JPS58144834A - 光電変換膜の製造方法 - Google Patents
光電変換膜の製造方法Info
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- JPS58144834A JPS58144834A JP2717282A JP2717282A JPS58144834A JP S58144834 A JPS58144834 A JP S58144834A JP 2717282 A JP2717282 A JP 2717282A JP 2717282 A JP2717282 A JP 2717282A JP S58144834 A JPS58144834 A JP S58144834A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
本発明は、ファクシミリなどの画像読取り装置に用いら
れる光電変換膜に関する。
れる光電変換膜に関する。
ファクシミリなどの画像読取り装置に用いられる光電変
換素子としては、従来ＣＯＤあるいはＭＯＳなどのシリ
コン系光電変換素子が広く用いられている。このシリコ
ン系光電変換素子は、その製造技術上長尺または大面積
に作成することは困難であや、このため画像読取シ装置
に搭載する場合には、レンズを用いて原画を縮少する必
要が生じ、しかも大巻なスペースを占める光学系が必要
となシ、装置を小型化することＢ＊ｖ・しい。
換素子としては、従来ＣＯＤあるいはＭＯＳなどのシリ
コン系光電変換素子が広く用いられている。このシリコ
ン系光電変換素子は、その製造技術上長尺または大面積
に作成することは困難であや、このため画像読取シ装置
に搭載する場合には、レンズを用いて原画を縮少する必
要が生じ、しかも大巻なスペースを占める光学系が必要
となシ、装置を小型化することＢ＊ｖ・しい。
上記のようなシリコン系光電変換素子の有する欠点を解
決するため、薄膜型の光電変換素子に関する研究が進め
られている。
決するため、薄膜型の光電変換素子に関する研究が進め
られている。
このような薄膜型光電変換素子（以下、光電変換膜とい
う）の材料としてＣｄＳが広く用いられている。ＣｄＳ
はすぐれた光電変換特性を有しているが、光応答速度が
比較的低く、また限界波長が約！２０ ｎＱであるため
赤色光に対する分光感度が低いという問題がある。その
ため、 ＣｄＳにくらべ光応答速度が大きく、シカ・も
約７λｏ ｎｍの限界波長を有し、かつＣｄ８と固溶体
を作りやすいＣｄ’ｓを。
う）の材料としてＣｄＳが広く用いられている。ＣｄＳ
はすぐれた光電変換特性を有しているが、光応答速度が
比較的低く、また限界波長が約！２０ ｎＱであるため
赤色光に対する分光感度が低いという問題がある。その
ため、 ＣｄＳにくらべ光応答速度が大きく、シカ・も
約７λｏ ｎｍの限界波長を有し、かつＣｄ８と固溶体
を作りやすいＣｄ’ｓを。
ｃ、ｉｓに混合することにより分光感度郷性能の改善が
図られている。こりよつな改善方法としては。
図られている。こりよつな改善方法としては。
例えば、基板上にまずＣｄＳ膜を形成し１次いでＣｄ’
ｓを蒸着によ１て積層し、その積層膜を熱処理すること
に工りＣｄＳ −Ｃｄ８・固溶体化を行なう方法が提案
されている（画像電子学会予稿ｌり１０年３月ｌＯ日Ｐ
７Ｊ 〜Ｐｆ２）。
ｓを蒸着によ１て積層し、その積層膜を熱処理すること
に工りＣｄＳ −Ｃｄ８・固溶体化を行なう方法が提案
されている（画像電子学会予稿ｌり１０年３月ｌＯ日Ｐ
７Ｊ 〜Ｐｆ２）。
し力為しながら、この方法によればＣｄＳとＣｄ８ｍの
二層の積層膜を形成させた後に熱地ＱＫよる固溶体化を
行なう岬、複雑で多岐にわたる処理工程が必要とな９．
また同時に製造コストが高くなるという欠点を有すると
ともに１分光感度および光応答速度が充分には満足のい
くものではないという欠点があった。
二層の積層膜を形成させた後に熱地ＱＫよる固溶体化を
行なう岬、複雑で多岐にわたる処理工程が必要とな９．
また同時に製造コストが高くなるという欠点を有すると
ともに１分光感度および光応答速度が充分には満足のい
くものではないという欠点があった。
本発明は、上記欠点を一挙に解決しようとするものであ
り、光応答速度が速く、可視光全域にわたって曳好な感
度を有し２．シカ・も製造工程の簡易化、製造コストの
