JPS5814399B2 - チタン・カ−バイドの結晶体の製造法 - Google Patents
チタン・カ−バイドの結晶体の製造法Info
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- JPS5814399B2 JPS5814399B2 JP53135095A JP13509578A JPS5814399B2 JP S5814399 B2 JPS5814399 B2 JP S5814399B2 JP 53135095 A JP53135095 A JP 53135095A JP 13509578 A JP13509578 A JP 13509578A JP S5814399 B2 JPS5814399 B2 JP S5814399B2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は均一な組成を有するチタン・カーバイドの結晶
体の製造法に関するものである。
体の製造法に関するものである。
チタン・カーバイドは極めて融点(3100℃)が高く
、また、高い硬度(ビツカース硬度3000KP/mN
”)を有するので、各種の超硬工具として、また表面保
護材として広く実用に供せられている。
、また、高い硬度(ビツカース硬度3000KP/mN
”)を有するので、各種の超硬工具として、また表面保
護材として広く実用に供せられている。
また高温でかなりの靭性を有し、かつ耐酸化性も比較的
良好であるので、高温構造材としても期待されている。
良好であるので、高温構造材としても期待されている。
最近では電子材料への応用も検討され、仕事函数(3.
25ev)が低く、高温での蒸発が少なく、且つ化学的
にも安定であるので、電子エミツター材、特にフィール
ド・エミツター材としての利用が検討されている。
25ev)が低く、高温での蒸発が少なく、且つ化学的
にも安定であるので、電子エミツター材、特にフィール
ド・エミツター材としての利用が検討されている。
フィールド・エミツター材としては単結晶が用いられ、
超硬材、高温構造材等の用途には通常焼結体が用いられ
るが、材料の特性を正しく把握するためには、充分特長
づけられた結晶を用いることが重要である。
超硬材、高温構造材等の用途には通常焼結体が用いられ
るが、材料の特性を正しく把握するためには、充分特長
づけられた結晶を用いることが重要である。
従来のチタン・カーバイドの製造法としては、次の方法
が知られている。
が知られている。
(イ)フラツクス法:Fe,AJ等め金属をフラツクス
とし、これにTiまたはTiOtとグラファイト粉末を
加え、混合溶解させ、一定温度に保った後、室温まで冷
却し、塩酸などによりフラツクス金属を溶解し、チタン
・カーバイドの結晶を得る方法。
とし、これにTiまたはTiOtとグラファイト粉末を
加え、混合溶解させ、一定温度に保った後、室温まで冷
却し、塩酸などによりフラツクス金属を溶解し、チタン
・カーバイドの結晶を得る方法。
(口)気相法:T+Cl4と炭化水素またはCOガスと
を、水素等をキャリアーガスとして輸送し、高温の基板
上で熱分解させて、チタン・カーバイドを析出させる方
法。
を、水素等をキャリアーガスとして輸送し、高温の基板
上で熱分解させて、チタン・カーバイドを析出させる方
法。
(ハ)アークベルヌーイ法二上部より原料粉末を供給し
、酸水素炎で加熱溶解させながら結晶を育成する所謂ベ
ルヌーイ法において、加熱源として酸水素炎に代えJ高
周波プラズマを用いる方法。
、酸水素炎で加熱溶解させながら結晶を育成する所謂ベ
ルヌーイ法において、加熱源として酸水素炎に代えJ高
周波プラズマを用いる方法。
(ニ)フローテイング・ゾーン法(以下FZ法と言う)
(後で詳述する) しかし、(イ)のフラツクス法は一般に微結晶のものし
か得られず、かつフランクス金属やるつぼからの不純物
の混入が避けられないため、純度の高い結晶は得られな
い欠点がある。
(後で詳述する) しかし、(イ)のフラツクス法は一般に微結晶のものし
