JPS58143340A - ホトレジスト組成物 - Google Patents
ホトレジスト組成物Info
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- JPS58143340A JPS58143340A JP2593782A JP2593782A JPS58143340A JP S58143340 A JPS58143340 A JP S58143340A JP 2593782 A JP2593782 A JP 2593782A JP 2593782 A JP2593782 A JP 2593782A JP S58143340 A JPS58143340 A JP S58143340A
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- water
- soluble
- photoresist
- adhesion
- compound
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/0085—Azides characterised by the non-macromolecular additives
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はホトレジスト組成物に関し、￥に詳しくは、高
感度で基板との接着性が向上したホトレジスト組成物に
関する。
感度で基板との接着性が向上したホトレジスト組成物に
関する。
従来から、ホトレジスト組成物は製版用又はホトエツチ
ング川として広く使用されており、それらの使用目的に
対応して一般に次のような性質金偏えることが必要とさ
れている。すなわち、■解像力が優れていること、■感
度が高いこと、■保存性のよいこと、■硬化したホトレ
ジスト膜が強靭で耐腐食性、耐摩耗性にすぐれているこ
と、■基板との密着性が良好であって、現像ラチチュー
ドが大きいこと、■使用されるホトレジスト及び現像液
は公害の虞れ金主じないこと、などでめる。
ング川として広く使用されており、それらの使用目的に
対応して一般に次のような性質金偏えることが必要とさ
れている。すなわち、■解像力が優れていること、■感
度が高いこと、■保存性のよいこと、■硬化したホトレ
ジスト膜が強靭で耐腐食性、耐摩耗性にすぐれているこ
と、■基板との密着性が良好であって、現像ラチチュー
ドが大きいこと、■使用されるホトレジスト及び現像液
は公害の虞れ金主じないこと、などでめる。
従来、これらの目的に使用される水溶性ホトレジストと
しては、ニカワ、ゼラチン、卵白、ポリビニルアルコー
ルなどの水溶性高分子に重クロム酸の塩類全混合した重
クロム酸塩系のものが広く用いられてきた。これは、こ
のホトレジストが安価で、かつ、上記した条件のうち■
、■、■、■に関してはほぼ満足する性能金偏えている
からでおった。しかしながら、この種のホトレジストは
。
しては、ニカワ、ゼラチン、卵白、ポリビニルアルコー
ルなどの水溶性高分子に重クロム酸の塩類全混合した重
クロム酸塩系のものが広く用いられてきた。これは、こ
のホトレジストが安価で、かつ、上記した条件のうち■
、■、■、■に関してはほぼ満足する性能金偏えている
からでおった。しかしながら、この種のホトレジストは
。
暗所におっても暗反応とよばれる自然反応によって徐々
に変質して使用不能になること、光架橋剤として使用さ
れるクロムの廃棄に伴って公害全発生すること、などの
欠点を有していた。
に変質して使用不能になること、光架橋剤として使用さ
れるクロムの廃棄に伴って公害全発生すること、などの
欠点を有していた。
このような欠点を除去するために、高分子材料自体に感
光基全導入したシ、有機感光剤全上記高分子に混合した
ジしてホトレジスト組成物することが試みられている。
光基全導入したシ、有機感光剤全上記高分子に混合した
ジしてホトレジスト組成物することが試みられている。
それらの試みの１つとして、重クロム酸塩類の代りに有
機光架橋剤を水溶性高分子と混合してホトレジスト組成
