JPS5814558A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS5814558A JPS5814558A JP56111956A JP11195681A JPS5814558A JP S5814558 A JPS5814558 A JP S5814558A JP 56111956 A JP56111956 A JP 56111956A JP 11195681 A JP11195681 A JP 11195681A JP S5814558 A JPS5814558 A JP S5814558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- cases
- glass
- temperature
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特に円筒状のガラスケースと外部
リード取シ出し用のジュメット線とを耐熱抵抗性基板に
より融着封止してなる半導体装置の製造装置に関するも
のである。
リード取シ出し用のジュメット線とを耐熱抵抗性基板に
より融着封止してなる半導体装置の製造装置に関するも
のである。
従来、この種の技術を用いたものとして２例えばミニ型
ガラス封止ダイオードがある。゛すなわち。
ガラス封止ダイオードがある。゛すなわち。
円筒状のガラス管の一方がすでにビーズ巻きされたジュ
メット線によシ融着されたガラスケースに。
メット線によシ融着されたガラスケースに。
ガラス管内のジュメット線に半田片を介して半導体素子
（ダイオード菓子）を装着し、その後、他方の外部リー
ド取シ出しの為にビーズ巻きされたジュメット線７（以
下、探針リードと呼ぶ）とガラスケースの一方を融着気
密封止する４のである。
（ダイオード菓子）を装着し、その後、他方の外部リー
ド取シ出しの為にビーズ巻きされたジュメット線７（以
下、探針リードと呼ぶ）とガラスケースの一方を融着気
密封止する４のである。
この気密封止方法は、ヒータとして用いる耐熱抵抗性基
板（以下、ヒータと呼ぶ）に複数個の加工穴を設け、該
加工穴に探針リードを配列し、該探針リードにガラス管
をかぶせた状態中ガラスケースを配列してヒータに大電
流を流し、その発熱によってガラスケースと探針リード
を加熱融着する方法である。尚、ガラスケースはヒータ
の加工穴の中にはガラス管の融着部のみが挿入されてお
シ、ガラスケースの他方の非融着部は、ガラ゛スケース
固定保持の為にヒータと同材質の耐熱抵抗性基板（以下
ガラスガイドと呼ぶ）の加工穴部に挿入されている。ガ
ラスガイド、はヒータとは適当なすき間をもり′て、か
つヒータとは電気的に絶縁されている。
板（以下、ヒータと呼ぶ）に複数個の加工穴を設け、該
加工穴に探針リードを配列し、該探針リードにガラス管
をかぶせた状態中ガラスケースを配列してヒータに大電
流を流し、その発熱によってガラスケースと探針リード
を加熱融着する方法である。尚、ガラスケースはヒータ
の加工穴の中にはガラス管の融着部のみが挿入されてお
シ、ガラスケースの他方の非融着部は、ガラ゛スケース
固定保持の為にヒータと同材質の耐熱抵抗性基板（以下
ガラスガイドと呼ぶ）の加工穴部に挿入されている。ガ
ラスガイド、はヒータとは適当なすき間をもり′て、か
つヒータとは電気的に絶縁されている。
この封止方法では、ヒータよシ発する熱がガラスガイド
板を伝わりて放熱すると云う欠点がある。
板を伝わりて放熱すると云う欠点がある。
しかもその放熱はヒータの中心部が大で１周囲が小さい
と云う温度分布の均一性を欠く不都合が生じていた。仁
のため、ガラスケースと探針リードを一枚のヒータ内で
大量に融着封止する場合、その融着性に於いてヒータの
中心部と外周部ではバラツキが生じると云う品質１歩留
り上の欠点があ−５え。
と云う温度分布の均一性を欠く不都合が生じていた。仁
のため、ガラスケースと探針リードを一枚のヒータ内で
大量に融着封止する場合、その融着性に於いてヒータの
中心部と外周部ではバラツキが生じると云う品質１歩留
り上の欠点があ−５え。
本発明の目的は、これらの欠点を除去して高歩留シで同
時に大量に製造可能な融着封止装置を提供することにあ
る。
時に大量に製造可能な融着封止装置を提供することにあ
る。
す表わち１本発明紘複数個の加工穴が設けられ九ヒータ
の周囲部に、温度分布を均一にするために窒素ガス等の
気体を適量吹き付けながらガラスケースとジュメット線
とを加熱融着するようにしたものである。
の周囲部に、温度分布を均一にするために窒素ガス等の
気体を適量吹き付けながらガラスケースとジュメット線
とを加熱融着するようにしたものである。
次に、７図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明
する。
する。
第１図（！１）は本発明の一実施例を示すミニ型ガラス
封止ダイオードの封止方法の封止装置への製品セットア
ツプ後−の側面図である。ガラス管の一方がすでにジュ
メット線１によって封着されたガラスケース２と探針リ
ード３とがヒータ４にセットされている。ガラスケース
２は、融着される側がヒータ４に他方がガラスガイド５
のそれぞれの加工穴に挿入されている。ガラスガイド５
は絶縁スペーサ６を介してヒータ４の上面に適当なすき
