JPS5812982B2 - 化学イオン化イオン源 - Google Patents
化学イオン化イオン源Info
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- JPS5812982B2 JPS5812982B2 JP51117153A JP11715376A JPS5812982B2 JP S5812982 B2 JPS5812982 B2 JP S5812982B2 JP 51117153 A JP51117153 A JP 51117153A JP 11715376 A JP11715376 A JP 11715376A JP S5812982 B2 JPS5812982 B2 JP S5812982B2
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- Japan
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- ion source
- ionization
- region
- electrons
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/10—Ion sources; Ion guns
- H01J49/14—Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers
- H01J49/145—Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers using chemical ionisation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は質量分析計などのイオン源、特に化学イオン化
( Ohemical Ionization, (以
下、C.I.と略す。
( Ohemical Ionization, (以
下、C.I.と略す。
))によるイオン源の改良に関する。C.I.は、例え
ば特公昭50−36190号明細書に詳述されているよ
うに、試料をイオン化する方法の一つで、熱運動エネル
ギー程度の低いエネルギーを持ったリアクタントイオン
と試料のイオン分子反応を利用したソフトなイオン化の
方法である。
ば特公昭50−36190号明細書に詳述されているよ
うに、試料をイオン化する方法の一つで、熱運動エネル
ギー程度の低いエネルギーを持ったリアクタントイオン
と試料のイオン分子反応を利用したソフトなイオン化の
方法である。
このC.I.を簡単に説明する。まず、イオン化室内を
01〜数mmHg( Torr )に保ち、その内部で
リージエントガスを電子衝撃でイオン化すると、このイ
オンと中性リアクタントガスとの間でイオン分子反応が
生じ、安定なリアクタントイオンが形成される。
01〜数mmHg( Torr )に保ち、その内部で
リージエントガスを電子衝撃でイオン化すると、このイ
オンと中性リアクタントガスとの間でイオン分子反応が
生じ、安定なリアクタントイオンが形成される。
そして、このリアクタントイオンと試料とのイオン分子
反応で試料をイオン化する。
反応で試料をイオン化する。
第1図に従来のC.I.イオン源を用いた質量分析計を
示す。
示す。
同図において1はイオン化室、2はリベラー電極で生成
したイオンを押し出すための電極、3はリージエントカ
ス、サンプルガス導入口、4はスリット、5はスリット
、6はレンズ電極、7は電子銃、8は質量分析部、9は
検出器である。
したイオンを押し出すための電極、3はリージエントカ
ス、サンプルガス導入口、4はスリット、5はスリット
、6はレンズ電極、7は電子銃、8は質量分析部、9は
検出器である。
同図から明らかなように、従来のC.I.イオン源にお
いては10−’mmHg以下の圧力に保たれた電子銃7
で発生した電子を数百ホルト〜1kV程度の電位差で加
速し、電子銃部とイオン化室1との間の圧力勾配にさか
らって01〜数mmHgの圧力のイオン化室1内を照射
し、ここで、リージエントガスを電子衝撃によるイオン
化していた。
いては10−’mmHg以下の圧力に保たれた電子銃7
で発生した電子を数百ホルト〜1kV程度の電位差で加
速し、電子銃部とイオン化室1との間の圧力勾配にさか
らって01〜数mmHgの圧力のイオン化室1内を照射
