JPS58145100A - プラズマ利用装置における高周波電極への電力制御装置 - Google Patents
プラズマ利用装置における高周波電極への電力制御装置Info
- Publication number
- JPS58145100A JPS58145100A JP57027291A JP2729182A JPS58145100A JP S58145100 A JPS58145100 A JP S58145100A JP 57027291 A JP57027291 A JP 57027291A JP 2729182 A JP2729182 A JP 2729182A JP S58145100 A JPS58145100 A JP S58145100A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supply terminal
- supply
- plasma
- electrode
- bias voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 210000003437 trachea Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はプラズマオリ用装置における高周波′醒榔へ
の電力料＠ｌ装置に関するものでおる。
の電力料＠ｌ装置に関するものでおる。
一般に、ｙｌｌえはプラズマオリ用装置のように作業圧
力がｌθ 〜ｔ ＯＴｏｒｒ の範四にあるものにお
いては放′成インピーダンスが非常に低いため。
力がｌθ 〜ｔ ＯＴｏｒｒ の範四にあるものにお
いては放′成インピーダンスが非常に低いため。
゛電極の表面′電位のわずかな差でもプラズマが集中的
に発生する部分と非常に発生しにぐいＹＢ分とにわかｎ
ることか認められる。轡にインライン式の大型装置とも
なると、プラズマを発生させる電極（こｏ ｔ ＊ ｖ
ｃは通常Ｊ Ｚ ＯＫＨｚ −／ Ｌｊ Ａ ＭＨｚの
発振周波数ｔもつ尚周波′亀力が印力口される）が必然
的に大型化し、上記の弊害が無視できなくなる、もしこ
のような弊沓全そのままにして運転すると。
に発生する部分と非常に発生しにぐいＹＢ分とにわかｎ
ることか認められる。轡にインライン式の大型装置とも
なると、プラズマを発生させる電極（こｏ ｔ ＊ ｖ
ｃは通常Ｊ Ｚ ＯＫＨｚ −／ Ｌｊ Ａ ＭＨｚの
発振周波数ｔもつ尚周波′亀力が印力口される）が必然
的に大型化し、上記の弊害が無視できなくなる、もしこ
のような弊沓全そのままにして運転すると。
成膜運族が不均一となシ、膜厚分布も悪化するため生産
＃ｔｔ＊として使用できなくなる。
＃ｔｔ＊として使用できなくなる。
そこで、プラズマ利用装置における不均一なプラズマの
発生を１カぐ方法としてｂｔ来、大きな寸法の’！！４
１ ’ｋ ＲＦの′電位分布の不均一の無視できる長さ
く約／ ｍ ）以下に細分化してそれぞれ独立した電極
として構成し、俗独立した電極にそれぞれ独立した電源
を接続して電力を制御する方法や、電位その％、（Ｄは
大きな寸法のま捷にして電力供給部ケ泡数１鵬般け、Ａ
壁糟の外側すなわち大気側で各電力供給ｓ（］ｌ−＾周
波抵抗の低い、？ｌｌえばＯｕ 平叛やＯｕ板にＡｇメ
ッキしたものから成るａ Ｆ配線などで接続し、一つの
商周波電源會用いて籾数の名電力供＃８部葡弁して一つ
の′ｄｔ慣に電力を供給する方法が提案されている。
発生を１カぐ方法としてｂｔ来、大きな寸法の’！！４
１ ’ｋ ＲＦの′電位分布の不均一の無視できる長さ
く約／ ｍ ）以下に細分化してそれぞれ独立した電極
として構成し、俗独立した電極にそれぞれ独立した電源
を接続して電力を制御する方法や、電位その％、（Ｄは
大きな寸法のま捷にして電力供給部ケ泡数１鵬般け、Ａ
壁糟の外側すなわち大気側で各電力供給ｓ（］ｌ−＾周
波抵抗の低い、？ｌｌえばＯｕ 平叛やＯｕ板にＡｇメ
ッキしたものから成るａ Ｆ配線などで接続し、一つの
商周波電源會用いて籾数の名電力供＃８部葡弁して一つ
の′ｄｔ慣に電力を供給する方法が提案されている。
しかしなから、前者の方法では各細分化さｆた電惚の電
力（電位）を独立して制御できるためプラズマ発生一に
