JPS58149053A

JPS58149053A - 光導電部材

Info

Publication number: JPS58149053A
Application number: JP57031940A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Shirai; 茂白井; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介; Junichiro Kanbe; 純一郎神辺; Keishi Saito; 恵志斉藤; Yoichi Osato; 陽一大里; Teruo Misumi; 三角　輝男
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1982-03-01
Filing date: 1982-03-01
Publication date: 1983-09-05
Also published as: JPH0410630B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここで紘広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮儂！ｔｉｔ、或いは像形成分野における電子写真
用像形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成す
る光導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電ｍ（Ｉ
ｐ）／暗電ｆｆｉ　（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁
波のスペクトル特性にマレチングした吸収スペクトル特
性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有
する仁と、使用時において人体に対して無公害であるこ
と、更には固体撮像装置においては、残像を所定時間内
に容易に処理することが出来ること等の特性が要求され
る。殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真
装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、
上記の使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８１と表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報ＫＵ光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

崗乍ら、従来のａ　−Ｓ　ｉで構成された光導電層を有
する光導電部材は、暗抵抗値−光感度、光応答性等の電
気的、光学的、光導電的特性−及び使用環境特性の点、
夏には経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個
々には特性の向上が計られているが総合的な特性向上を
計る上で更に改良される余地が存するのが実情である。

例えば、電子、写真用像形成部材に適用した場合に、＾
光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来にお
いてはその使用時において残留電位が残る場合が度々観
渕され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生
ずる所■ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点
が少なくなかった。

又、１−８１材料で光導電層を構成する場合には、その
電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝
導型の制御のために硼素原子や゛燐原子等が或いはその
他の特性改頁のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電
的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの蝕層中での鍔命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された１像に俗
に「白ヌケ」と叶ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われるｉｉｉ像欠陥や、例えば、クリーニングに、
ブレードを用いるとその摺擦によると思われる、俗に「
白スジ」と云われている所１ｌＩ−偉欠陥が生じたりし
ていた。又、多湿＃囲気中で使用し走り、或いは多湿雰
囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗に云うｍ律
のボケが生ずる場合が少なくなかった。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室よｌＯ出した後、空気中での放置時間の経過と共に、
支持体費面からの層の浮き中軸離、或いは層に亀裂が生
ずる等の現象を引起し勝ちになる。この現象は、殊に支
持体が通常、電子写真分野に於いて使用されているドラ
ム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於
いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉＫ
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、銃取装置等
に１！用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シ
リコン原子を母体とし、水素原子（ハ）又は／・ログン
原子凶のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファ
ス材料、所−水素化アモルファスシリコン、ノーロゲン
化アモルファスシリコン、或いはノ・ロゲン含有水素化
アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記として
「ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ　）　Ｊを使用する〕から構成さ
れる光導電層を有する光導電部材の層構成を以後に説明
される様な特定化の下に設計されて作成された光導電部
材は実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来
の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕し
ていること、殊に電子写真用の光導電部材として著しく
優れた特性を有していることを見比した点に基づいてい
る。

本発明社電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆
んど依存なく実質的に常時安定しており、耐光疲労に著
しく長け、繰返し使用に際しても劣化現・象を起さず耐
久性、耐湿、性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観測
されない光導電部材を提供することを主たる目的とする
。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であ抄、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電像形成のだめの帯域処理の際の電荷保
持能力が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れた電子写真特性を有する光導電部材を提
供することである。

本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥
や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、萬品質−律を得ることが
容易にできる電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、＾光感度性。

、１ｌｉｌ、８Ｎ比特性及び高耐圧性を有する光導電部
材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は光導電部材用の支持体と、シリコ
ン原子を母体とし、構成原子として／％Ｑゲ／原子と、
３０ｉｔｏｍｉｃ−までの窒素原子を含有する非晶質材
料で構成された補助層と、シリコン原子を母体とし、周
期律表第■族に属する原子を構成原子として含有する非
晶質材料で構成された電荷注入防止層と゛、シリコン原
子を母体とする非晶質材料で構成され、光導電性を示す
第一の非晶質層と、前記第一の非晶質層上に、シリコン
原子と炭素原子とＩ・ロゲン原子とを構成原子として含
む非晶質材料で構成された第二の非晶質層とを有する事
を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定してお°り高感度で、高ＳＮ比を有す、るも
のであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

父、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層目体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
着しく優れてお抄、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するだめに模式的に示し九換式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、シリコン原子を母体とし、構成
原子としてハロゲン原子とｆｆｌ累原子を３９　ａｔｏ
ｍｉｃ−未満含む非晶質材料で構成された補助層１０２
．電荷注入防止層１０３．光導電性を有する第一の非晶
質層（１）　１０４　、第二の非晶質層（創１０５とを
具備し、非晶質層（１）１０５は自由表面１０６を有し
ている。

補助層１０２は、主に、支持体１０１と電荷注入防止層
１０３との間の密着性を計る目的の為に設けられ、支持
体１０１と電荷注入防止層１０３の両方と親和性がある
様に、後述する特性を有する材質で構成される。

電荷注入防止層１０３は、自由表面１０６が帯電される
際に支持体１０１　ｍｌｌや第一の非晶質層（り１０４
中へ電荷が注入されるのを効果的に防止する機能を主に
有する。

第一の非晶質層（１）　１０４は、核層（１）　１０４
に感受性の光の照射を受けて骸ｍ（１）　１０４中でフ
ォトキャリアを発生し、所定方向に該フォトキャリアを
輸送する機能を有する。

本発明に於ける補助層は、シリコン原子（Ｓｉ）を母体
とし、構成原子として窒素原子翰とハロゲン原子（３）
と、必要に応じて水素原子鰭とを含有し、窒素原子Ｎの
含有量Ｃ（ロ）が３０ａｔｏｍｉｃ１１未満である非晶
質材料（以後、ｒ”　　（８”ａＮ卜ａ）ｂ（ＨｌＸ）
ｔ−ｂＪヒ記す。但し、０．６（ａ、　　０．８≦ｂ）
で構成される。

ａ　　（ＳｊａＮｔ−ａ）ｂ　（Ｈ，Ｘ）、−ｂで構成
される補助層の形成はグロー放電法、スパッターリング
法、イオンインプランテーシ曹ン法、イオンプレーティ
ング法、エレクトロンビーム法等によって成される。こ
れ等の製造法は、製造条件。

設備資本投下の負荷程度、製造規模９作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望するも性を有する光導電部材を製造
する為の作製条件の制御が比較的容易である。シリコン
原子と具にｖｉ１素原子及び・・ロゲン原子を、作製す
る補助層中に導入するのが容易に行える郷の利点からグ
ロー放電法或いはスパッターリング法が好適に採用され
る。

艷に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して補助層を形成しても
良い。

グロー放電法によって補助層を形成するにはａ　　（Ｓ
ｊａＮｒ−ａ）ｂ　（）Ｉｓ　Ｘ）ｓ−ｂ形成用の原料
ガスを、必要゛に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で１
・　　　　　混合して、支持体の設置しである真空堆積
用の堆積量に導入し、導入されたガス雰囲気中に、グロ
ー放電を先起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上Ｋ　ａ　−（ＳｉａＮ、　　ａ）ｂ　（Ｈ，Ｘ）、
　６を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　　（ＳｉａＮｒ−ａ）ｂ　（Ｈ−
Ｘ）ｔ−ｂ形成用の原料ガスとしては、８ｉ、Ｎ、Ｘの
中の少なくとも１つを構成原子とするガス状の物質又は
ガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが
使用され得る。

８ｉ　、　Ｎ、　Ｘの中の１つとして８ｉを構成原子と
する原料ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原子
とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスと、Ｘ
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、Ｓｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｎ及びＸを構成原子とする原料ガスとを、これも又所望
の混合比で混合して使用することが出来る。

又、別にはＳｌとＸとを構成原子とする原料ガスに、Ｎ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、ハロゲン原子Ｘとして好適なのはＦｐ
Ｃｌｖ　Ｂｒ、　　Ｉであり、殊ＫＦ、ＣＩが望ましい
ものである。

