JPS58132955A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS58132955A JPS58132955A JP57016124A JP1612482A JPS58132955A JP S58132955 A JPS58132955 A JP S58132955A JP 57016124 A JP57016124 A JP 57016124A JP 1612482 A JP1612482 A JP 1612482A JP S58132955 A JPS58132955 A JP S58132955A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- active region
- polyimide resin
- resin film
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
- H10W42/25—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons against alpha rays, e.g. for outer space applications
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置及びその製造方法にかかシ、特にα
ｉによる半導体装置のソフトエラーを阻止するための構
造を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
ｉによる半導体装置のソフトエラーを阻止するための構
造を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
半導体装置、中でも超ＬＳＩのように微細加工を施した
半導体装置は、メモリ用ＩＣを例にとると年率２００％
の割合で集積密度が増大しておシ、微細度が進展してい
る。一方、半導体装置を封止しているパッケージあるい
はモールド材料中には微量ではあるが、含まれている放
射性元素の自然崩壊で放出されるα−によシ、半導体メ
モリＩＣが誤動作を起す、いわゆるα線によるソフトエ
ラーの問題は、前記した微細加工化が進み、電源電圧が
下がれば下がる程、記憶用コンデンサや配線容量に蓄積
される電荷量が少なくなるので、α線の影餐を受は易く
なシ、大きな問題となって来ることはよく知られている
。そこで高密度化を実現するためには伺らかのソフトエ
ラー率低減対策が必蚤となる。
半導体装置は、メモリ用ＩＣを例にとると年率２００％
の割合で集積密度が増大しておシ、微細度が進展してい
る。一方、半導体装置を封止しているパッケージあるい
はモールド材料中には微量ではあるが、含まれている放
射性元素の自然崩壊で放出されるα−によシ、半導体メ
モリＩＣが誤動作を起す、いわゆるα線によるソフトエ
ラーの問題は、前記した微細加工化が進み、電源電圧が
下がれば下がる程、記憶用コンデンサや配線容量に蓄積
される電荷量が少なくなるので、α線の影餐を受は易く
なシ、大きな問題となって来ることはよく知られている
。そこで高密度化を実現するためには伺らかのソフトエ
ラー率低減対策が必蚤となる。
従来このｌｌのソフトエラー率低減方策として拡、例え
ばα線を放出する放射性元素の含有率の少ない材料を用
いるとか、あるいは半導体個片表面を、例えはポリイミ
ド系の有機高分子で扱うとか、その他デバイス面あるい
は回路面での対策が検討されている。
ばα線を放出する放射性元素の含有率の少ない材料を用
いるとか、あるいは半導体個片表面を、例えはポリイミ
ド系の有機高分子で扱うとか、その他デバイス面あるい
は回路面での対策が検討されている。
然し乍ら、ポリイミド系の有機高分子で覆う場合、ボン
ディング線を縁続したポンディングパッド迄このような
ポリイミド系の有機高分子で扱うと、その上を熱ｊｌ張
係数の異なるモールド材で封止した場合、温度サイクル
試験でボンディング線のＷａｍが機械的に離れてしまう
という欠点がある。その丸めモールド封止を行う場合は
この種のポリイミド樹脂やαｉＩ阻止材がポンディング
パッドを覆わないようにする必要がある。半導体チップ
上、電気的活性部のみ５０μｍ以上、墓ましくＦｉ７０
〜９０μｍの厚さのポリイミド樹脂膜を塗布するの紘従
来かなｐ困難な技術でありた。箔状にして貼付する方法
もあるが貼付剤に間亀が＃）＃）、ま九印刷法にしても
位置合わせ、にじみ出しにまだ難点が残されている。ま
たポリイミド樹脂膜を活性領域に厚く付着させ硬化させ
ると活性領域に大きな歪を与え特性を劣化てせると共に