するにはそれぞれの電源出力音節」＠１することによシ
比戟的均−なプラズマを谷筋に形成することはできるが
％電源の数が懐数となり、かさはシ、コストも高くなる
だけでなく、制＠１パラメータが増すため操作性にも難
点が千）る。また俊省の方法では１点の供給端子方式の
場合よシミ位分布は数置されるが、谷電力供船端子を結
ぶＲ１Ｆ配線が７ｍ以上になると僅かな電位差が生じて
。
力（電位）を独立して制御できるためプラズマ発生一に
するにはそれぞれの電源出力音節」＠１することによシ
比戟的均−なプラズマを谷筋に形成することはできるが
％電源の数が懐数となり、かさはシ、コストも高くなる
だけでなく、制＠１パラメータが増すため操作性にも難
点が千）る。また俊省の方法では１点の供給端子方式の
場合よシミ位分布は数置されるが、谷電力供船端子を結
ぶＲ１Ｆ配線が７ｍ以上になると僅かな電位差が生じて
。
しばしはプラズマが不均一となる。例えばａＦ′醒力の
供給点上ｖｒ、極の中央位置に選んでそこたら各電力供
給部へ給電すると、高周波のアンテナの場合と同様に電
極の開放′ｙ８部で電位が尚〈なり、供給点では電位が
最小となる。その結果、電極の両端でのみプラズマが発
生し、中央部分ではプラズマが発生しにくい。またＲＦ
電力の供給点全電極の一万の端位置に選ぶと供給点から
８％ｍれた位隨丁なわ′１１）他方の端位置において′
１位が最高となり、この他方の端のみにプラズマが形成
されることになる。
供給点上ｖｒ、極の中央位置に選んでそこたら各電力供
給部へ給電すると、高周波のアンテナの場合と同様に電
極の開放′ｙ８部で電位が尚〈なり、供給点では電位が
最小となる。その結果、電極の両端でのみプラズマが発
生し、中央部分ではプラズマが発生しにくい。またＲＦ
電力の供給点全電極の一万の端位置に選ぶと供給点から
８％ｍれた位隨丁なわ′１１）他方の端位置において′
１位が最高となり、この他方の端のみにプラズマが形成
されることになる。
この発明の目的は上記のような従来の方法における欠点
を解消した新規な側倒１装置を提供することにおる。
を解消した新規な側倒１装置を提供することにおる。
従って、この発明によれば、プラズマ利用装置における
高周波電極に対して泡数＋１５のＲＦ供給端子を設け１
名ＲＦ供＃１８ｙ＃ａ子を共通のＲＦ電源に接続し、各
ＲＦ供給端子におけるバイアス電圧全検出し、これに基
いて谷ＲＦ供給端子の電圧を等しく＄定する設定装筐全
設けた高周波電極への電力料＠１装置が提供さｎる。
高周波電極に対して泡数＋１５のＲＦ供給端子を設け１
名ＲＦ供＃１８ｙ＃ａ子を共通のＲＦ電源に接続し、各
ＲＦ供給端子におけるバイアス電圧全検出し、これに基
いて谷ＲＦ供給端子の電圧を等しく＄定する設定装筐全
設けた高周波電極への電力料＠１装置が提供さｎる。
この発明の電力料＠１装置においては名ＲＦ’供給端子
におけるバイアス電圧はそれに接続されたバイアス電圧
ズローブとバイアス電圧メークで検出され得る。設足装
匝は好ましくは中心電位となるＲＦ供給端子以外の各端
子とＲＦ電諒との間に挿置さｆた可変容量から成ること
ができ、この可変谷賞金、検出したバイアス電圧に基い
て調整して俗ＲＦ’供給端子における電圧が等しくなる
ようにする。また上記設定装ｆＭｔは別の実施例によれ
はもＲＦ供給端子に共通に接続さｔたＩ’ＬＰ配線と、
このＲＦ配線に対して摺動可能に取付けられた接触子と
から成ることができ、上記嵌触子はマツチング回路を介
してａｒｔ源に接続され、この場合には接触子全動かす
ことによって各ＲＦ供給端子における電圧が等しくなる
ように設定する。
におけるバイアス電圧はそれに接続されたバイアス電圧
ズローブとバイアス電圧メークで検出され得る。設足装
匝は好ましくは中心電位となるＲＦ供給端子以外の各端
子とＲＦ電諒との間に挿置さｆた可変容量から成ること
ができ、この可変谷賞金、検出したバイアス電圧に基い
て調整して俗ＲＦ’供給端子における電圧が等しくなる
ようにする。また上記設定装ｆＭｔは別の実施例によれ
はもＲＦ供給端子に共通に接続さｔたＩ’ＬＰ配線と、
このＲＦ配線に対して摺動可能に取付けられた接触子と
から成ることができ、上記嵌触子はマツチング回路を介
