JPS58122702A - 電圧非直線抵抗体の製造法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造法Info
- Publication number
- JPS58122702A JPS58122702A JP57003364A JP336482A JPS58122702A JP S58122702 A JPS58122702 A JP S58122702A JP 57003364 A JP57003364 A JP 57003364A JP 336482 A JP336482 A JP 336482A JP S58122702 A JPS58122702 A JP S58122702A
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- JP
- Japan
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- nonlinear resistor
- voltage nonlinear
- producing voltage
- small
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は電圧非直−抵抗体の１Ｊｌａ方法＆：関する。
発明の技術的背景と問題点
従来の電圧非ＷｉＩＩＩ抵抗体の製造方法はＺｎＯを主
成分とし、副成分としてＢｉ、Ｏ，、Ｂ、ｂｌＯ，、（
！ ｏＨ０ｇ 。
成分とし、副成分としてＢｉ、Ｏ，、Ｂ、ｂｌＯ，、（
！ ｏＨ０ｇ 。
ＭｎＯ、ム４０．などの金＃ｌ咳化物を少量添加し、こ
れを１合、成形した後、 １１００〜１３００℃の温度
で焼成し一紬体を得るものであった。この様にし工得ら
れた域圧非ＴｌＬｉ１１１抵抗体は＃ｉ直−性に優れ、
Ｔ−ジ１収Ｐ＠嵩子として植々の振器に便用されている
。しかし電力用ａｉｉｉの内部費業とし便用いる場合６
；は次の様な欠点があった０丁なわち餉撃電流を印加し
た場合、その特性変化が大きく、又大電流域の非−線輪
性も十分でなくかつｌｌｌ１遠ロツト４二より小電流域
特性のバラツキも大きいという欠点！を有していた。
れを１合、成形した後、 １１００〜１３００℃の温度
で焼成し一紬体を得るものであった。この様にし工得ら
れた域圧非ＴｌＬｉ１１１抵抗体は＃ｉ直−性に優れ、
Ｔ−ジ１収Ｐ＠嵩子として植々の振器に便用されている
。しかし電力用ａｉｉｉの内部費業とし便用いる場合６
；は次の様な欠点があった０丁なわち餉撃電流を印加し
た場合、その特性変化が大きく、又大電流域の非−線輪
性も十分でなくかつｌｌｌ１遠ロツト４二より小電流域
特性のバラツキも大きいという欠点！を有していた。
ところで、従来大電流域の＃Ｉ龜麿性を＆ｌＩＴる方法
としては、 ＺｎＯ結晶中に機敏のムｔイオン、Ｇａイ
オン、Ｉｎイオン等をＩａ軸結中拡散さセ。
としては、 ＺｎＯ結晶中に機敏のムｔイオン、Ｇａイ
オン、Ｉｎイオン等をＩａ軸結中拡散さセ。
ＺｎＯの比抵抗を下げるいわゆる原子価制御法が知られ
ている。そして、ム４Ｇｍ、Ｉｎ等の成分は数−数百Ｐ
ＰＭの微量で影響を与える。しかしながら、主成分のＺ
ｎＯやｉｍＷ７．分ととも一二単に島台してこれを焼結
する従来の書法では、これら超微量のムへ’ Ｇａ、
ｘｎ成分が十分にＺｎＯＺｎＯ結晶中６二分散されず大
部分はスピネル結晶および粒界相へ取り込まれてし直っ
ていた。このことが小電流域特性および備′Ｓ電流感二
対する特性の安定化を十分はかることができない原因と
なっていたと考えられる。
ている。そして、ム４Ｇｍ、Ｉｎ等の成分は数−数百Ｐ
ＰＭの微量で影響を与える。しかしながら、主成分のＺ
ｎＯやｉｍＷ７．分ととも一二単に島台してこれを焼結
する従来の書法では、これら超微量のムへ’ Ｇａ、
ｘｎ成分が十分にＺｎＯＺｎＯ結晶中６二分散されず大
部分はスピネル結晶および粒界相へ取り込まれてし直っ
ていた。このことが小電流域特性および備′Ｓ電流感二
対する特性の安定化を十分はかることができない原因と
なっていたと考えられる。
また１合条件のわずかの変化でもム４Ｇａ％Ｉ−成分Ｏ