し、ここで、リージエントガスを電子衝撃によるイオン
化していた。
このため、イオン化室1と電子銃部との間に差動排気を
する必要があり、イオン化室1と電子銃部との間に小さ
なスリット(一般に、0.025〜?.05mm×3〜
5mm)を挿入する必要が存在する。
する必要があり、イオン化室1と電子銃部との間に小さ
なスリット(一般に、0.025〜?.05mm×3〜
5mm)を挿入する必要が存在する。
したがって、上記スリットによって電子銃7から放出さ
れる電子が制限されるため発生した電子の利用効率が非
常に悪い。
れる電子が制限されるため発生した電子の利用効率が非
常に悪い。
又、上記電子銃7として一般に加熱フィラメントによる
熱電子源を用いるため、試料を熱的に分解し、イオン化
室やスリットを汚染する欠点がある。
熱電子源を用いるため、試料を熱的に分解し、イオン化
室やスリットを汚染する欠点がある。
そして、このスリットの汚染はイオン化室に導入される
電子流の不安定、ひいてはイオン化されるイオン量の不
安定をもたらす。
電子流の不安定、ひいてはイオン化されるイオン量の不
安定をもたらす。
又、加熱フィラメントによる熱電子源を用いル場合、リ
ージエントガスとして腐食性ガスを用いるとフィラメン
トが破壊されるため、0やH20などの腐食性ガスの使
用は不可能である。
ージエントガスとして腐食性ガスを用いるとフィラメン
トが破壊されるため、0やH20などの腐食性ガスの使
用は不可能である。
さらに、上記構成のイオン源ではイオン化室1の圧力を
測定しようとすると、イオン化室1にマクラウドゲージ
のような真空計を装着せねばならない。
測定しようとすると、イオン化室1にマクラウドゲージ
のような真空計を装着せねばならない。
このためにはイオン化室1の容積を大きくしなければな
らず、イオン源のデッドボリュームが大きくなるため、
注入した試料がいつまでも抜けないなど、実用上問題が
多く、C.I.イオン源にこのような真空ゲージを取り
付けることは現実的に不可能である。
らず、イオン源のデッドボリュームが大きくなるため、
注入した試料がいつまでも抜けないなど、実用上問題が
多く、C.I.イオン源にこのような真空ゲージを取り
付けることは現実的に不可能である。
本発明の目的は、上述した電子衝撃型C.I.にかわり
、簡単な構成で、いかなるリージエントガスについても
使用できる改良されたC.I.イオン源を提供すること
にある。
、簡単な構成で、いかなるリージエントガスについても
使用できる改良されたC.I.イオン源を提供すること
にある。
上記目的を達成するために、本発明のC.I.イオン源
は、イオン化室と同じ圧力下で少なくとも一個の針状、
ナイフエッジ状、あるいはワイヤー状電極と、その先端
に対向して設置されたメッシュ、あるいはスリット付対
向電極間に、対向電極(なお、スリット付対向電極は細
孔付対向電極を含む。
は、イオン化室と同じ圧力下で少なくとも一個の針状、
ナイフエッジ状、あるいはワイヤー状電極と、その先端
に対向して設置されたメッシュ、あるいはスリット付対
向電極間に、対向電極(なお、スリット付対向電極は細
孔付対向電極を含む。
)を正として直流電圧を印加して放電をおこし、得られ
る電子によってリアクタントイオン(一次イオン)を生
成することを特徴とする。
る電子によってリアクタントイオン(一次イオン)を生
成することを特徴とする。
本発明においては直流放電を行なわせるために負電位が
印加される電極としては、針状、ナイフエッジ状あるい
はワイヤー状などのようにその対向電極側が非常にする
どく、強電界が印加される形のものが必要である。
印加される電極としては、針状、ナイフエッジ状あるい
はワイヤー状などのようにその対向電極側が非常にする
どく、強電界が印加される形のものが必要である。
そして、本発明の対向電極の役割は電界をきることがそ
の主要目的のため、スリット付の場合その断面積の大き
さは第1図に比較して約10倍程度となる。
の主要目的のため、スリット付の場合その断面積の大き
さは第1図に比較して約10倍程度となる。
以下、本発明を詳述するにあたって、その原理を説明す
る。
る。
C.I.を行なう際のイオン化室の圧力は、先にも述べ
たように1mmHg内外である。
たように1mmHg内外である。
この圧力下での電子の平均自由行程は非弾性衝突断面積
(イオン化を含む。