低減化が図られた光電変換膜の製造方法を提供すること
を目的とする。本発明者らの研究によれば、蒸着源とし
てＣｄＳとＣｄ８・の混晶を用いて、スパッタリング法
等によシＣｄ８ｘ８ｅ１−ｘなる組成を有する電膜を直
接基板上に作成することにより、製造工程の簡略化を図
ることができるのみならず１分光感度および光応答速度
が大巾に改善された光電変換膜を得られることが見出さ
れた。
り、光応答速度が速く、可視光全域にわたって曳好な感
度を有し２．シカ・も製造工程の簡易化、製造コストの
低減化が図られた光電変換膜の製造方法を提供すること
を目的とする。本発明者らの研究によれば、蒸着源とし
てＣｄＳとＣｄ８・の混晶を用いて、スパッタリング法
等によシＣｄ８ｘ８ｅ１−ｘなる組成を有する電膜を直
接基板上に作成することにより、製造工程の簡略化を図
ることができるのみならず１分光感度および光応答速度
が大巾に改善された光電変換膜を得られることが見出さ
れた。
すなわち１本発明の光電変換膜の製造方法は。
Ｃｄ８とＣｄ８・との混晶を蒸着源として用いて、絶縁
性基板上ｌＩＣＣｄ、８，８・からなる薄膜を蒸着させ
ることを特徴とするものである。
性基板上ｌＩＣＣｄ、８，８・からなる薄膜を蒸着させ
ることを特徴とするものである。
発明の具体的説明
以下添付図面を参照して本発明の製造方法について詳述
する。
する。
第１図は１本発明により製造される光電変換膜の断面図
である。まず、絶縁性基板ｌ上に、 Ｃｄ５−Ｃａ５・
混晶ターゲットを用いてスパッタリング法または、電子
ビーム蒸着法４によってＣｄ８ｘＢ・１−ｘなる組成を
有する薄膜−を形成する。
である。まず、絶縁性基板ｌ上に、 Ｃｄ５−Ｃａ５・
混晶ターゲットを用いてスパッタリング法または、電子
ビーム蒸着法４によってＣｄ８ｘＢ・１−ｘなる組成を
有する薄膜−を形成する。
Ｃｄ８− Ｃｄ８・混晶ターゲットは、常法に従い作製
されるが１作製の際Ｋ Ｃ（１ｇとＣｄ８・との混合比
を適宜選択することＫよシ、基板上に積層されるＣｄ８
ｘ８＠１−ｘ薄膜の混晶比Ｘを自由に調整することがで
きる０例えば、ファクシミリ用郷倍光センサーとしては
、０．ｊ≦Ｘ≦０．りＳの範囲が好ましい。
されるが１作製の際Ｋ Ｃ（１ｇとＣｄ８・との混合比
を適宜選択することＫよシ、基板上に積層されるＣｄ８
ｘ８＠１−ｘ薄膜の混晶比Ｘを自由に調整することがで
きる０例えば、ファクシミリ用郷倍光センサーとしては
、０．ｊ≦Ｘ≦０．りＳの範囲が好ましい。
スパッタリング法で蒸着する場合、電極間距紗ハ参〜ｒ
α、 Ａｒガス圧ハｌＯ〜１ＯＰａ、ハワーはＩ−コＷ
／ｃｍ”の範囲であることが好ましい０この際に基板温
度を１００℃〜３００℃に保つことが望ましい。また、
スパッタリングガスとして１ｒＫＩ量のＨ２Ｓを混入さ
せることは素子の光電変換特性を改良する上で好ましい
。
α、 Ａｒガス圧ハｌＯ〜１ＯＰａ、ハワーはＩ−コＷ
／ｃｍ”の範囲であることが好ましい０この際に基板温
度を１００℃〜３００℃に保つことが望ましい。また、
スパッタリングガスとして１ｒＫＩ量のＨ２Ｓを混入さ
せることは素子の光電変換特性を改良する上で好ましい
。
Ｃｄ５ｘＳ・ｉ−ｘ薄膜形成後、Ａｒ雰囲気中で熱処理
を行なう。この熱処理によってＣｄ８ｘＳ＠ｌ−ｘ薄膜
は活性化される。熱処理温度はｇｏｏ℃〜４００℃、熱
処理時間は３０分〜６０分であることが好ましい。また
この熱処理をＣｔｌ、ＣＩを含有する雰囲気中で行なう
ことＫより得られる素子の光電変換特性が改良される。
を行なう。この熱処理によってＣｄ８ｘＳ＠ｌ−ｘ薄膜
は活性化される。熱処理温度はｇｏｏ℃〜４００℃、熱
処理時間は３０分〜６０分であることが好ましい。また
この熱処理をＣｔｌ、ＣＩを含有する雰囲気中で行なう
ことＫより得られる素子の光電変換特性が改良される。
次いで前述のととく熱処理の行なわれたＣ（１８に８・
１−ｘ薄膜をエツチングにより所望の形状に加工する。
１−ｘ薄膜をエツチングにより所望の形状に加工する。
この場合のエツチング液としては、クエン酸とヨウ化カ
リウムの混液、リン酸と硝酸の混液などが好ましく用い
られる。
リウムの混液、リン酸と硝酸の混液などが好ましく用い
られる。
次いで前記Ｃｄ８ｘ８・１−ｘ薄膜の両端に一対の電極
３をスフブタ法あるいは真空蒸着法郷によシ形成する。
