JPS58138035A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS58138035A JPS58138035A JP57020905A JP2090582A JPS58138035A JP S58138035 A JPS58138035 A JP S58138035A JP 57020905 A JP57020905 A JP 57020905A JP 2090582 A JP2090582 A JP 2090582A JP S58138035 A JPS58138035 A JP S58138035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycrystalline
- layer
- back surface
- semiconductor device
- polycrystalline silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P36/00—Gettering within semiconductor bodies
- H10P36/03—Gettering within semiconductor bodies within silicon bodies
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置及びその製造方法にかがシ、特にリ
ーク電流のすくな込半導体装置及びその製造方法に関す
る。
ーク電流のすくな込半導体装置及びその製造方法に関す
る。
集積回路の高密度化、鵬果槓化の進展にともない、特に
ダイナミックメモリ等において微少リーク電流の減少Ｉ
ｆｉ重要課題となって込る。
ダイナミックメモリ等において微少リーク電流の減少Ｉ
ｆｉ重要課題となって込る。
この対策として従来はシリコン基板中の有害な重金属原
子の除去のため、リン拡散によるゲッタリング、又は裏
面に機械的歪を入れる事によるゲッタリング等の方法が
一般的にとられていた。これらは単結晶中に格子構造の
乱れｔ作り、そこに重金属を捕獲する方法である。
子の除去のため、リン拡散によるゲッタリング、又は裏
面に機械的歪を入れる事によるゲッタリング等の方法が
一般的にとられていた。これらは単結晶中に格子構造の
乱れｔ作り、そこに重金属を捕獲する方法である。
リン拡散による方法は表面の素子形成と回路に行われる
ため、素子形成上の要請から条件が決ま不十分であると
いう欠点を有してい喪。
ため、素子形成上の要請から条件が決ま不十分であると
いう欠点を有してい喪。
また裏面に機械的歪を入れる方法は、例えば従来のサン
ドブラストではゲッタリング処理の深さは１．５〜２．
０μｍ であるのに対し耐酸化性マスクによる埋込酸化
膜の形成では酸化膜の厚さｔ！１．５〜２．０μｍ も
形成されると言うように高温熱処理を経るうちに歪が消
滅してしまうと言う欠点がある。
ドブラストではゲッタリング処理の深さは１．５〜２．
０μｍ であるのに対し耐酸化性マスクによる埋込酸化
膜の形成では酸化膜の厚さｔ！１．５〜２．０μｍ も
形成されると言うように高温熱処理を経るうちに歪が消
滅してしまうと言う欠点がある。
従って本発明は以上の問題点に対処してなされたもので
他のプロセスに左右されず、またその後の高温熱処理に
おいてもゲッタリング効果を有しリーク電流の極めてす
くない半導体装置およびその製造方法を提供するにある
。
他のプロセスに左右されず、またその後の高温熱処理に
おいてもゲッタリング効果を有しリーク電流の極めてす
くない半導体装置およびその製造方法を提供するにある
。
すなわち本第１の発明の襞旨は、裏面に多結晶シリ；ン
層を有する事を特徴とする半導体装置にある。
層を有する事を特徴とする半導体装置にある。
また本第２の発明の要旨は、裏面に多結晶シリコン層を
被着する工程と、しかるのちに高温熱処理を施す工程と
を含むことｔ−特徴とする半導体装置の製造方法にある
。
被着する工程と、しかるのちに高温熱処理を施す工程と
を含むことｔ−特徴とする半導体装置の製造方法にある
。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明る．第１図は本
第ｌおよび第２の発明の一実施例説明のための半導体装
置の断面図である．図においてｌは半導体基板、２Ｆｉ
素子形成面、３Ｆ１半導体基板の裏面に形成し几多結晶
シリコン層である。
第ｌおよび第２の発明の一実施例説明のための半導体装
置の断面図である．図においてｌは半導体基板、２Ｆｉ
素子形成面、３Ｆ１半導体基板の裏面に形成し几多結晶
シリコン層である。
多結晶シリコン層は種々の方法で形成することが出来る
が、本実施例では８１Ｈ４−Ｈｌ系で６００〜８００℃
の熱分解で形成した。しかもこの多結晶シリコン層は直
接シリコン基板に接して形成した。
が、本実施例では８１Ｈ４−Ｈｌ系で６００〜８００℃
の熱分解で形成した。しかもこの多結晶シリコン層は直
接シリコン基板に接して形成した。
その厚さは形成される素子の種類およびその素子の形成
プロセス条件によシ異ることは勿論であるが、素子プロ
セスが完了し＋Ｒｎで多結晶シリコン層が残留している
厚さが望ましい．例えば素子形成前に５〜１０μｍの多
結晶シリコン層を裏面に形成しておけば、例えば耐酸化
性ｉスフによる厚い酸化膜を堀込む構造の素子形成プロ
セスでも多結晶シリコン層は全部消耗されることなく最
後までゲックリング磯能を保持し、本目的に合致した半
導体装置を形成することができる。
プロセス条件によシ異ることは勿論であるが、素子プロ
セスが完了し＋Ｒｎで多結晶シリコン層が残留している
厚さが望ましい．例えば素子形成前に５〜１０μｍの多
結晶シリコン層を裏面に形成しておけば、例えば耐酸化
性ｉスフによる厚い酸化膜を堀込む構造の素子形成プロ
セスでも多結晶シリコン層は全部消耗されることなく最
後までゲックリング磯能を保持し、本目的に合致した半
導体装置を形成することができる。
この形成した多結晶シリコンは単結晶とことな９結晶構
造が乱れておシ格子欠陥を多く含んでいる。また多結晶
層は多くの粒界にかこまれてか〕、不純物を捕獲するの
に好都合である．また単結晶との境界には歪も尭生して
いる。
造が乱れておシ格子欠陥を多く含んでいる。また多結晶
層は多くの粒界にかこまれてか〕、不純物を捕獲するの
に好都合である．また単結晶との境界には歪も尭生して
いる。
従ってシリコン基板の表面に素子管形成する前に裏面に
多結晶シリコン層を素子形成工程で多結晶シリコンが残
る厚さに形成しておき、その後拡散工程，酸化膜形成工
程等の熱処理工程を加えると重金属を初とする不純物が
多結晶シリコン層およびシリコン単結晶との境界層に捕
獲され、活性領域を清浄化することができ、従って形成
した素子のリーク電流を改善することができる。
多結晶シリコン層を素子形成工程で多結晶シリコンが残
る厚さに形成しておき、その後拡散工程，酸化膜形成工
程等の熱処理工程を加えると重金属を初とする不純物が
多結晶シリコン層およびシリコン単結晶との境界層に捕
獲され、活性領域を清浄化することができ、従って形成
した素子のリーク電流を改善することができる。
また不純物イオンのＦｅ， Ｃｕ， Ａｕ 等は４００
〜４５０℃以上の高温になるとシリコン中を容ＡＫｍ拡
散するので、多結晶シリ；７層の付着形成は、これ以上
の熱処理プロセスが残りている以前に付着させることに
よル効果を発揮することができる。
〜４５０℃以上の高温になるとシリコン中を容ＡＫｍ拡
散するので、多結晶シリ；７層の付着形成は、これ以上