(イオン化を含む。
)を5×10−16cm’とすると、0. 5 mmと
なる。
なる。
よって何らかの形で生成した電子を強い電場で加速し、
この平均自由行程内でイオン化を行ない得るだけのエネ
ルギーを与えることができればC.I.が成立Aる。
この平均自由行程内でイオン化を行ない得るだけのエネ
ルギーを与えることができればC.I.が成立Aる。
一方、通常物質のイオン化ポテンシャルは15ev以下
であるから、電子を加速するための電界は30V/mm
以上であればよい。
であるから、電子を加速するための電界は30V/mm
以上であればよい。
いま、電位差Voが印加された針状電極と板状対抗電極
によって作られる雷場Eを考えるに、と表わされる。
によって作られる雷場Eを考えるに、と表わされる。
ここで、roは針状電極先端の曲率、Rは針状電極先端
から板状対向電極までの距離、Xは針状電極の曲率中心
から、電場Eの測定点までの距離である。
から板状対向電極までの距離、Xは針状電極の曲率中心
から、電場Eの測定点までの距離である。
ここで、例えばr。−0.03mm,R=4mrn,V
o=500V,x=3mmとすると、E(3)−3 0
V /mu を得る。
o=500V,x=3mmとすると、E(3)−3 0
V /mu を得る。
つまり、このことは、1mmHgの圧力下で針状電極と
対向電極間の直流放電を行なうことにより、C.I.用
の電子が生成し得ることを意味している。
対向電極間の直流放電を行なうことにより、C.I.用
の電子が生成し得ることを意味している。
上述した事項は針状電極と板状電極との間の直流放電の
場合のみでなく、針状電極のかわりにナイフエッジ状電
極又はワイヤー状電極板状対向電極のかわりにメッシュ
電極やスリット付電極を用いる場合についても成立する
。
場合のみでなく、針状電極のかわりにナイフエッジ状電
極又はワイヤー状電極板状対向電極のかわりにメッシュ
電極やスリット付電極を用いる場合についても成立する
。
この本発明によって、C.I.イオン源において、非常
にシンプルな電子発生源が得られることを意味する。
にシンプルな電子発生源が得られることを意味する。
又、イオン化室内と同一真空下で電子発生が可能となる
ことを意味し、非常に電子の利用効率を高くできる。
ことを意味し、非常に電子の利用効率を高くできる。
又、熱電子源を用いないためリージエントガスとして腐
食性ガスを用いることが可能となる。
食性ガスを用いることが可能となる。
以下、本発明を実施例を用いて詳述する。
第2図に本発明の一実施例を示す。
同図において、10は針状電極、11は放電領域、12
は対向メッシュ電極、13はイオン化領域、14はイオ
ン集束電極、15はサンプリング細孔である。
は対向メッシュ電極、13はイオン化領域、14はイオ
ン集束電極、15はサンプリング細孔である。
同図から明らかなように、本実施例は針状電極10の近
傍の電界強度は非常に強いため電子は加速され針先端近
傍の分子を次々にイオン化し放電をおこす。
傍の電界強度は非常に強いため電子は加速され針先端近
傍の分子を次々にイオン化し放電をおこす。
そして、生成した電子はメッシュ電極12の方向ヘドリ
フトして行く。
フトして行く。
メッシュ電極12と針状電極10との間の電位差を適当
な大きさにすると放電領域11で圧力が高いため衝突に
より電子はエネルギーを失なうが、このとき衝突イオン
化による電子の増巾を行ないつつメッシュ電極12に到
る。
な大きさにすると放電領域11で圧力が高いため衝突に
より電子はエネルギーを失なうが、このとき衝突イオン
化による電子の増巾を行ないつつメッシュ電極12に到
る。
たとえば3mmの間隔で500v程度以上の電位差を与
えると電子はメッシュ電極の方に加速され電子がメッシ
ュ電極12に到着した時に分子をイオン化するには十分
なエネルギーを持つことができる。
えると電子はメッシュ電極の方に加速され電子がメッシ
ュ電極12に到着した時に分子をイオン化するには十分
なエネルギーを持つことができる。
生成した正イオンがサンプリング細孔15側ヘドリフド
するようにイオン集束電極14には負の電位が印加され
ている。
するようにイオン集束電極14には負の電位が印加され
ている。
メッシュ電極12を通過した電子は減速され、やがて電
極などにあたって消滅するが、この間に分子をイオン化
し、化学イオン化に必要な一次イオンの生成を行なう。
