JPS5814535A - ウエハの清浄方法 - Google Patents

ウエハの清浄方法

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JPS5814535A
JPS5814535A JP56111882A JP11188281A JPS5814535A JP S5814535 A JPS5814535 A JP S5814535A JP 56111882 A JP56111882 A JP 56111882A JP 11188281 A JP11188281 A JP 11188281A JP S5814535 A JPS5814535 A JP S5814535A
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JP
Japan
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wafer
dust
electrode
plasma discharge
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JP56111882A
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Naomichi Abe
阿部　直道
Moritaka Nakamura
守孝 中村
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Fujitsu Ltd
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H10P70/12—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by dry cleaning only

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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本始明はウェハ上に付着した不要物、即ちゴミをウェハ
から除く、ウェハの清浄方法に関する。
従来、ウェハ上のゴミを除去する方法としては、ウェハ
に窒素（１４）ガスを吹き付けてゴミを吹きとばす方法
があったが、ゴ（がウェハに対して静電的に付着してい
る場合にはこれを除去することが、かなシ因難であった
。
本発明は、従来のこのような欠点を解決して静電的に付
着したゴミまでも除去し得る方法を提供することを目的
とする。かかる目的は１本発明によればウェハ上に付着
した不要物をプラズマ放電によシ帯電させ静電界により
ウェハから遊離させることにより４にされる。
以下１図面を用いて本発明の一実施例を説明するＯ 図は本発明の冥施例を適用した装置を示す断面図である
。
ウェハｌにはゴミ２が付着しておシ、このウニ／−１は
電極３と番の間で、テフロン等の絶縁物５で頒覆された
電極４上にｌ１ｌｃＩｉｃされているＯ電極番には直流
カット用のコンデンサ６とｌｓＬ５６ＭＨｚの高周波電
源）の直列回路と、高周波カット用のチ嘗−クコイル８
と直流電源９の直列回路とが並列接続されて接地されて
いる。電極３も接地されている。
電極３．４やウニノ１１を収容する容器１０にはアルゴ
ン（ムｒ）ガスが尋人、排気されている。ここで、高周
波電源７により゛鴫極３．４間でプラズマ放電させると
、ゴミ２は一子により帯電する。
次いで直流電ｇＡ９によ〉電極１に負の直ｆＬ％圧を印
加するとクーロン反発によシボξ２はウェハから遊離す
る。これにより、従来除去することが―かしかったゴミ
も容易に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を説明するための図である。 １：　ウェハ　　２：　ゴミ（不要物）、３．４：　　
電　極、　　フ：　高周波電源、９：　直流＃ｌｔ源

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハ上に付着した不要物をプラズマ放電によ）帯電さ
    せ静電界によりウェハから遊離させることを特徴とする
    ウェハの清浄方法。
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