JPS6096820U - 気相成長用ノズル - Google Patents

気相成長用ノズル

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Publication number
JPS6096820U
JPS6096820U JP1983189542U JP18954283U JPS6096820U JP S6096820 U JPS6096820 U JP S6096820U JP 1983189542 U JP1983189542 U JP 1983189542U JP 18954283 U JP18954283 U JP 18954283U JP S6096820 U JPS6096820 U JP S6096820U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor phase
phase growth
nozzle
growth nozzle
reaction chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP1983189542U
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Inventor
柴田 英治
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Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は縦形気相成長装置に従来ノズルを適用した場合
の断面図、第2図a、 bはそれぞれ従来ノズルの正面
図及びその■−■線断面図、第3図a、 bはそれぞれ
本考案ノズルの第1実施例の正面図及びその■−■線断
面図、第4図a、 bはそれぞれ第2実施例の正面図及
びそのIV−IV線断面図、第5図a、 bはそれぞれ
第3実施例の正面図及びその■−■線断面図である。 1・・・ウェーハ、2・・・サセプタ、3・・・ワーク
コイル、4a〜4c・・・本考案ノズル、5・・・反応
室、7・・・スリット、8・・・支柱、9・・・ツバ、
1o・・・垂直支柱、11・・・被い板、12・・・水
平支柱。 寡3副      箋q 目     箋■

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 気相成長用ノズルより原料ガスを反応室内に供給し、反
    応室内のサセプタ上に置かれて加熱された半導体ウェー
    ハ表面に気相成長膜を生成する装置において、前記気相
    成長用ノズルを、被い板を有する筒部分をノズル先端部
    とする複数の筒部分と、隣接する筒部分間にスリットを
    形成するべ(各筒部分間を連接する複数本の支柱とより
    構成した気相成長用ノズル。
JP1983189542U 1983-12-07 1983-12-07 気相成長用ノズル Pending JPS6096820U (ja)

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JPS6096820U true JPS6096820U (ja) 1985-07-02

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62171113A (ja) * 1986-01-24 1987-07-28 Toshiba Ceramics Co Ltd 縦型cvd装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62171113A (ja) * 1986-01-24 1987-07-28 Toshiba Ceramics Co Ltd 縦型cvd装置

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