JPS5867868A - 金薄膜のエツチング方法 - Google Patents
金薄膜のエツチング方法Info
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- JPS5867868A JPS5867868A JP16340281A JP16340281A JPS5867868A JP S5867868 A JPS5867868 A JP S5867868A JP 16340281 A JP16340281 A JP 16340281A JP 16340281 A JP16340281 A JP 16340281A JP S5867868 A JPS5867868 A JP S5867868A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/40—Alkaline compositions for etching other metallic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金薄膜のエツチング方法に関するものであり、
更に詳しくは基板上に蒸着された金薄膜をＮａＯＨ、Ｌ
ｉｏｎ 、 ＫＯＨの如きアルカリ金属の水酸化物の１
重量俤以上の水溶液でエツチングすることを特徴とする
エツチング方法である。
更に詳しくは基板上に蒸着された金薄膜をＮａＯＨ、Ｌ
ｉｏｎ 、 ＫＯＨの如きアルカリ金属の水酸化物の１
重量俤以上の水溶液でエツチングすることを特徴とする
エツチング方法である。
基板上に金薄膜が蒸着されたものとしては、二軸延伸ポ
リエステルフィルム等の透明プラスティックフィルム上
に金が３０〜５００ム蒸着された透明導電性フィルム、
ポリイミド等の耐熱性フィルムに５００Ａ以上蒸着され
た電極用フィルム、又ガラス板上に蒸着されたものがあ
る。
リエステルフィルム等の透明プラスティックフィルム上
に金が３０〜５００ム蒸着された透明導電性フィルム、
ポリイミド等の耐熱性フィルムに５００Ａ以上蒸着され
た電極用フィルム、又ガラス板上に蒸着されたものがあ
る。
これらの金薄膜が蒸着されたものは配線基板やヒーター
及びタッチパネルの電極等に用いられる九め、一般に蒸
着された部分のうち一部分を取シ除く目的でエツチング
処理が施される。このエツチングにはエツチング液とし
て金をよく溶解する王水が一般に用いられているが、エ
ツチング中に有毒ガスが発生したｂ１取り扱いが困難で
廃液処理が離しいという欠点があり、エツチング方法の
改良が望まれていた。
及びタッチパネルの電極等に用いられる九め、一般に蒸
着された部分のうち一部分を取シ除く目的でエツチング
処理が施される。このエツチングにはエツチング液とし
て金をよく溶解する王水が一般に用いられているが、エ
ツチング中に有毒ガスが発生したｂ１取り扱いが困難で
廃液処理が離しいという欠点があり、エツチング方法の
改良が望まれていた。
本発明者らはこの王水によるエツチングにかわシ、取り
扱いが容易で、簡単に金薄膜をエツチングする方法を鋭
意検討した結果、本発明に到達し九ものである。即ち、
本発明者らは驚くべきことに基板上に蒸着した金薄膜を
ＫＯＨ，ＮａＯＨ。
扱いが容易で、簡単に金薄膜をエツチングする方法を鋭
意検討した結果、本発明に到達し九ものである。即ち、
本発明者らは驚くべきことに基板上に蒸着した金薄膜を
ＫＯＨ，ＮａＯＨ。
１１ｉ０Ｔ１等のアルカリ金属の水酸化物の１重量−以
上の水溶液に浸漬した場合に容易に金薄膜がエツチング
されることを発見した。
上の水溶液に浸漬した場合に容易に金薄膜がエツチング
されることを発見した。
本発明のこのようなアルカリ金属の水酸化物の水溶液に
よって金薄膜をエツチングする場合、王水によるエツチ
ングとは異なり、エツチング液用の特別な容器を用いる
必要がなく、エッチフグ中に有毒ガスを発生せず、廃液
処理が容易であるとともに、エツチングの仕上ねも王水
と同等以上である。
よって金薄膜をエツチングする場合、王水によるエツチ
ングとは異なり、エツチング液用の特別な容器を用いる
必要がなく、エッチフグ中に有毒ガスを発生せず、廃液
処理が容易であるとともに、エツチングの仕上ねも王水
と同等以上である。
本発明において金薄膜とは蒸着によって基板上に施され
た厚み１，０００ Ａ以下の金層をいう。
た厚み１，０００ Ａ以下の金層をいう。
１．０００ Ａ以上だと本発明のエツチング方法ではエ
ツチングに時間がかかりすぎる。蒸着法としては真空蒸
着法、ＲＩＦ及びＤｏスパッタリング法及びイオンブレ
ーティング法などを用いることができる。金薄膜の基板
としては本発明のアルカリによるエツチングに耐えられ
るものなら何でもよく、二軸延伸ポリエステルフィルム
、ポリイミドフィルム、ポリスルホンフィルム、トリア
セテートフィルム及びガラス等があるがこれらに限定さ
れるものではない。熱論、フィルム以外の成形品にも適
用される。
ツチングに時間がかかりすぎる。蒸着法としては真空蒸
