JPS5812337B2 - ビサイパタ−ンノ トウメイマクノケイセイホウホウホウ - Google Patents
ビサイパタ−ンノ トウメイマクノケイセイホウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5812337B2 JPS5812337B2 JP50067912A JP6791275A JPS5812337B2 JP S5812337 B2 JPS5812337 B2 JP S5812337B2 JP 50067912 A JP50067912 A JP 50067912A JP 6791275 A JP6791275 A JP 6791275A JP S5812337 B2 JPS5812337 B2 JP S5812337B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- thin film
- transparent film
- transparent
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光学的干渉フィルタのような微細パターンの
透明膜の形成方法に係わる。
透明膜の形成方法に係わる。
従来、このような微細パターンの透明膜を得る方法とし
ては、先ず第１図に示す如く、ガラスのような透明基板
１上に、金属パターン２を形成する。
ては、先ず第１図に示す如く、ガラスのような透明基板
１上に、金属パターン２を形成する。
この金属パターン２は例えばアルミニウムＡｔを約１．
０μｍの厚みに全面的に蒸着し、その後、フォトエッチ
ングによって最終的に得る透明膜のパターンに応じたパ
ターンを有する窓２ａを形成して得る。
０μｍの厚みに全面的に蒸着し、その後、フォトエッチ
ングによって最終的に得る透明膜のパターンに応じたパ
ターンを有する窓２ａを形成して得る。
次いで、第２図に示す如く金属パターン２が形成された
基板１上に、例えばＳｔ０２より成る透明膜３を全面的
に例えばイ学的気相成長法によって被着する。
基板１上に、例えばＳｔ０２より成る透明膜３を全面的
に例えばイ学的気相成長法によって被着する。
その後、金属パターン２に対して化学的エッチングを行
って之を除去する。
って之を除去する。
例えばこの金属パターン２がＡｌである場合は、エッチ
ング液として燐酸を用いてエッチングする。
ング液として燐酸を用いてエッチングする。
かくすることによって第３図に示す如く金属パターン２
を除去すると共に、之の上の透明膜３を除去する。
を除去すると共に、之の上の透明膜３を除去する。
かくすれば金属パターン２の窓２ａ内に形成された透明
膜３のみが残り、之が所望のパターンとなる。
膜３のみが残り、之が所望のパターンとなる。
このような方法によれば透明膜３を、直接選択的化学エ
ッチングしてパターン化するものではないので、この透
明膜３が比較的化学エッチングされにくいような材料で
あっても、或いはその厚みが比較的厚くてもサイドエッ
チングによって精度を低下せしめるようなことなく高精
度に得ることができる。
ッチングしてパターン化するものではないので、この透
明膜３が比較的化学エッチングされにくいような材料で
あっても、或いはその厚みが比較的厚くてもサイドエッ
チングによって精度を低下せしめるようなことなく高精
度に得ることができる。
しかしながら、このような方法による場合、最終的に金
属パターン２をエッチング除去する必要からこの金属パ
ターン２がそのエッチング液と接触し得るように、之の
上に透明膜３を全面的に被着するに際して、この透明膜
３の厚みを、金属パターン２の厚みより稍々小に選定し
て第２図に示すように、金属パターシ２の窓２ａの周縁
の肩部２ｂが外部に露出するようにするので、窓２ａ内
に形成された透明膜３の厚みは一様ではなく窓２ａの周
辺に向って盛り上った状態となる。
属パターン２をエッチング除去する必要からこの金属パ
ターン２がそのエッチング液と接触し得るように、之の
上に透明膜３を全面的に被着するに際して、この透明膜
３の厚みを、金属パターン２の厚みより稍々小に選定し
て第２図に示すように、金属パターシ２の窓２ａの周縁
の肩部２ｂが外部に露出するようにするので、窓２ａ内
に形成された透明膜３の厚みは一様ではなく窓２ａの周
辺に向って盛り上った状態となる。
したがって最終的に得られる微細パターンの透明膜の厚
みは各部一様ではなく、厚みに高い精度が要求きれる干
渉フィルタとしては不利益となる。
みは各部一様ではなく、厚みに高い精度が要求きれる干
渉フィルタとしては不利益となる。