時によシ破象するという間亀が発生する。
ディング線を縁続したポンディングパッド迄このような
ポリイミド系の有機高分子で扱うと、その上を熱ｊｌ張
係数の異なるモールド材で封止した場合、温度サイクル
試験でボンディング線のＷａｍが機械的に離れてしまう
という欠点がある。その丸めモールド封止を行う場合は
この種のポリイミド樹脂やαｉＩ阻止材がポンディング
パッドを覆わないようにする必要がある。半導体チップ
上、電気的活性部のみ５０μｍ以上、墓ましくＦｉ７０
〜９０μｍの厚さのポリイミド樹脂膜を塗布するの紘従
来かなｐ困難な技術でありた。箔状にして貼付する方法
もあるが貼付剤に間亀が＃）＃）、ま九印刷法にしても
位置合わせ、にじみ出しにまだ難点が残されている。ま
たポリイミド樹脂膜を活性領域に厚く付着させ硬化させ
ると活性領域に大きな歪を与え特性を劣化てせると共に
時によシ破象するという間亀が発生する。
本発明の目的紘半導体チップ上の所定領域にのみ所望厚
さのα線阻止材を鳴しボンティングバッドを覆わない構
造とした半導体装置並びにその製造方法を提供するもの
である。
さのα線阻止材を鳴しボンティングバッドを覆わない構
造とした半導体装置並びにその製造方法を提供するもの
である。
本論１の発明の振旨は、半導体素子表面の活性領域をお
おうポリイミド樹ｋＭＫと、訳ポリイミド樹脂換とボン
ティングバッドとの中間に設けたポリイミド樹脂膜の堰
と、前記活性領域をおおうポリイミド樹３１！属上に有
機高分子のα！Ｉ阻止部材を有することを％黴とする半
導体装置にある。
おうポリイミド樹ｋＭＫと、訳ポリイミド樹脂換とボン
ティングバッドとの中間に設けたポリイミド樹脂膜の堰
と、前記活性領域をおおうポリイミド樹３１！属上に有
機高分子のα！Ｉ阻止部材を有することを％黴とする半
導体装置にある。
また本藤２の発明の嵌旨紘、半導体素子鉄面の活性領域
と諌活性領域とボンティングバッドの中間領域に２〜２
０μｍ犀のボーリイミド樹脂展を設ける１揚と、上記活
性領域上に形成したポリイミド樹脂膜上にα線阻止材を
ボッティングによシ所望厚さに形成する工程とを含むこ
とを特歓とする半導体装置０製造方法にある。
と諌活性領域とボンティングバッドの中間領域に２〜２
０μｍ犀のボーリイミド樹脂展を設ける１揚と、上記活
性領域上に形成したポリイミド樹脂膜上にα線阻止材を
ボッティングによシ所望厚さに形成する工程とを含むこ
とを特歓とする半導体装置０製造方法にある。
本発明ＯｆＬ理並びに特徴線αＩｌ阻止材料の表面張力
を利用し予め構成しておいた膜上にα線阻止材をその農
からはみ出さないように滴下しうるということ、更にポ
リイミドのようなα線阻止材を厚く付着させて硬化させ
ると機械的変形が大きく活性領域に大きな歪を与えるの
で膜厚を厚く出来ないので轟初薄い膜を形成し、次にボ
ッティング樹脂で厚くした点である。
を利用し予め構成しておいた膜上にα線阻止材をその農
からはみ出さないように滴下しうるということ、更にポ
リイミドのようなα線阻止材を厚く付着させて硬化させ
ると機械的変形が大きく活性領域に大きな歪を与えるの
で膜厚を厚く出来ないので轟初薄い膜を形成し、次にボ
ッティング樹脂で厚くした点である。
また第１にあけ九原理に従りても、ボッティングにおい
て最もきらうボンティング縁続部への樹脂の付着を防止
するため、活性領域とポンディングパッドの間に堰を設
けて完全を期した点である。
て最もきらうボンティング縁続部への樹脂の付着を防止
するため、活性領域とポンディングパッドの間に堰を設
けて完全を期した点である。
従りて本発明によれば、チップ上の所定領域にのみ、例
えばポンディングパッドにかかることなく、活性領域に
のみα！ａＷＡ止材料を厚く付着構成できる。
えばポンディングパッドにかかることなく、活性領域に
のみα！ａＷＡ止材料を厚く付着構成できる。
次に本発明の実施例を図面を用いて脱明する。
第１図（Ｊｌ）および纂２図は本発明の一実施例による
半導体装置の工程別断面図、銀１図φ）は第１図（息）
の平面−を示す。第１図（ａ）Φ）において１拡牛導体
チップ、２ｔ；ｉ活性領域上に設けられたα１阻止材で
あるポリイミド１１Ｍ脂腺、また３および３′は活性領
域とボンティングバッド４および４′の間に設けられα
線阻止用のボッティング材がポンディングパッド４．４
′に流れ出さないようにする丸めの堰として設けたポリ
イミド樹脂膜である。これらのポリイミド樹脂膜はポリ
イミド樹脂を回転塗布法により塗布し、その後ホトエツ
チングによジノくターン化して形成するか、また杖印刷
法によりて形成できる。その後加熱硬化させる。この塗