着法、ＲＩＦ及びＤｏスパッタリング法及びイオンブレ
ーティング法などを用いることができる。金薄膜の基板
としては本発明のアルカリによるエツチングに耐えられ
るものなら何でもよく、二軸延伸ポリエステルフィルム
、ポリイミドフィルム、ポリスルホンフィルム、トリア
セテートフィルム及びガラス等があるがこれらに限定さ
れるものではない。熱論、フィルム以外の成形品にも適
用される。
エツチング方法としては一般に浸漬法が用いられる。し
〜かし、エツチング液を金薄膜に吹きつけてエツチング
するスプレー法も、浸漬法のエツチングを加速する目的
で用いることができる０又、浸漬法においても、金薄膜
を浸漬中に高速度でエツチング液を攪拌してエツチング
を加速する方法も用いることができる。
〜かし、エツチング液を金薄膜に吹きつけてエツチング
するスプレー法も、浸漬法のエツチングを加速する目的
で用いることができる０又、浸漬法においても、金薄膜
を浸漬中に高速度でエツチング液を攪拌してエツチング
を加速する方法も用いることができる。
本発明においてアルカリ金属の水酸化物の水溶液の濃度
は１重量嗟以上であればよいが、好ましくはエツチング
の速度及び基板の損傷を考慮すると５重量−から４０重
量％の間が好ましい。エツチング液の温度に関しては、
２０℃前後の室温でよいが、必要な場合加熱するとエツ
チングが加速される。
は１重量嗟以上であればよいが、好ましくはエツチング
の速度及び基板の損傷を考慮すると５重量−から４０重
量％の間が好ましい。エツチング液の温度に関しては、
２０℃前後の室温でよいが、必要な場合加熱するとエツ
チングが加速される。
実際のエツチングにあたっては種々のパターンを残存さ
せるにめマスクを施すが、このマスクは本発明のエツチ
ングに耐えるものなら何でもよい。マスクは例えばシル
クスクリーン印刷や、フォトレジストを感光及び現像し
て施すことができる。
せるにめマスクを施すが、このマスクは本発明のエツチ
ングに耐えるものなら何でもよい。マスクは例えばシル
クスクリーン印刷や、フォトレジストを感光及び現像し
て施すことができる。
以下、本発明方法を実施例によって詳述する。
実施例１
市販のポリエステルフィルム（ダイヤホイル１２Ｓ＃ｌ
ｌ厚み）Ｋム０スパッタリング（日電アネルバ製８ＰＦ
−２１０ａｍ使用）Ｋよって厚み１００ムの金薄膜を蒸
着した。このフィルムに７オトレジスト（王室化学研究
所製８ＰＲ）を用いて、エツチング部分の巾が０．５
ｍのパターン状マスクを施した後、種々の濃度ノＮａＯ
Ｈ、ＫＯＨ、Ｌｉｏｎの水溶液（温度２０℃）でエツチ
ングした。そして、エツチング部分が電気的に絶縁（電
気抵抗１０ＭΩ以上）される時間を測定し、表−１に示
した。この測定はマスクを剥離した後テスターで測定す
ることＫよって行った。
ｌ厚み）Ｋム０スパッタリング（日電アネルバ製８ＰＦ
−２１０ａｍ使用）Ｋよって厚み１００ムの金薄膜を蒸
着した。このフィルムに７オトレジスト（王室化学研究
所製８ＰＲ）を用いて、エツチング部分の巾が０．５
ｍのパターン状マスクを施した後、種々の濃度ノＮａＯ
Ｈ、ＫＯＨ、Ｌｉｏｎの水溶液（温度２０℃）でエツチ
ングした。そして、エツチング部分が電気的に絶縁（電
気抵抗１０ＭΩ以上）される時間を測定し、表−１に示
した。この測定はマスクを剥離した後テスターで測定す
ることＫよって行った。
表−１に示したように、ＮａＯＨ、ＫＯＨ及びＬｉＯＨ
のいずれの水溶液も１重量％以上の濃度でエツチングは
１時間以内に完了した。
のいずれの水溶液も１重量％以上の濃度でエツチングは
１時間以内に完了した。
濃度が１重量−以下だとエツチングに非常に長い時間を
必要とする。
必要とする。
表 １
注）表中の時間は厚み１００＾の金薄膜をエツチングす
るのに必要な時間を表わす。
るのに必要な時間を表わす。
比較例１
エツチング液として王水（濃硝酸と濃塩酸の重量比１：
５）、濃塩酸、濃硝酸、濃硫酸を用い、実施例１と同様
に二軸延伸ポリエステルフィルム上に金薄膜を施し、実
施例１と同様のパターンをマスクしたフィルムをエツチ
ングした。
５）、濃塩酸、濃硝酸、濃硫酸を用い、実施例１と同様
に二軸延伸ポリエステルフィルム上に金薄膜を施し、実
施例１と同様のパターンをマスクしたフィルムをエツチ
ングした。
その結果、濃塩酸、濃硝酸、濃硫酸ともエツチング不可
能で、王水を用いた場合のみ１分間でエツチングできた
。しかし、エツチング中有毒ガスが発生し、又取υ扱い
が困難であつ九。
能で、王水を用いた場合のみ１分間でエツチングできた
。しかし、エツチング中有毒ガスが発生し、又取υ扱い
が困難であつ九。
実施例２
実施例１と同様に二軸延伸ポリエステルフィルム上に厚
み５０ム、２００ム、４００ Ａ、 １０００ムの金薄
膜をＲ’？スパッタリングによって施したフィルムを３
５重量嗟のＮａＯＨ水溶液を用いて、エツチング液の温
度及びエツチング方法を変化させてエツチングし、エツ
チングに必要な時間を表−２に示した。
み５０ム、２００ム、４００ Ａ、 １０００ムの金薄