ＪＺ＊Ｏ結晶への拡散状態が変動し、このことがロフト
間の特性のバッフ中の原因となっていたと考えられる。
ＪＺ＊Ｏ結晶への拡散状態が変動し、このことがロフト
間の特性のバッフ中の原因となっていたと考えられる。
発明の目的
本発明は、これらの欠点に鑑みなされたもので。
疲れた大電流域特性、衝撃電流特性を有し、小電流域特
性のバッフ中も小さい電圧非ｍａｔ抗体の装造方法を提
供することを目的とする。
性のバッフ中も小さい電圧非ｍａｔ抗体の装造方法を提
供することを目的とする。
発明の１ｌｌｔ１１
本発明は、例えばム４ Ｇａ、 Ｉｎの少くとも一種類
を含む有機酸塩・１例えば、ナフテン酸塩、ステアリン
酸塩）を主成分のＺｎＯとあらかじめ温合し、くり、そ
の後この仮焼物にその他の鋼成分（１１，Ｏｓ、Ｂｏｏ
＠、００１０ｇ、 ＭｎＯなと）を添加混合し、コノ混
合物を成形した後、焼成することをその特徴とする。
を含む有機酸塩・１例えば、ナフテン酸塩、ステアリン
酸塩）を主成分のＺｎＯとあらかじめ温合し、くり、そ
の後この仮焼物にその他の鋼成分（１１，Ｏｓ、Ｂｏｏ
＠、００１０ｇ、 ＭｎＯなと）を添加混合し、コノ混
合物を成形した後、焼成することをその特徴とする。
発明の実＆例
以下本発明を実施例−二もとすき説明する。まず主成分
ＺｎＯとす７テン酸アル１＝ウムの全量を秤飯、これに
ブチルアルコールを加えてポットミルで混合、乾燥後８
００℃で仮焼する。これをポットミルで粉砕機副成分と
してＢｉ、Ｏ，、８ｂ、Ｏ，、ｃｏ、ｏ、、ＭｎＯ等を
溢加し、成形した後、これを電気炉に入れ１２５００で
２ｎｒ暁成し、冷却後研磨を行い４５φＸ２２ｔｍの焼
結体を得た。研磨向にムを溶射を行い電極付を行った。
ＺｎＯとす７テン酸アル１＝ウムの全量を秤飯、これに
ブチルアルコールを加えてポットミルで混合、乾燥後８
００℃で仮焼する。これをポットミルで粉砕機副成分と
してＢｉ、Ｏ，、８ｂ、Ｏ，、ｃｏ、ｏ、、ＭｎＯ等を
溢加し、成形した後、これを電気炉に入れ１２５００で
２ｎｒ暁成し、冷却後研磨を行い４５φＸ２２ｔｍの焼
結体を得た。研磨向にムを溶射を行い電極付を行った。
この様Ｃ；シて得られた電圧非［１Ｍ抵抗体の大電流域
１；おける非直線性は素子１＝１０１ムの電流を流した
時の電圧（ｖ１０１ム）とｌＩｌムの電流を流した時の
電圧（Ｖ１ｍム）の比（ＶＩＯＫム／ｖｌｌム）で表わ
した。又衝撃電流特性は８８２０μｓＩＯ！ムを３０秒
間隔で１０１印加した後のＶ１ｍムの変化率で表わした
。箪１表に本発明の実施例と従来例を壱々ｌＯロットナ
ンプリングして比較した・第１表 又固自に本発明例と従来例の小電流域特性を示す（Ｖ１
ｉｍｉ／Ｖ０．１ｍ１）の値ｔ’１００ツ）比較し、そ
のバラツキの状１１ｖ示した。ＳＸ＊および図血力１ら
□明白な様に、大電流域特性（ＶＩＯＫνηｌム）、
衝撃電流特性（Δｖｌ鵬ム一）および小電ｔＩｔ域特性
（ｖ１ｍム／ＶＯ５１龜ム）のいずれもが改善され、し
かも各ロフト間の特性上のバラツキも小さくその特性か
着しく安定化されている。これら特性の改善および安定
性が増した要因としては、ステアリン酸アルミニ、りム
をあらかじめＺｎＯと混合仮焼することによりｚｎＯへ
ムを成分の拡散が十分均一に行われた為であると考えら
れる。
１；おける非直線性は素子１＝１０１ムの電流を流した
時の電圧（ｖ１０１ム）とｌＩｌムの電流を流した時の
電圧（Ｖ１ｍム）の比（ＶＩＯＫム／ｖｌｌム）で表わ
した。又衝撃電流特性は８８２０μｓＩＯ！ムを３０秒
間隔で１０１印加した後のＶ１ｍムの変化率で表わした
。箪１表に本発明の実施例と従来例を壱々ｌＯロットナ
ンプリングして比較した・第１表 又固自に本発明例と従来例の小電流域特性を示す（Ｖ１
ｉｍｉ／Ｖ０．１ｍ１）の値ｔ’１００ツ）比較し、そ
のバラツキの状１１ｖ示した。ＳＸ＊および図血力１ら
□明白な様に、大電流域特性（ＶＩＯＫνηｌム）、
衝撃電流特性（Δｖｌ鵬ム一）および小電ｔＩｔ域特性
（ｖ１ｍム／ＶＯ５１龜ム）のいずれもが改善され、し
かも各ロフト間の特性上のバラツキも小さくその特性か
着しく安定化されている。これら特性の改善および安定
