JPS58141384A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS58141384A JPS58141384A JP2050482A JP2050482A JPS58141384A JP S58141384 A JPS58141384 A JP S58141384A JP 2050482 A JP2050482 A JP 2050482A JP 2050482 A JP2050482 A JP 2050482A JP S58141384 A JPS58141384 A JP S58141384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnetic field
- generated
- leg
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（＆） 発−の技術分骨
本発明は混成集積回路等に用いられる基板上に二酸化シ
リコ７ （８１０ｍ）、アル電す（ム４０−ン編等を生
成するスパッタリング装置に関す。
リコ７ （８１０ｍ）、アル電す（ム４０−ン編等を生
成するスパッタリング装置に関す。
（ｂ） 技術の胃景
集積回路基［ＯＭ縁被属形成−おいて、量朧効釆を上げ
る成膜遮［０有利性から所謂マグネトロン方式Ｏスパッ
タリング装置が多用されている。
る成膜遮［０有利性から所謂マグネトロン方式Ｏスパッ
タリング装置が多用されている。
これは膜生成材料Ｏ二戚化シリコン、又はアルミナ等の
ｇｔｏ高いターゲットに磁場を印加し、高速に形成する
が、ターゲットに電子放射エネルギーによる局部浸食部
所謂エロージ冒ンエリアを生じ、発熱現象を伴う。
ｇｔｏ高いターゲットに磁場を印加し、高速に形成する
が、ターゲットに電子放射エネルギーによる局部浸食部
所謂エロージ冒ンエリアを生じ、発熱現象を伴う。
（Ｃ）従来技暫と問題点
第１図は従来のマグネトロンスパッタリング装置を示す
図である０ スパッタリング装置ＩＫはアルゴンカス（ムｒ）鑓へ口
３及び真空用排気口２を設け、鍍装置内を一定量のアル
ゴンカスを封入させ、一方排気口２を介して一定の気圧
となるよう制御される０ｉＩＩＩ極４上に被膜形成用の
基板ｓｔ載装し、二酸化シリコン又はアルズナ素材でな
るターゲット・を陰４７Ｋｍｉ＊Ｌ、この二極間に交流
＾圧を印加させてグロー放電８を鱒起させる０ この際ターゲット６に生ずる負ｏｍｍバイアス電圧によ
ル加遮されたアルゴンイオン（ムｒ＋）９が瘉極に衝突
してターゲット原子１０を九＼寝出し、！［５に絶縁属
ｌｉｔ生成畜せる０マグネトロン方式のスパッタリング
装置１は成膜速度即ち効率音高める丸めの手段として陰
極７に接続されるターゲラ）６に磁石、主として永久磁
石１３を設けて、磁場１４Ｙｔ形属させる０この磁場１
４にプラズマ１６が集中し、ターゲット原子１０’ｌた
＼き出し、膜成長スピードを加速させる。
図である０ スパッタリング装置ＩＫはアルゴンカス（ムｒ）鑓へ口
３及び真空用排気口２を設け、鍍装置内を一定量のアル
ゴンカスを封入させ、一方排気口２を介して一定の気圧
となるよう制御される０ｉＩＩＩ極４上に被膜形成用の
基板ｓｔ載装し、二酸化シリコン又はアルズナ素材でな
るターゲット・を陰４７Ｋｍｉ＊Ｌ、この二極間に交流
＾圧を印加させてグロー放電８を鱒起させる０ この際ターゲット６に生ずる負ｏｍｍバイアス電圧によ
ル加遮されたアルゴンイオン（ムｒ＋）９が瘉極に衝突
してターゲット原子１０を九＼寝出し、！［５に絶縁属
ｌｉｔ生成畜せる０マグネトロン方式のスパッタリング
装置１は成膜速度即ち効率音高める丸めの手段として陰
極７に接続されるターゲラ）６に磁石、主として永久磁
石１３を設けて、磁場１４Ｙｔ形属させる０この磁場１
４にプラズマ１６が集中し、ターゲット原子１０’ｌた
＼き出し、膜成長スピードを加速させる。
このためアルゴンイオン９の衝突が着しく増加し、ター
ゲット６に局部浸食作用と発ＩＩｋ１７Ａ象七−起させ
る。禅熱紡止として水冷用バンキングプレート１２をタ
ーゲット６に接着剤等で取付は水冷する０ ８２図は従来のターゲット浸食部を説明するための図で
６る０ 図中永久磁石１３によって生ずる磁場１４によりプラズ
マ１５が集中し；図のようにターゲット６に局部浸食１
６が生辷ターゲット寿命１＊化させる０また発熱防止の
ため水冷しているが局部的な浸食がある程度進行すると
、ターゲット６の熱導伝性が低いため対応できす熱歪に
よｐ破砕する不都合を生ずる。
ゲット６に局部浸食作用と発ＩＩｋ１７Ａ象七−起させ