本発明は、このような不利益を解消した微細パターンの
透明膜の形成方法を提供せんとするものである。
透明膜の形成方法を提供せんとするものである。
第４図ないし第８図を参照して本発明の一例を詳細に説
明しよう。
明しよう。
本発明に於では、先ず第４図に示す如く、ガラスのよう
な透明基板１０上の、最終的に微細パターンの透明膜を
形成する部分以外の全部分或いはその一部の部分に選択
的こ光学的検知用薄膜、例えば厚み１０００〜２０００
人のアルミニウムＡｌ膜より成る光不透過性の薄膜１１
を例えば蒸着マスクを介して行う選択的蒸着法によって
形成する。
な透明基板１０上の、最終的に微細パターンの透明膜を
形成する部分以外の全部分或いはその一部の部分に選択
的こ光学的検知用薄膜、例えば厚み１０００〜２０００
人のアルミニウムＡｌ膜より成る光不透過性の薄膜１１
を例えば蒸着マスクを介して行う選択的蒸着法によって
形成する。
その後、第５図に示す如く、この薄膜１１が形成された
基板１０上に、少くともこの薄膜１１上と透明微細パタ
ーンを形成せんとする部分上とを含んで例えば全面的に
８１０２若しくはＴｔ０２或いはその双方を順次積層す
ることこよって所望の厚みを有する例えば干渉膜となる
透明膜１２を周知の技術、例えば化学的気相成長法、蒸
着等によって形成する。
基板１０上に、少くともこの薄膜１１上と透明微細パタ
ーンを形成せんとする部分上とを含んで例えば全面的に
８１０２若しくはＴｔ０２或いはその双方を順次積層す
ることこよって所望の厚みを有する例えば干渉膜となる
透明膜１２を周知の技術、例えば化学的気相成長法、蒸
着等によって形成する。
次いで、第６図に示す如く、透明膜３上の、最終的に微
細パターンを形成せんとする部分こ、次に行うドライプ
ロセスエッチングのマスク、例えばフォトレジスト層１
３を、露光、現像による光学的手法によって選択的に形
成する。
細パターンを形成せんとする部分こ、次に行うドライプ
ロセスエッチングのマスク、例えばフォトレジスト層１
３を、露光、現像による光学的手法によって選択的に形
成する。
そして、この例えばフォトレジストより成るマスク１３
をマスクとして之によって覆われていない部分の透明薄
膜１２を、特に化学的エッチングによらない、いわば機
械的エッチングともいうべきドライプロセスエッチング
法によってエッチングし、続いて更に之の下の検知用薄
膜１１をも、同様のドライプロセスエッチング法によっ
て除去する。
をマスクとして之によって覆われていない部分の透明薄
膜１２を、特に化学的エッチングによらない、いわば機
械的エッチングともいうべきドライプロセスエッチング
法によってエッチングし、続いて更に之の下の検知用薄
膜１１をも、同様のドライプロセスエッチング法によっ
て除去する。
このドライプロセスエッチングは例えばプラズマエッチ
ング法、或いは高周波スパッタリング装置によるイオン
ビームの衝撃によるエッチングを適用し得る。
ング法、或いは高周波スパッタリング装置によるイオン
ビームの衝撃によるエッチングを適用し得る。
そして、このドライプロセスエッチングは、検知用薄膜
１１による光学的検知によってこの薄膜１１が除去され
たことを知ってそのエッチングを停止する。
１１による光学的検知によってこの薄膜１１が除去され
たことを知ってそのエッチングを停止する。
この検知は例えば第６図に示す如く博膜１１を挾んで対
向する如く基板１１の一方の面に対向して光源１４を配
し、他方の面に対向して光検出素子１５例えば光導電セ
ルを配する。
向する如く基板１１の一方の面に対向して光源１４を配
し、他方の面に対向して光検出素子１５例えば光導電セ
ルを配する。
このようにして、例えば薄膜１１が存在するときは、光
源１４よりの光が、この薄膜１１によって光検出素子１
５に対しＣ殆んど遮断するようになし、薄膜１１が除去
されたとき光源１４よりの光が光検出素子１５に十分達
するようになす。
源１４よりの光が、この薄膜１１によって光検出素子１
５に対しＣ殆んど遮断するようになし、薄膜１１が除去
されたとき光源１４よりの光が光検出素子１５に十分達
するようになす。
このようにして、薄膜１１が除去されたとき、その除去
を光学的に検知して例えば素子１５より電気信号を得る
ものであり、之によってその除去をブザー、ランプ等に
よって表示するか或いはこの信号によってドライプロセ
スエッチングの装置を自動的に停止させる。
を光学的に検知して例えば素子１５より電気信号を得る
ものであり、之によってその除去をブザー、ランプ等に
よって表示するか或いはこの信号によってドライプロセ