してａｒｔ源に接続され、この場合には接触子全動かす
ことによって各ＲＦ供給端子における電圧が等しくなる
ように設定する。
０Ｅって、従来プラズマ利用装置における太型電ｍ（７
辺が７０００ Ｉｎ／Ｉｎ以上） ヘＲＦ １［力會供
給する場合に電極の各点で電圧のばらつきが発生しがち
で１例え供給点ヲ襟数にしても前述のように必ずしも改
善されなかったが、この発明によれば、大型電極へのＲ
Ｆ’供給点を複数開設け、大気中で分配するものでは中
心電位以外のものに対して直列に接続された可変容量か
、１だはもＲＦ供供給に対するＲＦ配線に摺動可能に取
付けられた接触子の初期設定によって、大型電極面の各
点におけるａｉ；”Ｉｔ位を均一にすることができ、そ
の結果ＯＶＤ装置等におけるプラズマ発生の均−化會谷
筋に夾決することができる。
辺が７０００ Ｉｎ／Ｉｎ以上） ヘＲＦ １［力會供
給する場合に電極の各点で電圧のばらつきが発生しがち
で１例え供給点ヲ襟数にしても前述のように必ずしも改
善されなかったが、この発明によれば、大型電極へのＲ
Ｆ’供給点を複数開設け、大気中で分配するものでは中
心電位以外のものに対して直列に接続された可変容量か
、１だはもＲＦ供供給に対するＲＦ配線に摺動可能に取
付けられた接触子の初期設定によって、大型電極面の各
点におけるａｉ；”Ｉｔ位を均一にすることができ、そ
の結果ＯＶＤ装置等におけるプラズマ発生の均−化會谷
筋に夾決することができる。
以下この発明′に弗附図面を参照してさらに説明する。
第１図にはこの発明の一実施例を示し、／は真空槽、λ
は真空槽ｌ（ハ）に設けらｎた高周波電極で、この′＃
ｌＬ憾は例えは長さλｉｏｏ、輻６ｏｏの長方形であ＃
）侍る。３ａ、３ｂ、３ｃは尚周波電極λに対するａＦ
供給端子で、ＲＦ供給端子３ａはマツチング回路ｌを弁
してＲＦｔＦＬ源ｊに接続され、俺ってＦＬＦｍ力の基
準供＃１８点？成している。またこの基準のＲＦ’供供
給子３ａとその他のＲＦ供給端子３１） 、 ３ ｃの
各々との間に電位制御用のｉ５Ｊ変谷量６，７がそれぞ
れ挿置されている。またｆａ。
は真空槽ｌ（ハ）に設けらｎた高周波電極で、この′＃
ｌＬ憾は例えは長さλｉｏｏ、輻６ｏｏの長方形であ＃
）侍る。３ａ、３ｂ、３ｃは尚周波電極λに対するａＦ
供給端子で、ＲＦ供給端子３ａはマツチング回路ｌを弁
してＲＦｔＦＬ源ｊに接続され、俺ってＦＬＦｍ力の基
準供＃１８点？成している。またこの基準のＲＦ’供供
給子３ａとその他のＲＦ供給端子３１） 、 ３ ｃの
各々との間に電位制御用のｉ５Ｊ変谷量６，７がそれぞ
れ挿置されている。またｆａ。
Ｊ’ｂ 、 Ｉｃはそれぞｆｌ、（７）ＥＬＦ供給端子
Ｊ ａ ＋ Ｊ ｌ）＋３０に接続されたバイアス電圧
モニタ用プローブであり、これらのプローブで検知した
バイアス電圧は計測器りで測定され慴る。
Ｊ ａ ＋ Ｊ ｌ）＋３０に接続されたバイアス電圧
モニタ用プローブであり、これらのプローブで検知した
バイアス電圧は計測器りで測定され慴る。
このように構成した装置の動作について説明すると、ま
ず計測器りで各ＲＦ供給端子３３〜３ｃにおけるバイア
ス電圧會測足し、それぞれのＥＬＦ供給端子における電
圧が住いに等しくなる（例えは約ｔ Ｔｎｒｒ ｃｊ
Ｏ■〜７０ｖ（ＤＣ））ように１１変谷に６．７を調整
して初期設定を行なう。これにより一つの’［他で全体
の出力を制御することができる。
ず計測器りで各ＲＦ供給端子３３〜３ｃにおけるバイア
ス電圧會測足し、それぞれのＥＬＦ供給端子における電
圧が住いに等しくなる（例えは約ｔ Ｔｎｒｒ ｃｊ
Ｏ■〜７０ｖ（ＤＣ））ように１１変谷に６．７を調整
して初期設定を行なう。これにより一つの’［他で全体
の出力を制御することができる。
次に別の実施例を示す第λ図會参照すると、第１図の実
施例に対応したｍ瓜＊素は第１図と岡じ符号でボす。こ
の実施例では電位制御用の可変容量の代りに％ＲＦ’供
船端供給ａ、Ｊｈ、ＪｃｉＲＦ’配線ｌＯで共通に接続
され、この共通のＲＦ’配線ＩＱに対して）ｔＦ出力＃
／／に接続された接触子１２が摺動’ｏＪ能に取付けら
れている。その他の構ｊ戎は第１図の場合と同様である
。この例では計測器りで測定した各Ｅｔｌｉ’供給端子
におけるバイアス電圧に基いて接触子ｌコを摺動させて