物る方法が知られている。
機光架橋剤を水溶性高分子と混合してホトレジスト組成
物る方法が知られている。
例えば、 ４ 、４’−ビスアジドスチルベン−２゜２
′−ジスルホン酸及びその塩のように親水基をもつ水溶
性ビスアジド化合物とポリアクリルアミド。
′−ジスルホン酸及びその塩のように親水基をもつ水溶
性ビスアジド化合物とポリアクリルアミド。
ポリビニルピロリドン、ゼラチンなどの水溶性高分子と
から成るホトレジスト組成物がある。このビスアジド系
ホトレジストに１組み合わされる水溶性高分子の性質に
よって種々の性能を有するホトレジストになり、上記し
た条件のうち、■、■、■、■に関してはｅミぼ満足す
る性能？示す。しかしながら、この種のホトレジストは
一般に基板との密着性が悪く、現像条件が強丁ぎると硬
化したホトレジスト膜が基板から一部又は全部が剥離し
たジ、逆に現像条件か弱すぎると未硬化部分が残留して
充分な解像度を与えないという欠点全有する。又、−足
板上の強い光でなければ充分なパターン形成が行なわれ
ない所謂相反則不軌特性を有しているため、パターン焼
き角けに際して限界を生じている。
から成るホトレジスト組成物がある。このビスアジド系
ホトレジストに１組み合わされる水溶性高分子の性質に
よって種々の性能を有するホトレジストになり、上記し
た条件のうち、■、■、■、■に関してはｅミぼ満足す
る性能？示す。しかしながら、この種のホトレジストは
一般に基板との密着性が悪く、現像条件が強丁ぎると硬
化したホトレジスト膜が基板から一部又は全部が剥離し
たジ、逆に現像条件か弱すぎると未硬化部分が残留して
充分な解像度を与えないという欠点全有する。又、−足
板上の強い光でなければ充分なパターン形成が行なわれ
ない所謂相反則不軌特性を有しているため、パターン焼
き角けに際して限界を生じている。
一般に、重クロム酸塩系のホトレジストに比べ、ビスア
ジド系ホトレジストは基板とのＩｓ性に劣る。この理由
は明らかでにないが、重クロム酸塩系のホトレジストに
おいてに、クロムイオンが基板と高分子とを結合する作
用を米すのに対し、ビスアジド系ホトレジストではその
効果がないためと考えられる。
ジド系ホトレジストは基板とのＩｓ性に劣る。この理由
は明らかでにないが、重クロム酸塩系のホトレジストに
おいてに、クロムイオンが基板と高分子とを結合する作
用を米すのに対し、ビスアジド系ホトレジストではその
効果がないためと考えられる。
したがって、このような欠点全除去するために、ビスア
ジド系ホトレジストにγ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、Ｎ−（β−アミンエテル）−γ−アミノプロビ
ルメチルジメトキシシ２ン及びＮ−（β−アミノエチル
）−γ−アミノプロビルトリメトキシシ２ンの少なくと
も１種のシラン化合物全接着促進剤として添加して、ホ
トレジストと基板との密着性を改善する試みもなされて
いる（特公昭５１−１９９８２号参照）。しかしながら
、これらシラン化合物を添加した場合であっても、ビス
アジド系ホトレジストは基板との充分な密着性金与える
ことはなかった。
ジド系ホトレジストにγ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、Ｎ−（β−アミンエテル）−γ−アミノプロビ
ルメチルジメトキシシ２ン及びＮ−（β−アミノエチル
）−γ−アミノプロビルトリメトキシシ２ンの少なくと
も１種のシラン化合物全接着促進剤として添加して、ホ
トレジストと基板との密着性を改善する試みもなされて
いる（特公昭５１−１９９８２号参照）。しかしながら
、これらシラン化合物を添加した場合であっても、ビス
アジド系ホトレジストは基板との充分な密着性金与える
ことはなかった。
本発明は、取扱い上公害の心配がなく、良好な解像度及
び保存ａｖｉ−備えるとともに、高感匿で基板に対し充
分な密着性を示しかつ強靭な直換を形成し得る新規なホ
トレジスト組成物の提供を目的とする。
び保存ａｖｉ−備えるとともに、高感匿で基板に対し充
分な密着性を示しかつ強靭な直換を形成し得る新規なホ