本発明に於いて、補助層は、シリコン原１と窒素原子と
ハロゲン原子とを含む非晶質材狛で構成されるものであ
るが、前述した様に補助層には更に水素原子を含有させ
ることが出来る。

補助層への水素原子の含有は、電荷注入防止層や非晶質
層との連続層形成の際に原料ガス種の一部共通化を計る
ことが出来るので生産コスト面の上で好都合である。

本発明に於いて、補助層を形成するのに有効に使用され
る原料ガスと成り得る出発物質としては、常温常圧に於
いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を挙げ
ることが出来る。

この様な補助層形成用の出発物質としては、例えば、窒
素、窒化物、弗素化窒素及びアジ化物等のｉｉ！木化金
化合物ｐゲン単体、ノ・ロゲン化水素、−・ログン関化
合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素
化硅素等を挙げる事が出来る。

具体的には、窒素（Ｎｔ）　、　　窒素化合物とじて社
アンモニア（ＮＨｍ）、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ諺）、
三弗化窒素（ＦｓＮ）、四弗化窒素（ＦｓＮ）−アジ化
水素（ＨＮ、　’）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ
Ｂ）等、ハロゲンガスとして線、フッ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素としては、Ｆ）
Ｉ　、　ＨＩ　、　ＨＣＩ　ｔ　ＨＢｒ　ｔ　／’　ａ
ゲン化合物としては、ＢｒＦ、　ＣＩＦ＊　ＣＩＦＢｇ
　ＣＩＦ＠ｔ　ＢｒＦ、、　ＢｒＦｌ。

ＩＦｙ−ＩＦｓ　、ＩＣＩ　−ＩＢｒ　−ハロゲン化硅
素としては８ｉＦ４．８に、Ｆ＠、　５ｉＣ１４，８ｉ
Ｃｊ、Ｂｒ、　５ｉＣ１＠Ｂｙ＠、　５ＬＣＩＢｒ、ｐ
　８ｉＣ／ＩＩ、　５ｉＢｒ、、　　ハａゲン置換水素
化硅素としては、ＳｉＨ！Ｆ、ｔ　８ｉＨ，（Ｊｕｔ　
８ｉＨ（Ｊ、　ｅ　８ｉＨ，（ＪｔＳｉＨｓＢｒｅ　８
ｉＨ，Ｂｒ、、　８ｔＨＢｒ、　　水素孔硅素としては
、８ｉＨ４，５ｉｔＨ，ｔ　８ｉ、Ｈｌ、　８ｉ４Ｈ，
。等ノシ５ｙ（８４１ａｎｅ　）類、等々を挙げること
が出来る。

これ等の補助層形成用の出発物質は、形成される補助層
中に、所定の組成比でシリコン原子。

窒素原子及びハロゲン原子と、必要に応じて水素原子と
が含有される様に、補助層形成の際に所望に従って選択
されて使用される。

例えば、シリコン原子と水素原子との含有が容易に成し
得て且つ所望の特性の補助層が形成され得るＳ　ｉＨ，
中８４．Ｈ，と窒素原子を含有させるものとしてＯＮ、
又は闇、と・・ロゲン原子を含有させるものとしての８
ｉＦ４．５ｉｆ（、Ｆ、ｔ　５ｉＨＣ１，、５ｉＣ１４
゜８ｉＨ，Ｃｊ、、　　或いはＳｉＨ，Ｃｊ等を所定の
混合比でガス状層で補助層形成用の装置系内に導入して
グロー放電を生起させることによって補助層を形成する
ことが出来る。

或いは、形成される補助層にシリコン原子とハロゲン原
子とを含有させることが出来る８ｉＦ。

等と窒１ｇ原子を含有させるものとしてＯＮ２等を所定
の混合比で、必要に応じてＨｅ、Ｎｅ、ムｒ等Ｏ稀ガス
と共に中間層形成用の装置系内に導入してグロー放電を
生起させて、補助層を形成することも出来る。

スパッターリング法によって補助層を形成するには、為
純・度単結晶又は多結晶のＳ五つェーハ、　　　−１ｔ
Ｉ′ｉ８ｉ、Ｎ４つｚ−バー又ｔ１８ｊト８１ａＮａ；
Ａ’？Ｉ１合されて形成されたウェーハーをターゲット
として、これ等ｌ　／％　ｌ：ｉグン原子と、必（！に
応じて水素原子を構成要素として含む種々のガス雰囲気
中でスパッターリングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェー・・−をターゲットとして使用すれ
ば、ＮとＸを導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、
これ郷のガスのガスプラズマを形成して前記ａｉウェー
ハーをスパッターリングすれば養い。

又、別には、ＳｉとＳｔ、Ｎ、と杜別々のターゲットと
して、又はＳｉと８　ｉ　、Ｎ４の混合して形成した一
枚のターゲットを使用することによって、少なくともハ
ロゲン原子を含有するガス１［気中でスパッターリング
することによって成される。

Ｎ及びＸ、必要に応じてＨの導入用の原料ガスとなる物
質としては先述したグロー放電の例で示しだ補助層形成
用の出発物質がスパッターリング法の場合にも有効な物
質として使用され得る。

本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所關、稀ガス、例えばＨｅ。

Ｎｅ、　　λｒ等が好適なものとして挙げることが出来
る。

本発明の補助層を構成するａ（８４ａＮｌ−ａ）ｂ　（
Ｈ。

Ｘ）ｒ−ｂは、補助層の機能が、支持体と電荷注入防止
層との間の密着を強固にし、加えてそれ等の間に於ける
電気的接触性を均一にするものであるから、補助層に要
求される特性が所望通妙に与えられる様に、その作成条
件の選択が厳密に成されて注意深く形成される。

本発明の目的に適した特性を有するａ−（８４Ｎｓ　−
ａ）ｂ　（Ｈｅ　Ｘ　）ｔ−ｂ　力作成すｔＬ　ルｋ　
Ｏ作成４に件の中の重要な要素として、作成時の支持体
温度を挙げる事が出来る。

即チ、支Ｗｔ体Ｏ表ｍＫａ　　（ＳｔｌＮ、−ａ）ｂ（
）ＬＸ）１−ｂからなる補助層を形成する際、層形成中
の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右す
る重要な因子であって、本発明に於いては、目的とする
特性を有するａ−（８輸Ｎ５−ａ）ｂ（Ｈ＝　Ｘ）ｓ−
ｂが所望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度
が厳密に制御される。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成される為の
補助層を形成する際の支持体温度としては、補助層の形
成法に併せて適宜最適範囲が選択されて、補助層の形成
が実行されるが、通常の場合、５０〜３５０℃、好適に
は１００〜２５０℃とされるのが望ましいものである。

補助層の形成には、同一系内で補助層から電荷注入防止
層、非晶質層、劇には必要に応じて非晶質層上に形成さ
れる他の層まで連続的に形成することが出来る事、各層
を構成する原子の組成比の微妙な制御中層厚の制御が他
の方法に較べて比較的容易である事婢の為に、グミ−放
電法やスパッターリング法の採用が有利であるが、これ
等の層形成法で補助層を形成する場合には、前記の支持
体温度と同様に層形成の際の放電パワー及びガス圧が作
成されるａ　　（ＳｉａＮｓ−ａ）ｂ（ＨｐＸ）ｔ−ｂ
の特性を左右する重要な菌子として挙げることが出来る
。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するａ　
−（８ｉ！ｌＮ１ａ）ｂ　（Ｈ，Ｘ）、−すが生産性良
く効果的に作成される為の放電パワー条件としては、通
常１〜３００　Ｗ、　　好適には２〜１００Ｗである。

堆積屋内のガス圧はグロー放電法にて層形成を行う場合
に於いて通常０．０１〜５　Ｔｏ　ｒｒ　ｓ好適には、
α１〜ＱｊＴｏｒｒ程度に、スパッタリング法にて層形
成を行う場合に於いては、通常１　ｘ　１Ｏ−Ｌ−ｓｘ
ｌｏ−”Ｔｏｒｒ、好適には８　Ｘ　１０−”〜３　ｘ
ｌＯ−”Ｔｏｒｒ程度とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける補助層に含有されるｉｉｔ
素原子及びハロゲン原子の蓋は、補助層の作製条件と同
様本発明の目的を達成する所望の特性が得られる補助層
が形成される為の重要な因子である。