名Ｉｔ Ｆ供給端子における電圧が等しくなる位置に固
定する。
施例に対応したｍ瓜＊素は第１図と岡じ符号でボす。こ
の実施例では電位制御用の可変容量の代りに％ＲＦ’供
船端供給ａ、Ｊｈ、ＪｃｉＲＦ’配線ｌＯで共通に接続
され、この共通のＲＦ’配線ＩＱに対して）ｔＦ出力＃
／／に接続された接触子１２が摺動’ｏＪ能に取付けら
れている。その他の構ｊ戎は第１図の場合と同様である
。この例では計測器りで測定した各Ｅｔｌｉ’供給端子
におけるバイアス電圧に基いて接触子ｌコを摺動させて
名Ｉｔ Ｆ供給端子における電圧が等しくなる位置に固
定する。
第３図にはプラズマ利用装置における渭Ｊ周波電憔の導
入装置の一例を示し、１３は真空槽で、そのＸ極導入開
口＠／Ｊａｉ通ってシールド本体ｌηが＋１１受部杓ｔ
ｚおよびＯリングミｔ、ｉ７．ｉｌｌ方弁て増刊部材ｌ
りおよび固着部材２０，２／によって摺動可能にかつ気
管に取付けられている。
入装置の一例を示し、１３は真空槽で、そのＸ極導入開
口＠／Ｊａｉ通ってシールド本体ｌηが＋１１受部杓ｔ
ｚおよびＯリングミｔ、ｉ７．ｉｌｌ方弁て増刊部材ｌ
りおよび固着部材２０，２／によって摺動可能にかつ気
管に取付けられている。
このシールド本体／Ｆの上ｙ＃Ａに電極板２λを受ける
シールド板２３に固着さｎている。またシールド本体ｌ
ｖ内には電極軸管λμおよび給水管２ｊが同軸にのびて
おシ、電極軸管λＶの上端は図示したよつＫ”！極板２
２に端子ブロック２ｔを介して電気的に接続さｎている
。また給水管２ｊの上端は開放しておｐ、従ってこの給
水管λｊの内部會辿って供給される冷却水はその上端か
らこの管と電極用１管２μの内壁との間の全ｈヶ辿って
戻り。
シールド板２３に固着さｎている。またシールド本体ｌ
ｖ内には電極軸管λμおよび給水管２ｊが同軸にのびて
おシ、電極軸管λＶの上端は図示したよつＫ”！極板２
２に端子ブロック２ｔを介して電気的に接続さｎている
。また給水管２ｊの上端は開放しておｐ、従ってこの給
水管λｊの内部會辿って供給される冷却水はその上端か
らこの管と電極用１管２μの内壁との間の全ｈヶ辿って
戻り。
電極軸管２ｖ？冷却する。２７，２ｇは絶縁ブツシュで
あシ、シールド本体／にの下端に対してキャンプコタに
よってＯリング３０，３／を弁して篭慣軸管２ｖを密封
保持している。塘た３λは給水ジャケットと電極端子と
の組立体で、この組立体は給水管２ｊおよび電極軸管λ
ｌの下方端部に装着されている。このように構成された
電極導入装置が第／、２図に示すよう′ｆＸもＲＦ供給
端子に対して用いられ得る。
あシ、シールド本体／にの下端に対してキャンプコタに
よってＯリング３０，３／を弁して篭慣軸管２ｖを密封
保持している。塘た３λは給水ジャケットと電極端子と
の組立体で、この組立体は給水管２ｊおよび電極軸管λ
ｌの下方端部に装着されている。このように構成された
電極導入装置が第／、２図に示すよう′ｆＸもＲＦ供給
端子に対して用いられ得る。
第１．２図はこの発明による二つの実施例紮示す概略構
成図、第３図ｉ１’；ｊ：第１．２図の装置に使用でき
る電極導入装置の一笑り例會示す部分断面図である。 図中、ｌ：真望僧％ ２＝高周波電憧、３ａ。 ｊ ｂ ＋ Ｊ ｃ ： ＲＦ供給端子、μ：マッチン
グ回路。 ’ ” ” Ｆ′ＦＭ、”ｓ ６１７：”ＩＫ谷ｋ、
Ｉ ａ 、 Ｉ ｂ 。 ｔＣニブローブ、り：メーク、ｉｏ：Ｒ，Ｆ配線、１２
＝ｗ：触子。 第１図
成図、第３図ｉ１’；ｊ：第１．２図の装置に使用でき
る電極導入装置の一笑り例會示す部分断面図である。 図中、ｌ：真望僧％ ２＝高周波電憧、３ａ。 ｊ ｂ ＋ Ｊ ｃ ： ＲＦ供給端子、μ：マッチン
グ回路。 ’ ” ” Ｆ′ＦＭ、”ｓ ６１７：”ＩＫ谷ｋ、
Ｉ ａ 、 Ｉ ｂ 。 ｔＣニブローブ、り：メーク、ｉｏ：Ｒ，Ｆ配線、１２
＝ｗ：触子。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ 高周波電極に対して、各々共通のａＦ’［源に接続
された俵数瞳のＲＦ供供給端子膜設、 ＠ａｔ’供船端
子におけるバイアス電圧を検出して各ＲＦ供ｉ端子の電
圧が等しくなるように設定する設定装置を設けたことを
