JPS636151B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS636151B2 JPS636151B2 JP56111956A JP11195681A JPS636151B2 JP S636151 B2 JPS636151 B2 JP S636151B2 JP 56111956 A JP56111956 A JP 56111956A JP 11195681 A JP11195681 A JP 11195681A JP S636151 B2 JPS636151 B2 JP S636151B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- glass
- heater substrate
- fused
- semiconductor container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特に円筒状のガラスケー
スと外部リード取り出し用のジユメツト線とを耐
熱抵抗性基板により融着封止してなる半導体装置
の製造装置に関するものである。
スと外部リード取り出し用のジユメツト線とを耐
熱抵抗性基板により融着封止してなる半導体装置
の製造装置に関するものである。
従来、この種の技術を用いたものとして、例え
ばミニ型ガラス封止ダイオードがある。すなわ
ち、円筒状のガラス管の一方がすでにビーズ巻き
されたジユメツト線により融着されたガラスケー
スに、ガラス管内のジユメツト線に半田片を介し
て半導体素子（ダイオード素子）を装着し、その
後、他方の外部リード取り出しの為にビーズ巻き
されたジユメツト線（以下、探針リードと呼ぶ）
とガラスケースの一方を融着気密封止するもので
ある。
ばミニ型ガラス封止ダイオードがある。すなわ
ち、円筒状のガラス管の一方がすでにビーズ巻き
されたジユメツト線により融着されたガラスケー
スに、ガラス管内のジユメツト線に半田片を介し
て半導体素子（ダイオード素子）を装着し、その
後、他方の外部リード取り出しの為にビーズ巻き
されたジユメツト線（以下、探針リードと呼ぶ）
とガラスケースの一方を融着気密封止するもので
ある。
この気密封止方法は、ヒータとして用いる耐熱
抵抗性基板（以下、ヒータと呼ぶ）に複数個の加
工穴を設け、該加工穴に探針リードを配列し、該
探針リードにガラス管をかぶせた状態でガラスケ
ースを配列してヒータに大電流を流し、その発熱
によつてガラスケースと探針リードを加熱融着す
る方法である。尚、ガラスケースはヒータの加工
穴の中にはガラス管の融着部のみが挿入されてお
り、ガラスケースの他方の非融着部は、ガラスケ
ース固定保持の為にヒータと同材質の耐熱抵抗性
基板（以下ガラスガイドと呼ぶ）の加工穴部に挿
入されている。ガラスガイドはヒータとは適当な
すき間をもつて、かつヒータとは電気的に絶縁さ
れている。
抵抗性基板（以下、ヒータと呼ぶ）に複数個の加
工穴を設け、該加工穴に探針リードを配列し、該
探針リードにガラス管をかぶせた状態でガラスケ
ースを配列してヒータに大電流を流し、その発熱
によつてガラスケースと探針リードを加熱融着す
る方法である。尚、ガラスケースはヒータの加工
穴の中にはガラス管の融着部のみが挿入されてお
り、ガラスケースの他方の非融着部は、ガラスケ
ース固定保持の為にヒータと同材質の耐熱抵抗性
基板（以下ガラスガイドと呼ぶ）の加工穴部に挿
入されている。ガラスガイドはヒータとは適当な
すき間をもつて、かつヒータとは電気的に絶縁さ
れている。
この封止方法では、ヒータより発する熱がガラ
スガイド板を伝わつて放熱すると云う欠点があ
る。しかもその放熱はヒータの中心部が大で、周
囲が小さいと云う温度分布の均一性を欠く不都合
が生じていた。このため、ガラスケースと探針リ
ードを一枚のヒータ内で大量に融着封止する場
合、その融着性に於いてヒータの中心部と外周部
ではバラツキが生じると云う品質、歩留り上の欠
点があつた。
スガイド板を伝わつて放熱すると云う欠点があ
る。しかもその放熱はヒータの中心部が大で、周
囲が小さいと云う温度分布の均一性を欠く不都合
が生じていた。このため、ガラスケースと探針リ
ードを一枚のヒータ内で大量に融着封止する場
合、その融着性に於いてヒータの中心部と外周部
ではバラツキが生じると云う品質、歩留り上の欠
点があつた。
本発明の目的は、これらの欠点を除去して高歩
留りで同時に大量に製造可能な融着封止装置を提
供することにある。
留りで同時に大量に製造可能な融着封止装置を提
供することにある。
すなわち、本発明は複数個の加工穴が設けられ
たヒータの周囲部に、温度分布を均一にするため
に窒素ガス等の気体を適量吹き付けながらガラス
ケースとジユメツト線とを加熱融着するようにし
たものである。
たヒータの周囲部に、温度分布を均一にするため
に窒素ガス等の気体を適量吹き付けながらガラス
ケースとジユメツト線とを加熱融着するようにし
たものである。
次に、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
第１図ａは本発明の一実施例を示すミニ型ガラ
ス封止ダイオードの封止方法の封止装置への製品
セツトアツプ後の側面図である。ガラス管の一方
がすでにジユメツト線１によつて封着されたガラ
スケース２と探針リード３とがヒータ４にセツト
されている。ガラスケース２は、融着される側が
ヒータ４に他方がガラスガイド５のそれぞれの加
工穴に挿入されている。ガラスガイド５は絶縁ス
ペーサ６を介してヒータ４の上面に適当なすき間
をもつて設置されている。この状態で、封止装置
の電極７にセツトし、ヒータ電極８を介してヒー
タに大電流を流してガラスケース２と探針リード