か得られず、かつフランクス金属やるつぼからの不純物
の混入が避けられないため、純度の高い結晶は得られな
い欠点がある。
(口)の気相法は、針状または柱状の微結晶のものしか
得られない欠点がある。
得られない欠点がある。
(ハ)のアークベルヌーイ法は得られる結晶も比較的小
さく、かつ結晶の組織を調べると、遊離炭素の析出が見
られる他、双晶構造、小傾角粒界等を含んでおり、良質
の結晶のものは得られない欠点がある。
さく、かつ結晶の組織を調べると、遊離炭素の析出が見
られる他、双晶構造、小傾角粒界等を含んでおり、良質
の結晶のものは得られない欠点がある。
(ニ)のFZ法は比較的大型の結晶のものが得られ、か
つ遊離炭素の析出も見られず前述の方法の中では最も質
の良い結晶のものが得られるとされている。
つ遊離炭素の析出も見られず前述の方法の中では最も質
の良い結晶のものが得られるとされている。
本発明者らは大型、良質の結晶を得べく、FZ法による
チタン・カーバイドの結晶の育成を試みた結果、FZ法
で作製した結晶は確かに純度や結晶性においてすぐれて
いるが、結晶の部位において化学組成に変動を生ずる重
大な問題が伴うことを見出した。
チタン・カーバイドの結晶の育成を試みた結果、FZ法
で作製した結晶は確かに純度や結晶性においてすぐれて
いるが、結晶の部位において化学組成に変動を生ずる重
大な問題が伴うことを見出した。
即ち、得られた結晶の化学分析および物性測定により、
育成した結晶の始端部から終端部へ向けて、組成が連続
的に変化していることが分った。
育成した結晶の始端部から終端部へ向けて、組成が連続
的に変化していることが分った。
次にFZ法について述べる。
第1図はFZ法の概念図であり、装置としては例えばA
DL社製の高圧タイプの結晶育成沢が用いられる。
DL社製の高圧タイプの結晶育成沢が用いられる。
長さ1ト20cr程度の2本の焼結体ロンドの一端を接
触させ、他端をホルダーで支持し、該接触部を例えば高
周波加熱して融帯を生成させる。
触させ、他端をホルダーで支持し、該接触部を例えば高
周波加熱して融帯を生成させる。
その後両焼結体ロンドを一体に上または下に移動させる
と漸時結晶が成長を続ける。
と漸時結晶が成長を続ける。
この時の移動速度は0.5〜5011/hrが適当であ
り、移動の方向は上、下いずれでも可能である。
り、移動の方向は上、下いずれでも可能である。
雰囲気には不活性ガスまたはHφ3用いられるが、通常
はArまたはHeまたはその混合ガスである。
はArまたはHeまたはその混合ガスである。
雰囲気ガスは焼結体ロンドの成分の蒸発を抑制するため
に加圧して用いられるが、通常2〜30気圧、好ましく
は3〜25気圧が適当である。
に加圧して用いられるが、通常2〜30気圧、好ましく
は3〜25気圧が適当である。
これよりも圧力が低いと蒸発抑制効果が殆んどなくなり
、これよりも高いと対流による熱損失が大きくなり好ま
しくない。
、これよりも高いと対流による熱損失が大きくなり好ま
しくない。
また、コイル間およびコイルと焼結体ロンド間の放電抑
制効果はArよりもHeの方が優れている。
制効果はArよりもHeの方が優れている。
これはHeのイオン化ポテンシャルがArのそれよりも
高いためと考えられる。
高いためと考えられる。
以上が通常のFZ法によるチタン・カーバイド結晶製造
条件であるが、このような条件下で育成した結晶の始端
部(FZの始まりの部分)からト30+sの範囲は、通
常いくつかのグレインの集合体からなる多結晶体である
が、それ以降は中心部が一つのグレインに統合され成長
する。
条件であるが、このような条件下で育成した結晶の始端
部(FZの始まりの部分)からト30+sの範囲は、通
常いくつかのグレインの集合体からなる多結晶体である
が、それ以降は中心部が一つのグレインに統合され成長
する。
一方周辺部は1m朋程度以下の多結晶外皮に覆われてい
るのが普通である。
るのが普通である。
中心部分はX線ラウエ法およびエッチング像の観察から