特許とするプラズマオリ用装置における高周波′電極へ
の′電力制御装置、ユ バイアス電圧の検出ｔ、も［Ｌ
Ｐ供給端子に接続したバイアス電圧ノローブとバイアス
電圧メータで行なうようにした特許請求の範囲第１項に
ｄピーにの装置。 ３ 設定装置が中心電位となるＲＦ供船端子以外のもＦ
ＬＦ供給端子と共通のＲＦ′亀諒との間に挿置された０
］′叢谷童から成る特許請求の範囲第１項に記載の装置
。 橘 設定装置がもＲＦ供船端子に共通に設けられた１、
ｔ Ｆ配勝と、ＲＦ電源に接続されかつ上記ｌ（Ｆ配線
に対して摺動可能に取付けられた接触子とから成る特許
請求の範囲第１項に記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57027291A JPS58145100A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | プラズマ利用装置における高周波電極への電力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57027291A JPS58145100A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | プラズマ利用装置における高周波電極への電力制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58145100A true JPS58145100A (ja) | 1983-08-29 |
| JPS645760B2 JPS645760B2 (ja) | 1989-01-31 |
Family
ID=12216970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57027291A Granted JPS58145100A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | プラズマ利用装置における高周波電極への電力制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58145100A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6142096A (en) * | 1996-05-16 | 2000-11-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic device manufacturing apparatus and method for manufacturing electronic device |
| JP2017174526A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 富士フイルム株式会社 | プラズマ生成装置、プラズマ生成方法およびプラズマ処理方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102517786A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-06-27 | 飞虎科技有限公司 | 电脑横机织针组合结构 |
-
1982
- 1982-02-24 JP JP57027291A patent/JPS58145100A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6142096A (en) * | 1996-05-16 | 2000-11-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic device manufacturing apparatus and method for manufacturing electronic device |
| USRE39064E1 (en) * | 1996-05-16 | 2006-04-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic device manufacturing apparatus and method for manufacturing electronic device |