スエッチングの装置を自動的に停止させる。
かくすれば、第７図に示す如く、マスク１３下の透明膜
１２のみが八り、他部の透明膜１２と薄膜１１が除去さ
れる。
１２のみが八り、他部の透明膜１２と薄膜１１が除去さ
れる。
したがって、その後、マスク１３を除去すれば、第８図
に示す如く所望のパターンを有する透明膜１２を有する
例えば干渉フィルタが得られる。
に示す如く所望のパターンを有する透明膜１２を有する
例えば干渉フィルタが得られる。
尚、第４図ないし第８図に説明した例は一つの厚みを有
する１つの微細パターンの透明膜１２を形成したもので
あるが、異る厚み或いは材料を有する複数種例えば２種
の微細パターンの透明膜を得る場合にも本発明を適用で
きる。
する１つの微細パターンの透明膜１２を形成したもので
あるが、異る厚み或いは材料を有する複数種例えば２種
の微細パターンの透明膜を得る場合にも本発明を適用で
きる。
この場合の一例を第９図ないし第１３図について説明す
るに、先ず第９図に示す如く、第４−一第８図について
説明したと同様の工程を経て、所望の厚みｔ１を有する
第１の微細パターンの透明膜１２を形成し、その後、之
の上と、他部の最終的に透明膜が形成されることのない
部分以外の全部分、或いはその一部の部分に選択的に、
前述したと同様の例えばＡｔより成る光学的検知用薄膜
１１を形成する，その後、第１０図に示す如く、所要の
厚みｔ２を有する第２の透明膜２？を全面的に形成する
。
るに、先ず第９図に示す如く、第４−一第８図について
説明したと同様の工程を経て、所望の厚みｔ１を有する
第１の微細パターンの透明膜１２を形成し、その後、之
の上と、他部の最終的に透明膜が形成されることのない
部分以外の全部分、或いはその一部の部分に選択的に、
前述したと同様の例えばＡｔより成る光学的検知用薄膜
１１を形成する，その後、第１０図に示す如く、所要の
厚みｔ２を有する第２の透明膜２？を全面的に形成する
。
そして、第１１図に示す如く、最終的に第２の微細パタ
ーンの透明膜を形成せんとする部分上に、第６図につい
て説明したと同様の、例えばフォトレジストより成るマ
スク１３を形成し、之をマスクとして前述したと同様の
ドライ７ロセスエッチングを行ってマスク１３によって
覆われざる部分の透明膜２２と、之の下の薄膜１１を除
去する。
ーンの透明膜を形成せんとする部分上に、第６図につい
て説明したと同様の、例えばフォトレジストより成るマ
スク１３を形成し、之をマスクとして前述したと同様の
ドライ７ロセスエッチングを行ってマスク１３によって
覆われざる部分の透明膜２２と、之の下の薄膜１１を除
去する。
この場合に於でも、基体１０に直接的に被着された薄膜
１１を挾んで第６図について説明したと同様に光源１４
と、センサ１５を配置し、薄膜１１が除去された時点を
検知して、ドライプロセスエッチングを停止する。
１１を挾んで第６図について説明したと同様に光源１４
と、センサ１５を配置し、薄膜１１が除去された時点を
検知して、ドライプロセスエッチングを停止する。
かくすれば、第１２図に示す如く、マスク層１３下の透
明膜２２が残り、第２の微細パターンを有する透明膜２
２が形成される。
明膜２２が残り、第２の微細パターンを有する透明膜２
２が形成される。
このとき、薄膜１１の除去と共に、そのドライプロセス
エッチングを停止させるので、第１の微細パターン１２
が一部除去されたりすることはない。
エッチングを停止させるので、第１の微細パターン１２
が一部除去されたりすることはない。
したがって、第１３図に示す如く、マスク１３を除去す
れば第１及び第２の微細パターンの透明膜１２及び２２
を有する例えば干渉フィルタが構成される。
れば第１及び第２の微細パターンの透明膜１２及び２２
を有する例えば干渉フィルタが構成される。
上述したように、本発明方法では透明膜１２及び２２を
パターン化するのに、之自体の選択的除去によって行う
ものであるから、第１図ないし第３図に説明した従来例
のように厚みが不均一となるおそれはなく、しかも之自
体をエッチングするにも係わらず、弗酸のような化学的
エッチング液を用いるものでもないので、その作業を簡
便に再現性良く行うことができ、しかも、化学的エッチ
ングによる場合は、そのエッチングが厚み方向に進行す
ると共に、横方向こも進行するいわゆるサイドエッチン
グを伴うので微細パターンを高精度に形成し難いが、こ
のような欠点もない。
パターン化するのに、之自体の選択的除去によって行う
ものであるから、第１図ないし第３図に説明した従来例
のように厚みが不均一となるおそれはなく、しかも之自