る。禅熱紡止として水冷用バンキングプレート１２をタ
ーゲット６に接着剤等で取付は水冷する０ ８２図は従来のターゲット浸食部を説明するための図で
６る０ 図中永久磁石１３によって生ずる磁場１４によりプラズ
マ１５が集中し；図のようにターゲット６に局部浸食１
６が生辷ターゲット寿命１＊化させる０また発熱防止の
ため水冷しているが局部的な浸食がある程度進行すると
、ターゲット６の熱導伝性が低いため対応できす熱歪に
よｐ破砕する不都合を生ずる。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、ターゲツト面に均一１に浸食
作用ｔｔＳ起させる有効な磁場構成の提供にある。
作用ｔｔＳ起させる有効な磁場構成の提供にある。
（・） 発明の構成
上記目的はターゲラ）Ｋ磁場を印加する磁石を具備した
スパッタリング装置であって、前記ターゲット−におい
て直−状に磁場を印加するように前記磁石を配置し、且
つ前記ターゲツト面に沿って前記磁場を回転させる機構
ｔ−設けることによって適せられる。
スパッタリング装置であって、前記ターゲット−におい
て直−状に磁場を印加するように前記磁石を配置し、且
つ前記ターゲツト面に沿って前記磁場を回転させる機構
ｔ−設けることによって適せられる。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によって一連するＯ第３図は
本発明の一実施例でるる磁場構成を示す図であり、（ｆ
）ｒ！Ａは、平面図、（ｃ４図は印−〇ムー人′断面図
である０ 円形のテーブル２１に脚部２２を設けて該脚部２１は１
ｇｌ＠４１１＆榔（図示せず）Ｋより間歇的な一一會行
う。テーブル位置上にはチップ状の永久磁石２Ｆ！配設
して図のように＊＊０＊反する確極をなし、円テーブル
２１（Ｄ中心から等間隔をなして対向させる０ 円テーブル２１０回＠に伴Ｖｈ２系列の永久磁石２３に
よって生ずる磁場はターゲツト面に沿って回転し破線で
示すような領域全体に間歇的に一様に印加されることに
なυ、従来に比し磁場印加領域が拡大される。
本発明の一実施例でるる磁場構成を示す図であり、（ｆ
）ｒ！Ａは、平面図、（ｃ４図は印−〇ムー人′断面図
である０ 円形のテーブル２１に脚部２２を設けて該脚部２１は１
ｇｌ＠４１１＆榔（図示せず）Ｋより間歇的な一一會行
う。テーブル位置上にはチップ状の永久磁石２Ｆ！配設
して図のように＊＊０＊反する確極をなし、円テーブル
２１（Ｄ中心から等間隔をなして対向させる０ 円テーブル２１０回＠に伴Ｖｈ２系列の永久磁石２３に
よって生ずる磁場はターゲツト面に沿って回転し破線で
示すような領域全体に間歇的に一様に印加されることに
なυ、従来に比し磁場印加領域が拡大される。
第４ｗＪ社本発明実施例の磁場構成によって生ずるター
ゲット浸食１ｉｔ−説明する丸めの図である０タ一ゲツ
ト２Ｍｔｌｉｌ定したバンキングプレート２６との関に
微小ｏｎｔｎａをもたせて円テーブル２１を設置する０ 円テーブル２１ｔ１４＠２２０ＷＡ転機Ｓによｐ−転さ
せると２４で示す回ｊＥ磁場が生じ、陰極をなすターゲ
ラ）２５Ｋａｆｔぼ全体にわ九）ｌ［次プラズマ２７が
県中し図示するような一様なターゲット浸食２８が生ず
る。
ゲット浸食１ｉｔ−説明する丸めの図である０タ一ゲツ
ト２Ｍｔｌｉｌ定したバンキングプレート２６との関に
微小ｏｎｔｎａをもたせて円テーブル２１を設置する０ 円テーブル２１ｔ１４＠２２０ＷＡ転機Ｓによｐ−転さ
せると２４で示す回ｊＥ磁場が生じ、陰極をなすターゲ
ラ）２５Ｋａｆｔぼ全体にわ九）ｌ［次プラズマ２７が
県中し図示するような一様なターゲット浸食２８が生ず
る。
円テーブル２１ｔ高速回転させる必要はなく、画一的に
テーブル位置を変えることで適せられ、一定間隔で回転
する１ｌｌｉ＊＃が有効であり安定し九成績が得られる
。また上記実厖例では永久磁石を用いて匹るが、代わ）
Ｋ電磁石を用いることもできる・ （２）妬−の効果 以上−＃Ｋ１１Ｂ！Ｉｊｉ ｔ、丸ように本発明Ｏマダ
ネトロン方式によるスパッタリング＊ｔにおいて、回転
テーブル上に１石を設けて、回転ａ場を形成させる九め
、プラズマ系中範囲は拡大ちれ、ターゲラ） ｇ） 、
１１．０−ジ■ｙエリアは拡がジターゲット寿命は従来
に比し大中に改善される◎しかもプラズマによって１起
されるターゲット原子量が増大するかｂ膜成長スピード
を加速させ、高速化、量慮化が期待で龜る優れた効果が
ある。
テーブル位置を変えることで適せられ、一定間隔で回転
する１ｌｌｉ＊＃が有効であり安定し九成績が得られる