| JP2017174526A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 富士フイルム株式会社 | プラズマ生成装置、プラズマ生成方法およびプラズマ処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS645760B2 (ja) | 1989-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4014217A (en) | Tactile pick-up | |
| US2406405A (en) | Coaxial condenser crystal and method of making same | |
| KR970003609A (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| US3704219A (en) | Impedance matching network for use with sputtering apparatus | |
| GB2014315A (en) | Determining Probe Contact | |
| US6349670B1 (en) | Plasma treatment equipment | |
| JPS58145100A (ja) | プラズマ利用装置における高周波電極への電力制御装置 | |
| US2884597A (en) | High impedance multiplier probe | |
| JP4928817B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US3404341A (en) | Electrometer utilizing a dual purpose field-effect transistor | |
| WO1994016542A1 (fr) | Instrument de mesure du plasma excite par des hautes frequences | |
| US5097214A (en) | Method and apparatus for determining the properties of an insulation layer by maintaining an output current ratio generated by directing ions at the insulation layer | |
| US4587458A (en) | Controlling current density | |
| US6750615B2 (en) | Plasma apparatus including plasma-measuring device | |
| EP3128533A1 (en) | Heating device and plasma treatment device provided with same | |
| JPH09236639A (ja) | 計測器用高速応答電源 | |
| US3146617A (en) | Moisture measuring system | |
| JPH0364897A (ja) | プラズマパラメーターの測定方法 | |
| US6452408B1 (en) | Impedance measurement tool | |
| JPH10332780A (ja) | 半導体測定装置 | |
| US1957008A (en) | Impulse generator | |
| JP2618926B2 (ja) | 電気的特性測定システム | |
| JPS6127570A (ja) | 放電装置 | |
| WO1985001301A1 (fr) | Dispositif pulverisateur | |
| JPS6297328A (ja) | プラズマエツチング方法 |