布層は２０μｍ以下の薄い換のため付着した活性領域に
大暑な歪を与えること灯ない。
半導体装置の工程別断面図、銀１図φ）は第１図（息）
の平面−を示す。第１図（ａ）Φ）において１拡牛導体
チップ、２ｔ；ｉ活性領域上に設けられたα１阻止材で
あるポリイミド１１Ｍ脂腺、また３および３′は活性領
域とボンティングバッド４および４′の間に設けられα
線阻止用のボッティング材がポンディングパッド４．４
′に流れ出さないようにする丸めの堰として設けたポリ
イミド樹脂膜である。これらのポリイミド樹脂膜はポリ
イミド樹脂を回転塗布法により塗布し、その後ホトエツ
チングによジノくターン化して形成するか、また杖印刷
法によりて形成できる。その後加熱硬化させる。この塗
布層は２０μｍ以下の薄い換のため付着した活性領域に
大暑な歪を与えること灯ない。
次にシリコン樹脂を活性領域上のポリイミド樹脂膜２の
上に滴下しα−を阻止できる犀さにシリコン樹脂族５を
形成する。このときシリコン樹脂は表面張力によシリコ
ン樹脂誤２の上にひろがシ、チップ上にはひろがｐにく
い。しかし時によｐポリイミド樹脂膜２を越えてひろが
ることがあるがこのときは予め設けられたポリイミド＃
Ｍ１ｉＩ＠３．３’の堰につきあたシ、こ＼でとめられ
これを越えてポンディングパッドにひろがること杜ない
。
上に滴下しα−を阻止できる犀さにシリコン樹脂族５を
形成する。このときシリコン樹脂は表面張力によシリコ
ン樹脂誤２の上にひろがシ、チップ上にはひろがｐにく
い。しかし時によｐポリイミド樹脂膜２を越えてひろが
ることがあるがこのときは予め設けられたポリイミド＃
Ｍ１ｉＩ＠３．３’の堰につきあたシ、こ＼でとめられ
これを越えてポンディングパッドにひろがること杜ない
。
従ってボッティング樹脂がポンティングバッドに至り、
ひき起されるボンディング線の断線事故を引き起すこと
はない。
ひき起されるボンディング線の断線事故を引き起すこと
はない。
ｔた上記実り例ではボッティング材としてシリコン樹脂
を用いたがシリコン樹脂に限定されるものでなくポリイ
ミド樹脂でも可能である１、このときのボッティング用
のポリイミド樹脂はさきに設けたシリコン樹脂と同様に
半導体基板に歪を与えることはない。
を用いたがシリコン樹脂に限定されるものでなくポリイ
ミド樹脂でも可能である１、このときのボッティング用
のポリイミド樹脂はさきに設けたシリコン樹脂と同様に
半導体基板に歪を与えることはない。
以上説明したとおり本論１の発明によれば半導体素子ｐ
面の活性領域およびこの活性領域とポンディングパッド
との間には２〜２ｏｐｒｎｏ比較的薄いポリイミド樹脂
膜が形成されていてその後活性領域上にα線の遮蔽作用
を持ち、しかもボッティングにより基板に機械的な大き
な歪を与えない材料でボッティングしているのでα線の
遮蔽をすると共に厚くても機械的歪による特性劣化は起
らない。
面の活性領域およびこの活性領域とポンディングパッド
との間には２〜２ｏｐｒｎｏ比較的薄いポリイミド樹脂
膜が形成されていてその後活性領域上にα線の遮蔽作用
を持ち、しかもボッティングにより基板に機械的な大き
な歪を与えない材料でボッティングしているのでα線の
遮蔽をすると共に厚くても機械的歪による特性劣化は起
らない。
また厚くボッティング樹脂がついたために活性領域から
ボッティング樹脂が流れ出しても予め設は九ポリイミド
樹に農の壜によシとめられポンディングパッド部に流出
することなく、この流出によυ引龜起されるボンディン
グｌｌ０ＩＩＩ―は生じない。
ボッティング樹脂が流れ出しても予め設は九ポリイミド
樹に農の壜によシとめられポンディングパッド部に流出
することなく、この流出によυ引龜起されるボンディン
グｌｌ０ＩＩＩ―は生じない。
また本ＩＩ２の発明によれに、活性領域および活性領域
とボンティングバッドの間に設けたポリイミド樹脂膜付
着領域ｉｔ、２〜２０μｍと皮膜が薄いので回転塗布、
ホトエツチング法又紘印刷法によ１形成することができ
、また路−次層形成ｖｋＫ厚く＠性儀域上にポツティン
グによｐα−阻止層を形成しているので熟−次に形成し
九ボリイきド馬にボッティング材が限定して厚く形成し
蟲い特徴がＴｏシ、またこのニーの選択によ〕遍切な歪
のすくない樹脂と工法な選択で自る特徴がある。
とボンティングバッドの間に設けたポリイミド樹脂膜付
着領域ｉｔ、２〜２０μｍと皮膜が薄いので回転塗布、
ホトエツチング法又紘印刷法によ１形成することができ
、また路−次層形成ｖｋＫ厚く＠性儀域上にポツティン
グによｐα−阻止層を形成しているので熟−次に形成し
九ボリイきド馬にボッティング材が限定して厚く形成し
蟲い特徴がＴｏシ、またこのニーの選択によ〕遍切な歪
