JPS58143284A - 二次元放射線検出器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 この発明は二次元放射線検出器に関する。

〔従来技術とその問題点〕

本発明に関係の深い従来技術を第１図に示す。

図中、１は放射線発生装置、２は被検体、３は透過像受
像パネル装置、４はレーザー発生装置およびレーザー光
線偏向装置、５は集光器、６は光検出器、７は画は再生
装置、８は画像表示装置をそれぞれ表わす。この装置の
動作原理は、熱螢光体膜（ＣａＦ２：Ｍｎなど）のトラ
ップレベルにＩＦＭされている放射線の照射強度分布を
レーザー光で掃引加熱して、そのときに発する螢光量を
光検出器で読み取るものである。

しかるに、このような従来技術においては次のような問
題点がある。

（１）レーザー発生袋＃訃よび偏光装置が必要でありシ
ステムの小型化が困難である。

（２）レーザー光線を偏光装置で掃引する方式であるの
で、読み取り時間の短縮がむずかしい。

〔発明の目的〕

この発明は上述した従来技術の欠点を改良したもので、
小型化が可能で像の再生時間も短かい二次元放射線検出
器を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明は、放射線照射後に加熱することにより照射線量
に対応する光量を放出する熱螢光体膜の掃引加熱を、二
次元発熱抵抗素子パネルによって行うようにした二次元
放射線検出器である。

〔発明の効果〕

本発明による効果は次の点である。

（１）掃引加熱手段としてのレーザー発生装置お・よび
偏光装置が不要であり、システムの小型化が容易である
。

（２）二次元発熱抵抗素子パネルにより掃引加熱を行う
ため、像の再生時間が短縮される。

〔発明の実施例〕

本発明の実施例を第２図（ａ）　、　（ｂ）により説明
する。

第２図（ａ）は全体のシステム図、第２図（ｈ）は二次
元発熱抵抗素子パネルの単位要素の構造図を示す。

図中、９はＸ線管、１０は被検体、１１は集光シート、
１２は二次光熱螢光体膜、１３は二次元発熱抵抗素子パ
ネル、１４はＸアドレス回路、１５はＸアドレス回路、
１６は駆動電源回路、　１７は光電子増倍管、１８はデ
ータ処理部、Ｊ９は画像表示装置、加は発熱抵抗素子（
Ｗ　、　Ｎｉ　−Ｃｒ、　５ｎ０２など）、２１はＸ行
電極、ｎはＹ行電極、乙はセラミック基板をそれぞれ表
わす０ −Ｆ記のような構造において、二次光熱螢光体膜１２と
二次元発熱抵抗素子パネル１３は密着しているため、熱
螢光体膜を電子的にしかも高速度に掃引加熱することが
可能となる。したがって装置の小型化も・よび像再生時
間の短縮が達成される。

〔発明の他の実施例〕

第２図（ａ）の実施例にお・いて、集光シートの光取出
し口は一つであるが、複数個の光取出し口を設け、複数
個の光検出素子により光検知を行うことも可能である。

ス、熱螢光体膜、集光シート、発熱抵抗素子パネルの位
置関係も任意である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来技術を説明するだめの図、第２図（ａ）　
、　（ｂ）は本発明の一実施例を説明するだめの図であ
る。 ９・・・Ｘ線管、１０・・被検体、１１・・・集光シー
ト、】２・二次光熱螢光体膜、 １３・・・二次元発熱抵抗素子パネル、１４・・・Ｘ７
’ドレス回路、１５・・・Ｘアドレス回路、１６・・・
駆動電源回路、１７・・光電子増倍管、１８・・・デー
タ処理装置、１９・・・画像表示装置、加・発熱抵抗素
子、２１・・Ｘ行電極、２２・・・Ｙ行電極、　乙・・
セラミック基板。 第　　１　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 放射線照射後に０口熱することにより照射線量に対応す
   る光量を放出する物質から成る二次元熱螢光体膜と、こ
   の二次元熱螢光体膜を加熱するだめの二次元発熱抵抗素
   子パネルと、前記二次元熱螢器０