JPS6184862A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6184862A JPS6184862A JP59207348A JP20734884A JPS6184862A JP S6184862 A JPS6184862 A JP S6184862A JP 59207348 A JP59207348 A JP 59207348A JP 20734884 A JP20734884 A JP 20734884A JP S6184862 A JPS6184862 A JP S6184862A
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- Japan
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- photoelectric conversion
- light
- conversion device
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリの送信側に用いる原稿幅と１：
１の大きさを有する光電変換装置の構造に関するもので
ある。
１の大きさを有する光電変換装置の構造に関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点
近年、ファクシミリ等の読み取り系の光電変換装置とし
て、原稿幅と１＝１の大きさを有する装置が活発に開発
されている。
て、原稿幅と１＝１の大きさを有する装置が活発に開発
されている。
以下に従来の光電変換装置について説明する。
第１図は従来の光電変換装置の断面図である。
第１図において、ガラス等の透光性絶縁基板１上に、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ等の高融点で不透明な物質を蒸着法
等で少なくとも光電変換素子６の所には存在する様に被
着し遮光層２とする。ａ光層２にフォトリソ法等で照明
窓３を形成し、スパッタリング法等で遮光層２と光電変
換素子らとの絶縁を保つために透光性絶縁層４を被着し
、その上部に光導電性薄膜を蒸着法等で被着後、フォ）
ｌ／ノン法主走査方向に島状に並ぶ光電変換素子５を
形成する。さらに光電変換素子Ｓを５００〜６００℃の
活性化熱処理又は、高温処理後、第１図では省略しであ
るが第２図の−Ｆ−回図に示す様に、複数個の光電変換
素子６に接続される共通電極６と各光電変換素子６に対
応する個別電極７を光電変換素子５で対向して形成し、
さらに薄板ガラス等の透明保護層８を形成した構造で、
照明窓３を通って入射する光１０の原稿面９の散乱光１
１を光電変換素子５で電気信号に変換する構成である。
ｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ等の高融点で不透明な物質を蒸着法
等で少なくとも光電変換素子６の所には存在する様に被
着し遮光層２とする。ａ光層２にフォトリソ法等で照明
窓３を形成し、スパッタリング法等で遮光層２と光電変
換素子らとの絶縁を保つために透光性絶縁層４を被着し
、その上部に光導電性薄膜を蒸着法等で被着後、フォ）
ｌ／ノン法主走査方向に島状に並ぶ光電変換素子５を
形成する。さらに光電変換素子Ｓを５００〜６００℃の
活性化熱処理又は、高温処理後、第１図では省略しであ
るが第２図の−Ｆ−回図に示す様に、複数個の光電変換
素子６に接続される共通電極６と各光電変換素子６に対
応する個別電極７を光電変換素子５で対向して形成し、
さらに薄板ガラス等の透明保護層８を形成した構造で、
照明窓３を通って入射する光１０の原稿面９の散乱光１
１を光電変換素子５で電気信号に変換する構成である。
しかしながら、上記の従来の構成では、透光性絶縁層４
と光電変換素子５との膨張係数と合せるために、例えば
Ｃｄ５−ＣｄＳｅ等のｎ−ｖｔ族化合物の光電変換素子
６の場合、透光性絶縁層４として例えばコーニング７０
６９等の低軟化点ガラスを用いる必要があり、遮光層２
の物質が透光性絶縁層４中に拡散し、絶縁性の低下や光
電変換素子Ｓ中へ不純物としてド−グされるため、光電
変換素子５の特性バラツキ、感度の劣化を招き生産性が
低下するという問題点を有していた。
と光電変換素子５との膨張係数と合せるために、例えば
Ｃｄ５−ＣｄＳｅ等のｎ−ｖｔ族化合物の光電変換素子
６の場合、透光性絶縁層４として例えばコーニング７０
６９等の低軟化点ガラスを用いる必要があり、遮光層２
の物質が透光性絶縁層４中に拡散し、絶縁性の低下や光
電変換素子Ｓ中へ不純物としてド−グされるため、光電
変換素子５の特性バラツキ、感度の劣化を招き生産性が
低下するという問題点を有していた。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、遮光層を
構成する物質の拡散を防止し、特性のバラツキを抑え、
生産性を向上させることができる原稿幅と１＝１に対応
した大きさを有する光電変換装置を提供することを目的
とする。