本発明に於ける補助層に含有される輩素原子の量Ｃ（ロ
）は、通常は、前記した値の範囲とされるが、ａｔｏｍ
ｉｃ−で表示すれば、好適にＦｉＩＸＩＯ−≦Ｃ（ロ）
３０．より好ましくは、ｌ≦Ｃ（ロ）＜３０．最適にｄ
ｌｏ≦Ｃ（ロ）（３０とされるのが望ましい。

又、ハロゲン原子内の量としては、好適には１〜２０　
ｍｔｏｍｉｃｐ、最適には２〜１５１１１０ｆｆｌ　Ｉ
　Ｃ−とされるのが望ましく、水素原子Ｉが含まれる場
合には、その量は、好適孔は１１）ａｔｏｍｉｃ−以下
、最適にはｔｓａｔｏｍｔｃ−以下とされるのが望まし
い。

ニー（８４Ｎｌ　−ａ）　ｂ　（ＨｌＸ　）ｓ　−ｂに
於けるａ、　ｂの表示で示せば１の値として杜、好適に
はα６≦１く０．９９９９９より好ましくはＯｊ＜１≦
α９９．最適にはα６く１≦ａｓ、ｂの値としては好適
には邸≦ｂ≦α９９より好適には０．８５≦ｂ≦（ハ）
８とされるのが望ましい。

本発明に於ける補助層り層厚の数値範囲は、本発明の目
的を効果的に達成する様に所望に従って適宜決定される
。

本発明の目的を効果的に達成する為の補助層るのが望ま
しいものである。

本発明の光導電部材を構成する電荷注入防止層は、シリ
コン原子（８りを母体とし、周期律表ｇｖｍに属する原
子（第Ｖ族原子）と、好ましくは、水素原子（へ）又は
／・ロゲン原子凶、或はこの両者とを構成原子とする非
晶質材料（以後［ａ−８ｉ　（Ｖｅ　Ｈｔ　Ｘ）Ｊと記
す）で構成され、その層厚を及び層中Ｏ第Ｖ＊原子の含
有量Ｃ（至）は、本発明の目的が効果的に達成される様
に所望に従って適宜決められる。

本発明に於ける電荷注入防止層の層厚ｔとしては、好ま
しくはα３〜５μ、よ抄好ましくは部〜２μとされるの
が望ましく、又、・第Ｖ族原子の含有ｔＣ（ｖ）として
は、好ましく祉ＩＸＩＧ−４Ｘ　１０’ａｔｏｍｉ（解
、　よ塾好ましくは５Ｘ１０”〜ｌＸ１０”ｍｔｏｍｉ
ｃｐとされるのが望ましい。

本発明において、電荷注入防止層中に含有される周期律
表第ＶＪｌｉＫ属する原子として使用されるのは、ｐ　
（燐）参ムＳ（砒素）、ｐｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビ
スマス）等で４Ｌ殊に好適に用いられるのは　ｐ、ムＳ
である。

本発明において、必要に応じて電荷注入防止層中に含有
されるハロゲン原子内としては、具体的にはフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適
なものとして挙げることが出来５゜ａ−８ｉ　（Ｖ、　Ｈ，Ｘ）で構成されるｔ葡注入防止
層合の層形成法としてはグロー放電法、スパッターリン
グ法、イオンインプランテーシｌン法。

イオンブレーティング法、エレクトロンビーム汰等が挙
げられる。これ郷の製造法は、製造条件、設備費本投下
の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所望さ
れる特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが
、所望する特性を有する光導電部材を製造する為の作製
条件の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に第
Ｖ族原子、必要に応じて水素原子０やハロゲン原子内を
作製する電荷注入防止層中に導入するのが容易に行える
等の利点からグロー放電法或はスパッターリング法が好
適に採用される。

更に１本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して電荷注入防止層を形
成しても良い。

例えば、グロー放電法によってａ−８ｉ（Ｖ、ＨｚＸ）
で構成される電荷注入防止層を形成するには、基本的に
はシリコン原子（ｓｉ）を供給し得る８１供給用の原料
ガスと共に第■族原子を供給し得る第■族原子導入用の
原料ガス、必要に応じて水素原子■導入用の又は／及び
・・ロゲン原子（３）導入用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る堆積室内に導入して、腋堆積室内にグルー放電
を生起させ、予め所定位置に設置され、既に補助層ＯＷ
＆けて６る所定の支持体の補助層上にａ−８ｉ（ｖｔ　
ｆ（、Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又スパッタ
リング法で形成する場合には、例えばムｒ、Ｈｅ等の不
活性ガス又はこれ等のガスをペースとした温合ガス０雰
囲気中で８ｉで構成されたターゲットをスパッタリング
する際、第Ｖ族蔦原子導入用の原料ガスを、必要に応じ
て水嵩原′［子軸又Ｆｉ／及びハｐゲン原子凶導入用の
ガスと共にスパッタリング用の堆積室に導入して中れば
良い。

本発明において電荷注入防止層を形成するのに使用され
る原料ガスとなる出発物質としては、次のものが有効な
ものとして挙げることが出来る。

先ずＳｉ供給用の原料ガスとなる出発物質としては、８
ｉＨ，、８ｉ、Ｈ，、８４，Ｈ＠、　８ｉ４Ｈ１，郷の
ガス状態の又はガス化し得る水素化硅１ｇ（シラン類）
が有効に使用されるものとして挙けられ、殊に、層作成
作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で８！Ｈ，
、８ｉ、Ｈｏが好ましいものとして挙げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成される補助層中ＫＳ１と共にＨ
も導入し得る。

８ｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子内を含む硅素化
合物、所謂、ハロゲン原子で置換され九シラン誘導体、
具体的には例えば８ｉＦ４　、８ｉ、Ｆｌ、　８ｉＣＩ
、、　８ｉＢｒ４等のハＣｌゲ／化硅素が好ましいもの
として挙げることが出来、更には、８ｉＨ，Ｆｌ、　８
ｉＨ，Ｉｌ、　ｓｔｎ、ｃｌ、、　５ｉＨ（Ｊ、、　８
ｉＨ１Ｂｒｔ。

８　ｇｌ（Ｂ　ｒ１轡の７・ログン置換水素化硅素、轡
々のガス状態の或はガス化し得る、水素原子を構成要素
０１つとする〕・ロゲン化物も有効な電荷注入防止層形
成の為の８ｉ供給用の出発物質として挙げる事が出来る
。

これ等Ｏ／％ロゲン原子囚を含む硅素化合物を使用する
場合に％前述した様に層形成条件の適切な選択によって
形成される電荷注入防止層中に８４と共にＸを導入する
ことが出来る。

上記した出発物質の中水素原子を含むノ・ロゲン化硅素
化合物は、補助層形成の際に層中にノ・ロゲン原子（３
）の導入と同時に電気的或は光電的特性の制御に極めて
有効な水素原子（ハ）も導入されるので、本発明におい
ては好適なハロゲン原子００４人用の出発物質として使
用される。

本発明において補助層を形成する際に使用されるハロゲ
ン原子囚導入用の原料ガスとなる有効な出発物質として
は、上記したものの他に、例えば、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ　＊　ＣＩＦ　＋　Ｃ
ＩＦ、、　Ｂｒｌ＋”、、　ＢｒＦｌ＊　ＩＦ’ｓ、　
ＩＦ、。

ｌＣＩ　＊　ｌＢｒ１ｌ）　Ｏ”　−ゲン関化合物、）
ｆｉｒ’　、　Ｈ（Ｊ　、　ｋ化ｒｅＨＩ等の・・−ゲ
ン化水素を挙けることが出来る。

電荷注入防止層中に第■族原子を構造的に導入するには
、層形成０ａｌｌに第■族原子導入用の出発物質をガス
状態で堆積室中に、電荷注入防止層を形成する為の他の
出発物質と共に導入してやれば良い。この様な第■族原
子導入用の出発−質と成抄得るものとしては、常温常圧
でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用されるのが望ましい。

