JPH0732147B2 - ウエハの清浄方法 - Google Patents

ウエハの清浄方法

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JPH0732147B2
JPH0732147B2 JP56111882A JP11188281A JPH0732147B2 JP H0732147 B2 JPH0732147 B2 JP H0732147B2 JP 56111882 A JP56111882 A JP 56111882A JP 11188281 A JP11188281 A JP 11188281A JP H0732147 B2 JPH0732147 B2 JP H0732147B2
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JP
Japan
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wafer
dust
cleaning method
wafer cleaning
electrode
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直道 阿部
守孝 中村
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H10P70/12—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by dry cleaning only

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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はウェハ上に付着した不要物、即ちゴミをウェハ
から除く、ウェハの清浄方法に関する。
従来、ウェハ上のゴミを除去する方法としては、ウェハ
に窒素（N2）ガスを吹き付けてゴミを吹きとばす方法が
あったが、ゴミがウェハに対して静電的に付着している
場合にはこれを除去することが、かなり困難であった。
本発明は、従来のこのような欠点を解決して静電的に付
着したゴミまでも除去し得る方法を提供することを目的
とする。かかる目的は、本発明によればウェハを高周波
放電プラズマ中に置いてウェハ上に付着した不要物を帯
電させ、該ウェハに対向電極に対して負の直流電圧を引
加してウェハ上に付着した不要物を遊離させることを特
徴とするウェハの清浄方法により達成される。
以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明する。
図は本発明の実施例を適用した装置を示す断面図であ
る。
ウェハ１にはゴミ２が付着しており、このウェハ１は電
極３と４の間で、テフロン等の絶縁物５で被覆された電
極４上に載置されている。
電極４には直流カット用のコンデンサ６と13.56MHzの高
周波電源７の直列回路と、高周波カット用のチョークコ
イル８と直流電源９の直列回路とが並列接続されて接地
されている。電極３も接地されている。
電極3,4やウェハ１を収容する容器10にはアルゴン（A
r）ガスが導入、排気されている。ここで、高周波電源
７により電極3,4間でプラズマ放電させると、ゴミ２は
電子により帯電する。
次いで直流電源９により電極４に負の直流電圧を印加す
るとクーロン反発によりゴミ２はウェハから遊離する。
これにより、従来除去することが難かしかったゴミも容
易に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を説明するための図である。 1:ウエハ、2:ゴミ（不要物）、3,4:電極、7:高周波電
源、9:直流電源

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ウェハを高周波放電プラズマ中に置いてウ
    ェハ上に付着した不要物を帯電させ、該ウェハに対向電
    極に対して負の直流電圧を引加してウェハ上に付着した
    不要物を遊離させることを特徴とするウェハの清浄方
    法。
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JPS60154621A (ja) * 1984-01-25 1985-08-14 Hitachi Ltd 真空処理方法
EP0419930B1 (en) * 1989-09-26 1994-12-07 Applied Materials, Inc. Particulate contamination prevention scheme
US5328555A (en) * 1992-11-24 1994-07-12 Applied Materials, Inc. Reducing particulate contamination during semiconductor device processing
CN1931453B (zh) * 2003-08-25 2013-06-19 东京毅力科创株式会社 减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置
JP4745099B2 (ja) * 2006-03-28 2011-08-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、搬送ピックのクリーニング方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取り可能な記憶媒体

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53124445A (en) * 1974-01-22 1978-10-30 Canon Inc Developing fluid removing method
JPS5384563A (en) * 1976-12-29 1978-07-26 Fujitsu Ltd Thin film pattern forming method

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