結晶性のよい単結晶であることが確認できる。
結晶性のよい単結晶であることが確認できる。
しかし、その始端部と終端部との化学分析を行った結果
、炭素含有量に明瞭な差があることが分った。
、炭素含有量に明瞭な差があることが分った。
例えば、比較例1に示した通り、組成x=0.932(
X=C/Tiを表わす)の焼結体ロンドを原料として育
成した長さ約6cnの結晶の始端部と終端部の炭素含有
量は、それぞれ全炭素18.25重量係(内遊離炭素0
.01重量係)および19.01重量係(内遊離炭素0
.00重量係)で炭素含有量に明瞭な差が認められる。
X=C/Tiを表わす)の焼結体ロンドを原料として育
成した長さ約6cnの結晶の始端部と終端部の炭素含有
量は、それぞれ全炭素18.25重量係(内遊離炭素0
.01重量係)および19.01重量係(内遊離炭素0
.00重量係)で炭素含有量に明瞭な差が認められる。
チタン・カーバイド中の炭素空格子点の存在量は、チタ
ン・カーバイドの電気抵抗に強く影響を与えることが知
られている。
ン・カーバイドの電気抵抗に強く影響を与えることが知
られている。
従って、結晶の電気抵抗を測定すると、チタン・カーバ
イド組成の相対的変化を知ることができる。
イド組成の相対的変化を知ることができる。
前記の結晶について、511間隔に電気抵抗を測定した
結果は第2図に示す通りである。
結果は第2図に示す通りである。
これから明らかなように、始端部から終端部に向って抵
抗はほぼ連続的に減少しており、終端程Xが増加してい
る。
抗はほぼ連続的に減少しており、終端程Xが増加してい
る。
これは炭素含有量の分析結果とも良く一致しており、結
晶組成に変動のあることは明瞭である。
晶組成に変動のあることは明瞭である。
この原因を第4図により説明すると、通常のFZ法では
、Xsの組成を持つ焼結体を温度T2において融解して
融帯とする。
、Xsの組成を持つ焼結体を温度T2において融解して
融帯とする。
この時得られる結晶の組成はX8′のものとなる。
融帯の移動を続けると融帯の組成は液相線に沿ってXs
からXLへと移行し、同時に結晶組成は固相線に沿って
Xs′からXsに移行し、結晶組成は変動することによ
る。
からXLへと移行し、同時に結晶組成は固相線に沿って
Xs′からXsに移行し、結晶組成は変動することによ
る。
本発明者らは種々の組成に関して検討を進めた結果、チ
タン・カーバイドはx=0.82近傍以外の組成では、
非調和融解(共存する固相と液相の組成が異なる)する
こと。
タン・カーバイドはx=0.82近傍以外の組成では、
非調和融解(共存する固相と液相の組成が異なる)する
こと。
また非調和融解化合物では、通常のFZ法によった場合
、組成の変動は本質的に避けえない問題があるとの結論
を得た。
、組成の変動は本質的に避けえない問題があるとの結論
を得た。
本発明はこの問題点を解決せんとするものである。
本発明者らは組成変動のない結晶を得る方法について種
々検討した結果、以下に示T方法により解決し得られた
。
々検討した結果、以下に示T方法により解決し得られた
。
まず組成のはつきりした焼結体ロンドを用いてFZ法で
長さ数函の結晶ロンドを作製する。
長さ数函の結晶ロンドを作製する。
この結晶ロンドの始端部、終端部および融帯固化部の炭
素含有量を分析する。
素含有量を分析する。
これからチタン・カーバイドの固相組成と、これと平衡
共存する液相組成とを求める。
共存する液相組成とを求める。
次に原料ロンドの組成を変えて同様な実験を行えば、液
相線と固相線との対応を明らかにすることができる。
相線と固相線との対応を明らかにすることができる。
第3図はこのようにして求めた液相線と固相線である。
(温度軸は任意ヌケールになっている)
第3図はTi−C系相図で、任意の一点
(XQrO)は組成c/Ti=XQのものが温度Toに
おける状態を示す。
おける状態を示す。
(XOTO)が図示するように固札線Bで囲まれた領域
にある時はチタン・カーバイドの結晶相のみからなるこ
とを示し、液相線Aと固相線Bで囲まれた領域(TiC