間をもって設置されている。この状態で、封止装置の電
極７にセットし、ヒータ電極８を介してヒータに大電流
を流してガラスケース２と探針リード３を加熱融着する
。この際、ヒータ内の放熱による温度のバラツキしいて
は融着のバラツキを解決する為に、放熱の少々い部分、
すなわち、ヒータの周囲部にノズル９よシ窒素ガスを適
量吹き付け □ヒータ内の熱のバランスを改善
する。
封止ダイオードの封止方法の封止装置への製品セットア
ツプ後−の側面図である。ガラス管の一方がすでにジュ
メット線１によって封着されたガラスケース２と探針リ
ード３とがヒータ４にセットされている。ガラスケース
２は、融着される側がヒータ４に他方がガラスガイド５
のそれぞれの加工穴に挿入されている。ガラスガイド５
は絶縁スペーサ６を介してヒータ４の上面に適当なすき
間をもって設置されている。この状態で、封止装置の電
極７にセットし、ヒータ電極８を介してヒータに大電流
を流してガラスケース２と探針リード３を加熱融着する
。この際、ヒータ内の放熱による温度のバラツキしいて
は融着のバラツキを解決する為に、放熱の少々い部分、
すなわち、ヒータの周囲部にノズル９よシ窒素ガスを適
量吹き付け □ヒータ内の熱のバランスを改善
する。
第４図（号は、第１図（ａ）のＡ−に間で断面したと仁
ろの上面よシ見た図である。窒素ガスは矢印の如くノズ
ル９よりヒータ４に配列された融着封止されるガラスケ
ース２の周囲の製品回すみに向って吹き付けられている
。
ろの上面よシ見た図である。窒素ガスは矢印の如くノズ
ル９よりヒータ４に配列された融着封止されるガラスケ
ース２の周囲の製品回すみに向って吹き付けられている
。
この様に本発明によれば、同ヒータ内の温度の高い部分
、すなわち放熱の少々い部分に窒素ガスを適量吹き付け
ることによシ、その部分の温度を下げて温度の低い部分
すなわち放熱の大きい部分と同等の温度にする事が可能
であシ、同一ヒータ内での温度分布の均一性を保つ事が
出来る。その結果、融着のバラツキが低減出来、同一と
−タ内で同時に大量に融着、封止する事が可能と表り。
、すなわち放熱の少々い部分に窒素ガスを適量吹き付け
ることによシ、その部分の温度を下げて温度の低い部分
すなわち放熱の大きい部分と同等の温度にする事が可能
であシ、同一ヒータ内での温度分布の均一性を保つ事が
出来る。その結果、融着のバラツキが低減出来、同一と
−タ内で同時に大量に融着、封止する事が可能と表り。
コスト低減に大きな効果がある。
尚、窒素ガス以外の不活性ガスを用いてよいことは轟然
である。熱論、ガラス封′止ダイオードに限られる亀の
でもない。
である。熱論、ガラス封′止ダイオードに限られる亀の
でもない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数個の加工穴が設けられたヒータ用基板の該加工穴に
半導体容器と外部リード線とを配列し。 上記ヒータ用基板に電流を流してその発熱によりて上記
半導体容器と上記外部リード線とを加熱融着する製造装
置において、上記ヒータ用基板の周囲部にガス噴出口を
設け、ガスを吹き付けながら上記半導体容器と上記外部
リード線とを加熱融着することを特徴とする半導体装置
の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111956A JPS5814558A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111956A JPS5814558A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814558A true JPS5814558A (ja) | 1983-01-27 |
| JPS636151B2 JPS636151B2 (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=14574364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56111956A Granted JPS5814558A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01299996A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-04 | Sato Kogyo Co Ltd | トンネル構築方法 |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP56111956A patent/JPS5814558A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01299996A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-04 | Sato Kogyo Co Ltd | トンネル構築方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS636151B2 (ja) | 1988-02-08 |
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