膜を形成する前の半導体基板表面に段差が生じ
ていると。
エツチングが生じない点においては優れているが、スバ
ツタエ、チングの際のイオン衝撃により半導体基板に損
傷を与えたシ、金属膜の下にある物質との工、チングの
選択比が十分にとれない等の欠点がある。あるいＦｉま
た、金属膜を形成する前の半導体基板表面に段差が生じ
ていると。
エツチングが終点に達しているにもかかわらず前記段差
部にそって被エツチング金属膜の残りが発生し、隣接す
る金属配線が短絡を起こしやすいという欠点がある。
部にそって被エツチング金属膜の残りが発生し、隣接す
る金属配線が短絡を起こしやすいという欠点がある。
本発明の目的は上記欠点を解消し、微細な金属配縁を形
成する方法を提供することにある。
成する方法を提供することにある。
本発明は、半導体基板の一生面に金属膜を形成する工程
と、該金属膜を選択的に所定の厚さだけドライエツチン
グ法により除去する工程と、前記除去すべき部分の残存
金属層を陽極酸化法によシ絶縁換に変換する工程とを含
むことを特徴としている。
と、該金属膜を選択的に所定の厚さだけドライエツチン
グ法により除去する工程と、前記除去すべき部分の残存
金属層を陽極酸化法によシ絶縁換に変換する工程とを含
むことを特徴としている。
次に本発明を実施例により説明する。第１図乃至第５図
は本発明をバイポーラトランジスタを含む半導体集積回
路の製造に実施した場合の王な製造工程の断面図である
。まず半導体基板１１上にペース領域１２．エミッタ領
域１３．コレクタ領域１４に達する開孔部１６ 、１６
’ 、 １６’をそれぞれ絶縁膜１５に形成する（第１
図）。
は本発明をバイポーラトランジスタを含む半導体集積回
路の製造に実施した場合の王な製造工程の断面図である
。まず半導体基板１１上にペース領域１２．エミッタ領
域１３．コレクタ領域１４に達する開孔部１６ 、１６
’ 、 １６’をそれぞれ絶縁膜１５に形成する（第１
図）。
次に半導体基板上に前記開孔部１６，１６’、１６“を
覆うようにアルミニウム（ＡＩ）膜１７を被着し、該Ａ
Ｉ膜１７上にフォトレジストＪｌｉ１８をパターニング
する。前記Ａｌ膜１７の厚さは約１μが適当である（第
２図）。
覆うようにアルミニウム（ＡＩ）膜１７を被着し、該Ａ
Ｉ膜１７上にフォトレジストＪｌｉ１８をパターニング
する。前記Ａｌ膜１７の厚さは約１μが適当である（第
２図）。
次に前記フォトレジスト膜１８をマスクにして前記露出
しているＡＩ膜１７をスパッタエツチング法のような垂
直方向にエツチングする方法によシ約０．８μ除去し、
約０．２μのＡ１１ｉを残して工、チングを終了する（
第３図）。
しているＡＩ膜１７をスパッタエツチング法のような垂
直方向にエツチングする方法によシ約０．８μ除去し、
約０．２μのＡ１１ｉを残して工、チングを終了する（
第３図）。
次に前記フォトレジスト膜１８をマスクにして陽極酸化
法により前記開孔部１９内に残存する約０．２μのＡ１
膜を完全にアルミナ２０に変換する。
法により前記開孔部１９内に残存する約０．２μのＡ１
膜を完全にアルミナ２０に変換する。
該アルミナ２０は絶縁膜であプこれによシ前記ＡＩ膜１
７は完全に絶縁分離される（第４図）。
７は完全に絶縁分離される（第４図）。
次に残存するフォトレジスト膜１８を除去して、金属配
線の形成を完了する（第５図）。
線の形成を完了する（第５図）。
上記実施例で説明したように、本発明はＡｌｊｉ１７を
スパッタエツチング法によシ除去する際に、該Ａｔ膜１
７を約０．２μ残してエツチングを終了する。従って半
導体基板に与えるイオン衝撃は、前記残存するＡｌ膜が
吸収し、半導体基板結晶に損傷を与えることがない。し
かも前記残存するＡｌ膜は、このまま陽極酸化法により
アルミナ２０に変換する為、前記Ａｌ膜１７と［Ａｌ膜
の下にあり？、縁膜１５とのスパッタエツチングにおけ
る選択比を考える必要はない。また前記残存するＡｌ膜
を完全にアルミナ２０に変換する為に、半導体基板表面
の段差部に人１Ｉｌｉ１１７が残り隣接するＡＩ配線が
短絡するということもない。
スパッタエツチング法によシ除去する際に、該Ａｔ膜１
７を約０．２μ残してエツチングを終了する。従って半
導体基板に与えるイオン衝撃は、前記残存するＡｌ膜が
吸収し、半導体基板結晶に損傷を与えることがない。し
かも前記残存するＡｌ膜は、このまま陽極酸化法により
アルミナ２０に変換する為、前記Ａｌ膜１７と［Ａｌ膜
の下にあり？、縁膜１５とのスパッタエツチングにおけ
る選択比を考える必要はない。また前記残存するＡｌ膜
を完全にアルミナ２０に変換する為に、半導体基板表面
の段差部に人１Ｉｌｉ１１７が残り隣接するＡＩ配線が
短絡するということもない。