体をエッチングするにも係わらず、弗酸のような化学的
エッチング液を用いるものでもないので、その作業を簡
便に再現性良く行うことができ、しかも、化学的エッチ
ングによる場合は、そのエッチングが厚み方向に進行す
ると共に、横方向こも進行するいわゆるサイドエッチン
グを伴うので微細パターンを高精度に形成し難いが、こ
のような欠点もない。
更に、化学的エッチングによる場合、そのエヅチングを
停止しても、そのエッチング液が完全に除去されない限
りそのエッチングは多少なりとも進行しているので、透
明膜がＳｉ０２である場合のように之に対するエッチン
グ液としての弗酸によってガラス基板１０がエッチング
されるような場合（芋、Ｓｉ０２より成る透明膜のみを
除去し、ガラス基板１０に対しては之がエッチングする
ことがないようご制御することは困難なものであるが、
本発明製法によれば、いわば機械的エッチングによるド
ライプロセスエッチングを適用するのでその停止の制御
は正確に行うことができ、しかも、薄膜１１の存否によ
って透明膜の所要部の全厚みのエッチング完了を確実に
検知することができるのでこのエッチングの停止を確実
に制御でき、基板１０に喰込むようにエッチングが進行
したり或いは除去すべき部分に透明膜が残ったりするが
如きを確実に回避できる利益がある。
停止しても、そのエッチング液が完全に除去されない限
りそのエッチングは多少なりとも進行しているので、透
明膜がＳｉ０２である場合のように之に対するエッチン
グ液としての弗酸によってガラス基板１０がエッチング
されるような場合（芋、Ｓｉ０２より成る透明膜のみを
除去し、ガラス基板１０に対しては之がエッチングする
ことがないようご制御することは困難なものであるが、
本発明製法によれば、いわば機械的エッチングによるド
ライプロセスエッチングを適用するのでその停止の制御
は正確に行うことができ、しかも、薄膜１１の存否によ
って透明膜の所要部の全厚みのエッチング完了を確実に
検知することができるのでこのエッチングの停止を確実
に制御でき、基板１０に喰込むようにエッチングが進行
したり或いは除去すべき部分に透明膜が残ったりするが
如きを確実に回避できる利益がある。
第１図ないし第３図は従来の微細パターンの透明膜の形
成方法の工程図、第４図ないし第８図は本発明ごよる微
細パターンの透明膜の形成方法の一例の各工程の拡大断
面図、第９図ないし第１３図は本発明方法の他の一例の
各工程の拡大断面図である。 １０は基板、１１は光学的検知用薄膜、１２及び２２は
透明薄膜、１３はドライプロセスエッチングに対する副
エッチングマスクである。
成方法の工程図、第４図ないし第８図は本発明ごよる微
細パターンの透明膜の形成方法の一例の各工程の拡大断
面図、第９図ないし第１３図は本発明方法の他の一例の
各工程の拡大断面図である。 １０は基板、１１は光学的検知用薄膜、１２及び２２は
透明薄膜、１３はドライプロセスエッチングに対する副
エッチングマスクである。
Claims (1)
- １ 基板上の少くとも一部に光学的検知用薄膜を被着形
成し、上記基板上に上記光学的検知用薄膜上も含めて透
明薄膜を形成し、該透明薄膜上に所望パターンの耐エッ
チングマスクを被着し、該マスクのエッチング窓を通じ
て上記透明薄膜をドライフ福セスエッチング法によりエ
ッチングし、上記光学的検知用薄膜によって光学的に上
記透明薄膜の除去を検知して上記エッチングを停止する
ようにすることを特徴とする微細パターンの透明膜あ形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50067912A JPS5812337B2 (ja) | 1975-06-05 | 1975-06-05 | ビサイパタ−ンノ トウメイマクノケイセイホウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50067912A JPS5812337B2 (ja) | 1975-06-05 | 1975-06-05 | ビサイパタ−ンノ トウメイマクノケイセイホウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51143540A JPS51143540A (en) | 1976-12-09 |
| JPS5812337B2 true JPS5812337B2 (ja) | 1983-03-08 |
Family