膜をＲ’？スパッタリングによって施したフィルムを３
５重量嗟のＮａＯＨ水溶液を用いて、エツチング液の温
度及びエツチング方法を変化させてエツチングし、エツ
チングに必要な時間を表−２に示した。
表−２に示したように本発明によるエツチングによって
１．ｏｏｏ ’；ｙ以下の金薄膜を容易に短時間でエツ
チングできる。
１．ｏｏｏ ’；ｙ以下の金薄膜を容易に短時間でエツ
チングできる。
表 ２
実施例５
市販の金蒸着透明導電性フィルム セレクタＧ−４１！
Ｘ（ダイセル化学工業製）及び東しハイビーム１００２
−〆ＧＢ（東し製）Ｋ実施例１と同様のマスクを施し、
５５重量−のＮａ ＯＨ水水溶液湿温Ｋ浸漬し、エツチ
ングした。セレクタＧ−４ＦＸは１５分、東しハイビー
ム１００２−ＧＢは１０分でエツチングすることができ
た。
Ｘ（ダイセル化学工業製）及び東しハイビーム１００２
−〆ＧＢ（東し製）Ｋ実施例１と同様のマスクを施し、
５５重量−のＮａ ＯＨ水水溶液湿温Ｋ浸漬し、エツチ
ングした。セレクタＧ−４ＦＸは１５分、東しハイビー
ム１００２−ＧＢは１０分でエツチングすることができ
た。
実施例４
ポリイミドフィルム、ポリスルホンフィルム、トリアセ
テートフィルムに実施例１と同様、ムａスパッタリング
によって厚み１００人の金薄膜を蒸着し、実施例１と同
様のマスクな施した後、１５重量−のＮａＯＨ水溶液（
室温）でエツチングしたが、すべて１５分でエツチング
することができた。エツチング時間が短時間であるので
ポリイミド、ポリスルホン、トリアセテートとも外観に
、損傷はなかった。
テートフィルムに実施例１と同様、ムａスパッタリング
によって厚み１００人の金薄膜を蒸着し、実施例１と同
様のマスクな施した後、１５重量−のＮａＯＨ水溶液（
室温）でエツチングしたが、すべて１５分でエツチング
することができた。エツチング時間が短時間であるので
ポリイミド、ポリスルホン、トリアセテートとも外観に
、損傷はなかった。
Claims (1)
- 基板上に蒸着された金薄膜をアルカリ金属の水酸化物の
１重量％以上の水溶液でエツチングすることを特徴とす
る金薄膜のエツチング方亀
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16340281A JPH0245711B2 (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | Kinhakumakunoetsuchinguhoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16340281A JPH0245711B2 (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | Kinhakumakunoetsuchinguhoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867868A true JPS5867868A (ja) | 1983-04-22 |
| JPH0245711B2 JPH0245711B2 (ja) | 1990-10-11 |
Family
ID=15773207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16340281A Expired - Lifetime JPH0245711B2 (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | Kinhakumakunoetsuchinguhoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245711B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60155687A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-15 | Daicel Chem Ind Ltd | 金蒸着膜のエツチング法 |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP16340281A patent/JPH0245711B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60155687A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-15 | Daicel Chem Ind Ltd | 金蒸着膜のエツチング法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0245711B2 (ja) | 1990-10-11 |
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