その様な第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的に
は、燐原子導入用としては、Ｐ）（、、Ｐ、）ｌ。

勢の水素化燐ａ　　ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ、、　ＰＦ、、
　ＰＣｌ５．　ＰＣｊ、、ＰＢｒ、。

ＰＢｒ＠＊　ＰＩｍ　＊のハロゲン原子、が挙げられる
。

この他、ＡｓＨ，、ＡｓＦＢｔ人５ＩＣ１，、ム５Ｂｒ
ｌ、ムｓＦ、、８ｂＨ１゜８ｂＦ、、　ＳｂＦ、、　５
ｂＣ１，、８ｂＣｌｌ、　Ｂム鵬、　Ｂ１Ｃｌ、、　Ｂ
１Ｂｒ。

等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
げることが出来る。

本発明に於いては電荷注入防止特性を与える為に電荷注
入防止層中に含有される第■族原子は電荷注入防止層の
層厚方向に実質的に平行な面（支持体の表向に平行な面
）内及び層厚方向に於いては、実質的に均一に分布され
るのが良いものである。又、スパッタリング法で電荷注
入防止層を形成する場合には、例えばムｒ、Ｈｅ等の不
活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰
囲気中でＳｉで構成されたターゲットをスパッタリング
する際、第■族原子導入用Ｏｊ［料ガスを、必要に応じ
て水素原子日導入用の又は／及びハロゲン原子（４）導
入用の原料ガスと共にスパッタリングを行う真空堆積室
内に導入してやれば良い。

本発明に於いて、電荷注入防止層中に導入される第Ｖ族
原子の含有量は、堆積室中に流入される第Ｖ族原子導入
用の出発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー、支
持体温度、堆積室内の圧力等を制御することによって任
意に制御され得る。

本発明に於いて、電荷注入防止層をグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えばＨ＠　、　Ｎｅ　、　Ａ
ｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於いて、ａ−８ｉ　（Ｈ，ｘ戻構成される非晶
質ｍ（１）を形成するには例えばグロー放電法、スパッ
タリング法、或は、イオンブレーティング法等の放電現
象を利用する真空堆積法によって成される。例えば、グ
ロー放電法によって、ａ−８！（Ｈ，Ｘ）で構成される
非晶質層（１１を形成するには、基本的にはシリコン原
子（Ｓｉ）を供給し得る８ｉ供給用の原料ガスと共に、
水素原子３勺導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に尋人
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置されである所定の支持体表面上にａ−８４（Ｈ
，Ｘ）から成る層を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガスの雰囲気中で８ｉで構成されたターゲット
をスパッタリングする際、水素原子幀又は／及びノ・ロ
ゲン原子凶導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に
導入してやれば良い。

本発明に於いて、必要に応じて非晶質層（１）中に含有
されるハロゲン原子（３）としては、電荷注入防止層の
場合に挙げたのと同様のものを挙げることが出来る。

本発ＱＱＫ於いて非晶質層（１）を形成する際に使用さ
れる８ｉ供給用の原料ガスとしては、電荷注入防止層に
就で説明する際に挙げたＳｉＨ４，＆！晶。

８　ｋ　８Ｈ＠　ｐ　Ｓ　Ｓ　４Ｈ１６等のガス状態の
又はガス化し得る水嵩化硅倉゛（７ラン類）が有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業の扱い
易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ，、８ｉ！Ｈ
，が好ましいものとして挙げられる。

本発明に於いて非晶質層（１）を形成する場合に使用さ
れるハロゲンｊＩｉ′子導入用の原料ガスとして有効な
のは、電荷注入防止層の場合と同様に多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ノ・ロゲン化物
、・・ロゲン関化合物、・・ロゲンで置換されるシラン
誘導体郷のガス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物
が好ましく挙けられる。

又、更にはζシリコン原子（８ｉ）とハロゲン原子（４
）とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして本発明
に於いては挙げることが出来る。

本発明に於いては、非晶質層（Ｉｌには、伝導特性を制
御する物質を含有させることにより、該層の伝導特性を
所望に従って任意に制御することが出来る。この様な物
質としては、所謂、半導体分野で云われる不純物を挙け
ることが出来本発ｇＡＫ於いては、形成される非晶質層
（１）を構成するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）に対してＰ聾伝導
特性を与えるＰｆｉ不純物、具体的には、周期律表第厘
族に属する原子（第厘族原子）、例えばＢ（硼素）、Ｍ
（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、、、ＩＫｌ（イ
ンジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、　殊に好適に
用いられるのは、Ｂ、　Ｇａである。

本発明に於いて、非晶質層（１）に含有される伝導特性
を制御する物質の含有量は、諌非晶質層（１）に要求さ
れる伝導特性、或は該層（１）に直に接触して設けられ
る他の層の特性や、該層の層との接触界面に於ける特性
との関係、等、有機的関連性に於いて、適宜選択するこ
とが出来る。

本発明に於いて、非晶質層（Ｉｌ中に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量としては、通常の場合、０．
００１〜１０００１０００ａｔｏ　、好適には０．０５
〜５００　ａｔｏｒｎｊｃ　ｐ　、最適には０．１〜２
００　ａ　ｔｏｒｎｉ　ｔ；−とされるのが望ましいも
のである。

非晶質層中に伝導特性を制御する物質、例えば第厘族原
子を構造的に導入するには、層形成の際に第厘族原子導
入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、非晶質層を形
成する為の他の出−発物質と共に導入してやれば良い。

この様な第厘族原子導入用の出発物質と成り得る４のと
しては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第１族原子導入用の出発物質として具体的
には硼素原子導入用としては、ＢＩＨ＠、　Ｂ４Ｈｍ、
　ＢＩＨ＊、　ＢＩＨＩＩ、　ＢｓＨｉｏ、　Ｂ６Ｈｔ
ｔ、　ｎ、Ｈ，等の水素化硼素、　ＢＰ、、　ＢＯＪ、
、　ＢＢｒ、等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他＊　ＡＪＯＪＩ、　Ｇａ（ＧＨ，）１．　Ｉｎ０４．
ＴＪＱ＆等も挙げることが出来る。

本発明に於いて、形成される光導電部材の電荷注入防止
層非晶質層（１）中に含有される水Ｘ原子ＩＯ量又は・
・ログン原子（３）の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜４０ａｔｏｍｉｃ％
、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しい。

電荷注入防止層又は、非晶質層（Ｉ）中に含有される水
素原子（転）又Ｆｉ／及びハロゲン原子Ｎの量を制御す
るには、例えば支持体温度又は／及び水素原子０、或は
ハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物
質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御して
やれば良い。

本発明に於いて、非晶質層（Ｉ）をグロー放電法で形成
する際に使用さｎる稀釈ガス、＊はスパッタリング法で
形成される際に使用されるスパッタリング法のガスとし
ては、所謂稀ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ＋　Ａｒ　　
等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於いて、非晶質層（１）の層厚としては、作成
される光導電部材に要求される特性に応じて適宜決めら
れるものであるが、通常は、１〜１００μ、好ましくは
１〜８０μ、最適には２〜５０　μとされるのが望まし
いものである。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の非
晶質層（１）　１０４上に形成される第二Φ非晶質層（
組１０５は自由表面１０６を有し、主に耐湿性！連続繰
返し使用特性、耐圧性、使用環境特性ｐ耐久性に於いて
本発明の目的を達成する為に設けられる。

又、本発明に於いては、第一の非晶質層（ｒ）１０２と
第二の非晶質層（１）　１０５とを構成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有してい
るので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分
成されている。

第二の非晶質層（１）１０５は、シリコン原子と炭素原
子とノ・ロゲ／原子囚とで構成される非晶質材料（ａ　
　（５ＩＸＣ１−Ｘ）　ｙ　ＸＩ　ｙ　ｖ　　但し０＜
ｘ。

ｙく１〕で形成される。

ａ　　（８ｉｘＣ＊−ｘ）ｙＸｓ−ｙ　で構成される第
二の非晶質層（組の形成はグロー放電法、スパッタリン
グ法、イオンプランテーシｌン法、イオンプレーティン
グ法、エレクトロンビーム法等によって成される。これ
勢の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製
造規模、作製される光導電部材に所望される特性等の要
因によって適宜選択されて採用されるが、所望する特性
を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比
較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及びハロ
ゲン原子を、作製する第二の非晶質層（１）中に導入す
るのが容易に行える等の利点からグロー放電法或はスパ
ッターリング法例好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の非晶質層（１
）　を形成しても良い。

