JPS5812941U - 気相成長装置用サセプタ - Google Patents

気相成長装置用サセプタ

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Publication number
JPS5812941U
JPS5812941U JP1981105553U JP10555381U JPS5812941U JP S5812941 U JPS5812941 U JP S5812941U JP 1981105553 U JP1981105553 U JP 1981105553U JP 10555381 U JP10555381 U JP 10555381U JP S5812941 U JPS5812941 U JP S5812941U
Authority
JP
Japan
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susceptor
vapor phase
phase growth
growth equipment
semiconductor wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP1981105553U
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English (en)
Inventor
吉三 小宮山
宮崎　美彦
松永　重次
石川　武敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
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Publication of JPS5812941U publication Critical patent/JPS5812941U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のサセプタを用いた気相成長装置の概略的
縦断正面図、第２図は本考案サセプタの一実施例を用い
た気相成長装置の概略的縦断正面図、第３図は本考案サ
セプタの半導体ウェハ載置状態の断面図、第４図イ９口
、ハは本考案サセプタのそれぞれ異なる他の実施例を示
す断面図である。 ２・・・反応室、３・・・反応容器（ベルジャ）、５・
・・サセプタ、１３・・・反応ガス、１７・・・半導体
ウェハ、５ａ、　　５ｂ・・・半導体ウェハ載置面。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 反応容器で囲まれた反応室内で半導体ウェハを載置した
    サセプタを回転させる之ともにこのサセプタを加熱した
    状態で反応室内に反応ガスを流すことにより上記半導体
    ウェハのエピタキシャル成長を行なわせるようにした気
    相成長装置用のもので、径方向に複数の半導体ウェハを
    載置できる載置面を有し、少くともその一部の半導体ウ
    ェハ載置面が径方向に沿って傾斜されていることを特徴
    とする気相成長装置用サセプタ。
JP1981105553U 1981-07-16 1981-07-16 気相成長装置用サセプタ Pending JPS5812941U (ja)

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JP1981105553U JPS5812941U (ja) 1981-07-16 1981-07-16 気相成長装置用サセプタ

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JPS5812941U true JPS5812941U (ja) 1983-01-27

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ID=29900085

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