極などにあたって消滅するが、この間に分子をイオン化
し、化学イオン化に必要な一次イオンの生成を行なう。
このように生成した一次イオンは電場にしたがって細孔
15の方ヘドリフトして行く間に試料中性分子と衝突し
、これとイオン分子反応を行ない、これをイオン化する
。
15の方ヘドリフトして行く間に試料中性分子と衝突し
、これとイオン分子反応を行ない、これをイオン化する
。
このようにして化学イオン化が行なわれる。
このようにして生成したイオンはサンプリング細孔15
から分析部にとり出される。
から分析部にとり出される。
上記実施例において、メッシュ状対向電極を細孔付対向
電極に変更してもよい。
電極に変更してもよい。
ただし、この場合、この電極に付される細孔の大きさは
、放電領域からイオン化領域への電界のもれだけを考慮
して決定され、第1図に示す差動排気用のスリット4の
場合と比紗して非常に大きくできるため、従来の問題点
はでてこない。
、放電領域からイオン化領域への電界のもれだけを考慮
して決定され、第1図に示す差動排気用のスリット4の
場合と比紗して非常に大きくできるため、従来の問題点
はでてこない。
さらに、第2図の実施例においては、針状電極10、メ
ッシュ状対抗電極12、細孔15を有するアパーチャー
電極が直列に並んでいる。
ッシュ状対抗電極12、細孔15を有するアパーチャー
電極が直列に並んでいる。
一般に電子衝撃により生成した一次イオン(リアクタン
トイオン)は試料と衝突し化学イオン化をおこすが、こ
のように生成したイオンのうち細孔から取り出されるイ
オンは、全体のイオンのうちほんの一部である。
トイオン)は試料と衝突し化学イオン化をおこすが、こ
のように生成したイオンのうち細孔から取り出されるイ
オンは、全体のイオンのうちほんの一部である。
これらのイオンは、細孔を起点として細孔付アパーチャ
電極に垂直な軸の近傍で生じたイオンである。
電極に垂直な軸の近傍で生じたイオンである。
そこで本実施例のように直列構成をとることによってこ
の軸に沿って電子を注入して、この軸近傍だけでイオン
を生成すれば小量の電子を用いて非常に効率の高いイオ
ン化が行なえる。
の軸に沿って電子を注入して、この軸近傍だけでイオン
を生成すれば小量の電子を用いて非常に効率の高いイオ
ン化が行なえる。
この電子の量を減少させることができるということは、
電子衝撃により若干起こる有機物の分解、及びそれに伴
なうイオン源の汚染を少なくできる。
電子衝撃により若干起こる有機物の分解、及びそれに伴
なうイオン源の汚染を少なくできる。
上記実施例において、メタンをキャリャーガス(リージ
エントガス)として実験した結果、0.5Torrの圧
力で針電極10とメッシュ電極12の間に500vの電
圧を加えると約20μAの電子流がえられた。
エントガス)として実験した結果、0.5Torrの圧
力で針電極10とメッシュ電極12の間に500vの電
圧を加えると約20μAの電子流がえられた。
この電子流、つまり放電電流量のモニター、検出は第2
図に示したように針状電極と高抵抗(4MΩ程度)の間
に電流計を挿入することにより行なった。
図に示したように針状電極と高抵抗(4MΩ程度)の間
に電流計を挿入することにより行なった。
電子流はほとんどすべてイオン化領域13に入り一次イ
オンを生成するのに有効に利用されるため10μAてい
どの少量の電子電流で十分な強度のイオン流を得ること
ができた。
オンを生成するのに有効に利用されるため10μAてい
どの少量の電子電流で十分な強度のイオン流を得ること
ができた。
たとえばサンプリング細孔15を0.3mmφとした時
質量分析部8内に入る全イオン量は1×10−10Aで
ある。
質量分析部8内に入る全イオン量は1×10−10Aで
ある。
この電子電流の低下は第1図の構成で同様の全イオン量
を得るために、電子銃から発生する電子電流量が150
〜200μA必要であることを考えれば明らかである。
を得るために、電子銃から発生する電子電流量が150
〜200μA必要であることを考えれば明らかである。
電子電流が少なく、フィラメントを用いてないので有機
物の汚染によるトラブルが少なく寿命の長いイオン源を
得ることができた。
物の汚染によるトラブルが少なく寿命の長いイオン源を
得ることができた。
また針電極を用いているので耐腐食性も良くリージエン