グロー放電法によって第二の非晶質層（１）を形成する
には、ａ　　（８ｉｘＣｓ−ｘ）ｙＸｓ−ｙ形成用の原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導
入し、尋人されたガスを、グロー放電を生起させること
でガスプラズマ化して、前記支持体上に既に形成されで
ある第一の非晶質層（１３上にａ　−（８１Ｘ　Ｃ＠　
−Ｘ）　ｙＸｌ　−ｙ　を堆積させれば良い。

本発明に於いて、畠−（８ｊｘＣｘ−ｘ　）ｙＸｔ　−
ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓｉ）、
炭素原子（ｑ、・・ロゲン原子凶の中の少なくとも１つ
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質を
ガス化したものの中の大概のものが使用され得る。

ｓｔ　、　ｃ、　ｘの中の１つとして８ｉを構成原子と
する原料ガスを使用する場合は、例えば８ｉを構成原子
とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｘ
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は８４を構成原子とする原料ガスと、Ｃ
及びｘｔｍ成原子とする原料ガスとを、これも又所望の
混合比で混合するか、或はｓｓｔｆｒｇ成原子とする原
料ガスと、Ｓｔ、　Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、別とＸとを構成原子とする原料ガスにＣｔ
−構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の非晶質層（７）中に含有される
ハロゲン原子（２）として好適なのはｙ、ｃｔ。

Ｂｒ　、　Ｉであシ、殊にｙ　、　ｃｔが望ましいもの
である。

不発明に於いて、第二〇非晶質層（［）は、ａ　−（８
ｓ　ｚＣｓ−エ）ｙＬ−１で構成されるものであるが、
更に水嵩原子を含有させることが出来る。

第二の非晶質層（１）への水嵩原子の含有は、第一の非
晶質層（１＞との連続膚形成の際に原料ガス櫨の一部共
通化を計ることが出来るので生産コスト面の上で好都合
である。

不発明に於いて、第二の非晶質層（ｌｌ）を形成するの
に有効に使用される原料ガスと成多得るものとしては、
常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得
る物質を挙げることが出来る。

この様な第二の非晶質層ｌ形成用の物質としては、丙え
は炭Ｘａｌ〜４の飽和炭化水素、炭素数２−４のエチレ
ン系電化水嵩、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素、
ノ・ロゲン早に、ノ・ロゲン化水嵩、ノ・ロゲン関化合
物、ノ・ロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅嵩、水嵩
化硅素等を挙げる事が出来る。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨａ）、
エタン（ＣｔＨａ）　、プロパン（Ｃ，ル）、ｎ−ブタ
ン（鳳−Ｃ４Ｍｌ・）、ペンタン（Ｃ，玩、）、エチレ
ン系炭化水素としては、エチレン（ｃｍＨ４）　、プロ
ピレン（Ｃａｎｓ）　、ブテン−１（Ｃ４ＨＩ）　、ブ
テン−２（Ｃ４Ｌ）。

インブチレン（Ｃ４Ｌ）　、ペンテン（ｃｔａ、ｏ）、
アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ，Ｈｌ
）。

メチルアセチレン（ｃｓＨ４）、ブテン（ＣａＨｓ）　
、　”ロゲン単体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
索のハロゲンガス、ハロゲン化水本としては、Ｑ　、　
ＨＩ　、　Ｈ（）、　ＨＢｒ　、ハロゲン間化合物とし
ては、ＢｒＦ　ｒ　ＣＩＦ　ｒ　ＣｌＦ５　、　ＣＡＦ
ｓ、　ＢｒＦｓｔ　ＢｒＦ５　ｒＩＦｙ　＋　ＩＦｓ　
、ＩＣｊ　ｅ　ＩＢｒ　”　ロゲン化硅素としては５ｉ
Ｆａ　ｓ　５ｉｔＦａ　＋　８１Ｃ４、５ｉＣ４Ｂｒ　
＊　８ｉＣｔｔＢｒｔ　。

５ｉＣｔＢｒｓ　−ＳｉＣムＩ　、　５ｉＢｒａ　ｔ　
”ロゲン置換水嵩化硅素としては、５ｔＬＦｔ　＋　５
ｉＨｔＣ４、５ｉｎ（ス１゜５ｉＨｓＣｔ、　５ｉＨｓ
Ｂｒ　、　８ｉＬＢｒｌ　、　５ｉＨＢｒｓ　＋水嵩化
硅嵩としては、５ｘＨ４ｐ　Ｓｓｘ賜ｇ　５ｉ４Ｈ＋ｏ
等のシラン（Ｓム１ａｎｅ　）　ＦｊＣ等々を挙けるこ
とが出来る。

これ等の他に、ＣＣ４、Ｃ山゛３．Ｃ山Ｆ！、　Ｃ１（
、Ｆ　。

ＣＡｓＣ１、ＣＨａＢｒ　、　ＣＨ，Ｉ　、　Ｃ，Ｈａ
ＣＬ等のハロゲン置換パラフィン系炭化水素、　ＳＦ４
．　ＳＦａ等のフッ素化硫黄化合物、　５ｔ（Ｃ山）ａ
　ｖ　Ｓｉ　（ＣＪＩ）４　、等のケイ化アルキルやＳ
ｉＣ本’ＣｔＬ　）ｓ　、　Ｓ　ｉｃ４　（ＣＨＪ）ｔ
　＊　８　ｔｃｔｓｃＨｓ等ノハロゲン含有ケイ化アル
キル等のシラン誘導体も有効なものとして挙けることが
出来る。

これ勢の第二の非晶質層（Ｉ［）形成物質は、形成され
る第二の非晶質層（１０中に、所定の組成比でシリコン
氷子、炭素原子及びハロゲン原子と必貴に応じて水嵩原
子とが含有される様に、第二の非晶質層（Ｉｔ）の形成
の際に所望に従って選択されて使用される。

両えは、シリコン原子と炭水原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層１　　　が形成され
得る８　ｊ　（Ｃｔｉｍ　）４と、ハロゲン原子を含有
させるものとしてのＳｉ［コｔｍ　ａ　５ｉＨｔＣ４、
５ｉＣ４＋或いは８１ｉｆａｃｔ等を所定の混合比にし
てガス伏線で第二の非晶質層（１）形成用の装置内に導
入してグロー放電を生起させることによってａ−（Ｓ　
ｉｘｃ＋−ｚ　）　ｙ　（ＣＬ　＋Ｈ）ｔ−ｙから成る
第二〇非晶質層（ＩＤを形成することが出来る。

スパッターリング法によって第二の非晶質層０ｔ−形成
するには、単結晶又は多結晶のＳｉつニーバー又はＣウ
ェーハー又はＳｔとＣが混合されて含有されているウェ
ーハーをターゲットとして、これ等をハロゲン原子と必
要に応じて水嵩原子を構成要素として含む種々のガス雰
囲気中でスパッターりングすることによって行えば＾い
。

調えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＸを導入する為のに％ガスを、必ｉＫ応じて稀釈
ガスで稀釈して、スバッメー用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｌウェーハ
ーをスパッターリングすれば嵐い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣｏ混合した一枚のターゲット１に使用するこ
とによって、少なくともハロゲン原子を含有するガス雰
囲気中でスパッターリングすることにより−Ｃ成される
。Ｃ及びＸ、必要に応じてＨ（Ｄ尋人用の原料ガスとな
る物質としては先述したグロー放電の例で示した第二の
非晶１ｉｋ４１Ｊｉ）形成用の物質がスパッターリング
法の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、第二の非晶質層（釦をグロー放′ｄ１
法又はスパッターリング法で形成する際に使用される稀
釈ガスとしては、所ｉｉ４・希ガス、（／ＩｌえばＨ・
ｔ　Ｎｅ　を人ｒ等が好適なものとして挙げることが出
来る。