これにより半導体装置の特性に伺ら重要な影響を及ぼす
ことなく微細パターンで金属配線を形成することができ
る。又、実施例においては、フォトレジスト膜をマスク
にして陽極酸化を行なったが、フォトレジスト膜を除去
後、全面を均一に陽極酸化して実現することも可能であ
る。さらに、これらの陽極酸化膜は、残存させてもいい
し、一部又は全部を後工程で除去しても半導体装置を実
現できることは明らかである。
ことなく微細パターンで金属配線を形成することができ
る。又、実施例においては、フォトレジスト膜をマスク
にして陽極酸化を行なったが、フォトレジスト膜を除去
後、全面を均一に陽極酸化して実現することも可能であ
る。さらに、これらの陽極酸化膜は、残存させてもいい
し、一部又は全部を後工程で除去しても半導体装置を実
現できることは明らかである。
以上、本発明をバイポーラトランジスタに実施した場合
を説明したが、ＭＯ８ｍ）ランジスタにも適用できるし
、これらを含む集積回路装置にも適用できる。又、上記
実施例では、Ａｌ膜を用いた場合を説明したが、他の金
属膜にも適用できる。
を説明したが、ＭＯ８ｍ）ランジスタにも適用できるし
、これらを含む集積回路装置にも適用できる。又、上記
実施例では、Ａｌ膜を用いた場合を説明したが、他の金
属膜にも適用できる。
第１図乃至第５図は、本発明をノ（イボーラ半導体装置
の製造に実施した場合の主な製造工程における断面図で
ある。 尚、図において、１１・・・・−・半導体基板、１２１
．・°゛°°ベース領域３・−°・・・エミッタ領域、
１４・・・・・・コレクタ領域、１５°°゛°゛°絶縁
膜、１６ 、１９ ゛−゛−開孔部、１７・・・・・・
Ａｌ膜、１８・・・・・・フォトレジス）ＩＥ、２０・
−・・・・アルミナ膜。 −＃’、 ／ 暫 □ 羊２ 図 第 ３図 羊４＠ 革Ｓ 図
の製造に実施した場合の主な製造工程における断面図で
ある。 尚、図において、１１・・・・−・半導体基板、１２１
．・°゛°°ベース領域３・−°・・・エミッタ領域、
１４・・・・・・コレクタ領域、１５°°゛°゛°絶縁
膜、１６ 、１９ ゛−゛−開孔部、１７・・・・・・
Ａｌ膜、１８・・・・・・フォトレジス）ＩＥ、２０・
−・・・・アルミナ膜。 −＃’、 ／ 暫 □ 羊２ 図 第 ３図 羊４＠ 革Ｓ 図
Claims (1)
- 半導体基板の一王曲に金Ｊ１ｉ膜を形成する工程と、核
金属腺を選択的に所定の厚さだけドライエツチング法に
より除去する工程と、少なくとも前記除去すべき部分の
残存金属膜を陽極酸化法により絶縁膜に変換する工程と
を含むことを％徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098525A JPS58120A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098525A JPS58120A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58120A true JPS58120A (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=14222077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56098525A Pending JPS58120A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58120A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10663764B2 (en) * | 2013-11-29 | 2020-05-26 | Carl Zeiss Vision International Gmbh | Spectacle lens and method for making the same |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56098525A patent/JPS58120A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10663764B2 (en) * | 2013-11-29 | 2020-05-26 | Carl Zeiss Vision International Gmbh | Spectacle lens and method for making the same |
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