X+Lで示される:はチタン・カーバイドの結晶相と液
相が共存することを示し、液相線Aより上の領域(Lて
示される)では液相のみからなることを示す。
にある時はチタン・カーバイドの結晶相のみからなるこ
とを示し、液相線Aと固相線Bで囲まれた領域(TiC
X+Lで示される:はチタン・カーバイドの結晶相と液
相が共存することを示し、液相線Aより上の領域(Lて
示される)では液相のみからなることを示す。
今点(xoTo)が固相線B上にある時は、その固相組
成xOと平衡共存できる液相組或は温度T。
成xOと平衡共存できる液相組或は温度T。
の水平線が固相線Bの外側にある液相線Aを横切った点
におけるXの値で示されることになる。
におけるXの値で示されることになる。
この図表により、ある組成の結晶を得るためには、液相
組成をいくらにすれば良いかが分かる。
組成をいくらにすれば良いかが分かる。
例えば、組成x=0.9の結晶ロンドを得ようとすれば
、焼結体ロンドの組成をx=0.90とし、融帯の組成
をx=0.99としてFZ法を行えばx=0.90の均
一な組成の結晶ロンドが得られることになる。
、焼結体ロンドの組成をx=0.90とし、融帯の組成
をx=0.99としてFZ法を行えばx=0.90の均
一な組成の結晶ロンドが得られることになる。
焼結体ロンドの構成および融帯組成に変える方法として
は、次のような方法が挙げられる。
は、次のような方法が挙げられる。
(1)2本の焼結体ロンドのうち、下方焼結体ロンドを
目的とするチタン・カーバイド固相組成のロンドとし、
上方焼結体ロンドの組成を該固相組成と平衡共存する液
相組成のロンドとし、上方焼結体ロンドを溶かして融帯
を形成させ、両ロンドを一体に上方に向って移動させる
方法。
目的とするチタン・カーバイド固相組成のロンドとし、
上方焼結体ロンドの組成を該固相組成と平衡共存する液
相組成のロンドとし、上方焼結体ロンドを溶かして融帯
を形成させ、両ロンドを一体に上方に向って移動させる
方法。
(2)上方焼結体ロンドを目的とするチタン・カーバイ
ド固相組成にし、その先端部だけ該固相組成と平衡共存
する液相組成としたロンドとし、下方焼結体ロンドの先
端に結晶種子を設けたロンドとし、上方焼結体ロンドの
先端を溶融して融帯を形成させ、両ロンドを下方に向っ
て移動させる方法。
ド固相組成にし、その先端部だけ該固相組成と平衡共存
する液相組成としたロンドとし、下方焼結体ロンドの先
端に結晶種子を設けたロンドとし、上方焼結体ロンドの
先端を溶融して融帯を形成させ、両ロンドを下方に向っ
て移動させる方法。
焼結体ロンドの移動速度は通常のFZ法の場合より遅い
方が好ましく、0.5〜20mx/hr、好ましくは1
〜10Il/hrが適当である。
方が好ましく、0.5〜20mx/hr、好ましくは1
〜10Il/hrが適当である。
これより移動が速いと融帯部での拡散が不充分となり、
融帯内部に組成の変動を生じ、これより移動速度をおそ
くすると融帯を安定に保つことができず、また経済的で
ない。
融帯内部に組成の変動を生じ、これより移動速度をおそ
くすると融帯を安定に保つことができず、また経済的で
ない。
融帯部の組成を均一に保つためには、ローテーション操
作を加えることが効果的である。
作を加えることが効果的である。
即ち、上下の試料を固定したシャフトを逆方向に回転さ
せ、融帯部を充分混合する。
せ、融帯部を充分混合する。
回転速度は通常10〜60r)1程度が適当である。
また、結晶を育成する際の雰囲気は通常のFZ法の場合
と同様である。
と同様である。
本発明において使用する原料焼結体ロンドは、チタン・
カーバイドの融点、硬度、仕事函数、機械的強度等のデ
ータがいずれもチタン・カーバイドの化学組成に強く依
存するので、これらの物性の安定した材料を提供しなけ
れば、均一な組成を持つ結晶ロンドの作製はできない。
カーバイドの融点、硬度、仕事函数、機械的強度等のデ
ータがいずれもチタン・カーバイドの化学組成に強く依
存するので、これらの物性の安定した材料を提供しなけ
