JPS5814006B2 - 酸化すゞ導電膜の選択的除去方法 - Google Patents
酸化すゞ導電膜の選択的除去方法Info
- Publication number
- JPS5814006B2 JPS5814006B2 JP48121223A JP12122373A JPS5814006B2 JP S5814006 B2 JPS5814006 B2 JP S5814006B2 JP 48121223 A JP48121223 A JP 48121223A JP 12122373 A JP12122373 A JP 12122373A JP S5814006 B2 JPS5814006 B2 JP S5814006B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- zinc
- oxidized
- removal method
- selective removal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化すゞ導電膜の選択的除去方法に関するもの
である。
である。
従来酸化すゞ膜は耐薬品性が強いために、使用の試みが
なされてきたが、そのエッチング方法が困難であるとい
う点から余り使用されず、酸化インジウム透明導電膜が
一般に普及している。
なされてきたが、そのエッチング方法が困難であるとい
う点から余り使用されず、酸化インジウム透明導電膜が
一般に普及している。
酸化すゞのエッチングには次のような種々の方法がある
が夫々問題的か存在する。
が夫々問題的か存在する。
(1)電解エッチング:
酸化すゞを負極として塩酸等の電解食刻液中で、徐々に
浸漬を進めながら、エッチングを行うものである。
浸漬を進めながら、エッチングを行うものである。
しかし、この方法ではパターンにより電極を作れないこ
と、時間がかゝること及びフォトレジストによるパター
ン作成工程が必要であること等の問題がある。
と、時間がかゝること及びフォトレジストによるパター
ン作成工程が必要であること等の問題がある。
(2)亜鉛法:
酸化すゞ膜上にフォトレジストによるパターン作成を行
い、この上に更にペースト状にした亜鉛粉末を塗布し、
乾燥後塩酸等の食刻液中に浸漬する。
い、この上に更にペースト状にした亜鉛粉末を塗布し、
乾燥後塩酸等の食刻液中に浸漬する。
しかし、この方法では亜鉛粉末の付着力が弱いこと、食
刻液中ではがれること及び除去面が一様でなく、むら状
に酸化すゞが残ることなどの問題がある。
刻液中ではがれること及び除去面が一様でなく、むら状
に酸化すゞが残ることなどの問題がある。
(3)亜鉛蒸着法:
酸化すゞ膜上にフォトレジストによるパターン作成を行
ない、この上に亜鉛を蒸発し、食刻液中に浸漬する。
ない、この上に亜鉛を蒸発し、食刻液中に浸漬する。
しかし、この方法では、フォトレジストの温度上限が低
く、蒸着膜の強度が低く、剥離し易いこと、又蒸着マス
クを使用して亜鉛を蒸着した場合、マスクの密着性等に
より精度が低いことなどの問題がある。
く、蒸着膜の強度が低く、剥離し易いこと、又蒸着マス
クを使用して亜鉛を蒸着した場合、マスクの密着性等に
より精度が低いことなどの問題がある。
本発明は前記問題の諸点を解決するためのものであり、
酸化すゞ透明導電膜上に、亜鉛粉末を混練したペースト
を所望のパターンにより塗布して加熱することにより、
フォトレジストによる作成工程、及び使用後のレジスト
剥離工程が不要で、均質できれいな除去面が得られ、短
時間に精度の高い、酸化すゞ透明導電嘆パターンを得る
ことができる、酸化すゞの選択的除去方法を提供するも
のである。
酸化すゞ透明導電膜上に、亜鉛粉末を混練したペースト
を所望のパターンにより塗布して加熱することにより、
フォトレジストによる作成工程、及び使用後のレジスト
剥離工程が不要で、均質できれいな除去面が得られ、短
時間に精度の高い、酸化すゞ透明導電嘆パターンを得る
ことができる、酸化すゞの選択的除去方法を提供するも
のである。
以下その実施例を説明する。
混練物は次の2種を使用する。
■ 亜鉛粉末、アクリル酸エステル、澱粉の混合物、
■ 亜鉛粉末、アクリル酸エステル、ニトロセルロース
、アセチルブチリルセルロースの混合物、尚、これらの
亜鉛粉末は200メッシュ以上(粒半径約70μm以下
)であると良好な結果が得ることができる。
、アセチルブチリルセルロースの混合物、尚、これらの
亜鉛粉末は200メッシュ以上(粒半径約70μm以下
)であると良好な結果が得ることができる。
これら何れかの混合物を、第1図に示す酸化すゞ膜2を
有するガラス基板1上に、シルクスクリーンで印刷し易
く、且つガラス基板上の酸化すゞ膜上に流れ出さない範
囲の粘度、約5000センチポアズから20万センチポ
アズの間に調節して塗布する。
有するガラス基板1上に、シルクスクリーンで印刷し易
く、且つガラス基板上の酸化すゞ膜上に流れ出さない範
囲の粘度、約5000センチポアズから20万センチポ
アズの間に調節して塗布する。
このシルクスクリーンのパターン4は所望の酸化すゞパ
ターン以外の除去したい部分に前記の混合物が印刷塗布
さわるようにできている。