本発明に於ける第二の非晶質層（Ｉ［）は、その要求さ
れる特性が所望過プに与えられる様に注意深く形成され
る。

卸ち、Ｓｔ、Ｃ及びＸ、必要に応じて■を構成原子とす
る物質は、その作成条件によ−て構造的には結晶からア
モルファスまでの形態を取シ、電気物性的には、導電性
から半導体性、絶縁性までの閾の性質を、又光導電的性
質から非光導電的性質までの間の性質を、各々示すので
本発明に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ
−（５ｌｘＣ８ｘ　）　ｙＸｓ　ｙが形成される様に、
所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。

例えは、第二の非晶質層（ＩＩ）ｔ−耐圧性の向上を主
な目的として設けるには’−（Ｓｉｘ　Ｃ，ｘ　）　ｙ
Ｘ３−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の編著な
非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の非晶質層（シが設けられる場合には上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される
光に対しである程度の感度を有する非晶質材料として＆
　−（８１ｘＣ１−、）　、ん−、が作成される。

第一の非晶質層（１）の表面にａ−（５ｉｚＣｓ−ｚ）
ｙ−Ｘ−７から成る第二の非晶質層（Ｉ）を形成する綜
、層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であって、本発明に於いては、
目的とする特性を有するａ　−（ＳＩＸＣ，−ｘ）ｙＸ
Ｊ−７が所望通シに作成され得る禄に層作成時の支持体
温度が厳密にｉｉ制御されるのが孟ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（【の形成法に併せて適宜ｊｌｔｊ軸囲
が選択されて、第二の非晶質層（１）の形成が奥行され
るが、通常の場合、５０〜３５０℃、好適には１００〜
２５０℃とされるのが望ましいものである。第二の非晶
質層■の形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な
ｉＩ４制御やＭｌ厚の制御が他の方法に較べて比較的容
易である拳等の為に、グロー放電法やスパッターリング
法の採用が有利であるが、これ等のｊ−形成法で第二〇
非晶質層（［）を形成する場合には、前記の支持体温度
と同様に層形成Ｏ際の放電パワーが作成されるａ　　（
８ｉｚＣ＋−、ｘ）ｙＸＩ−ｙの特性を左右する１簀な
因子の１つである。

不発１ｊｉｉＫ於ける目的が達成される為の特性を有す
るａ　　（ＳｉｚＣｚ−８）ア４、が生腫性良く効果的
に作成される為の放電パワー条件としては通常１０〜３
００Ｗ、好適には２０〜２００Ｗである。

堆積室内のガス圧は通常は０．０１〜１　’ｌ’ｏｒｒ
　、好適には、０．１〜０．５　’ｌ’ｏｒｒ程度とさ
れるのが望ましい。

本発明に於いては第二の非晶質層ＣＩ）　を作成する為
の支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前
記した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファク
ターは、独立的に別々に決められるものではなく、所望
特性のａ　−（ＳＩＸＣＩ−エ）、Ｘ、□から成る第二
の非晶質層（ＩＤが形成される様に相互的有機的関連性
に基づいて各層作成ファクターの最適値が決められるの
が望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層■に含有さ
れる炭素原子及びハロゲン原子の量は、第二の非晶質層
（１）の作成条件と同様、本発明の目的を達成する所望
の特性が得られる第二の非晶質層（釦が形成される＊＊
な因子である。

本発明に於ける第二の非晶質層ｆｌＤＫ含有される炭Ｘ
原子の量は通常ｌＸｌ０　”〜９０ａｔｏｍｉｃ　Ｘ。

好適にはｌ　〜９　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ、最適には１
０〜８０ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましいもので
ある。））ロゲン原子の含有量としては、通常の場合、
１〜２０　ａｔｏｍｉｃ　％好適には１〜ｌ　ｇ　ａｔ
ｏｍｉｃ　Ｘ　、最適には２〜ｘ　ｓ　ａｔ−ｃ％とさ
れるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含有量
がある場合に作成される光導電部材を実際面に充分適用
させ得るものである。必要に応じて含有される水素原子
の含有量としては、通常の場合１９　ａｔｏｒｎｉｃ％
、好適には１３　ａｔｏｍｉｃ　ｘ以下とされるのが望
まＬい４ｈＣ）でＬる。卸ち先の’　　（８１］ＣＣ１
！　）　ｙ　；　ｘ−アＯｘ　、　ｙｆｔｃ示で行えば
Ｘが通常０．１〜０．９９９９９゜好適には０．１−０
．９９．最適には０．１５〜０．９．７が通常０．８〜
０．９９．好適には０．８２〜０．９９で最適には０．
８５〜０．９８あるのが望ましい。ハロゲン原子と水素
原子の両方が含まれる場合、先と同様０ＩＬ−（８ムｘ
ｃｒ　−ｘ　）　ｙ　（Ｈ十Ｘ　）ｔ−ｙの表示で行え
ばコノ場合ｏｘ　、ｙの数値範囲ａ　　（Ｓ　ｉ　ｚ　
Ｃｓ−ｚ　）　ｙＸｔ−３’の場合と、略々一様である
。

本発明に於ける第二の非晶質層（ｉ［ｌの層厚の数範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子の
１つである。

本発明の目的を効果的に達成する嫌に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

また、第二の非晶質層ｌの層厚は、第一の域１０１の層
厚との関係に於いても、おのおのの層領域に要求される
特性に応じた有機的な関連性基の下に所望に従って過一定される必要がるる。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

不発明に於ける第二の非晶質層（２）の層厚としては、
通常０．００３〜３０μ、好適には０．００４〜２０μ
ｌ最適には０．００５〜ｌＯμとされるのが望ましいも
のである。

本発明に於いて使用される支持体としては、４１を性で
も電気絶縁性であ−ても良い。導電性支持体としては、
飼えば、ＮｉＣｒ＋ステンレス。

ＡＬｒＣｒ、Ｎｉｏ、ムｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ホリエチレン、ボリカーボ＄−）　、セルロースアセテ
ート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

スセｔｉｔり２紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
見通され、該導電見場された表面側Ｋｍの層が設けられ
るのが望ましい。

飼えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ムｔｌｃｒ、ＭＯ，ムｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、’Ｔ
ｉ＊ＰｔｗＰｄ＋Ｉ！１ｍｏｓ　ｌ　５１１０ｍ　ｐ　
ＩＴＯ（ＩｎｔＯｓ　＋８ｎＯｔ　）　’Ｉから成る薄
膜を設けることによって導電性が付与され、或いはポリ
エステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎｉ
Ｃｒ　＃　Ｊｕ　ｔムｇ、Ｐｂ、ＺｎｔＮｉｐムＵ。

Ｃｒ　＊　Ｍｏ　ｔ　Ｉ　ｒ　＋　Ｎｂ　ｅＴａ　＋　
ｖ＋　’ｒｉ　、　ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電
子ビーム蒸着、スパッタリング篭でその表面に般社、又
は前記金属てその表面をラミネート処理して、そｏｆｊ
ｃ面に導電性が付与される。支持体Ｏ形状としては、円
筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、ＰｆＴ望に
よって、その形状は決定されるが、飼えは、第１図の光
導電部材１００を電子写真用像形成部材として使用する
のであれば連ＭＡ適複写の場合には、無端ベルト状又は
円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所舅通如
の光導電＃＃が形成される様に適宜決定されるが、光導
電部材として可傭性が要求される場合には、支持体とし
て機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限シ薄く
される。向乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とさ
れる。

第２図には、不発明の光導電部材の他の好適な実ａｍ様
岡の層構成が示される。

第２図に示される光導電部材２００が、第１図に示され
る光導電部＃１００と異なるところは、１荷注入防止層
２０３と光導電性を示す第一の非晶質層（１）　２０５
との閾に上部補助層２０４を有することである。

即ち、光４電部材２００は、支持体２０１、該支持体２
０１上に順に積層された、下部袖助階２０２、ＩＩｔ＃
注入防止層２０３、上部補助層２０４、第一〇非晶質層
（１）　２０５及び第二の非晶質層Ｉｔ）　２０６とを
具備し、非晶質層（１）　２０４！は自由表面２０７を
有する。