３をスフブタ法あるいは真空蒸着法郷によシ形成する。
電極３の材料としてはＮｌ 、 Ｃｒ、 ＮｉＣｒ、
Ａａ等が好ましく用いられる◎ 電極３を所望形状にパターニングした後、さらに素子全
面を覆うようＫして保護膜参を被覆して。
Ａａ等が好ましく用いられる◎ 電極３を所望形状にパターニングした後、さらに素子全
面を覆うようＫして保護膜参を被覆して。
光電変換膜が完成する。なか、絶縁性基板ｌが光透過性
の物質でない場合は、保護膜ｕｌｄ、光透過性のもので
なければならない。光透過性の保護膜としては１例えば
ガラス、酸化ケイ素、プラスチックなどが好ましく用い
られる〇 このようＫして、光電変換膜が製造されるのであるが１
本発明の製造方法は、上述したような平面形の光電変換
素子のみならず、サンドイッチ形の光電変換膜の製造に
おいても用い得る。第２図にその実施例を示す。この実
施例では、絶縁性透明基板／ａ上に、常法に従いＩＴＯ
（インジウム−スズ酸化物）、酸化インジウム（Ｉｎ２
Ｏ５） 、酸化スズ（８ｎ０２ ） などの透明電極
３畠を形成し。
の物質でない場合は、保護膜ｕｌｄ、光透過性のもので
なければならない。光透過性の保護膜としては１例えば
ガラス、酸化ケイ素、プラスチックなどが好ましく用い
られる〇 このようＫして、光電変換膜が製造されるのであるが１
本発明の製造方法は、上述したような平面形の光電変換
素子のみならず、サンドイッチ形の光電変換膜の製造に
おいても用い得る。第２図にその実施例を示す。この実
施例では、絶縁性透明基板／ａ上に、常法に従いＩＴＯ
（インジウム−スズ酸化物）、酸化インジウム（Ｉｎ２
Ｏ５） 、酸化スズ（８ｎ０２ ） などの透明電極
３畠を形成し。
次いで、この上に前述した方法で、 Ｃｄ８ｘ８・１−
Ｘ薄膜コを積層し、さらに対向電極膜３が形成されてい
る。対向電極膜ＪとしてはＮｉＣｒおよびＡｕの積層蒸
着膜が好ましい０さらに、保護膜参を被覆してサンドイ
ッチ形の光電変換膜が完成する。
Ｘ薄膜コを積層し、さらに対向電極膜３が形成されてい
る。対向電極膜ＪとしてはＮｉＣｒおよびＡｕの積層蒸
着膜が好ましい０さらに、保護膜参を被覆してサンドイ
ッチ形の光電変換膜が完成する。
このようにして得られた光電変換膜は、４５０〜８００
ｎｍの広い波長範囲にわたり優れた分光感度を有し【
おり、光応答速度もｌ＋ｎｓ以下であった。
ｎｍの広い波長範囲にわたり優れた分光感度を有し【
おり、光応答速度もｌ＋ｎｓ以下であった。
第３図は、Ｃｃｌｓ ： ＣｄＳｅ ＝６０ ：４０の
混合比で作製された混晶ターゲットにより得られた本発
明の光電変換膜の分光感度特性を示すグラフである。
混合比で作製された混晶ターゲットにより得られた本発
明の光電変換膜の分光感度特性を示すグラフである。
一方第４図は、Ｃｄ８． ＣｄＳｅを各々蒸着により積
層しく Ｃｄ８の膜厚＝ １ μｍ 、 ＣｄＳｅの膜
厚＝ ０．５μｍ）、上記積層膜を熱処理してＣｄＳ
−Ｃｄ８ｅ 固溶体化を行なうことＫより得られた充電
変換膜の分光感度特性を示すグラフである。
層しく Ｃｄ８の膜厚＝ １ μｍ 、 ＣｄＳｅの膜
厚＝ ０．５μｍ）、上記積層膜を熱処理してＣｄＳ
−Ｃｄ８ｅ 固溶体化を行なうことＫより得られた充電
変換膜の分光感度特性を示すグラフである。
第３図および第４図の結果から明らかなよ５Ｋ。
本発明の方法によれば、広い波長範囲にわたって良好な
分光感度を有し、かつ光応答速度が速い充電変換膜を得
ることができる。
分光感度を有し、かつ光応答速度が速い充電変換膜を得
ることができる。
さらＫまた本発明の方法によれば、蒸着源としてＣｄＳ
とｃａｓｅとの混晶を用いて、スパッタリング法等によ
りＣｄ５ｘＳｅｌ−ｘなる組成を有する薄膜を直接基板
上に形成するようにしたので、製造工程も簡略化でき、
また製造コストの低減を図ることができる。
とｃａｓｅとの混晶を用いて、スパッタリング法等によ
りＣｄ５ｘＳｅｌ−ｘなる組成を有する薄膜を直接基板
上に形成するようにしたので、製造工程も簡略化でき、
また製造コストの低減を図ることができる。
第１図および第２図は、本発明により製造された充電変
換膜の断面図である。 第３図はＪ本発明の一実施例の分光感度特性図、第４図
は、従来の方法で作成された光電変換膜の分光感度特性
図である。 １・・・絶縁性基板、１鳳・・・絶縁性透明基板、２・