ターン以外の除去したい部分に前記の混合物が印刷塗布
さわるようにできている。
印刷後、基板を100〜150℃に加熱し、更に空気雰
囲気3500〜450℃例えば430℃に加熱する。
囲気3500〜450℃例えば430℃に加熱する。
それにより亜鉛粉末は溶融して酸化すず上に薄膜を作く
る。
る。
この時、樹脂は熱分解により還元性に富んで雰囲気をつ
くるのである。
くるのである。
そして基板を50℃濃塩酸中に浸漬すると、第2図にお
ける亜鉛による図形々成部分3のみが溶解して第3図の
部分2′が残る。
ける亜鉛による図形々成部分3のみが溶解して第3図の
部分2′が残る。
又樹脂の残渣はエッチング液に溶解するので、エッチン
グ後は所望の酸化すゞパターン2′のみが得られるので
ある。
グ後は所望の酸化すゞパターン2′のみが得られるので
ある。
本発明の効果を列挙すれば次の通りである。
(1)フォトレジストによるパターン作成工程が不要で
ある。
ある。
(2)エッチング後のレジスト剥離工程が不要である。
(3)樹脂の熱分解により、残渣は灰化し、他に影響を
与えず、又その還元性雰囲気により、亜鉛の酸化を防止
することができる。
与えず、又その還元性雰囲気により、亜鉛の酸化を防止
することができる。
(4)均質な除去部分が得られる。
(5)精度としては、100ミクロンのシルクスクリー
ンの精度が得られる。
ンの精度が得られる。
(6)比較的低温で処理可能であるので、ガラス及び酸
化すゞに影響を与えない。
化すゞに影響を与えない。
第1図は本発明を実施する酸化すゞ膜生成状態にあるガ
ラス基板の斜視図、第2図は本発明による亜鉛混合体印
刷、加熱後の状態のガラス基板の斜視図、第3図は本発
明によるエッチング後の状態のガラス基板の斜視図であ
る。 1・・・ガラス基板、2・・・酸化すゞ膜、2′・・・
酸化すずパターン(所望のパターン)、3・・・亜鉛混
合体パターン、4・・・シルクスクリーンパターン。
ラス基板の斜視図、第2図は本発明による亜鉛混合体印
刷、加熱後の状態のガラス基板の斜視図、第3図は本発
明によるエッチング後の状態のガラス基板の斜視図であ
る。 1・・・ガラス基板、2・・・酸化すゞ膜、2′・・・
酸化すずパターン(所望のパターン)、3・・・亜鉛混
合体パターン、4・・・シルクスクリーンパターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 酸化すゞ透明導電膜上に亜鉛粉末を混練したペース
トを所望のパターンにより塗布した後、350〜450
℃に加熱し、亜鉛を酸化すゞ上に溶融接着せしめて、エ
ッチング液中に浸漬して選択的に除去する。 酸化すゞ導電膜の選択除去方法,
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48121223A JPS5814006B2 (ja) | 1973-10-30 | 1973-10-30 | 酸化すゞ導電膜の選択的除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48121223A JPS5814006B2 (ja) | 1973-10-30 | 1973-10-30 | 酸化すゞ導電膜の選択的除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5070896A JPS5070896A (ja) | 1975-06-12 |
| JPS5814006B2 true JPS5814006B2 (ja) | 1983-03-17 |
Family
ID=14805931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48121223A Expired JPS5814006B2 (ja) | 1973-10-30 | 1973-10-30 | 酸化すゞ導電膜の選択的除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814006B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5156967A (ja) * | 1974-11-13 | 1976-05-19 | Tokyo Cosmos Electric | Tomeidodenmakupataanno keiseihoho |
| JPH0577723A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-30 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 乗り物胴体及びその組み立て方法 |
-
1973
- 1973-10-30 JP JP48121223A patent/JPS5814006B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5070896A (ja) | 1975-06-12 |
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