構成する物質の拡散を防止し、特性のバラツキを抑え、
生産性を向上させることができる原稿幅と１＝１に対応
した大きさを有する光電変換装置を提供することを目的
とする。
発明の構成
本発明は、透光性絶縁基板上に、照明窓を有する遮光層
と、前記遮光層上に設けた酸化膜と、透光性絶縁層と、
光電変換素子と、対向電極と、透明保護層とを順次積層
した構成の光電変換装置であり、拡散防止層とＣｕを含
有した透光性絶縁層により、バラツキの少なく特性が安
定し、及び生産性を向上させる事のできるものである。
と、前記遮光層上に設けた酸化膜と、透光性絶縁層と、
光電変換素子と、対向電極と、透明保護層とを順次積層
した構成の光電変換装置であり、拡散防止層とＣｕを含
有した透光性絶縁層により、バラツキの少なく特性が安
定し、及び生産性を向上させる事のできるものである。
実施例の説明
以下に本発明における光電変換装置の構成を実施例を用
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
第３図に本発明の実施例における光電変換装置の断面図
を示す。
を示す。
第３図において、ガラス等の透光性絶縁基板１上に、高
融点材料であるＣｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ等を少なくとも可
視光を遮光する様に８００〜４０００人の膜厚で遮光層
２として形成し、さらに遮光層２に透光性絶縁基板１裏
面からの光源の光を入射させる照明窓３をフォトリソ法
等で形成する。次に遮光層２を熱酸化等をさせる事によ
り遮光層２の酸化膜例えばＣｒ２Ｏ３，Ｔａ２０５等を
拡散防止層１２としてＳＯＯ〜２０００人形成する。ざ
らにスパッタリング法等で、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ等の■−
■族化合物と膨張係数が一致するコーニング７０６９等
およびＣｕを１０−２〜１０−’ ｍｏ１％含有し可視
光を通すため（てバンドギャップが３ｅＶ以上の透光性
絶縁層４′を５ｏ○〜１００００人形成する。
融点材料であるＣｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ等を少なくとも可
視光を遮光する様に８００〜４０００人の膜厚で遮光層
２として形成し、さらに遮光層２に透光性絶縁基板１裏
面からの光源の光を入射させる照明窓３をフォトリソ法
等で形成する。次に遮光層２を熱酸化等をさせる事によ
り遮光層２の酸化膜例えばＣｒ２Ｏ３，Ｔａ２０５等を
拡散防止層１２としてＳＯＯ〜２０００人形成する。ざ
らにスパッタリング法等で、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ等の■−
■族化合物と膨張係数が一致するコーニング７０６９等
およびＣｕを１０−２〜１０−’ ｍｏ１％含有し可視
光を通すため（てバンドギャップが３ｅＶ以上の透光性
絶縁層４′を５ｏ○〜１００００人形成する。
次に、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ等のｎ−■族化合物を、蒸着法
等で被着し、ホトリノ法で主走査方向に並び照明窓３と
平行に島状の光電変換素子６を形成し、ＳＯＯ〜６００
℃の活性化熱処理により、ドナーとアクセプターとにＣ
ｕとＣｔを導入し、さらに各光′電変換素子５に対応し
て、従来例の２図に示す様に、複数個まとめた共通電極
６と個別電極７を、例えば、Ｎ ｉ Ｃｒ−Ａｕ等をリ
フトオフ法で形成し、最後に薄板ガラスの貼り付は又は
スパッタリング法等で５ｌＯ２，５１３Ｎ４等の透明保
護層８を積層して作成する。
等で被着し、ホトリノ法で主走査方向に並び照明窓３と
平行に島状の光電変換素子６を形成し、ＳＯＯ〜６００
℃の活性化熱処理により、ドナーとアクセプターとにＣ
ｕとＣｔを導入し、さらに各光′電変換素子５に対応し
て、従来例の２図に示す様に、複数個まとめた共通電極
６と個別電極７を、例えば、Ｎ ｉ Ｃｒ−Ａｕ等をリ
フトオフ法で形成し、最後に薄板ガラスの貼り付は又は
スパッタリング法等で５ｌＯ２，５１３Ｎ４等の透明保
護層８を積層して作成する。
かかる構造の光電変換装置で、基板１裏面から照明窓３
に入射する光１０を原稿９で反射し、その散乱光１１を
光電変換素子５で電気信号に変換するものである。
に入射する光１０を原稿９で反射し、その散乱光１１を
光電変換素子５で電気信号に変換するものである。
以上のように本実施例によれば、遮光層２上に拡散防止
層１２を形成する事により、遮光層２材料の光電変換素
子５中への拡散がないので、特性のバラツキが非常に小
さく、さらに遮光層２自身の酸化膜であるため、照明窓
３で入射光が、例えば透光性絶縁基板１と透光性絶縁層
４が同一物質で形成すれば、界面での反射を生じないの
で、光の利用効率を高める事ができる。
層１２を形成する事により、遮光層２材料の光電変換素
子５中への拡散がないので、特性のバラツキが非常に小
さく、さらに遮光層２自身の酸化膜であるため、照明窓
３で入射光が、例えば透光性絶縁基板１と透光性絶縁層