トガスとしてH2O.O2などを用いることもできる。
トガスとしてH2O.O2などを用いることもできる。
このイオン化方式を用いて得られる化学イオン化のため
のリアクタントイオンはC H5+p C2 H5+な
どで従来法におけるリアククントイオンと全く同じであ
る。
のリアクタントイオンはC H5+p C2 H5+な
どで従来法におけるリアククントイオンと全く同じであ
る。
また本発明においては、イオン化室内の圧力により放電
電流量が変化するので較正曲線を求めておくことにより
、電流計の値による放電電流量からイオン化領域の圧力
を知ることができる。
電流量が変化するので較正曲線を求めておくことにより
、電流計の値による放電電流量からイオン化領域の圧力
を知ることができる。
第3図は本発明の他の実施例を示す図である。
同図は第2図の実施例と比較し、イオン化領域13の横
から電子衝撃が行なわれる。
から電子衝撃が行なわれる。
同図において、16がリペラー電極である以外、全て第
2図と同様である。
2図と同様である。
ただし、質量分析部以降は図示を省略した。
同図aと同図bとの相異は、aにおいては放電領域11
がイオン化領域13の一横壁を構成するメッシュ電極1
2で区切られている。
がイオン化領域13の一横壁を構成するメッシュ電極1
2で区切られている。
又、放電領域11の側壁はガラスである。
一方、bはイオン化室を形成する金属容器の内部でメッ
シュ電極12が放電領域11を区切っている。
シュ電極12が放電領域11を区切っている。
この実施例において、導入されるサンプルガスに電子が
衝撃されるように配置することによって、電子の利用効
率があがる。
衝撃されるように配置することによって、電子の利用効
率があがる。
以上の実施例では、一個の針状電極とメッシュ電極を用
いたが、質量分析部に磁場セクター型マスを用いる場合
、細孔15が短冊状スリットとなるため、上記電極を、
一列に配列された複数本の針状電極、又はナイフエッジ
状電極、又は細いワイヤー状電極(なお、このワイヤー
状電極にはワイヤーの表面にマイクロニードルが形成さ
れている場合も含む。
いたが、質量分析部に磁場セクター型マスを用いる場合
、細孔15が短冊状スリットとなるため、上記電極を、
一列に配列された複数本の針状電極、又はナイフエッジ
状電極、又は細いワイヤー状電極(なお、このワイヤー
状電極にはワイヤーの表面にマイクロニードルが形成さ
れている場合も含む。
)と、0.5mm幅程度のスリットを有する対向電極を
用いても良い。
用いても良い。
この場合、三者の長手方向は全て同一方向に構成するこ
とが好ましい。
とが好ましい。
以上の、実施例では針電極を用いたが、磁場セクター型
マスに用いられている短冊形スリットを用いる場合には
カミソリエッジや細いワイヤー(wire)を用いると
効率が良い。
マスに用いられている短冊形スリットを用いる場合には
カミソリエッジや細いワイヤー(wire)を用いると
効率が良い。
また対抗電極もメッシュ電極のかわりに0. 5 mm
巾ていどのスリットを用いても同様の結果が得られる。
巾ていどのスリットを用いても同様の結果が得られる。
以上述べたように本発明によれば、
■.非常に簡単で寿命が長く、リージエントガスとして
腐蝕性ガスを用いることもできる。
腐蝕性ガスを用いることもできる。
2,少ない電子電流で十分なイオン量を得ることができ
るので、イオン化室の汚染が少ない。
るので、イオン化室の汚染が少ない。
3.電子源がイオン化室と同じ圧力下にあるので差動排
気はイオン引き出しのための細孔だけでおこなえば良く
有利である。
気はイオン引き出しのための細孔だけでおこなえば良く
有利である。
4.イオン化室の圧力測定ができる。
などの利点を持ったイオン源を作ることができる。
第1図は従来の化学イオン化イオン源を有する質量分析
装置を示す図、第2図は本発明に係る化学イオン化イオ
ン源の一実施例を示す図、第3図は本発明の他の実施例
を示す図である。 図において、1はイオン化室、2はリペラ電極、3はガ
ス導入口、4はスリット、5はスリット、6はレンズ電
極、7は電子銃、8は質量分析部、9は検出器、10は
針状電極、11は放電領域、12はメッシュ電極、13
はイオン化領域、14はイオン集束電極、15はサンプ
リング細孔、16はリペラ電極である。
装置を示す図、第2図は本発明に係る化学イオン化イオ