・・Ｃｄ８ｘ８ｅｔ−ｘ薄膜（０＜ｘ＜１）、 ３・・
・電極、３ａ・・・透明電極、４・・・保膜膜。 出願人代理人 猪 股 清５３ 図 ：″皮長ｎｍ） 第 ４ 図 ４し長（ｎｍ） 手続補正書 昭和＃年６月よ７日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第２７１７２号 ２、発明の名称 光電変換膜の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係特許出願人 （６７４）株式会社 リ ； − ７、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 （１） 明細書第５頁第２行において、「１０− ”
〜ＩＯＰ麿」とあるを「１０−１〜５０ＰａＪと補正す
る。 （２） 明細書第５頁第２行において、「１００℃〜
３００℃」とあるを「１００℃〜４００℃」と補正する
。 （３）明細書第５頁第８行において、「４００℃〜６０
０℃」とあるを「３００℃〜６００℃」と補正する。
換膜の断面図である。 第３図はＪ本発明の一実施例の分光感度特性図、第４図
は、従来の方法で作成された光電変換膜の分光感度特性
図である。 １・・・絶縁性基板、１鳳・・・絶縁性透明基板、２・
・・Ｃｄ８ｘ８ｅｔ−ｘ薄膜（０＜ｘ＜１）、 ３・・
・電極、３ａ・・・透明電極、４・・・保膜膜。 出願人代理人 猪 股 清５３ 図 ：″皮長ｎｍ） 第 ４ 図 ４し長（ｎｍ） 手続補正書 昭和＃年６月よ７日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第２７１７２号 ２、発明の名称 光電変換膜の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係特許出願人 （６７４）株式会社 リ ； − ７、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 （１） 明細書第５頁第２行において、「１０− ”
〜ＩＯＰ麿」とあるを「１０−１〜５０ＰａＪと補正す
る。 （２） 明細書第５頁第２行において、「１００℃〜
３００℃」とあるを「１００℃〜４００℃」と補正する
。 （３）明細書第５頁第８行において、「４００℃〜６０
０℃」とあるを「３００℃〜６００℃」と補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＣｄＳ 、！： ＣｄＳ・との混晶を蒸着源として用い
て。 絶縁性基板上にＣｄ、Ｓ、Ｓｓからなる薄膜を蒸着させ
ることを特徴とする光電変換膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2717282A JPS58144834A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 光電変換膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2717282A JPS58144834A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 光電変換膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144834A true JPS58144834A (ja) | 1983-08-29 |
Family
ID=12213636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2717282A Pending JPS58144834A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 光電変換膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58144834A (ja) |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2717282A patent/JPS58144834A/ja active Pending
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