性が増した要因としては、ステアリン酸アルミニ、りム
をあらかじめＺｎＯと混合仮焼することによりｚｎＯへ
ムを成分の拡散が十分均一に行われた為であると考えら
れる。
発明の他の実施例
冑、ステアリン酸ガリウム、ステアリン酸インジウム、
ナフテン酸アル電ニウム、ナフテン酸ガツウム、ナフテ
ン酸インジクム等でも同様の結果が得られた。又、ナフ
テン酸塩、ステアリン酸塩は低温で溶解することからＺ
ｎＯと混合仮焼する温度も比較的低温でよいことから、
Ｚ！１０の焼結性を損うことがなく極めて効果的である
。
ナフテン酸アル電ニウム、ナフテン酸ガツウム、ナフテ
ン酸インジクム等でも同様の結果が得られた。又、ナフ
テン酸塩、ステアリン酸塩は低温で溶解することからＺ
ｎＯと混合仮焼する温度も比較的低温でよいことから、
Ｚ！１０の焼結性を損うことがなく極めて効果的である
。
発明の詳細
な説明した様に１本発明によれば大電流域特性、衝撃電
流特性、小電流域特性が改善され且つ各製造ロフトの特
性変動（バッフ中）も小さい電、ｒＬ非！ｋｗＩＡ抵抗
体な提供できる・
流特性、小電流域特性が改善され且つ各製造ロフトの特
性変動（バッフ中）も小さい電、ｒＬ非！ｋｗＩＡ抵抗
体な提供できる・
図面は従来例と本発明に係る製造ロフトの小電流域特性
のバラツキを示す比較特性図である。 （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１
名）
のバラツキを示す比較特性図である。 （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１
名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、主成分のＺｎ０Ｊ：、ム１．Ｑａ％Ｉｎの少（とも
一種類を含む有機酸塩を添加温合し、この諷合物を仮焼
し、この仮焼物に副成分としてＩｌｉ、Ｏ，、Ｂｂ、Ｏ
，，０ｏｌＯ１，ＭｎＯなとの金属酸化物を添加温合し
、この混合物を成形した後焼成する電圧非ｍｓ抵抗体の
製造方法。 ２、有ｍｓ塩はす７テン鎖埴、ステアリン酸塩である特
許請求の範囲第１項記載の電圧非Ｗ線抵仇体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57003364A JPS58122702A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57003364A JPS58122702A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122702A true JPS58122702A (ja) | 1983-07-21 |
Family
ID=11555289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57003364A Pending JPS58122702A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122702A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02238603A (ja) * | 1989-03-13 | 1990-09-20 | Ngk Insulators Ltd | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
-
1982
- 1982-01-14 JP JP57003364A patent/JPS58122702A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02238603A (ja) * | 1989-03-13 | 1990-09-20 | Ngk Insulators Ltd | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
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