上部補助層２０４は、電萄注入防止層２０３と非晶質ｊ
ｌｌ＜１）　２０＆　トＯｇ（Ｄ＠＠を強固にし、両層
の接触界面に於ける電気的接触を均一にしていると同時
に、を荷注入防止層２０３の上に直に設けることによっ
て電萄注人防止層２０３０層質を強靭なものとしている
。

第２図に示される光導電部材２００を構成する上部補助
層２０２及び上部補助層２０４は、第１図に示した光導
電部材１００　ｔ−構成する補助層１０２０場合と同様
の非晶質材料を使用して、同様の特性が与えられる様に
同様な層作成手順と条件によって形成される。

電性注入防止層２０３及び非晶質層（１）　２０５　、
非晶質層（１）　２０６も、夫々！Ｉｉ図に示す電衡注
入防止層１０３、非晶質層（１）　１０４、非晶質層（
釦１０５の夫々と同様の特性及び＊能を有し、第１図の
場合と同様な層作成手職と条件によって作成される。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一岡を図に従って
説明する。

第３図に光４導電部材の製造装置の−りを示す。

図中０３０２〜３０６のガスボンベにハ本発明の夫々Ｏ
ａｔ形成するために使用されるガスが書封されており、
そのＩＮとして、九とえば、３０２はＨｅで稀釈された
ＳｉＨ４ガス（純度９’２．９９９Ｎ、以下Ｓ　ｉＬ／
Ｘｉ・と略す。）ボンベ、３０３はＨｅで稀釈されたＰ
Ｈ，ガス（純度９９．９９９ｊｌｉ’以下ＰＥ−１，ｌ
Ｈｅと略す。）、３０４はＮＨ，ガス（純度９９．９９
Ｎ）かＮ、ガス（純度９９．９９　Ｎ　）か又は、ＣＩ
Ｌガス（純！ｉ！　９９．９９　Ｎ　）のボンベ、３０
５はムｒガス（純度９９．９９９％）ボンベ、３０６は
Ｈｅで稀釈されたＳｉＦ４ガスＣ純度９９．９９９Ｎ’
、以下３ｉｌｉ’４／ｌｉｅと略す）ボンベである。

３４２−１　、３４２−２はスパッター用のターゲット
であって、その種類は、形成する層に併せて、適宜選択
されて使用される。

前記の種々のガスを反応室３０１に流入されるにはガス
ボンベ３０２〜３０６のパルプ３２２〜３２６、リーク
パルプ３３５が閉じられていることを確認し、又、流入
バルブ３１２〜３１６、ｆｆ１ｊｔｌパルプ３１７〜３
２１１補助バルブ３３２が開かれていることを確認して
先ずメインパルプ３３４ヲ開いて反応室３０１及びガス
配管内ｔ−排気する。

次に真空針３３６Ｃ）ＭＬみが５Ｘ１０’ＴｏｒｒＫな
りえ時点で、補助パルプ３８２、流入パルプ３１２〜３
１１１１流出パルプ３１７〜３２１を閉じる。

その後、反応室３０１内に導入すべきガスのボンベに接
続されているガス配管のバルブヲ所定通〕操作して、所
望するガスを反応室３０１内に導入する。

次Ｋａｇ１図に示す構成と同様の構成の光導電部材を作
成する場合の一鍔の概略を述べる。

所定の支持体３３７上に、先ず補助層をスパッタリング
法によりて形成するＫは、先ず、シャツ）−３４２ｔＮ
＜。すべてのガス供給バ／ｌ／　ブ（は、一旦閉じられ
、反応室３０１はメインパルプ３３４を全開することに
ょ如、排気される。篇圧電力が印加される電極３４１上
に尚純度シリコンウェハ３４２−１、及び高純度窒化シ
リコンウェハ３４２−２が＆ｕのスパッメー面積比率で
ターゲットとして設置されている。

ガス導Ｚべ３０５よ〕Ａｒガスをガスボンベ３０６ヨＪ
）　５ｉＦａ／）（ｅガスを必要に応じてガスボンベ３
０４よ如Ｎ、ガスか又は賜ガス七夫々所定のパルプを操
作して反応室３０１内に導入し、反応室３０１の内圧が
０．０５〜ｌ　Ｔｏｒｒとなるよう、メインパルプ３３
４の開口を調整する。高圧電源３４０をＯＮとし、シリ
コンクエバ３４２−１．窒化シリコンウェハ３４２−２
とを同時にスパッタリングすることによシ、シリコン原
子、ハロゲン原子、窒素原子よ〉なる非晶質材料で構成
された補助層を支持体３３７上に形成することが出来る
。′４助層中に含有される窒素原子量は、シリコンウェ
ハと窒化シリコンウェハのスパッター面構比率やＮ！ガ
スを導入する際には、凡ガスの＊Ｊｔ比を調整すること
で所望に従って制御することが出来る。又、ターゲット
の作成のＩＩＫシリコン粉末の５ｆｓＮａ粉末の混合比
を変えることでも行うことが出来る。こＯＩＩに層形成
中は、支持体３３７は、加熱ヒータ３３８によって所望
の＠度に加熱される。グロー放電法によって、補助層を
形成する場合には、的えは、ＳｉＦ４／）ｉ・ガスとＮ
１ガス又は凪ガスと、必要に応じてＳ　ｔＬ／ｉｌｅガ
スとｔ夫せることで所望厚の補助層【形成することが出
来る。補助層中Ｏｉｌ嵩原子の含有量は、使用ガスのａ
ｍ比を一豊することによって任意に制御出来る。

次に、前記の補助層上に電封注入防止層を形成する。−
助層の形成終了後、電＃　３４０　ｔ　ＯＦＦにして放
電を中止し、一旦、装置のガス導入用の配管の全系のパ
ルプを閉じ、反応室３０１内に残存するガスを反応７１
３０１外に排出して所定の真空度にする。

そｏ猿、シャッター３４２を閉じ、ガスボンベ３０２　
ヨＤ　５ＬｋＬ／Ｈｅガスｔ１ガスボ／へ３０３よシｐ
ａｙ’Ｈｅガスｔ１夫々パルプ３２２　、　ａｉａ夫々
關いて、出口圧ゲージ３２７　、３２８　Ｏ圧を１４／
−に調整し、流入バルブ３１２　’、　３１３を徐々に
開けてマスフロコントローラ３０７　、３０８　内に夫
々流入させる。引き４続いて流出パルプ３１７　、３１
８、補助パルプ３３２を徐々に開いて夫々のガスを反応
室ａｏｌＫｍ人させる。このときのＳ　ｉＨａ／）（＊
ガス流量、Ｉ％／Ｈ・ガス流量の夫々の比が所望の値に
なるよう流出パルプ３１７　、３１８　ｔｌｉｉｌｌＩ
Ｌ、まえ、反応室、。、内。圧力が所望。値ｆ！ｔｋｉ
よ、に真空計３３６の読みを見ながらメインパルプ３３
４の開口を調整する。そして支持体３３７の温度が加熱
ヒーター３３８によシ５０〜４００　ｔ？：の範囲の温
度に設定されていることが確認され丸後、電源３４０を
ＯＮにして所望の電力に設定し反応室３０１内にグロー
放電を生起させて支持体３３７上に電荷注入防止を形成
する。電性注入防止層上に設けられる、光導電性を示す
非晶質層（Ｉ）の形成は、岡えばボンベ３０２内に充填
されている３　ｉ［４／Ｈｅガスを使用し、前記し九電
荷注入防止層の場合と同様の手順によって行うことが出
来る。

非晶質層（１）の形成の際に使用される原料ガス慣とし
−Ｃは、８ｉＬガスの他に、殊に８ｉ童＆ガスが層形成
速度の向上を計る為に有効である。

第一〇非晶質層（１）中にハロゲン原子を含有さぜる場
合には上記のガスに、丙えばＳｉＦ＊／）ｉ＠を、史に
付加して反応＆　３０１内に送シ込む。

第一の非晶質層（１）上に第二の非晶質層Ｉを形成する
には、飼えば次の様に行う。まずシャッター３４２を關
く。すべてのガス供給パルプは一旦閉じられ、反応室３
０１は、メインパルプ３３４を全開することによシ、排
気される。

