JPS58138043A - Ｉｃのボンデイング方法 - Google Patents
Ｉｃのボンデイング方法Info
- Publication number
- JPS58138043A JPS58138043A JP57020772A JP2077282A JPS58138043A JP S58138043 A JPS58138043 A JP S58138043A JP 57020772 A JP57020772 A JP 57020772A JP 2077282 A JP2077282 A JP 2077282A JP S58138043 A JPS58138043 A JP S58138043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- finger lead
- bonding
- finger
- small hole
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/077—Connecting of TAB connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＩＣのボンディング方法忙関する。回路基板Ｋ
ＩＣをボンディングする方法は、一般に回路基板の接続
端子とＩＣの電極とを、各１対ずつ金又はアルミニウム
等の極細線で結線してい（ワイヤーボンディング方式が
最も多（採用されていた。このワイヤーボンディング方
式は、ワイヤーを１ピンずつ張るため、多（の工数を要
し、たとえ全自動の装置を用いたとしても、装置１台当
りの能力は限られているという欠点が有った。又ワイヤ
ーを張る事によりワイヤーループが、回路基板とｔＣの
各々の表面から盛り上って形成されるために、実装構造
を必要以上に厚（してしまうという欠点も有った。
ＩＣをボンディングする方法は、一般に回路基板の接続
端子とＩＣの電極とを、各１対ずつ金又はアルミニウム
等の極細線で結線してい（ワイヤーボンディング方式が
最も多（採用されていた。このワイヤーボンディング方
式は、ワイヤーを１ピンずつ張るため、多（の工数を要
し、たとえ全自動の装置を用いたとしても、装置１台当
りの能力は限られているという欠点が有った。又ワイヤ
ーを張る事によりワイヤーループが、回路基板とｔＣの
各々の表面から盛り上って形成されるために、実装構造
を必要以上に厚（してしまうという欠点も有った。
このワイヤーボンディング方式の欠点を解消させる方法
として、ワイヤレス方式と呼ばれるフリップチップ方式
やミニモ・ラド方式が採用されている。このワイヤレス
方式はｌピンずつワイヤーを張る事なく各電極を同時に
接続するため、ボンディング工程の工数を削減する事が
出来、かつ実装構造の薄型化という目的、は違せられた
。しかし、ＩＣの各電極に半田又は金の突起電極を形成
する必要が有り、そのために多（の処理工程を要し、コ
ストの低減に関しては大きな障壁となる欠点が有った。
として、ワイヤレス方式と呼ばれるフリップチップ方式
やミニモ・ラド方式が採用されている。このワイヤレス
方式はｌピンずつワイヤーを張る事なく各電極を同時に
接続するため、ボンディング工程の工数を削減する事が
出来、かつ実装構造の薄型化という目的、は違せられた
。しかし、ＩＣの各電極に半田又は金の突起電極を形成
する必要が有り、そのために多（の処理工程を要し、コ
ストの低減に関しては大きな障壁となる欠点が有った。
本発明の目的は、上記欠点を解消し低コストでかつ実装
構造の薄型化が可能なボンディング方式な提供する事に
あり、その要旨は、絶縁基板に形成したフィンガーリー
ドと、ＩＣの電極とを接続するボンディング方法忙おい
て、前記フィンガーリードの先端に貫通する小孔を設け
、極細金線の先端に形成した金ボールを、前記フィンガ
ーリードの小孔を介して、前記ＩＣの電極に熱圧着させ
る事を特徴とする。
構造の薄型化が可能なボンディング方式な提供する事に
あり、その要旨は、絶縁基板に形成したフィンガーリー
ドと、ＩＣの電極とを接続するボンディング方法忙おい
て、前記フィンガーリードの先端に貫通する小孔を設け
、極細金線の先端に形成した金ボールを、前記フィンガ
ーリードの小孔を介して、前記ＩＣの電極に熱圧着させ
る事を特徴とする。
以下図に従り【本発明の詳細な説明する。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実施例における回路基
板の要部平面図とその断面図である。１はポリイミド等
の樹脂で成る絶縁基板であり、２は絶縁基板１に形成さ
れた銅箔で成るフィンガーリードである。該フィンガー
リード２は、絶縁基板１に形成されたボンディング用の
デバイス孔すの内側に突出している。前記フィンガーリ
ード２の先端には、後述するＩＣの電極位置に対応する
位置に、小孔ａが設け【ある。該小孔ａは後述するボン
ディングのために必要なものである。
板の要部平面図とその断面図である。１はポリイミド等
の樹脂で成る絶縁基板であり、２は絶縁基板１に形成さ
れた銅箔で成るフィンガーリードである。該フィンガー
リード２は、絶縁基板１に形成されたボンディング用の
デバイス孔すの内側に突出している。前記フィンガーリ
ード２の先端には、後述するＩＣの電極位置に対応する
位置に、小孔ａが設け【ある。該小孔ａは後述するボン
ディングのために必要なものである。
又、前記フィンガーリード２には、導電性及び耐腐蝕性
を保たせるために、金メッキ等を施してお（。
を保たせるために、金メッキ等を施してお（。
第２図は、本発明の他の実施例におけるフィンガーリー
ドの要部拡大図を示し、フィンガーリード２の巾寸法は
、先端部の外径寸法より小さく選定しである。こうする
事により後述するボンディング時において、熱の放散を
少なくする事が出来る。
ドの要部拡大図を示し、フィンガーリード２の巾寸法は
、先端部の外径寸法より小さく選定しである。こうする
事により後述するボンディング時において、熱の放散を
少なくする事が出来る。
第３図は本発明のさらに他の実施例におけるフィンガー
リードの要部拡大図を示し、フィンガーリード２の先端
忙設けられた小孔ａの近傍にくびれ部Ｃを形成してお（
。誼くびれ部Ｃを設ける事により、第２図における実施
例と同じ（、ボンディング時における熱の放散を少な（
する事が出来る。
リードの要部拡大図を示し、フィンガーリード２の先端
忙設けられた小孔ａの近傍にくびれ部Ｃを形成してお（
。誼くびれ部Ｃを設ける事により、第２図における実施
例と同じ（、ボンディング時における熱の放散を少な（
する事が出来る。
第４図（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明によるＩＣのボンディ
ング方法を、動作順に示した。要部断面図であり、図中
第１図と同一番号は、同一部材又は同一箇所を示す。
ング方法を、動作順に示した。要部断面図であり、図中
第１図と同一番号は、同一部材又は同一箇所を示す。
第４図（Ａ）は、回路基板１のフィンガーリード２とＩ
Ｃ３の電極ｄとを正しく位置合せした状態を示すボンデ
ィング部の要部断面図である。フィンガーリード２の先
端に設けられた小孔ａは、ボンディングが完了した時、
対応する前記電極ｄと一致する位置に設けておく。
Ｃ３の電極ｄとを正しく位置合せした状態を示すボンデ
ィング部の要部断面図である。フィンガーリード２の先
端に設けられた小孔ａは、ボンディングが完了した時、
対応する前記電極ｄと一致する位置に設けておく。
又、前記小孔ａの寸法は、後述する押潰した金ポールの
外径寸法に対し、２／３程度の寸法にしておく事により
充分なボンディング強度が得られる。
外径寸法に対し、２／３程度の寸法にしておく事により
充分なボンディング強度が得られる。
第４図（Ｂ）は、ボンディング位置に、ポンディフグツ
ールであるキャピラＩＪ −６を位置合せした状態を示
すボンディング部の要部断面図である。
ールであるキャピラＩＪ −６を位置合せした状態を示
すボンディング部の要部断面図である。
前記キャピラリー６は通常一般に使われているワイヤー
ボンディング用のキャピラリーを使用出来る。又、該キ
ャピラリーｅには２５μ〜３５μ程度の極細の金線ｆが
通されており、該金線ｆの先端には一般のワイヤーボン
ディングと同様に１球状のいわゆる金ポールｇが形成さ
れている。
ボンディング用のキャピラリーを使用出来る。又、該キ
ャピラリーｅには２５μ〜３５μ程度の極細の金線ｆが
通されており、該金線ｆの先端には一般のワイヤーボン
ディングと同様に１球状のいわゆる金ポールｇが形成さ
れている。
第４図（Ｃ）は、キャピラリーｅが降下し、さらに一定
圧力で金ボールｇをフィンガーリード２の小孔ａを介し
て押潰した状態を示すボンディング部の要部断面図であ
る。ＩＣ３はＩＣ保持板４で保持されており、さらに該
保持板４には３００℃〜３５０℃程度の熱を加えておく
。このキャピラリーｅの圧力と保持板４からの加熱とに
より、金ボールｇは押潰されると同時にＩＣ３の電極ｄ
と熱圧着される。又、金ボールｇが押潰される事により
、前記フィンガーリード２は、ＩＣ６の電極ｄに金ボー
ルｇでリベツティングされる結果になる。
圧力で金ボールｇをフィンガーリード２の小孔ａを介し
て押潰した状態を示すボンディング部の要部断面図であ
る。ＩＣ３はＩＣ保持板４で保持されており、さらに該
保持板４には３００℃〜３５０℃程度の熱を加えておく
。このキャピラリーｅの圧力と保持板４からの加熱とに
より、金ボールｇは押潰されると同時にＩＣ３の電極ｄ
と熱圧着される。又、金ボールｇが押潰される事により
、前記フィンガーリード２は、ＩＣ６の電極ｄに金ボー
ルｇでリベツティングされる結果になる。
第４図（Ｄ）は、金線ｆを金ポールｇから切り離した状
態のボンディング部の要部断面図である。
態のボンディング部の要部断面図である。
金線ｆを金ボールｇから切り離す際は、図示していない
がキャピラリーｅの上部にある金線クランパーで金線ｆ
を保持して引き上げ、次にキャビラＩＪ−ｅが上昇する
。これは通常一般のワイヤーボンディングにおける七カ
ントボンドの際の動作と同じであり、従来のワイヤーボ
ンダーをわずかに動作変更するのみで容易に可能である
。又、金線ｆは金ボールｇの付根部分が最も弱いため、
確実に付根部分で切れる。
がキャピラリーｅの上部にある金線クランパーで金線ｆ
を保持して引き上げ、次にキャビラＩＪ−ｅが上昇する
。これは通常一般のワイヤーボンディングにおける七カ
ントボンドの際の動作と同じであり、従来のワイヤーボ
ンダーをわずかに動作変更するのみで容易に可能である
。又、金線ｆは金ボールｇの付根部分が最も弱いため、
確実に付根部分で切れる。
この後、切り離された金線ｆの先端を水素トーチ等で溶
かして再び金ボールｇを形成し、次のボンディング位置
へ移動する。
かして再び金ボールｇを形成し、次のボンディング位置
へ移動する。
上記第４図の（Ｂ）〜（Ｄ）Ｋおける動作を繰り返して
、全てのフィンガーリードと電極とをボンディングして
いく。
、全てのフィンガーリードと電極とをボンディングして
いく。
以上に述べたごとく、本発明によるポンディング方法を
採用する事により、従来のワイヤーボンディング方式に
比べ、ワイヤーループを張る必要が無いために実装構造
の薄型化が実現出き、かつボンディング速度は１／２〜
１／３に短縮する事が、従来のワイヤーボンダーを一部
改造するのみで実現出来る。さらに、一般のワイヤレス
方式に比べても、突起電極を設けておく事は、不要であ
るため、大巾なコストダウンが可能となった。この様に
本発明によれば薄型実装構造を低コストで提供する事が
出来、その効果は太きい。
採用する事により、従来のワイヤーボンディング方式に
比べ、ワイヤーループを張る必要が無いために実装構造
の薄型化が実現出き、かつボンディング速度は１／２〜
１／３に短縮する事が、従来のワイヤーボンダーを一部
改造するのみで実現出来る。さらに、一般のワイヤレス
方式に比べても、突起電極を設けておく事は、不要であ
るため、大巾なコストダウンが可能となった。この様に
本発明によれば薄型実装構造を低コストで提供する事が
出来、その効果は太きい。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実施例における回路基
板の要部平面図とその断面図、第２図及び第３図は夫々
本発明の他の実施例におけるフィンガーリードの要部拡
大図、第４図（Ａ）〜（Ｄ）ｋ示した要部断面図。 １・・・・・・絶縁基板、 ２・・・・・・フィンガーリード、 ３・・・・・・ＩＣ１ ａ・・・・・・小孔、 ｄ・・・・・・電極、 ｇ・・・・・・金ボール。 第ｉｍｌ 第２ｒｌ！Ｊ 第３図 第４図
板の要部平面図とその断面図、第２図及び第３図は夫々
本発明の他の実施例におけるフィンガーリードの要部拡
大図、第４図（Ａ）〜（Ｄ）ｋ示した要部断面図。 １・・・・・・絶縁基板、 ２・・・・・・フィンガーリード、 ３・・・・・・ＩＣ１ ａ・・・・・・小孔、 ｄ・・・・・・電極、 ｇ・・・・・・金ボール。 第ｉｍｌ 第２ｒｌ！Ｊ 第３図 第４図
Claims (1)
- 絶縁基板に形成したフィンガーリードと、ＩＣの電極と
を接続するボンディング方法において、前記フィンガー
リードの先端に貫通する小孔を設け、極細金線の先端に
形成した金ポールを、前記フィンガーリードの小孔を介
して、前記ＩＣの電極に熱圧着される事を特徴とするＩ
Ｃのボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020772A JPS58138043A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | Ｉｃのボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020772A JPS58138043A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | Ｉｃのボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138043A true JPS58138043A (ja) | 1983-08-16 |
Family
ID=12036449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57020772A Pending JPS58138043A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | Ｉｃのボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138043A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7167344B2 (en) | 2001-01-11 | 2007-01-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic head actuator having finely movable tracking device |