れば、均一な組成を持つ結晶ロンドの作製はできない。
チタン・カーバイドは幅広い組成範囲にわたり(0.5
<x<1。
<x<1。
0とされている)NaC#型構造を示し、炭素格子位置
に安定に空位が存在する不定比化合物である。
に安定に空位が存在する不定比化合物である。
従って、種々の組成の結晶を得るには、原料調製がまず
必要である。
必要である。
原料粉の製造法としては、(1)Ti02粉末をカーボ
ンで還元する方法、(2)Ti金属またはTiH2とカ
ーボンを反応させる方法、(3)Fe,A7等をフラツ
クスとして、Tiとカーボンを反応させる方法等が知ら
れている。
ンで還元する方法、(2)Ti金属またはTiH2とカ
ーボンを反応させる方法、(3)Fe,A7等をフラツ
クスとして、Tiとカーボンを反応させる方法等が知ら
れている。
いずれの方法においても、Tiとカーボンの量を適当に
配合することにより、目的の組成物を得ることができる
。
配合することにより、目的の組成物を得ることができる
。
原料純度は高い方が好ましく、通常98係以上、好まし
くは99係以上がよい。
くは99係以上がよい。
原粉粉末の粒度は細かい方が成形には都合がよい。
一般には平均粒径10μm以下、好ましくは5μm以下
である。
である。
10μmを超えると成形体密度があがらぬため成形体が
強度的に弱く取扱いが困難となる。
強度的に弱く取扱いが困難となる。
成形体の形状としては、角柱(例えば10X10X20
0i+1,15X15X10011)や円柱(例えばl
OψX1501m)が普通に用いられる。
0i+1,15X15X10011)や円柱(例えばl
OψX1501m)が普通に用いられる。
成形方法としては、出来るだけ密度の均一な成形体を得
るために、ラバープレスを用いるのが好ましい。
るために、ラバープレスを用いるのが好ましい。
成形圧は通常1t/cm’程度である。成形体は適当な
方法で焼結する。
方法で焼結する。
焼結は通常1700〜2300℃,好ましくは1750
〜2100℃である。
〜2100℃である。
1700℃より低いと焼結体密度が低いため、充分な強
度が得られないばかりでなく、後の結晶育成工程におい
ても安定した融帯の生成が困難になる等種々の支障を来
たす。
度が得られないばかりでなく、後の結晶育成工程におい
ても安定した融帯の生成が困難になる等種々の支障を来
たす。
2300℃を超えると、焼結した場合、焼結体が緻密に
なり過ぎ加工が困難となる他、エネルギーの消費面から
みても好ましくない。
なり過ぎ加工が困難となる他、エネルギーの消費面から
みても好ましくない。
焼結時間は通常最高温度で0.3〜5時間、好ましくは
0.5〜3時間である。
0.5〜3時間である。
焼結雰囲気としては真空、不活性ガス、H2、またはC
Oが用いられる焼結炉は前記の条件が満されるものであ
れば、どのようなタイプの炉でも差し支えないが、例え
は高周波誘導加熱炉を用いると便利である。
Oが用いられる焼結炉は前記の条件が満されるものであ
れば、どのようなタイプの炉でも差し支えないが、例え
は高周波誘導加熱炉を用いると便利である。
このような条件下で得られる焼結体は通常理論密度の7
0〜95係の密度であるが、後のFZ法による結晶育成
工程では、この程度の密度の焼結体ロンドを原料として
使用することが好ましい。
0〜95係の密度であるが、後のFZ法による結晶育成
工程では、この程度の密度の焼結体ロンドを原料として
使用することが好ましい。
なお、焼結工程では、カーボンやTiOの蒸発がおこる
ので、焼結体の化学組成は原料調製時の組成から多少ず
れるのが普通である。
ので、焼結体の化学組成は原料調製時の組成から多少ず
れるのが普通である。
従って、厳密に制御するには焼結体の組成分析を行い、
原料の配合組成と焼結体組成との対応をつけておくこと
が好ましい。
原料の配合組成と焼結体組成との対応をつけておくこと
が好ましい。
本発明の方法によるときは、実質的に均一な組成を有す
る種々な組成の良質、大型の結晶が極めて容易に得られ