３を加熱融着する。この際、ヒータ内の放熱によ
る温度のバラツキしいては融着のバラツキを解決
する為に、放熱の少ない部分、すなわち、ヒータ
の周囲部にノズル９より窒素ガスを適量吹き付け
ヒータ内の熱のバランスを改善する。
ス封止ダイオードの封止方法の封止装置への製品
セツトアツプ後の側面図である。ガラス管の一方
がすでにジユメツト線１によつて封着されたガラ
スケース２と探針リード３とがヒータ４にセツト
されている。ガラスケース２は、融着される側が
ヒータ４に他方がガラスガイド５のそれぞれの加
工穴に挿入されている。ガラスガイド５は絶縁ス
ペーサ６を介してヒータ４の上面に適当なすき間
をもつて設置されている。この状態で、封止装置
の電極７にセツトし、ヒータ電極８を介してヒー
タに大電流を流してガラスケース２と探針リード
３を加熱融着する。この際、ヒータ内の放熱によ
る温度のバラツキしいては融着のバラツキを解決
する為に、放熱の少ない部分、すなわち、ヒータ
の周囲部にノズル９より窒素ガスを適量吹き付け
ヒータ内の熱のバランスを改善する。
第１図ｂは、第１図ａのＡ−A′間で断面した
ところの上面より見た図である。窒素ガスは矢印
の如くノズル９よりヒータ４に配列された融着封
止されるガラスケース２の周囲の製品四すみに向
つて吹き付けられている。
ところの上面より見た図である。窒素ガスは矢印
の如くノズル９よりヒータ４に配列された融着封
止されるガラスケース２の周囲の製品四すみに向
つて吹き付けられている。
この様に本発明によれば、同ヒータ内の温度の
高い部分、すなわち放熱の少ない部分に窒素ガス
を適量吹き付けることにより、その部分の温度を
下げて温度の低い部分すなわち放熱の大きい部分
と同等の温度にする事が可能であり、同一ヒータ
内での温度分布の均一性を保つ事が出来る。その
結果、融着のバラツキが低減出来、同一ヒータ内
で同時に大量に融着、封止する事が可能となり、
コスト低減に大きな効果がある。
高い部分、すなわち放熱の少ない部分に窒素ガス
を適量吹き付けることにより、その部分の温度を
下げて温度の低い部分すなわち放熱の大きい部分
と同等の温度にする事が可能であり、同一ヒータ
内での温度分布の均一性を保つ事が出来る。その
結果、融着のバラツキが低減出来、同一ヒータ内
で同時に大量に融着、封止する事が可能となり、
コスト低減に大きな効果がある。
尚、窒素ガス以外の不活性ガスを用いてよいこ
とは当然である。無論、ガラス封止ダイオードに
限られるものでもない。
とは当然である。無論、ガラス封止ダイオードに
限られるものでもない。
第１図ａは本発明の一実施例を示す側面図、第
１図ｂは第１図ａのＡ−A′の断面上面図 １……ジユメツト線、２……ガラスケース、３
……探針リード、４……ヒータ、５……ガラスガ
イド、６……絶縁スペーサ、７……封止装置の電
極、８……ヒータ電極、９……ノズル。
１図ｂは第１図ａのＡ−A′の断面上面図 １……ジユメツト線、２……ガラスケース、３
……探針リード、４……ヒータ、５……ガラスガ
イド、６……絶縁スペーサ、７……封止装置の電
極、８……ヒータ電極、９……ノズル。
Claims (1)
- １ 複数個の第１の加工穴が設けられたヒータ用
基板と、該ヒータ用基板上に絶縁スペーサを介し
て設けられたガラスガイドと、前記第１の加工穴
と対向して前記ガラスガイドに設けられた複数個
の第２の加工穴とを有し、前記ガラスガイドの前
記第２の加工穴に半導体容器の一端を挿入し、前
記ヒータ用基板の前記第１の加工穴に前記半導体
容器の他端と外部リード線とを配列し、前記ヒー
タ用基板に電流を流してその発熱によつて前記半
導体容器の前記他端と前記外部リード線とを加熱
融着する製造装置において、前記ヒータ用基板の
周囲部にガス噴出口を設け、ガスを吹き付けなが
ら前記半導体容器と前記外部リード線とを加熱融
着することを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111956A JPS5814558A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111956A JPS5814558A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814558A JPS5814558A (ja) | 1983-01-27 |
| JPS636151B2 true JPS636151B2 (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=14574364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56111956A Granted JPS5814558A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814558A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0781514B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1995-08-30 | 佐藤工業株式会社 | トンネル構築方法 |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP56111956A patent/JPS5814558A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5814558A (ja) | 1983-01-27 |
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