ID=13358576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50067912A Expired JPS5812337B2 (ja) | 1975-06-05 | 1975-06-05 | ビサイパタ−ンノ トウメイマクノケイセイホウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812337B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS574012A (en) * | 1980-06-09 | 1982-01-09 | Canon Inc | Production of color filter |
| JPS576813A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-13 | Canon Inc | Color filter |
| JPS6078402A (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−化固体撮像装置およびその製造方法 |
-
1975
- 1975-06-05 JP JP50067912A patent/JPS5812337B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51143540A (en) | 1976-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4680084A (en) | Interferometric methods and apparatus for device fabrication | |
| US5240550A (en) | Method of forming at least one groove in a substrate layer | |
| US4454001A (en) | Interferometric method and apparatus for measuring etch rate and fabricating devices | |
| US5128283A (en) | Method of forming mask alignment marks | |
| JPH0815510A (ja) | バイナリーオプティクス及びその製造方法 | |
| KR960003482B1 (ko) | 액정 표시 장치의 칼라 필터 제조방법 | |
| JPS58130529A (ja) | 半導体のエツチング方法 | |
| JPH0682727B2 (ja) | 検査用基板とその製造方法 | |
| KR970022533A (ko) | 반도체소자의 공정결함 검사방법 | |
| JPS63295907A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0298147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2731914B2 (ja) | 検査用基板およびその製造方法 | |
| JPH03215957A (ja) | 膜厚の測定方法 | |
| JP3127554B2 (ja) | エッチング装置およびエッチング方法 | |
| JPS613489A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0471457B2 (ja) | ||
| KR100207653B1 (ko) | 초전형 적외선 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100291555B1 (ko) | 기판 식각 장치 및 이를 이용한 실리콘 맴브레인 제조 방법 | |
| JP3108986B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPS60231331A (ja) | リフトオフ・パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0722382A (ja) | エッチングモニタ方法 | |
| JPH03200149A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPS6337194B2 (ja) | ||
| JPS61156012A (ja) | 二焦点走査板の製造方法 | |
| JPS5830131A (ja) | エッチングの終点検出法 |