の熱処理プロセスが残りている以前に付着させることに
よル効果を発揮することができる。
なお付着した多結晶シリ；ン層はそのｔｔ組立ててもよ
いが基板下面よ〕電位をとる場合は多結晶シリコン上に
形成され九酸化シリコン層又は多結晶シリコン層を除去
することがある。
いが基板下面よ〕電位をとる場合は多結晶シリコン上に
形成され九酸化シリコン層又は多結晶シリコン層を除去
することがある。
以上説明したとおル本第１の発明によればリーク電流の
すくない半導体装置が得られ、ｔた第２の発明方法によ
れば、不純物イオンを捕獲しリーク電流のすくない半導
体装置を容重に得ることが出来る．なお本構造ならびに
拳法によれば、従来法の如く他のプロセスに左右される
こともなく、途中工程で効果の消滅することなどの問題
がなく、半導体装置のリーク電流を極めてすくなくする
ことができる。
すくない半導体装置が得られ、ｔた第２の発明方法によ
れば、不純物イオンを捕獲しリーク電流のすくない半導
体装置を容重に得ることが出来る．なお本構造ならびに
拳法によれば、従来法の如く他のプロセスに左右される
こともなく、途中工程で効果の消滅することなどの問題
がなく、半導体装置のリーク電流を極めてすくなくする
ことができる。
纂１図は本第１の発明の一実施例の断面図。
１・・・・・・シリスフ半導体基板、２・・・・・・半
導体素子形成面、３・・・・・・多結晶シリコン層。
導体素子形成面、３・・・・・・多結晶シリコン層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１裏面に多結晶シリコン層を有する事ｔ−特徴とす
る半導体装置。 （２）裏面に多結晶シリコン層を被着する工程と、しか
るのちに高温熱処理を施す工程とを含むことｔ″特徴す
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020905A JPS58138035A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020905A JPS58138035A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138035A true JPS58138035A (ja) | 1983-08-16 |
Family
ID=12040241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57020905A Pending JPS58138035A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138035A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01315144A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-12-20 | Nippon Steel Corp | ゲッタリング能力の優れたシリコンウェーハおよびその製造方法 |
| JPH03235333A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | ゲッタ効果の高められた半導体基板並びに該基板を用いた半導体装置およびその製造方法 |
| US5189508A (en) * | 1988-03-30 | 1993-02-23 | Nippon Steel Corporation | Silicon wafer excelling in gettering ability and method for production thereof |
| JPH07263453A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5482869A (en) * | 1993-03-01 | 1996-01-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gettering of unwanted metal impurity introduced into semiconductor substrate during trench formation |
| US6229196B1 (en) | 1997-07-30 | 2001-05-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| WO2014030450A1 (ja) * | 2012-08-22 | 2014-02-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN116206950A (zh) * | 2023-03-02 | 2023-06-02 | 杭州富芯半导体有限公司 | 一种硅片外吸杂方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940856A (ja) * | 1972-08-25 | 1974-04-17 | ||
| JPS52120777A (en) * | 1976-04-02 | 1977-10-11 | Ibm | Ic |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP57020905A patent/JPS58138035A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940856A (ja) * | 1972-08-25 | 1974-04-17 | ||
| JPS52120777A (en) * | 1976-04-02 | 1977-10-11 | Ibm | Ic |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01315144A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-12-20 | Nippon Steel Corp | ゲッタリング能力の優れたシリコンウェーハおよびその製造方法 |
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| US6229196B1 (en) | 1997-07-30 | 2001-05-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and fabrication method thereof |
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| JP5867609B2 (ja) * | 2012-08-22 | 2016-02-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9385210B2 (en) | 2012-08-22 | 2016-07-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device using a gettering layer |
| CN116206950A (zh) * | 2023-03-02 | 2023-06-02 | 杭州富芯半导体有限公司 | 一种硅片外吸杂方法 |
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