。また上記実厖例では永久磁石を用いて匹るが、代わ）
Ｋ電磁石を用いることもできる・ （２）妬−の効果 以上−＃Ｋ１１Ｂ！Ｉｊｉ ｔ、丸ように本発明Ｏマダ
ネトロン方式によるスパッタリング＊ｔにおいて、回転
テーブル上に１石を設けて、回転ａ場を形成させる九め
、プラズマ系中範囲は拡大ちれ、ターゲラ） ｇ） 、
１１．０−ジ■ｙエリアは拡がジターゲット寿命は従来
に比し大中に改善される◎しかもプラズマによって１起
されるターゲット原子量が増大するかｂ膜成長スピード
を加速させ、高速化、量慮化が期待で龜る優れた効果が
ある。
４、 ＦｊＡｌｏｏ簡単なＩＭ！明
第１図は従来Ｏマグネトロンスバッタリ／グ偵１１示す
図である０ ＪＩ２１ｉ１ａは従来Ｏターゲット浸食部を威−するた
め０図である・ 第３図は本発明の一実施例である磁場構成を示す図であ
ｐｌ（イ）図は平面図、（→図はけ）図０Ａ−Ａ′断面
図であｈａ 第４閣は本発＠実施例である磁場構成によって生ずるタ
ーゲット浸食ｉｉｔｍ−する九めの図である。図におい
て ２１はテーブル、２２は回転脚、２３は永久磁石、２４
は磁場、２ｓはターゲット、２６はノ（ｙキングプレー
ト、２７はプラズマ、２８は局部浸食部（工冒−ジ璽ン
エリア）を示す０ ￥１図 第ＺｒｆＪ
図である０ ＪＩ２１ｉ１ａは従来Ｏターゲット浸食部を威−するた
め０図である・ 第３図は本発明の一実施例である磁場構成を示す図であ
ｐｌ（イ）図は平面図、（→図はけ）図０Ａ−Ａ′断面
図であｈａ 第４閣は本発＠実施例である磁場構成によって生ずるタ
ーゲット浸食ｉｉｔｍ−する九めの図である。図におい
て ２１はテーブル、２２は回転脚、２３は永久磁石、２４
は磁場、２ｓはターゲット、２６はノ（ｙキングプレー
ト、２７はプラズマ、２８は局部浸食部（工冒−ジ璽ン
エリア）を示す０ ￥１図 第ＺｒｆＪ
Claims (1)
- ターゲラ）Ｋ磁場を印加すｈ磁石！＾備し九スパッタリ
ング装置であって、前記ターゲツト面において直−状に
磁場を印加するように前記磁石管配置し、且つ前記ター
ゲツト面に沿って前記磁場′を回転させる機ＩＩを設け
たこと１−特徴とするスパッタリング装置◎
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2050482A JPS58141384A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2050482A JPS58141384A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58141384A true JPS58141384A (ja) | 1983-08-22 |
Family
ID=12028984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2050482A Pending JPS58141384A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58141384A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273733A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Anelva Corp | バイアススパツタ装置 |
| US4872964A (en) * | 1985-08-02 | 1989-10-10 | Fujitsu Limited | Planar magnetron sputtering apparatus and its magnetic source |
-
1982
- 1982-02-10 JP JP2050482A patent/JPS58141384A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4872964A (en) * | 1985-08-02 | 1989-10-10 | Fujitsu Limited | Planar magnetron sputtering apparatus and its magnetic source |
| JPS62273733A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Anelva Corp | バイアススパツタ装置 |
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