ン源の一実施例を示す図、第3図は本発明の他の実施例
を示す図である。 図において、1はイオン化室、2はリペラ電極、3はガ
ス導入口、4はスリット、5はスリット、6はレンズ電
極、7は電子銃、8は質量分析部、9は検出器、10は
針状電極、11は放電領域、12はメッシュ電極、13
はイオン化領域、14はイオン集束電極、15はサンプ
リング細孔、16はリペラ電極である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電子発生領域とイオン化領域との二つの領域を有し
、該電子発生領域で発生した電子を、該イオン化領域に
導入したリージエントガスとサンプルガスとの混合ガス
に照射し、イオン分子反応を利用してサンプルガスをイ
オン化するイオン源において、上記電子発生領域を先端
が鋭く形成された第1の電極と、該第1の電極に対向し
て設けたメッシュあるいはスリットの如き空隙を有する
対向電極と、該対向電極を上記第1の電極より高電位と
して上記両電極間に直流電圧を印加する手段とで構成し
、上記両電極間で発生する放電によって得られる電子を
上記対向電極の空隙を通して上記イオン化領域へ導入す
ることを特徴とする化学イオン化イオン源。 2 特許請求の範囲第1項記載のイオン源において、上
記第1の電極を一本あるいは複数個の先端の鋭い線状ま
たはナイフエッジ状もしくはワイヤー状の電極で構成し
たことを特徴とする化学イオン化イオン源。 3 特許請求の範囲第1項記載のイオン源において、上
記電子発生領域と上記イオン化領域を空間的に連続な構
成としたことを特徴とする化学イオン化イオン源。 4 特許請求の範囲第1項記載のイオン源において、上
記第1の電極に直列に電流計を接続したことを特徴とす
る化学イオン化イオン源。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51117153A JPS5812982B2 (ja) | 1976-10-01 | 1976-10-01 | 化学イオン化イオン源 |
| US05/836,963 US4159423A (en) | 1976-10-01 | 1977-09-27 | Chemical ionization ion source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51117153A JPS5812982B2 (ja) | 1976-10-01 | 1976-10-01 | 化学イオン化イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5343594A JPS5343594A (en) | 1978-04-19 |
| JPS5812982B2 true JPS5812982B2 (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=14704758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51117153A Expired JPS5812982B2 (ja) | 1976-10-01 | 1976-10-01 | 化学イオン化イオン源 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4159423A (ja) |
| JP (1) | JPS5812982B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263570U (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-11 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5935347A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-27 | Masahiko Tsuchiya | イオン生成装置 |
| US6218672B1 (en) * | 1998-07-24 | 2001-04-17 | Sarnoff Corporation | Ion source |
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