| US7221541B2 (en) | 1992-11-27 | 2007-05-22 | Fujitsu Limited | Magnetic head supporting mechanism |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP57020772A patent/JPS58138043A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7221541B2 (en) | 1992-11-27 | 2007-05-22 | Fujitsu Limited | Magnetic head supporting mechanism |
| US7167344B2 (en) | 2001-01-11 | 2007-01-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic head actuator having finely movable tracking device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3935370B2 (ja) | バンプ付き半導体素子の製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| US5594275A (en) | J-leaded semiconductor package having a plurality of stacked ball grid array packages | |
| US5536973A (en) | Semiconductor device including a semiconductor element mounted on a substrate using bump-shaped connecting electrodes | |
| US6740541B2 (en) | Unmolded package for a semiconductor device | |
| US6878570B2 (en) | Thin stacked package and manufacturing method thereof | |
| US5942795A (en) | Leaded substrate carrier for integrated circuit device and leaded substrate carrier device assembly | |
| JP3584930B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| US6440835B1 (en) | Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip | |
| US7044357B2 (en) | Bump formation method and wire bonding method | |
| JP3573133B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2002043357A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0595015A (ja) | 半導体装置 | |
| US6350632B1 (en) | Semiconductor chip assembly with ball bond connection joint | |
| US5704593A (en) | Film carrier tape for semiconductor package and semiconductor device employing the same | |
| JPH11354572A (ja) | 半導体チップパッケ―ジ及びその製造方法 | |
| JPS58138043A (ja) | Ｉｃのボンデイング方法 | |
| JPH09162230A (ja) | 電子回路装置及びその製造方法 | |
| KR20190057801A (ko) | 와이어 본딩 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 형성방법 | |
| JP3322642B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3855532B2 (ja) | Ｉｃチップと回路基板との接続方法 | |
| US20140120661A1 (en) | Flip chip packaging method | |
| KR100881024B1 (ko) | 고주파 특성을 개선하는 칩 스케일 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2003017624A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09306953A (ja) | ベアチップが実装された半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0574853A (ja) | 半導体装置の接続構造 |