トレジスト組成物の提供を目的とする。
本発明のホトレジスト組成物は、水溶性ビスアジド化合
物、水溶性ジアゾ化合物及び水溶性高分子から成る感光
性組成物に、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
Ｎ−（β−７ミノエチル）−γ−アミノグロピルトリメ
トキシシラン、γ−ウレイドグロビルトリエトキシシラ
ンの群から選ばれる少なくとも１種の水溶性シラン化合
物全含有させて成ることを特徴とする。
物、水溶性ジアゾ化合物及び水溶性高分子から成る感光
性組成物に、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
Ｎ−（β−７ミノエチル）−γ−アミノグロピルトリメ
トキシシラン、γ−ウレイドグロビルトリエトキシシラ
ンの群から選ばれる少なくとも１種の水溶性シラン化合
物全含有させて成ることを特徴とする。
本発明で用いる水溶性ビスアジド化合物としては、公知
の化合物、例えば、特公昭５１−４８９４６にＩ己載さ
れている４、４′−ジアジドスチルベン−２，２′−ジ
スルホ１ン酸、 ４ 、４’−ジアジドベンザルアセト
フェノン−２−スル＃＋ｙ酸、、 ４１４’−ジアジド
スチルベン−α−カルがン酸およびこれらの塩をあける
ことができる。
の化合物、例えば、特公昭５１−４８９４６にＩ己載さ
れている４、４′−ジアジドスチルベン−２，２′−ジ
スルホ１ン酸、 ４ 、４’−ジアジドベンザルアセト
フェノン−２−スル＃＋ｙ酸、、 ４１４’−ジアジド
スチルベン−α−カルがン酸およびこれらの塩をあける
ことができる。
また、本発明にかかる感光性組成物の一成分として、新
たに含有される水溶性ジアゾ化合物としては公知の化合
物１例えば、特公昭５２−３２６７゜特公昭５６−６５
３０に記載されている化合物。
たに含有される水溶性ジアゾ化合物としては公知の化合
物１例えば、特公昭５２−３２６７゜特公昭５６−６５
３０に記載されている化合物。
すなわち、ペンソソンテトラゾニウムクロライド。
３，３′−ツメチルベンツジンのテトラゾニウムクロラ
イド、 ３ 、３’−ジメトキシペンジノンのテトラゾ
ニウムクロライド、 ４ 、４’−ジアミノジフェニル
アミンのテトラゾニウムクロライド、３．３’−ノエチ
ルペンソジンのナト２ゾニウム硫酸塩、ジアゾノフェニ
ルアミンのホルマリン縮合物およびこれらの複塩′？ｃ
６げることができる。これらの水溶性ソアゾ化合物は、
感光性組成物それ自体の基板に苅する密着性も高める機
能を有するものと考えられる。
イド、 ３ 、３’−ジメトキシペンジノンのテトラゾ
ニウムクロライド、 ４ 、４’−ジアミノジフェニル
アミンのテトラゾニウムクロライド、３．３’−ノエチ
ルペンソジンのナト２ゾニウム硫酸塩、ジアゾノフェニ
ルアミンのホルマリン縮合物およびこれらの複塩′？ｃ
６げることができる。これらの水溶性ソアゾ化合物は、
感光性組成物それ自体の基板に苅する密着性も高める機
能を有するものと考えられる。
次に水溶性高分子の例としては公知のもの、例えば、ポ
リビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアク
リルアミド、ポリビニルメチルエーテル。
リビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアク
リルアミド、ポリビニルメチルエーテル。
ポリビニルアセタール、ポリアクリル酸などの合成高分
子：ゼラチン、シェラツク、アラビアゴム、カゼインな
どの天然高分子；メチルビニルエーテルとマレイン酸、
アクリルアミドとダイア七トンアクリルアミド、アクリ
ルアミドとビニルアルコールなどの共重合体；アクリロ
ニトリルグラフト化ポリビニルアルコール、グリシジル
メタクリレートグラ７ト化ポリビニルアルコール、β−
オキシエチルメタクリレートグラフト化ポリビニルアル
コールなどのグラフト化された高分子；カルボキシメチ
ルセルローズ、ヒドロキシメチルセルローズ、ヒドロキ
シグロビルセルローズ、ポリ−Ｌ−グルタミン酸（Ｎａ
塩）などの半合成高分子などを挙けることができる。こ
れらの水溶性高分子の少なくとも一棟は、上記した水溶
性ビスアソド化合物、または水溶性アジド化合物と紫外
線の作用により架橋することが必要である。
子：ゼラチン、シェラツク、アラビアゴム、カゼインな
どの天然高分子；メチルビニルエーテルとマレイン酸、
アクリルアミドとダイア七トンアクリルアミド、アクリ
ルアミドとビニルアルコールなどの共重合体；アクリロ
ニトリルグラフト化ポリビニルアルコール、グリシジル
メタクリレートグラ７ト化ポリビニルアルコール、β−
オキシエチルメタクリレートグラフト化ポリビニルアル
コールなどのグラフト化された高分子；カルボキシメチ
ルセルローズ、ヒドロキシメチルセルローズ、ヒドロキ
シグロビルセルローズ、ポリ−Ｌ−グルタミン酸（Ｎａ
塩）などの半合成高分子などを挙けることができる。こ
れらの水溶性高分子の少なくとも一棟は、上記した水溶
性ビスアソド化合物、または水溶性アジド化合物と紫外
線の作用により架橋することが必要である。
本発明に適用してとくに効果的な水溶性高分子ハ、ホリ
ビニルピロリドンとポリビニルアルコールと全併用した
ものである。
ビニルピロリドンとポリビニルアルコールと全併用した
ものである。
この場合、ポリビニルピロリドンのポリビニルアルコー
ルに約する配合側９合いは、重量比で０．１〜８．０、
軽重しくに０．５〜３．０の範囲である。
ルに約する配合側９合いは、重量比で０．１〜８．０、
軽重しくに０．５〜３．０の範囲である。
０．５未満の場合には鮮明なパターンが得られず。
３．０を超えると密着力が低下するからである。
ポリビニルピロリドンとポリビニルアルコールとからな
る上記条件の水溶性高分子を使用する場合、水溶液ビス
アジド化合物の水溶性ソアゾ化合物に対する配合割合い
は、重量比で１．０〜１０、好ましくは３．０〜７．０
の範囲に設定される。該配合側合いが３．０未満の場合
には得られた感光性組成物の感光性が低下し、また７、
０ヲ超えると全体の密着力が低下する。
る上記条件の水溶性高分子を使用する場合、水溶液ビス
アジド化合物の水溶性ソアゾ化合物に対する配合割合い
は、重量比で１．０〜１０、好ましくは３．０〜７．０
の範囲に設定される。該配合側合いが３．０未満の場合
には得られた感光性組成物の感光性が低下し、また７、
０ヲ超えると全体の密着力が低下する。
本発明にかかる感光性組成物にあっては、更にこれに少
量の界面活性剤、例えば、ポリエチレングリコール、ア
ルキルフェノキシポリエチレンオキサイドリン酸エステ
ル、ヘキサメタリン酸ナトリウム等、あるいは少量のア
ルコール類、例えば、エチルアルコール、グリセリン、
エチレンクリコール、ソルビトール、 ｔｅｒ−ブチ
ルアルコールなどを添加すると、該感光性組成物の消泡
性、感光膜形成性などを高めるので有効である。
量の界面活性剤、例えば、ポリエチレングリコール、ア
ルキルフェノキシポリエチレンオキサイドリン酸エステ
ル、ヘキサメタリン酸ナトリウム等、あるいは少量のア
ルコール類、例えば、エチルアルコール、グリセリン、
エチレンクリコール、ソルビトール、 ｔｅｒ−ブチ
ルアルコールなどを添加すると、該感光性組成物の消泡
性、感光膜形成性などを高めるので有効である。
本発明のホトレジスト組成物は、上に詳述した感光性組
成物にγ−アミノノロピルトリエトキシシラン％Ｎ−（
β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランを密
着促進剤として合肩させて構成される。これらは、それ
ぞれ単独で又は２種以上の適宜な組合せによる混合糸と
して用いることができる１、本発明のホトレジスト組成
物において、該水浴性シラン化合物の添加１１合（言癩
）倉は、水溶性−分子１００皇鉦都当９０．０１〜２０
亘綾部、好ましくは（）、１〜１０重奮部＆８贋であり
、゛それで充分に全体の基板に対する密着力紫高めるこ
とができる。
成物にγ−アミノノロピルトリエトキシシラン％Ｎ−（
β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランを密
着促進剤として合肩させて構成される。これらは、それ
ぞれ単独で又は２種以上の適宜な組合せによる混合糸と
して用いることができる１、本発明のホトレジスト組成
物において、該水浴性シラン化合物の添加１１合（言癩
）倉は、水溶性−分子１００皇鉦都当９０．０１〜２０
亘綾部、好ましくは（）、１〜１０重奮部＆８贋であり
、゛それで充分に全体の基板に対する密着力紫高めるこ
とができる。
本発明にかかる水浴性シラン化合物は１分子中に２種類
以上の異なった官能基全有し、その一方は基板（例えは
ガラス板、金縞板、セラミック板）表面に住在する水酸
基又は吸着している水分と反応して基板との密着力全高
め、他方の官能基は水浴性高分子に対して親和性を発揮
するため全体として強力な密着力乃至一体性を有するに
至るものと考えられる。しかも上記水溶性シラン化合物
は公害の間融も発生しないため取扱いにおいて安全性の
うえでも好ましいといえる。又１本発明のホトレジスト
組成物は、水溶性高分子に架橋剤とじて水溶性ビスアジ
ド化合物と、水浴性ジアゾ化合物と全併用することによ
り、その感社は、架橋剤全単独で使用した場合には得ら
れない極めて篩い感度特性も有してる。
以上の異なった官能基全有し、その一方は基板（例えは
ガラス板、金縞板、セラミック板）表面に住在する水酸
基又は吸着している水分と反応して基板との密着力全高
め、他方の官能基は水浴性高分子に対して親和性を発揮
するため全体として強力な密着力乃至一体性を有するに
至るものと考えられる。しかも上記水溶性シラン化合物
は公害の間融も発生しないため取扱いにおいて安全性の
うえでも好ましいといえる。又１本発明のホトレジスト
組成物は、水溶性高分子に架橋剤とじて水溶性ビスアジ
ド化合物と、水浴性ジアゾ化合物と全併用することによ
り、その感社は、架橋剤全単独で使用した場合には得ら
れない極めて篩い感度特性も有してる。
実施例１〜３
ポリビニルピロリドン：に−９０ＣＧＡＦ社、ｍ品名）
５０ 、ｍ１ｉｔｆｆｌ（、ポリビニルアルコールＥ
Ｇ−４０（日本合成（株）、商品名）５０重量部、４゜
４′−ヒスアジドスチルベン−２、２’−ジスルホン酸
のナトリウム塩６．０重蓋部、シアシソフェニルアミン
のホルマリン縮合体の燐酸塩１．２重蓋部、’ｉ８００
０１散部の水に溶解し、ここに密着促進剤として表１に
示した３種類の水溶性シラン化合換金それぞれ６重蓋部
配合して、ホトレジスト液ヲ調合した。ついで、これら
のホトレジスト液全それぞれガラス基板（１００Ｘ１０
０ｍ）の上に塗布して乾燥させたのちマスク（直径０．
３５ｍの円勿ピッチ０．６ｍ＋で２次元に配列したもの
）全密着し、５００Ｗの超＾圧水欽灯で１分間露光せし
めだ。しかるのちに密着力を比較するために、下目じの
条件で現像した。
５０ 、ｍ１ｉｔｆｆｌ（、ポリビニルアルコールＥ
Ｇ−４０（日本合成（株）、商品名）５０重量部、４゜
４′−ヒスアジドスチルベン−２、２’−ジスルホン酸
のナトリウム塩６．０重蓋部、シアシソフェニルアミン
のホルマリン縮合体の燐酸塩１．２重蓋部、’ｉ８００
０１散部の水に溶解し、ここに密着促進剤として表１に
示した３種類の水溶性シラン化合換金それぞれ６重蓋部
配合して、ホトレジスト液ヲ調合した。ついで、これら
のホトレジスト液全それぞれガラス基板（１００Ｘ１０
０ｍ）の上に塗布して乾燥させたのちマスク（直径０．
３５ｍの円勿ピッチ０．６ｍ＋で２次元に配列したもの
）全密着し、５００Ｗの超＾圧水欽灯で１分間露光せし
めだ。しかるのちに密着力を比較するために、下目じの
条件で現像した。
水圧 ２．０ｋｆ／ｉ
液温 ４０〜４１℃
ノズルパネル間距離 ３００ｍ
ノズル径 １．０劃
現像時１！１’ ２０秒
このときの、硬化ホトレジストのドツトの欠落の個数を
観案じ、その結果全表１に用いた密着促進剤と対応させ
て記した。
観案じ、その結果全表１に用いた密着促進剤と対応させ
て記した。
また、上記したホトレジスト組成物は、いずれもその解
像力が２０μｍ程度と良好であり、形成された塗膜の耐
食性及び耐摩耗性も充分実用上満足のいくものであった
。史に、これらホトレジスト組成物は貯蔵性にも優れて
おρ、常温下、暗所にｌり月間放置しておいてもｔ紮と
んど変質することがなかった。
像力が２０μｍ程度と良好であり、形成された塗膜の耐
食性及び耐摩耗性も充分実用上満足のいくものであった
。史に、これらホトレジスト組成物は貯蔵性にも優れて
おρ、常温下、暗所にｌり月間放置しておいてもｔ紮と
んど変質することがなかった。
実施例４
表２に示した組成の水溶性フォトレジストヲ調製し、こ
れをカラー受像管の非発光性元吸収物質被膜工稲に適用
して特性を脚べた。尚、用いた材＃＋は、実施例１〜３
と同じである。
れをカラー受像管の非発光性元吸収物質被膜工稲に適用
して特性を脚べた。尚、用いた材＃＋は、実施例１〜３
と同じである。
表 ２
紫外線に対する感光性を調べた結果を表３に示した。こ
こで、感度とげ２０“型ブラックストライプ型カラー受
像管において、シャドウマスク径０．２閣から０．１９
鰭（センタ一部〕のパターンサイズ′ｔ″得るに必妾な
無光時間（照度３００００ｔｕｘ ）である。
こで、感度とげ２０“型ブラックストライプ型カラー受
像管において、シャドウマスク径０．２閣から０．１９
鰭（センタ一部〕のパターンサイズ′ｔ″得るに必妾な
無光時間（照度３００００ｔｕｘ ）である。
表３
比較例１〜４
実施例１〜３で用いた密着促進剤の代ルに表４に示した
密着促進剤ヲ用い、かつ、ホトレジスト液として、ポリ
ビニルピロ＋７Ｐンに−９０（ＧＡＦ社、商品名）１０
０重量部、４，４′−ビスアジドスチルベン−２，２′
−ジスルホン酸のナトリウム塩１０重量＠’！に３００
０重量部の水に溶解したもの使用した。実施例１〜３と
同様にして密着力葡比較した結果を表４に示した。
密着促進剤ヲ用い、かつ、ホトレジスト液として、ポリ
ビニルピロ＋７Ｐンに−９０（ＧＡＦ社、商品名）１０
０重量部、４，４′−ビスアジドスチルベン−２，２′
−ジスルホン酸のナトリウム塩１０重量＠’！に３００
０重量部の水に溶解したもの使用した。実施例１〜３と
同様にして密着力葡比較した結果を表４に示した。
表 ４
〔発明の効果〕
以上の説明で明らかなように、本発明のホトレジスト組
成物は、■基板との密着力が高くなること、■感度が高
いこと、■解像力も大きいこと。
成物は、■基板との密着力が高くなること、■感度が高
いこと、■解像力も大きいこと。
■耐食性、耐離れ性にすぐれた塗膜を形成し得ること、
■貯蔵安定性に優れること、■公害問題の発生の虞れが
ないこと、などの利点紫有し、製版用又はホトエツチン
グ用としてその工業的価値は極めて犬である。
■貯蔵安定性に優れること、■公害問題の発生の虞れが
ないこと、などの利点紫有し、製版用又はホトエツチン
グ用としてその工業的価値は極めて犬である。
２３１−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 水溶性ビスアジド化合物、水溶性ジアゾ化合物及
び水溶性高分子から成る感光性組成物に、 γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（β−ア
ミノエチル）−γ−アミノノロピルトリメトキシシラン
、γ−ウレイドプロビルトリエトキシシ２ンの群から選
ハれる少なくとも１種の水溶性シラン化合物を含有させ
て成ることを特徴とするホトレジスト組成物。 ２ 該水溶性高分子がポリビニルピロリドンとポリビニ
ルアルコールの配合物であって、該ポリビニルピロリド
ンの該ポリビニルアルコールに対する配合割合いが重量
比で０．５〜３．０の範囲にあり；かつ、該水溶性ビス
アジド化合物の該水溶・性ジアゾ化合物に対する配合割
合いが重量比で３．０〜７．０の範囲にある特許請求の
範囲第１項記載のホトレノスト組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2593782A JPS58143340A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | ホトレジスト組成物 |
| US06/467,886 US4491629A (en) | 1982-02-22 | 1983-02-18 | Water soluble photoresist composition with bisazide, diazo, polymer and silane |
| KR1019830000718A KR860000707B1 (ko) | 1982-02-22 | 1983-02-22 | 포토레지스트(photoresist) 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2593782A JPS58143340A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | ホトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58143340A true JPS58143340A (ja) | 1983-08-25 |
Family
ID=12179677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2593782A Pending JPS58143340A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | ホトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58143340A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4596755A (en) * | 1984-01-12 | 1986-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoresist composition with azide having alkoxy silane as adhesion agent for glass substrate |
| JP2008511702A (ja) * | 2004-09-03 | 2008-04-17 | フラウンホーファー・ゲゼルシャフト ツーァ フェルデルンク デァ アンゲヴァンテン フォルシュンク エー ファウ | 薄膜形成物質及びこの物質で形成された薄膜を照射することによる表面レリーフの形成と光学的異方性構造の形成 |
| WO2012029330A1 (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | 株式会社 ムラカミ | 感光性樹脂組成物およびこの感光性樹脂組成物を用いたスクリーン印刷用ステンシル |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2593782A patent/JPS58143340A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4596755A (en) * | 1984-01-12 | 1986-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoresist composition with azide having alkoxy silane as adhesion agent for glass substrate |
| JP2008511702A (ja) * | 2004-09-03 | 2008-04-17 | フラウンホーファー・ゲゼルシャフト ツーァ フェルデルンク デァ アンゲヴァンテン フォルシュンク エー ファウ | 薄膜形成物質及びこの物質で形成された薄膜を照射することによる表面レリーフの形成と光学的異方性構造の形成 |
| WO2012029330A1 (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | 株式会社 ムラカミ | 感光性樹脂組成物およびこの感光性樹脂組成物を用いたスクリーン印刷用ステンシル |
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