のすくない樹脂と工法な選択で自る特徴がある。
以上のとｔＩｌ−ル本発明によれはα−鐘社効果を十分
発揮すると共に伽ＩＩ性の優れた半導体装置が得られる
。
発揮すると共に伽ＩＩ性の優れた半導体装置が得られる
。
鶏１ ｍ１Ｃ１）および纂２図は本発明の一実施例によ
る半導体装置の工程別断面図、第１図−）は纂１図（Ｍ
）の平面図を示す。 １・・・チップ、２・・・活性領域上のポリイミド樹脂
膜、３．３’・・・ボッティング＠に流出防止遁のポリ
イミド樹脂膜、４．４’・・・ポンプイングツくラド、
５・・・ポツティング樹脂（シリコン樹脂） 第１図 第２図
る半導体装置の工程別断面図、第１図−）は纂１図（Ｍ
）の平面図を示す。 １・・・チップ、２・・・活性領域上のポリイミド樹脂
膜、３．３’・・・ボッティング＠に流出防止遁のポリ
イミド樹脂膜、４．４’・・・ポンプイングツくラド、
５・・・ポツティング樹脂（シリコン樹脂） 第１図 第２図
Claims (2)
- （１） 半導体素子表面の活性領域をおおうポリイミ
ド１１ＩＮＩ族と、該ポリイミド樹脂膜とポンディング
パッドとの中間に設けたポリイミド樹脂膜の堰と、前記
活性領域をおおうポリイミド樹脂膜上に有ｍＡ分子のα
線阻止部材を有することを特徴とする半導体装置。 - （２）半導体素子表面の活性領域と、該活性領域とボン
ディングバットの中間領域にポリイミド樹脂膜を設ける
工程と、上記活性領域上に形成したポリイミド樹脂膜上
にα線阻止剤をボッティングによシ所望厚さに形成する
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57016124A JPS58132955A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57016124A JPS58132955A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132955A true JPS58132955A (ja) | 1983-08-08 |
Family
ID=11907753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57016124A Pending JPS58132955A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132955A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6026049A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-08 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ポリエチレンの組成物 |
| JPS6026050A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-08 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ポリエチレン組成物 |
| JP2007189182A (ja) * | 2005-03-09 | 2007-07-26 | Pioneer Electronic Corp | 光検出半導体装置及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP57016124A patent/JPS58132955A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6026049A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-08 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ポリエチレンの組成物 |
| JPS6026050A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-08 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ポリエチレン組成物 |
| JP2007189182A (ja) * | 2005-03-09 | 2007-07-26 | Pioneer Electronic Corp | 光検出半導体装置及びその製造方法 |
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