４が同一物質で形成すれば、界面での反射を生じないの
で、光の利用効率を高める事ができる。
また、透光性絶縁層４′の中に、スパッタのターゲツト
材中Ｋｃｕをたとえば１０−２〜１０−’ ｍｏ １％
含有させて、スパッタリングを行い、Ｃｕを含有する透
光性絶縁層４′を形成する事により、例えばＣｄ５−Ｃ
ｄＳｅ等ではＣｕはドナーとして働くので、５Ｑ○〜６
００℃の活性化熱処理中に光電変換素子６中へのＣｕの
微量ドープの制御が可能となり、蒸着膜中にＣｕを導入
するのに比べて、容易にしかも均一に導入されるため特
性のバラツキが抑えられ、また望んだ特性に調節できる
利点があり応用上、非常に好ましい。
材中Ｋｃｕをたとえば１０−２〜１０−’ ｍｏ １％
含有させて、スパッタリングを行い、Ｃｕを含有する透
光性絶縁層４′を形成する事により、例えばＣｄ５−Ｃ
ｄＳｅ等ではＣｕはドナーとして働くので、５Ｑ○〜６
００℃の活性化熱処理中に光電変換素子６中へのＣｕの
微量ドープの制御が可能となり、蒸着膜中にＣｕを導入
するのに比べて、容易にしかも均一に導入されるため特
性のバラツキが抑えられ、また望んだ特性に調節できる
利点があり応用上、非常に好ましい。
なお、本実施例において、光電変換素子５を■−■族化
合物としたが、光電変換素子５はａ −５ｉ等でも同様
の効果かえられるがその際、透光性絶縁層８中にＣｕを
含有させる必要はない。
合物としたが、光電変換素子５はａ −５ｉ等でも同様
の効果かえられるがその際、透光性絶縁層８中にＣｕを
含有させる必要はない。
発明の効果
本発明は、遮光層と透光性絶縁層との間に遮光層物質の
拡散防止のための酸化膜を設ける事により光電変換素子
に遮光層物質が導入されないので、素子特性が安定し、
歩留りが著しく向上し、さらに透光性絶縁層中に望まし
くは１０−２〜１０−’ｍｏｌ多のＣｕを含有させる事
により、特性の均−化及び、特性の調節が容易にはかれ
、バラツキの減少に大きく寄与し生産性が向上するとい
う効果を得る事ができる優れた光電変換装置を実現でき
るものである。
拡散防止のための酸化膜を設ける事により光電変換素子
に遮光層物質が導入されないので、素子特性が安定し、
歩留りが著しく向上し、さらに透光性絶縁層中に望まし
くは１０−２〜１０−’ｍｏｌ多のＣｕを含有させる事
により、特性の均−化及び、特性の調節が容易にはかれ
、バラツキの減少に大きく寄与し生産性が向上するとい
う効果を得る事ができる優れた光電変換装置を実現でき
るものである。
第１図は従来の光電変換装置の断面図、第２図は第１図
の装置の要部概略平面図、第３図は本発明の一実施例に
おける光電変換装置の断面図である。 ２・・・・・遮光層、４・・・・・透光性絶縁層、４′
・・・・・Ｃｕを含有した透光性絶縁層、５・・・・・
光電変換素子、１２・・・・・拡散防止層。
の装置の要部概略平面図、第３図は本発明の一実施例に
おける光電変換装置の断面図である。 ２・・・・・遮光層、４・・・・・透光性絶縁層、４′
・・・・・Ｃｕを含有した透光性絶縁層、５・・・・・
光電変換素子、１２・・・・・拡散防止層。
Claims (3)
- （１）透光性絶縁基板上に照明窓を有する遮光層と、少
なくとも前記遮光層の上に形成された酸化膜と、前記酸
化膜上に形成された透光性絶縁層と、主走査方向に島状
に並んだ光電変換素子と、前記各光電変換素子に形成さ
れた対向電極と、透明保護層とを順次積層してなる事を
特徴とする光電変換装置。 - （２）透光性絶縁層が、１０＾−＾２〜１０＾−＾４ｍ
ｏｌ％のＣｕを含有し、バンドギャップが３ｅＶ以上で
ある事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電変
換装置。 - （３）光電変換素子が、II−VI族化合物あるいはアモル
ファスシリコンからなる事を特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207348A JPS6184862A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207348A JPS6184862A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184862A true JPS6184862A (ja) | 1986-04-30 |
| JPH0564468B2 JPH0564468B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16538246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207348A Granted JPS6184862A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184862A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128748A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Ricoh Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| US4940888A (en) * | 1988-03-14 | 1990-07-10 | Hitachi, Ltd. | Direct-contact-type image sensor and image sensor assembly |