る優れた効果を有するものである実施例 l 市販のTiC原料粉(全炭素19.13重量係、遊離炭
素0.08重量係、平均粒径1.5μm)を用いて、径
約10朋m、長さ150朋mの円柱をラバープレスによ
り成形し、これを真空中1800℃で30分間焼結した
。
る種々な組成の良質、大型の結晶が極めて容易に得られ
る優れた効果を有するものである実施例 l 市販のTiC原料粉(全炭素19.13重量係、遊離炭
素0.08重量係、平均粒径1.5μm)を用いて、径
約10朋m、長さ150朋mの円柱をラバープレスによ
り成形し、これを真空中1800℃で30分間焼結した
。
焼結体組成は炭素の分析からx=0.932であった。
図3より上記組成に対応する液相組成はx=1.3であ
ることが判るので、先の市販原料粉100gに対し7g
の発光分析用カーボンを添加し、成形後(径約10mm
長さ5Qim)真空中1800℃で1.5時間焼結した
。
ることが判るので、先の市販原料粉100gに対し7g
の発光分析用カーボンを添加し、成形後(径約10mm
長さ5Qim)真空中1800℃で1.5時間焼結した
。
焼結体組成は炭素の分析からx=1.29であった。
これを融帯形成用とし、先の焼結体ロンド(x=0.9
32)を下方ロンドとしてFZを行なった。
32)を下方ロンドとしてFZを行なった。
即ち、融帯形成用田ノドの一部を溶かして融体を生成さ
せたのち、試料をゆっくりと上部に移動させる。
せたのち、試料をゆっくりと上部に移動させる。
漸時下方ロンドは融帯中に溶け込み一方融帯上部には結
晶が成長する。
晶が成長する。
試料移動速度は5mW/h1とし約12時間移動を行っ
た。
た。
尚ローテーションは上、下それぞれ20r−mとじ、雰
囲気ガスとしては15気圧のHeを使用した。
囲気ガスとしては15気圧のHeを使用した。
得られた結晶の始端部と終端部との化学分析を行った所
炭素含有量(全炭素)はそれぞれ18.90重量係及び
18.97重量係となり、分析誤差範囲内で、ほとんど
一致した値かえられた。
炭素含有量(全炭素)はそれぞれ18.90重量係及び
18.97重量係となり、分析誤差範囲内で、ほとんど
一致した値かえられた。
実施例 2
実施例1と同じTic原料粉100g当り4.7gのT
iO2粉を混合した粉末を用意する。
iO2粉を混合した粉末を用意する。
一方これとは別に同じ原料粉100g当りx.25gの
発光分析用カーボンを添加した粉末を用意する。
発光分析用カーボンを添加した粉末を用意する。
次にラバープレスにより前者組成物から成る上方口ツド
の先端部のみを後者の組成物に変えた成形体ロンドを作
成する(径約10mm,長さ約150mm),これを真
空中1850℃で1時間半焼結した。
の先端部のみを後者の組成物に変えた成形体ロンドを作
成する(径約10mm,長さ約150mm),これを真
空中1850℃で1時間半焼結した。
焼結体ロンドの一部を切り出して炭素の分析を行った所
炭素含有量から算出される焼結体組成はx=0.89で
但し先端部はx=0.99であった。
炭素含有量から算出される焼結体組成はx=0.89で
但し先端部はx=0.99であった。
このロンドを上方ロンドとして用い、FZ法により結晶
を育成した。
を育成した。
即ち、まず上方焼結体ロンドの先端部(組成x=0.9
9の部分)のみを融解させる。
9の部分)のみを融解させる。
その後焼結体ロンド全体をゆっくりと下方に移行させる
。
。
上方の焼結体ロンドは漸時融帯中にとけ込み、一方融帯
下部には結晶が成長する。
下部には結晶が成長する。
試料移動速度は3.5ti/hrとし約14時間移動を
行った。
行った。
ローテーションは上、下とも30rllとし、雰囲気ガ
スには7気圧のHeを使用した。
スには7気圧のHeを使用した。
得られた結晶の始端部と終端部の化学分析を行った所炭
素含有量(全炭素)はそれぞれ18.19重量係及び1
8.26重量係となり、分析誤差範囲内で一致した値か
えられた。
素含有量(全炭素)はそれぞれ18.19重量係及び1
8.26重量係となり、分析誤差範囲内で一致した値か
えられた。
比較例 1
実施例1と同じ市販のTiC原料粉を用いて、実施例1
と同様な条件で成形し、焼結する。
と同様な条件で成形し、焼結する。
この焼結体ロツドを原料として、接触部を融解し通常の
FZ法により結晶を育成した。
FZ法により結晶を育成した。
結晶作製条件は次の通りである。
即ち移動速度5mt/hr、移動方向、ローテーション
上、下伴20rfl、雰囲気ガスHel5気圧。
上、下伴20rfl、雰囲気ガスHel5気圧。
以上の条件で長さ約6crの結晶を育成し、その始端部
と終端部の化学分析を行った所、炭素含有量(全炭素)
はそれぞれ18.25重量係、及び19.01重量係で
あった。
と終端部の化学分析を行った所、炭素含有量(全炭素)
はそれぞれ18.25重量係、及び19.01重量係で
あった。
第1図はフローテイング・ゾーン(FZ)法の概念図、
第2図はチタン・カーバイドの電気抵抗、第3図はTi
C−C系の相図、第4図は固相組成Xsと液相組成xL
との相図を示す。 1:シャフト、2:ホルダー、3:焼結体ロツド、4:
TiC結晶ロツド、5:融帯、V6:高周波誘導加熱用
コイル、A:液相線、B:固相線、C:共晶点。
第2図はチタン・カーバイドの電気抵抗、第3図はTi
C−C系の相図、第4図は固相組成Xsと液相組成xL
との相図を示す。 1:シャフト、2:ホルダー、3:焼結体ロツド、4:
TiC結晶ロツド、5:融帯、V6:高周波誘導加熱用
コイル、A:液相線、B:固相線、C:共晶点。
Claims (1)
- 1 2本の焼結体ロンドの一端を接触させ、他端をそれ
ぞれホルダーで支持し、加圧の不活性ガスまたは水素雰
囲気下で接触部を加熱して融帯を形成させながら両焼結
体ロンドを一体に上または下に移動させてチタン・カー
バイドの結晶体を製造する方法において、融帯の組成を
目的チタン・カーバイドの固相組成と平衡共存ずる液相
組成となし結晶を育成することを特徴とするチタン・カ
ーバイドの結晶体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53135095A JPS5814399B2 (ja) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | チタン・カ−バイドの結晶体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53135095A JPS5814399B2 (ja) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | チタン・カ−バイドの結晶体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5562855A JPS5562855A (en) | 1980-05-12 |
| JPS5814399B2 true JPS5814399B2 (ja) | 1983-03-18 |
Family
ID=15143708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53135095A Expired JPS5814399B2 (ja) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | チタン・カ−バイドの結晶体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814399B2 (ja) |
-
1978
- 1978-10-31 JP JP53135095A patent/JPS5814399B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5562855A (en) | 1980-05-12 |
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