高圧電力が印加される電極３４１上には、予め＾Ｍｆシ
リコンウェハ３４２−１．及び為純度グラ７アイトウエ
ハ３４２−２が所望の面積比率で設置され丸ターゲット
が設けられている。ガスボンベ３０６より　Ｂ　ｉＦ４
／１１ｅガスを１反応室３０１内に導入し、反応ｊｉｉ
［３０１の内圧が０．０５〜Ｉ　Ｔｏｒｒとなるようメ
インパルプ３３４をａｍする。＾圧電源をＯＮとし上記
のターゲットをスパッタリングすることにより、第一の
非晶質層（１）上に第二〇非晶質層（［）を形成するこ
とが出来る。

第二の非晶質層ｌを形成する他の方法としては、第一〇
非晶質層（１）の形成ｏ１１と同様なパルプ操作によっ
てガえは、ＳｉＨ４ガス、ＳｉＦ、ガス、Ｃｔルガスの
夫々を必要に応じてＨ＠等の稀釈ガスで稀釈して、所望
の流量比で反応室３０１中に流し所望の条件に従ってグ
ルー放電を生起させることによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは頁うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応＊
　ａｏ１内、流出パルプ３１７〜３２１から反応室３０
１内に至るガス配管内に残留することを避けるために、
流出パルプ３１７〜３２１【閉じ補助パルプ３３２Ｖｃ
開いてメインパルプ３３４を全開して系内金一旦高真を
に排気する操作を必要に応じて行う。

躯二の非晶質層（ｉＤ中に含有される縦素原子のと量は例えば、ＳｉＨ，ガス奉、Ｃ７Ｈ４ガスの反応室３
０１内に導入される流量比を所望に従って変えるか、或
いは、スパッターリングで層形成する場合には、ターゲ
ットを形成する際シリコンウェハとダ５ファイトク菩ハ
のスパッタ面積比率を変えるか、又はシリコン粉末とグ
ラファイト粉末の混合比率を変えてターゲットを成蓋す
るととによって所望に応じて制御することが出来る。第
二の非晶質層（［）中に含有されるハロゲン原子■の量
は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、例えば８　ｉ　ｉ
ｔ”、ガスが反応＊　３０１内に導入される際の流量を
調整することによって成される。

実施ガ１第３図に示した製造装置により、アルミニウム基板上に
、以下の条件で層形成を行った。

こうして得うれ九像形成部材ｔＶ電富光現像装置に設置
し、θ５０で０．２１１Ｃ間コロナ帯電を行い直ちに光
像を照射した。光源はタングステンランプを用い、１．
０Ｌｕｚ−鱈の光量を、透過盤のテストチャートを用い
て照射した。

その後直ちに■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）′ｔ一部材表面をカスケードすることによって、部
材表面上に良好なトナー画ａｔ得た。

このようにして得られ九トナー１＃ヲ、一旦ゴムブレー
ドでクリーニングし、再び上記作像、クリーニング工程
を繰り返した。繰９返し回数１５万同以上行っても、画
像の劣化は見られなかつた。

実施的２第３図に示した製造装置により１．す基板上に以下の条
件で層形成を行った。

その他の条件は実施的１と同様にして行った。

こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装置に設置
し、θ５ａで０．２紅間コロナ帯電を行い、直ちに光像
を照射した。光源はタングステンランプを用いＮ　　Ｌ
　ＯｔｕＸ　”　Ｓｅｃの光量を透過型のテストチャー
トを用いて照射した。

その後直ちに■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）を部材表面をカスケードすることによって、部材表
面上に良好なトナー画像を得え。

このようにして得られたトナー像を−Ｈゴムブレードで
クリーニングし、再び上記作像、クリーニング工程を繰
夛返した。１ｉＪ４シ返し回数ｌＯ万回以上行っても画
像の劣化は見られなかった。

実＃ＩＩ列３第３図に示した装置ｉＫより、Ａｊ基板上に以下の条件
で層形成を行った。

その他の条件は、実施伺ｌと同様にして行った。

こうして得らｎた像形成部材を帯電＊ｊｔ、＃Ｌ儂装置
に設置し、（９５ｋＶでα２ｓｅｃ間コロナ放電を行い
、直ちに光像を照射した。光源はタングステンランプを
用いｓ　　１．Ｏｊｕｘ　−５ｅｃの光量を透過型のデ
ストチヤードを用いて照射した。

その後直ちに■荷電性の現譚剤（トナーとキャリヤを含
む）音部材表面をカスケードすることによって１部材表
面上ｖＬ黴度の極めて鵬い良好なトナー画１＃ｒ得た。

このようにして得らｎたトナー４ａを−Ｈゴムブレード
でクリー二／グし、貴び上記作像、クリーニング工程を
繰り返した。唸り返し回数１５万回以上行っても、−像
の劣化は見られなかった０実施例４非晶質層（厘）の層の形成時１．ＳｉＨ，ガス、ＳｉＦ
４ガス、Ｃ＊Ｈａガスの流量比を変えて、非晶質層（［
）に於けるシリラン原子と炭素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施例１と全く同様な方法によって像形成
部材を作成した。こうして得られた像形成部材につき実
施例ｌに述べ九如き作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰シ返した後、画像評価を行ったところ第４表
の如き結果を得九。

実施ガ５非晶質層ｌの層の層厚を変える以外は、実施例１と全く
同様な方法によつて像形成部材を作成した。実施列ｌに
述べ九如き、作像、現像、クリーニングの工程を繰シ返
し下記の結果を得た。

第５表実施丙６非晶質層（１）以外の層の層形成方法を下表の如く変え
る以外は、実ｊＩＩＩＡガｌと同、ａｉな方法で像形成
部材を作威し、実施ガｌと同様な方法で評価を行つたと
こる良好な結果が得られた。

実６　″　７．、ト非晶質層ｌの層の層形成方法を下表の如く変へえる以外は、実施的ｌと同様な方法で像形成部材を作成
し、実施ｆｓｌと同様な方法で評価を行っ九ところ、良
好な結果が得られた。

／″ 実施的８非晶質層１）を下記の如倉粂件によりてスパッタリング
法によって作成する以外は、実施ガ３と同様な方法で像
形成部材を作成し、実施的３と同様な方法で１ｆｉｉを
行ったところ、良好な結果が得られた。

７／′ ７／／／′ 実施的９実施的１，２，３，６．７に於いて、非晶質層（１）の
形成を以下の表の条件にした以外は、各実施的に於ける
条件及び手順に従って像形成部ｉｉｒを作成し、各実施
例に於けるのと同様の評価を行ったところ、良好な結果
が得られた。

／／７・′

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、夫々本発明の光導電部材の好適な
実施態様鍔の構成を示す模式的構成図、第３図は本発明
の光導電部材を製造する為の装置の一鉤を示す模式的説
明図である。１００．２００・・・光導電部材１０１、：！０１・・・支持体１０２．２０２，２０４・・・補助層１０３１．２０３・・・電荷注入防止層１０４．２０５
・・・非晶質層（１）１０５、！０６・・・非晶質層１１０６．２０７・・・自由表面３酎出願人　キャノン株式会社第１頁の続き０発　明　者　三角輝男東京都大田区下丸子３丁目３０番２号キャノン株式会１社内４９３−

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　　光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
体とし、構成原子としてノ・ロゲン原子と、３０　ａｔ
ｏｍｔｃ嗟までの窒素原子を含有する非晶質材料で構成
された補助層と、シリコン原子を母体とし、周期律表第
■族に属する原子を構成原子として含有する非晶質材料
で構成・され九電術注入防止層と、シリコン原子を母体
とする非晶質材料で構成され、光導電性を示す第一の非
晶質層と、前記第一の非晶質層上に、シリコン原子と嶽
素原子と／・ロゲン原子とを構成原子として含む非晶質
材料で構成された第二の非晶質層を有する事を％徴とす
る光導電部材。