JPS5814552A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS5814552A JPS5814552A JP56111957A JP11195781A JPS5814552A JP S5814552 A JPS5814552 A JP S5814552A JP 56111957 A JP56111957 A JP 56111957A JP 11195781 A JP11195781 A JP 11195781A JP S5814552 A JPS5814552 A JP S5814552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- semiconductor
- lead
- glass case
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特にビーズガラスが溶着されたジ
ュメット線と円筒状のガラスケースとを融着封止する半
導体装置の製造装置に関するものである。
ュメット線と円筒状のガラスケースとを融着封止する半
導体装置の製造装置に関するものである。
仁の種のミニ型ガラスダイオードと呼ばれる半導体装置
の製造方法は、一方があらかじめビーズ巻きされたジュ
メット線によりて封止された円筒状のガラスケース(以
下、ガラスケースと呼ぶ)に半田片を用いて半導体素子
を装着し、その後。
の製造方法は、一方があらかじめビーズ巻きされたジュ
メット線によりて封止された円筒状のガラスケース(以
下、ガラスケースと呼ぶ)に半田片を用いて半導体素子
を装着し、その後。
他方の外部リード取シ出しの為にビーズガラスが溶着さ
れたジュメット線(以下探針リードと呼ぶ)とを融着封
止するものである。
れたジュメット線(以下探針リードと呼ぶ)とを融着封
止するものである。
この封止方法は、探針リードにガラスケースをかぶせて
組合せた状態で耐熱抵抗性基板のヒータに装着し、ヒー
タに電流t−流してガラスケースと探針リードを加熱融
着封止するものである。この際、ガラスケースは融着封
止する部分のみヒータの加工穴の中に位置しておシ、他
の部分はヒータ上面より上部の空間に位置している。こ
のため。
組合せた状態で耐熱抵抗性基板のヒータに装着し、ヒー
タに電流t−流してガラスケースと探針リードを加熱融
着封止するものである。この際、ガラスケースは融着封
止する部分のみヒータの加工穴の中に位置しておシ、他
の部分はヒータ上面より上部の空間に位置している。こ
のため。
ヒータより発する熱によシ、耐熱的に劣るシ冒。
トキバリャダイオード等は特性の劣化を起し易いと云う
欠点があり九。
欠点があり九。
本発明の目的は、この欠点を解決して半導体素子に加え
られる熱的影響を減少させた半導体装置の気密封止装置
を提供することにある。
られる熱的影響を減少させた半導体装置の気密封止装置
を提供することにある。
本発明は、ヒータの上面に適当なすき間をもりてヒータ
とは電気的に絶縁させた状態で、ヒータと同材質の加工
板でガラスケースの一部を覆ってガラスケースと探針リ
ードをヒータによル加熱融着するようにしたものである
。かかる構成によれば、加工板によるヒータからの熱放
散が行なわれ。
とは電気的に絶縁させた状態で、ヒータと同材質の加工
板でガラスケースの一部を覆ってガラスケースと探針リ
ードをヒータによル加熱融着するようにしたものである
。かかる構成によれば、加工板によるヒータからの熱放
散が行なわれ。
半導体素子への熱影響を低減できる。
次に2図面を参照して本発明の一実施例を説明する0図
は本発明の一実施例を示すミニ型ガラスダイオードの封
止方法の封止装置への製品セットアツプ後の断面図であ
る。半導体素子1が半田片2によってジュメット線12
のヘッダー3に装着されたガラスケース4は、探針リー
ド5にかぶせて組合された状態でセットされている。探
針り−ド5に溶着されたビーズ6部とガラスケース4の
融着封止される部分はヒータ7の加工穴13に位置して
いる。半導体素子lが装着されている方のガラスケース
4の部分は、ヒータ7と同材質の加工板8の加工穴14
内に位置している。加工板8は、し−夕7とはスペーサ
9により適当なすき間をもって電気的に絶縁されている
。ガラスケース4のジュメット線12の端は、荷重金具
10によって保持される。探針リード5は突き上げ板1
1によって央き上げられ、この突き上げる高さがヒータ
7へのガラスケース4のセットの深さを調整する役目を
持っている。かかる状態でヒータ7に電流を流して発熱
させ、その発熱によシ探針IJ−ド5とガラスケース4
とを融着封止する。このとき5加工板8によシ半導体素
子lの部分が覆われている為、加工板8はヒータ7よ)
発する熱を効率よく放熱する。この結果、ガラス粛正に
よる半導体素子の熱的劣化を防ぐ事が出来る。
は本発明の一実施例を示すミニ型ガラスダイオードの封
止方法の封止装置への製品セットアツプ後の断面図であ
る。半導体素子1が半田片2によってジュメット線12
のヘッダー3に装着されたガラスケース4は、探針リー
ド5にかぶせて組合された状態でセットされている。探
針り−ド5に溶着されたビーズ6部とガラスケース4の
融着封止される部分はヒータ7の加工穴13に位置して
いる。半導体素子lが装着されている方のガラスケース
4の部分は、ヒータ7と同材質の加工板8の加工穴14
内に位置している。加工板8は、し−夕7とはスペーサ
9により適当なすき間をもって電気的に絶縁されている
。ガラスケース4のジュメット線12の端は、荷重金具
10によって保持される。探針リード5は突き上げ板1
1によって央き上げられ、この突き上げる高さがヒータ
7へのガラスケース4のセットの深さを調整する役目を
持っている。かかる状態でヒータ7に電流を流して発熱
させ、その発熱によシ探針IJ−ド5とガラスケース4
とを融着封止する。このとき5加工板8によシ半導体素
子lの部分が覆われている為、加工板8はヒータ7よ)
発する熱を効率よく放熱する。この結果、ガラス粛正に
よる半導体素子の熱的劣化を防ぐ事が出来る。
以上説明したように1本発明によれば、耐熱的に劣る半
導体装置の気密封止方法とし高良品率を得る事が可能で
あシ半導体装置のコスト低減に大きな効果がおる。
導体装置の気密封止方法とし高良品率を得る事が可能で
あシ半導体装置のコスト低減に大きな効果がおる。
図は本発明の一実施例を示す封止方法の断面図である。
1・・・・・・半導体素子、2・・・・・・半田片、3
・・・・・・へ。 ダー、4・・・・・・ガラスケース、5・・・・・・探
針リード。
・・・・・・へ。 ダー、4・・・・・・ガラスケース、5・・・・・・探
針リード。
Claims (1)
- 半導体素子を内蔵する半導体容器と外部リード線とをヒ
ータからの熱供給によシ融着封止する製造装置において
、前記ヒータと対向して前記半導体″容器の一部を覆う
放熱用板を配置した状態で上記半導体容器と上記外部リ
ード線とを融着封止することを特徴とする半導体装置の
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111957A JPS5814552A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111957A JPS5814552A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814552A true JPS5814552A (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=14574386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56111957A Pending JPS5814552A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814552A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148444A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-19 | Nec Corp | Manufacture for semiconductor device |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP56111957A patent/JPS5814552A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148444A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-19 | Nec Corp | Manufacture for semiconductor device |
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