| US5162644A (en) * | 1988-03-14 | 1992-11-10 | Hitachi, Ltd. | Contact type image sensor having photoelectric conversion elements to reduce signal variation caused by luminous intensity variation of light source |
| GB2353140A (en) * | 1999-07-19 | 2001-02-14 | Agilent Technologies Inc | Tungsten or titanium-tungsten optical barrier in dark pixel |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840856A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光センサアレイ |
| JPS5856363A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
| JPS59151456A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Nec Corp | 混成集積化光センサ用光電変換素子とその製造方法 |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59207348A patent/JPS6184862A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840856A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光センサアレイ |
| JPS5856363A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
| JPS59151456A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Nec Corp | 混成集積化光センサ用光電変換素子とその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128748A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Ricoh Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| US4940888A (en) * | 1988-03-14 | 1990-07-10 | Hitachi, Ltd. | Direct-contact-type image sensor and image sensor assembly |
| US4977313A (en) * | 1988-03-14 | 1990-12-11 | Hitachi, Ltd. | Facsimile equipment with direct-contact-type image sensor |
| US5162644A (en) * | 1988-03-14 | 1992-11-10 | Hitachi, Ltd. | Contact type image sensor having photoelectric conversion elements to reduce signal variation caused by luminous intensity variation of light source |
| GB2353140A (en) * | 1999-07-19 | 2001-02-14 | Agilent Technologies Inc | Tungsten or titanium-tungsten optical barrier in dark pixel |
| US6326601B1 (en) | 1999-07-19 | 2001-12-04 | Agilent Technologies, Inc. | Optical barrier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564468B2 (ja) | 1993-09-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |