JPH0473145B2 - - Google Patents
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- JPH0473145B2 JPH0473145B2 JP57034209A JP3420982A JPH0473145B2 JP H0473145 B2 JPH0473145 B2 JP H0473145B2 JP 57034209 A JP57034209 A JP 57034209A JP 3420982 A JP3420982 A JP 3420982A JP H0473145 B2 JPH0473145 B2 JP H0473145B2
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが総合的な特性向上を計る上で更に改良さ
れる余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレードを
用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子Ｈ又はハロゲン原子Ｘのいずれか一
方を少なくとも含有するアモルフアス材料、所謂
水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化アモル
フアスシリコン、或いはハロゲン含有水素化アモ
ルフアスシリコン〔以後これ等の総称的表記とし
て「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から構成され
る光導電層を有する光導電部材の層構成を以後に
説明される様な特定化の下に設計されて作成され
た光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すば
かりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあ
らゆる点において凌駕していること、殊に電子写
真用の光導電部材として著しく優れた特性を有し
ていることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用された場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真
特性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子Siを母体とし、構成原子として
窒素原子Ｎを含有する非晶質材料で構成された補
助層と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で
構成され、光導電性を示す第一の非晶質層〔ａ−
Si（Ｈ，Ｘ）〕とを有し、前記第一の非晶質層が、
構成原子として酸素原子を含有する第一の層領域
と、構成原子として周期律表第族に属する原子
を含有する第二の層領域とを有し、これ等は、少
なくとも互いの一部を共有して前記補助層に接し
て前記支持体側の方に内在されており、前記第二
の層領域の層厚をtBとし、前記第一の非晶質層の
層厚と第二の層領域の層厚tBとの差をＴとすれ
ば、tB／（Ｔ＋tB）≦0.4の関係が成立し、前記第
一の非晶質上に、シリコン原子と炭素原子とハロ
ゲン原子とを構成原子として含む非晶質材料で構
成された第二の非晶質層を有する事を特徴とす
る。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労繰返し使
用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靱であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、補助層１０２、
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成り、光導電性を示す第一
の非晶質層（）１０３及び第二の非晶質層
（）１０８を有する。 補助層１０２は、主に、支持体１０１と、非晶
質層１０３との間の密着性を計る目的の為に設け
られ、支持体１０１と非晶質層１０３の両方と親
和性がある様に、後述する特性を有する材質で構
成される。 本発明の光導電部材に於ける補助層は、シリコ
ン原子Siを母体とし、構成原子として窒素原子Ｎ
と、必要に応じて水素原子Ｈ、ハロゲン原子Ｘと
を含有する非晶質材料（以後「ａ−SiN（Ｈ，
Ｘ）」と記す）で構成される。 ａ−SiN（Ｈ，Ｘ）としては、シリコン原子Si
を母体とし窒素原子Ｎを構成原子とする非晶質材
料（以後「ａ−SiaN1-a」と記す）、シリコン原
子Siを母体とし、窒素原子Ｎと水素原子Ｈを構成
原子とする非晶質材料（以後「ａ−（SibN1-b）
cH1-c」と記す）、シリコン原子Siを母体と、窒
素原子Ｎとハロゲン原子Ｘと必要に応じて水素原
子Ｈとを構成原子とする非晶質材料（以後「ａ−
（SidN1-d）ｅ（Ｈ，Ｘ）1-e」と記す）とを挙げる
ことが出来る。 本発明において、必要に応じて補助層中に含有
されるハロゲン原子Ｘとしては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊に、フツ
素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 補助層を上記の非晶質材料で構成する場合の層
形成法としてはグロー放電法、スパツターリング
法、イオンインブランテーシヨン法、イオンブレ
ーテイング法、エレクトロンビーム法等が挙げら
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易で
ある、シリコン原子と共に窒素原子、必要に応じ
て水素原子やハロゲン原子を作製する補助層中に
導入するのが容易に行える等の利点からグロー放
電法或いはスパツターリング法が好適に採用され
る。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して補助
層を形成しても良い。 グロー放電法によつて、ａ−SiN（Ｈ，Ｘ）で
構成される補助層を形成するには、基本的にはシ
リコン原子Siを供給し得るSi供給用の原料ガスと
窒素原子Ｎ導入用の原料ガスと、必要に応じて水
素原子Ｈ導入用の又は／及びハロゲン原子Ｘ導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されてある所定の支持体表面
上にａ−SiN（Ｈ，Ｘ）からなる補助層を形成さ
せれば良い。 又、スパツタリング法で補助層を形成する場合
には、例えば次の様にされる。 第一には、例えばAr，He等の不活性ガス又は
これ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中
にSiで構成されたターゲツトをスパツタリングす
る際、窒素原子Ｎ導入用の原料ガスを、必要に応
じて水素原子Ｈ導入用の又は／及びハロゲン原子
Ｘ導入用の原料ガスと共にスパツタリングを行う
真空堆積室内に導入してやれば良い。 第二には、スパツタリング用のターゲツトとし
てSi3N4で構成されたターゲツトか、或いはSiで
構成されたターゲツトとSi3N4で構成されたター
ゲツトの二枚か、又はSiとSi3N4とで構成された
ターゲツトを使用することで形成される補助層中
へ窒素原子Ｎを導入することが出来る。この際、
前記の窒素原子Ｎ導入用の原料ガスを併せて使用
すればその流量を制御すること補助層中に導入さ
れる窒素原子Ｎの量を任意に制御することが容易
である。 補助層中へ導入される窒素原子Ｎの含有量は、
窒素原子Ｎ導入用の原料ガスが堆積室中へ導入さ
れる際の流量を制御するか、又は窒素原子Ｎ導入
用のターゲツト中に含有される窒素原子Ｎの割合
を、該ターゲツトを作成する際に調製するか、或
いは、この両者を行うことによつて、所望に従つ
て任意に制御することが出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
となる出発物質としては、Si2H4，Si2H6，Si3
H6，Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Si
供給効率の良さ等の点でSiH4，Si2H6が好ましい
ものとして挙げられる。 これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を
適切に選択することによつて形成される補助層中
にSiと共にＨも導入し得る。 Si供給用の原料ガスとなる有効な出発物質とし
ては、上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子Ｘ
を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で置換さ
れたシラン誘導体、具体的には例えばSiF4，Si2
F6，SiCl4，SiBr4等のハロゲン化硅素が好ましい
ものとして挙げることが出来る。 更には、SiH2F2，SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，
SiH2Br2，SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、
等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原子
を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な補
助層形成の為のSi供給用の出発物質として挙げる
事が出来る。 これ等のハロゲン原子Ｘを含む硅素化合物を使
用する場合にも前述した様に層形成条件の適切な
選択によつて、形成される補助層中にSiと共にＸ
を導入することが出来る。 上記した出発物質の中水素原子を含むハロゲン
化硅素化合物は、補助層形成の際に層中にハロゲ
ン原子Ｘの導入と同時に電気的或いは光電的特性
の制御に極めて有効な水素原子Ｈも導入されるの
で、本発明においては好適なハロゲン原子Ｘ導入
用の出発物質として使用される。 本発明において補助層を形成する際に使用され
るハロゲン原子Ｘ導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記したものの他に、例え
ば、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、BrF，ClF，ClF3，BrF5，BrF3，IF3，IF7，
ICl，IBr等のハロゲン間化合物、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素を挙げることが出
来る。 補助層を形成する際に使用される窒素原子Ｎ導
入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮ
とＨとを構成原子とする例えば窒素N2，アンモ
ニアNH3，ヒドラジンH2NNH2，アジ化水素
HN3，アジ化アンモニウムNH4N5等のガス状の
又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の
窒素化合物を挙げることが出来る。この他に、窒
素原子Ｎの導入に加えて、ハロゲン原子Ｘの導入
も行えるという点から、三弗化窒素F3Ｎ，四弗
化窒素F4N2等のハロゲン化窒素化合物を挙げる
ことが出来る。 本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はス
パツターリング法で形成する際に使用される希釈
ガスとしては、所謂、希ガス、例えばHe，Ne，
Ar等が好適なものとして挙げることが出来る。 本発明の補助層を構成するａ−SiN（Ｈ，Ｘ）
なる非晶質材料は、補助層の機能が、支持体と非
晶質層との間の密着を強固にし、加えてそれ等の
間に於ける電気的接触性を均一にするものである
から、補助層に要求される特性が所望通りに与え
られる様にその作成条件の選択が厳密に成され
て、注意深く作成される。 本発明の目的に適した特性を有するａ−SiN
（Ｈ，Ｘ）から成る補助層が形成される為の層作
成条件の中の重要な要素として、層作成時の支持
体温度を挙げる事が出来る。 即ち、支持体の表面にａ−SiN（Ｈ，Ｘ）から
成る補助層を形成する際、層形成中の支持体温度
は、形成される層の構造及び特性を左右する重要
な因子であつて、本発明に於いては、目的とする
特性を有するａ−SiN（Ｈ，Ｘ）が所望通りに作
成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制
御される。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
補助層を形成する際の支持体温度としては補助層
の形成法に併せて適宜最適範囲が選択されて、補
助層の形成が実行されるが、通常の場合、50℃〜
350℃、好適には、100℃〜250℃とされるのが望
ましいものである。補助層の形成には、同一系内
で補助層、非晶質層、非晶質層、更には必要
に応じて他の層まで連続的に形成する事が出来
る、各層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に比べて比較的容易である
事等の為に、グロー放電法やスパツターリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で補助
層を形成する場合には、前記の支持体温度と同様
に層形成の際の放電パワー、ガス圧が、作成され
る補助層の特性を左右する重要な因子として挙げ
ることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
する補助層が生産性よく効果的に作成される為の
放電パワー条件としては、通常１〜300W好適に
は２〜150Wである。又、堆積室内のガス圧は通
常３×10-3〜5Torr、好適には８×10-3〜
0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける補助層に含有され
る窒素原子の量及び必要に応じて含有される水素
原子、ハロゲン原子の量は、補助層の作製条件と
同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得ら
れる補助層が形成される重量な因子である。 補助層中に含有される窒素原子Ｎの量、水素原
子Ｈの量、ハロゲン原子Ｘの量の夫々は、本発明
の目的が効果的に達成される様に上記の層作成条
件を考慮し乍ら所望に従つて任意に決定される。 補助層をａ−SiaN1-aで構成する場合には、窒
素原子の補助層中の含有量は好ましくは１×10-3
〜60atomic％、より好適には１〜50atomic％、
ａの表示では好ましくは0.4〜0.99999、より好適
には0.5〜0.99とされるのが望ましい。 ａ−（SibN1-b）cH1-cで構成する場合には、窒
素原子Ｎの含有量としては、好ましくは１×103
〜55atomic％、より好適には１〜55atomic％、
水素原子の含有量としては、好ましくは２〜
35atomic％、より好適には５〜30atomic％とさ
れ、ｂ，ｃで表示すれば、ｂとしては通常0.43〜
0.99999、より好適には0.43〜0.99、ｃとしては通
常0.65〜0.98、好適には0.7〜0.95とされ、ａ−
（SidN1-d）ｅ（Ｈ，Ｘ）1-eで構成する場合には窒
素原子の含有量は、好ましくは１×103〜
60atomic％、より好適には１〜60atomic％、ハ
ロゲン原子の含有量、又はハロゲン原子と水素原
子とを併せた含有量は、好ましくは１〜
20atomic％、より好適には２〜15atomic％とさ
れ、この場合の水素原子の含有量は好ましくは
19atomic％以下、より好適には13atomic％以下
とされるのが望ましい。 ｄ，ｅの表示で示せば、ｄとしては、好ましく
は、0.43〜0.99999、より好ましくは0.43〜0.99、
ｅとしては、好ましくは、0.8〜0.99、より好ま
しくは0.85〜0.98とされるのが望ましい。 本発明に於ける光導電部材を構成する補助層の
層厚としては、該補助層上に設けられる非晶質層
の層厚及び非晶質層の特性に応じて、所望に従つ
て適宜決定される。 本発明に於いて、補助層の層厚としては、通常
は、30Å〜2μ、好ましくは、40Å〜1.5μ、最適に
は50Å〜1.5μとされるのが望ましい。 第１図に示される光導電部材１００に於ける第
一の非晶質層（）１０３は、構成原子として酸
素原子を含有する第一の層領域Ｏ１０４、周期律
表第族に属する原子（第族原子）を含有する
第二の層領域１０５、及び第二の層領域１０
５上に、酸素原子及び第族原子が含有されてな
い層領域１０７とから成る層構造を有する。 第一の層領域Ｏ１０４と層領域１０７との間に
設けられている層領域１０６には第族原子は含
有されているが酸素原子は含有されてない。 第一の層領域Ｏ１０４に含有される酸素原子
は、或いは第二の層領域１０５に含有される第
族原子は、各層領域に於いて、層厚方向には連
続的に均一に分布し、支持体１０１の表面に実質
的に平行な面内に於いては連続的に且つ実質的に
均一に分布されるのが好ましいものである。 第１図に示す場合の例の様な本発明の光導電部
材に於いては、非晶質層１０３の上部表面側部
分には、酸素原子及び第族原子が含有されない
層領域（第１図に示す表面層領域１０７に相当）
を有するが、第族原子は含有されているが、酸
素原子は含有されない層領域（第１図に示す層領
域１０６）は必ずしも設けられることを要しな
い。即ち、例えば第１図に於いて、第一の層領域
１０４Ｏと第二の層領域１０５とが同じ層領域
であつても良いし、又、第一の層領域Ｏ１０４の
中に第二の層領域１０５が設けられても良いも
のである。 本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域
Ｏには、酸素原子の含有によつて、高暗抵抗化
と、第一の非晶質層が直接設けられる補助層と
の間の密着性の向上が重点的に計られ、上部表面
側の層領域には酸素原子を含有させずに高感度化
が重点的に計られている。 殊に、第１図に示す光導電部材１００の様に、
非晶質層１０３が、酸素原子を含有する第一の
層領域Ｏ１０４、第族原子を含有する第二の層
領域１０５、酸素原子の含有されていない層領
域１０６、及び酸素原子及び第族原子の含有さ
れていない層領域１０７とを有し、第一の層領域
Ｏ１０４と第二の層領域１０５とが共有する層
領域を有する層構造の場合により良好な結果が得
られる。 本発明の光導電部材に於いては第一の非晶質層
の一部を構成し酸素原子の含有される第一の層
領域Ｏは、１つには非晶質層の補助層との密着
性の向上を計る目的の為に、又、非晶質層の一
部を構成し第族原子の含有される第二の層領域
は、１つには、非晶質層の自由表面側より帯
電処理を施された際、支持体側より非晶質層の
内部に電荷が注入されるのを阻止する目的の為に
夫々、非晶質層の一部として支持体と非晶質層
とが接合する層領域として、少なくとも互いの
一部を共有する構造で設けられる。 又、別には第二の層領域は補助層と、或いは
第二の層領域の上に直接設けられる層領域との
密着性の向上をより一層効果的に達成するには、
第一の層領域Ｏを補助層との接触界面から、第二
の層領域を内包する様に設ける、詰り、補助層
との接触界面から第二の層領域の上方まで延在
させて第二の層領域を含んだ層構造となる様に
第一の層領域Ｏを非晶質層中に設けるのが好ま
しいものである。 本発明において、第一の非晶質層を構成する
第二の層領域中に含有される周期律表第族に
層する原子として使用されるのは、Ｐ（燐）、As
（硼素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であ
り、殊に好適に用いられるのはＰ，Asである。 本発明において、第二の層領域中に含有され
る第族原子の含有量としては、本発明の目的が
効果的に達成される用に所望に従つて適宜決めら
れるが、層領域に於いて、通常は30〜５×104
atomic ppm、好ましくは50〜１×104atomic
ppm、最適には100〜５×103atomic ppmとされ
るのが望ましいものである。第一の層領域Ｏ中に
含有される酸素原子の量に就ても形成される光導
電部材に要求される特性に応じて所望に従つて適
宜決められるが、通常の場合、0.001〜50atomic
％、好ましくは、0.002〜40atomic％、最適には
0.003〜30atomic％とされるのが望ましいもので
ある。 本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有されている層領域の層厚tBと（第１図では
層領域１０４の層厚）、層領域の上に設けられ
た、層領域を除いた部分の層領域（第１図では
層領域１０６）の層厚Ｔとは、その関係が先に示
した様な関係式を満足する様に決められるもので
あるが、より好ましくは、先に示した関係式の値
が0.35以下、最適には0.3以下とされるのが望ま
しい。 本発明に於いて、第族原子の含有される層領
域の層厚tBとしては、通常30Å〜5μ、好適には
40Å〜4μ、最適には50Å〜3μとされるのが望ま
しいものである。 又、前記層厚Ｔと層tBとの和（Ｔ＋tB）として
は、通常は１〜100μ、好適には１〜80μ、最適に
は２〜50μとされるのが望ましいものである。 酸素原子の含有される層領域Ｏの層厚tOとして
は、少なくともその一部の層領域を共有する層領
域の層厚tBとの関係に於いても適宜所望する目
的に従つて決定されるのが望ましい。即ち、層領
域と、該層領域と直に接触する補助層との間
の密着性の強化を計る目的であれば、層領域Ｏ
は、層領域の支持体側端部層領域に少なくとも
設けられてあれば良いから、層領域Ｏの層厚tOと
には高々層領域の層厚tB分だけあれば良い。 又、層領域と該層領域上に直に設けられる
層領域（第１図で示せば層領域１０７に相当す
る）との間の密着性の強化を計るのであれば、層
領域Ｏは層領域の支持体の設けてある側とは反
対の端部層領域に少なくとも設けてあれば良いか
ら、層領域Ｏの層厚tOとしては、高々、層領域
の層厚tB分だけあれば良い。 更に、上記２つの点を満足する場合を考慮すれ
ば層領域Ｏの層厚tOとしては、少なくとも層領域
の層厚tBだけある必要があり、且つ、この場合
は、層領域Ｏ中に層領域が設けられた層構造と
される必要がある。 層領域と、該層領域上に直に設けられる層
領域との間の密着性を一層効果的に計るには層領
域Ｏを層領域の上方（支持体のある側とは反対
方向）に延在させるのが好ましいものである。 本発明に於いて、非晶質層の非晶質層側端
部層領域に酸素原子の含有されてない部分を設
け、層領域Ｏを非晶質層の反対側に局所的に偏
在させる場合には、層厚tOとしては上記した点を
考慮しつつ所望に従つて適宜決められるが、通常
の場合10Å〜10μ、好適には20Å〜8μ、最適には
30Å〜5μとされるのが望ましいものである。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第一の非晶質層１０３上に形成される第二の非
晶質層１０８は自由表面１０９を有し、主に耐湿
性、連続繰返し使用特性、耐圧性、使用環境特
性、耐久性に於いて本発明の目的を達成する為に
設けられる。 本発明に於いては、第一の非晶質層と第二の
非晶質層とを構成する非晶質材料の各々がシリ
コン原子という共通の構成要素を有しているの
で、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充
分成されている。 第二の非晶質層は、シリコン原子と炭素原子
とハロゲン原子Ｘとで構成される非晶質材料〔ａ
−（SixC1-x）yX1-y，但し０＜ｘ，ｙ＜１〕で形
成される。 ａ−（SixC1-x）yX1-yで構成される第二の非晶
質層の形成はグロー放電法、スパツタリング
法、イオンブランテーシヨン法、イオンブレーテ
イング法、エレクトロンビーム法等によつて成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易で
ある、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲン
原子を、作製する第二の非晶質層中に導入する
のが容易に行える等の利点からグロー放電法或い
はスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層を形成
するには、ａ−（SixC1-x）yX1-y形成用の原料ガ
スを、必要に応じて希釈ガスと所定量の混合比で
混合して、支持体の設置してある真空堆積用の堆
積室に導入し、導入されたガスを、グロー放電を
生起させることでガスプラズマ化して前記支持体
上に既に形成されてある第一の非晶質層上にａ
−（SixC1-x）yX1-yを堆積させれば良い。 本発明に於いて、ａ−（Six1-x）yX1-y形成用の
原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｘの中の少なくとも
１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものの中の大概のものが使
用され得る。 Si，Ｃ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層中に含有さ
れるハロゲン原子Ｘとして好適なのはＦ，Cl，
Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましいものであ
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層は、ａ−
（SixC1-x）yX1-yで構成されるものであるが、更
に水素原子を含有させることが出来る。 第二の非晶質層への水素原子の含有は、第一
の非晶質層との連続層形成の際に原料ガス種の
一部共通化を計ることが出来るので生産コスト面
の上で好都合である。 本発明に於いて、第二の非晶質層を形成する
のに有効に使用される原料ガスと成り得るものと
しては、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容
易にガス化し得る物質を挙げることが出来る。 この様な第二の非晶質層形成用の物質として
は、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数
２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲン化
水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロ
ゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が
出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
CH4、エタンC2H6、プロパンC3H6、ｎ−ブタン
ｎ−C4H10、ペンタンC5H12、エチレン系炭化水
素としては、エチレンC2H4，プロピレンC3H6、
ブテン−1C4H6、ブテン−2C4H6、イソブチレン
C4H6、ペンテンC5H10、アセチレン系炭化水素
としては、アセチレンC2H2、メチルアセチレン
C3H4、ブチンC4H6、ハロゲン単体としては、フ
ツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロ
ゲン化水素としては、FH，HI，HCl，HBr、ハ
ロゲン間化合物としては、BrF，ClF，ClF3，
ClF5，BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr，ハロ
ゲン化硅素としてはBiF4，Si2F6，SiCl4，SiCl3
Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3Ｉ，SiBr4、ハロ
ゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2，SiH2
Cl2，SiHCl3，SiH3Cl，SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他に、CCl4，CHF3，CH2H2，CH3
Ｆ，CH8Cl，CH3Br，CH3Ｉ，C2H5Cl等のハロ
ゲン置換パラフイン系炭化水素、SF4，SF6等の
フツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4，Si（C2H5）4，等
のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3，SiCl2（CH3）2，
SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シラン誘導体も有効なものとして挙げることが出
来る。 これ等の第二の非晶質層形成物質は、形成さ
れる第二の非晶質層中に、所定の組成比でシリ
コン原子、炭素原子及びハロゲン原子と必要に応
じて水素原子とが含有される様に、第二の非晶質
層の形成の際に所望に従つて選択されて使用さ
れる。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3，SiCl4，SiH2Cl2，或
いはSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で
第二の非晶質層形成用の装置内に導入してグロ
ー放電を生起させることによつてａ−（SixC1-x）
ｙ（Cl＋Ｈ）1-yから成る第二の非晶質層を形成
することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハ
ー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含有
されているウエーハーをターゲツトとして、これ
等をハロゲン原子と必要に応じて水素原子を構成
要素として含む種々のガス雰囲気中でスパツター
リングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて希釈ガスで希釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともハロゲン原子を
含有するガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて成される。Ｃ及びＸ、必要に応じてＨ
の導入用の原料ガスとなる物質としては先述した
グロー放電の例で示した第二の非晶質層形成用
の物質がスパツターリング法の場合にも有効な物
質として使用され得る。 本発明に於いて、第二の非晶質層をグロー放
電法又はスパツターリング法で形成する際に使用
される希釈ガスとしては、所謂・希ガス例えば
He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げること
が出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層は、その要求
される特性が所望通りに与えられる様に注意深く
形成される。 即ち、Si，Ｃ及びＸ，必要に応じてＨを構成原
子とする物質は、その作成条件によつて構造的に
は結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電気
物性的には、導電性から半導体性、絶縁性までの
間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質
までの間の性質を、各々示すので本発明に於いて
は、目的に応じた所望の特性を有するａ−
（SixC1-x）yX1-yが形成される様に、所望に従つ
てその作成条件の選択が厳密に成される。例え
ば、第二の非晶質層を耐圧性の向上を主な目的
として設けるにはａ−（SixC1-x）yX1-yは使用環
境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料
として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層が設けられ
る場合には上記の電気絶縁性の度合はある程度緩
和され、照射される光に対してある程度の感度を
有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）yX1-yが
作成される。 第一の非晶質層の表面にａ−（SixC1-x）
yX1-yから成る第二の非晶質層を形成する際、
層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及
び特性を左右する重要な因子であつて、本発明に
於いては、目的とする特性を有するａ−
（SixC1-x）yX1-yが所望通りに作成され得る様に
層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望
ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の非晶質層の形成法に併せて適宜
最適範囲が選択されて、第二の非晶質層の形成
が実行されるが、通常の場合、50〜350℃、好適
には100〜250℃とされるのが望ましいものであ
る。第二の非晶質層の形成には、層を構成する
原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方
法に較べて比較的容易である事等の為に、グロー
放電法やスパツターリング法の採用が有利である
が、これ等の層形成法で第二の非晶質層を形成
する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成
の際の放電パワーが作成されるａ−（SixC1-x）
yX1-yの特性を左右する重要な因子の１つであ
る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）yX1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては通常10〜
300W、好適には20〜200Wである。 堆積室内のガス圧は通常は0.01〜1Torr、好適
には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明に於いては第二の非晶質層を作成する
為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲
として前記した範囲の値が挙げられるが、これ等
の層作成フアクターは、独立的に別々に決められ
るものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）
yX1-yから成る第二の非晶質層が形成される様
に相互的有機的関連性に基づいて各層作成フアク
ターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
に含有される炭素原子及びハロゲン原子の量は、
第二の非晶質層の作成条件と同様、本発明の目
的を達成する所望の特性が得られる第二の非晶質
層が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層に含有される
炭素原子の量は通常１×10-3〜90atomic％、好
適には１〜90atomic％、最適には10〜80atomic
％とされるのが望ましいものがある。ハロゲン原
子の含有量としては、通常の場合、１〜
20atomic％、好適には１〜18atomic％、最適に
は２〜15atomic％とされるのが望ましく、これ
等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成
される光導電部材を実際面に充分適用させ得るも
のである。必要に応じて含有される水素原子の含
有量としては、通常の場合19atomic％、好適に
は13atomic％以下とされるのが望ましいもので
ある。即ち先のａ−（SixC1-x）ｙ：X1-yのｘ，
ｙ表示で行えばｘが通常0.1〜0.99999、好適には
0.1〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｙが通常0.8〜
0.99、好適には0.82〜0.99で最適には0.85〜0.98あ
るのが望ましい。ハロゲン原子と水素原子の両方
が含まれる場合、先と同様のａ−（SixC1-x）ｙ
（Ｈ＋Ｘ）1-yの表示で行えばこの場合のｘ，ｙの
数値範囲ａ−（SixC1-x）yX1-yの場合と、略々同
様である。 本発明に於ける第二の非晶質層の層厚の数値
範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の重
要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第二の非晶質層の層厚は、第一の非晶質
層１０３の層厚との関係に於いても、各々の層
領域に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。本
発明に於ける第二の非晶質層の層厚としては、
通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、最適には
0.005〜10μとされるのが望ましいものである。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス、Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O2＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 本発明において、Ｓ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層を形成するには例えばグロー
放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレー
テイング法等の放電現象を利用する真空堆積法に
よつて成される。例えば、グロー放電法によつ
て、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層を
形成するには、基本的にはシリコン原子Siを供給
し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子Ｈ導
入用の又は／及びハロゲン原子Ｘ導入用の原料ガ
スを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置されてある所定の支持体表面上に既に形
成されてある補助層上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る層を形成させれば良い。又、スパツタリング法
で形成する場合には、例えばAr，He等の不活性
ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの
雰囲気中でSiで構成されたターゲツトをスパツタ
リングする際、水素原子Ｈ又は／及びハロゲン原
子Ｘ導入用のガスをスパツタリング用の堆積室に
導入してやれば良い。 本発明において、必要に応じて非晶質層中に
含有されるハロゲン原子Ｘとしては、具体的には
フツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフ
ツ素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4，Si2H6，Si3H6，Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4，Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン置換されたシ
ラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上に既に設けてある補助層上にハロ
ゲン原子を含むａ−Siから成る非晶質層を形成
する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む非
晶質層を形成する場合、基本的には、Si供給用
の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとAr，
H2，He等のガス等を所定の混合比とガス流量に
なる様にして非晶質層を形成する堆積室に導入
し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズ
マ雰囲気を形成することによつて、所定の支持体
上に非晶質層を形成し得るものであるが、水素原
子の導入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子
を含む硅素化合物のガスも所定量混合して層形成
しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質
層を形成するには、例えばスパツタリング法の
場合にはSiから成るターゲツトを使用して、これ
を所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリング
し、イオンプレーテイング法の場合には、多結晶
シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸着
ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱
法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）等に
よつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラ
ズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えばH2、或いは前記したシ
ラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれ
ば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，SiH2
I2，SiH2Cl2，SiHCl2，SiH2Br2，SiHBr3等のハ
ロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物も有効な非晶質層形成用の出発物
質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては
好適なハロゲン原子導入用の原料として使用され
る。 水素原子を非晶質層中に構造的に導入するに
は、上記の他にH2、或いはSiH4，Si2H4，Si3
H6，Si4H10等の水素化硅素のガスをSiを供給す
る為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放
電を生起させる事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、補助層上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る非晶質層が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の第一
の非晶質層中に含有される水素原子Ｈの量又は
ハロゲン原子Ｘの量又は水素原子とハロゲン原子
の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜40atomic
％、好適には５〜30atomic％とされるのが望ま
しい。 第一の非晶質層中に含有される水素原子Ｈ又
は／及びハロゲン原子Ｘの量を制御するには、例
えば支持体温度又は／及び水素原子Ｈ、或いはハ
ロゲン原子Ｘを含有させる為に使用される出発物
質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制
御してやれば良い。 非晶質層に、第族原子を含有する層領域
及び酸素原子を含有する層領域Ｏを設けるには、
グロー放電法や反応スパツタリング法等による非
晶質層の形成の際に、第族原子導入用の出発
物質及び酸素原子導入用の出発物質を夫々前記し
た非晶質層形成用の出発物質と共に使用して、
形成される層中にその量を制御し乍ら含有してや
る事によつて成される。 第一の非晶質層を構成する、酸素原子の含有
される層領域Ｏ及び第族原子の含有される層領
域を夫々形成するのにグロー放電法を用いる場
合、各層領域形成用の原料ガスとなる出発物質と
しては、前記した非晶質層形成用の出発物質の
中から所望に従つて選択されたものに、酸素原子
導入用の出発物質又は／及び第族原子導入用の
出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入用
の出発物質又は第族原子導入用の出発物質とし
ては、少なくとも酸素原子或いは第族原子を構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質
をガス化したものの中の大概のものが使用され得
る。 例えば層領域Ｏを形成するのであれば、シリコ
ン原子Siを構成原子とする原料ガスと、酸素原子
Ｏを構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水
素原子Ｈ又は／及びハロゲン原子Ｘを構成原子と
する原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、シリコン原子Siを構成原子とする原
料ガスと、酸素原子Ｏ及び水素原子Ｈを構成原子
とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子Siを構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子Si、酸素原子Ｏ及
び水素原子Ｈの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子Siと水素原子Ｈとを
構成原子とする原料ガスに酸素原子Ｏを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具
体的には、例えば酸素O2、オゾンO3、一酸化窒
素NO、二酸化窒素NO2、一二酸化窒素N2Ｏ、三
二酸化窒素N2O3、四二酸化窒素N2O4、五二酸化
窒素N2O3、三酸化窒素NO3、シリコン原子Siと
酸素原子Ｏと水素原子Ｈとを構成原子とする、例
えば、ジシロキサンH3SiOSiH3、トリシロキサ
ンH3SiOSiH2OSiH3等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。 層領域をグロー放電法を用いて形成する場合
に第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH3，P2H4等の水素化燐、PH4Ｉ，PF3，
PF5，PCl3．PCl5．PBr3，PBr5，PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3，AsF3，
AsCl3，AsBr3，AsF5．SbH3，SbF3，SbH5，
SbCl3，SbCl5，BiH3，BiCl3，BiBr3等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。 第族原子を含有する層領域に導入される第
族原子の含有量は、堆積室中に流入される第
族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流量
比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力等
を制御することによつて任意に制御され得る。 スパツターリング法によつて、酸素原子を含有
する層領域Ｏを形成するには、単結晶又は多結晶
のSiウエーハー又はSiO2ウエーハー、又はSiと
SiO2が混合されて含有されているウエーハーを
ターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパツターリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて希釈ガスで希釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての希釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子Ｈ又は／及びハロゲン原子Ｘを構成原子
として含有するガス雰囲気中でスパツターリング
することによつて成される。酸素原子導入用の原
料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガスが、
スパツターリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。 本発明において、非晶質層をグロー放電法で形
成する際に使用される希釈ガス、或いはスパツタ
ーリング法で形成される際に使用されるスパツタ
ーリング用のガスとしては、所謂稀ガス、例えば
He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げること
が出来る。 第２図には、本発明の光導電部材の他の好適な
実施態様例の層構成が示される。 第２図に示される光導電部材２００が、第１図
に示される光導電部材１００と異なるところは、
第一の非晶質層２０３がその中に、下部補助層
２０２−１と同様の機能を果す上部補助層２０２
−２を有することである。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１、該
支持体２０１上に順に積層された、下部補助層２
０２−１、第一の非晶質層２０３及び第二の非
晶質層２０８とを具備し、非晶質層２０３
は、酸素原子の含有されている第一の層領域Ｏ２
０４と、第族原子の含有されている第二の層領
域２０５と、層領域２０６と層領域２０７との
間に上部補助層２０２−２とを有している。 上部補助層２０２−２は、層領域２０５と層
領域２０７との間の密着を強固にし、両者の接触
界面に於ける電気的接触を均一にしていると同時
に、層領域２０５上に直に設けることにより層
領域２０５の層質を強靱なものとしている。 第２図に示される光導電部材２００を構成する
下部補助層２０２−１及び上部補助層２０２−２
は、第１図に示した光導電部材１００を構成する
補助層１０２の場合と同様の非晶質材料を使用し
て、同様の特性が与えられる様に同様な層作成手
順と条件によつて形成される。 非晶質層２０３及び非晶質層２０８も、第
１図に示す非晶質層１０３及び非晶質層１０
８と夫々同様の特性及び機能を有し、第１図の場
合と同様な層作成手順と条件によつて作成され
る。 本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有される層領域の上に設けられ、第族原子
の含有されない層領域Ｂ（第１図では層領域１０
６に相当する）には、伝導特性を制御する物質を
含有させることにより、該層領域Ｂの伝導特性を
所望に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層を構成するａ−Si
（Ｈ，Ｘ）と対して、Ｐ型伝導特性を与えるｐ型
不純物、具体的には、周期律表第族に属する原
子（第族原子）、例えばＢ（硼素）、Al（アルミ
ニウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウム）、Tl
（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ，Gaである。 本発明に於いて、層領域Ｂに含有される伝導特
性を制御する物質の含有量は、該層領域Ｂに直に
要求される伝導特性、或いは該層領域Ｂに直に接
触して設けられる他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係等、有機
的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。 本発明に於いて、層領域Ｂ中に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量としては、通常の場
合、0.001〜1000atomic ppm、好適には0.05〜
500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましいものである。 層領域Ｂ中に伝導特性を制御する物質、例えば
第族原子を構造的に導入するには、層形成の際
に第族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に、非晶質層を形成する為の他の出発物質と
共に導入してやれば良い。この様な第族原子導
入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常
圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容
易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第族原子導入用の出発物質として
具体的には硼素原子導入用としては、B2H6，B4
H10，B5H9，B5H11，B6H10，B4H12，B6H14等
の水素化硼素、BF3，BCl3，BBr3等のハロゲン
化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3，GaCl3，
Ga（CH3）3，InCl3，TlCl3等も挙げることが出来
る。 本発明の光導電部材に於いては、第１図及び第
２図に示した例に於いて説明した様に、非晶質層
を構成する層領域Ｏが非晶質層に於いて支持
体側の方に局所的に偏在されている場合を好適な
実施態様例とするが、本発明はこれに限定される
ことはなく、例えば層領域Ｏを非晶質層の全層
領域として非晶質層を形成しても良いものであ
る。 この場合、非晶質層が光導電性を示すものと
して作成される必要があることから層領域Ｏ中に
含有される酸素原子の量の上限としては通常
30atomic％、好適には10atomic％、最適には
5atomic％とすることが望ましいものである。下
限としては、この場合も勿論前記した値とされ
る。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第３図に光導電部材の製造装置の一例を示す。 図中の３０２，３０３，３０４，３０５，３０
６のガスボンベには、本発明の夫々の層領域を形
成するための原料ガスが密封されており、その１
例としてたとえば３０２は、Heで希釈された
SiH4ガス（純度99.999％、以下SiH4／Heと略
す。）ボンベ、３０３はHeで希釈されたPH3ガス
（純度99.999％、以下PH3／Heと略す。）ボンベ、
３０４はHeで希釈されたSiF4ガス（純度99.99
％、以下SiF4／Heと略す。）ボンベ、３０５は
NOガス（純度99.999％）ボンベ、３０６はC2H4
ガス（純度99.999％）ボンベである。 各ボンベに充填されるガスは各層を形成する際
に必要とされるガス種とされることは云うまでも
なく、例えば、補助層を形成する場合には、ボン
ベ３０６に、NH3ガスを充填しておくようにす
る。 これらのガスを反応室３０１に流入させるには
ガスボンベ３０２〜３０６のバルブ、３２２〜３
２６、リークバルブ３３５が閉じられていること
を確認し、又、流入バルブ３１２〜３１６、流出
バルブ３１７〜３２１、補助バルブ３３２が開か
れていることを確認して先づメインバルブ３３４
を開いて反応室３０１、ガス配管内を排気する。
次に真空計３３６の読みが約５×10-6torrになつ
た時点で補助バルブ３３２，３３３、流入バルブ
３２２〜３２６、流出バルブ３１７〜３２１を閉
じる。その後、反応室３０１内に導入すべきガス
のボンベに接続されているガス配管のバルブを所
定通り操作して、所望するガスを反応室３０１内
に導入する。 次に第１図に示す構成と同様の構成の光導電部
材を作成する場合の一例の概略を述べる。 先ず、支持体３３７上に補助層を形成する場合
の１例をあげると、ガスボンベ３０２より
SiH4／Heガス、ガスボンベ３０６よりNH3ガス
をバルブ３２２，３２６を開いて出口圧ゲージ３
２７，３３１の圧を１Kg／cm3に調整し、流入バル
ブ３１２，３１６を徐々に開けて、マスフロコン
トローラ３０７，３１１内に流入させる。引き続
いて流出バルブ３１７，３２１、補助バルブ３３
２を徐々に開いて夫々のガスを反応室３０１に流
入させる。このときのSiH4／Heガス流量とNH3
ガス流量との比が所望の値になるように流出バル
ブ３１７，３２１を調整し、又、反応室３０１内
の圧力が所望の値になるように真空計３３６の読
みを見ながらメインバルブ３３４の開口を調整す
る。そして支持体３３７の温度が加熱ヒーター３
３８により50〜400℃の範囲の温度に設定されて
いることを確認した後、電源３４０を所望の電力
に設定して反応室３０１内にグロー放電を生起さ
せて補助層を支持体３３７上に形成する。形成さ
れる補助層中に、ハロゲン原子を導入するには、
例えば上記の補助層の作成に就ての説明に於い
て、SiH4ガスの代りに、SiF4ガスを用いるか、
SiH4ガスにSiF4ガスを加えて層形成することに
よつて成される。補助層中に含有される窒素原子
や水素原子、ハロゲン原子の含有量は、これ等の
原子を構成原子とする補助層形成用の出発物質を
反応室３０１に導入する際の流量を調整すること
によつて制御される。 例えば窒素原子の含有量の制御は、NH3ガス
の流量を、又、ハロゲン原子の含有量の制御は、
SiF4ガスの流量を、夫々調整することによつて成
される。 次に、支持体３３７上に第一の非晶質層を形
成する場合の１例をあげる。シヤツター３４２は
閉じられており、電源３４０より高圧電力が印加
されるよう接続されている。ガスボンベ３０２よ
りSiH4／Heガス、ガスボンベ３０３よりPH3／
Heガス、ガスボンベ３０５からNOガスの夫々
をバルブ３２２，３２３，３２５を夫々開いて出
口圧ゲージ３２７，３２８，３３０の夫々の圧を
１Kg／cm3に調整し、流入バルブ３１２，３１３，
３１５を徐々に開けて、マスフロコントローラ３
０７，３０８，３１０内に流入させる。引き続い
て流出バルブ３１７，３１８，３２０、補助バル
ブ３３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室３０
１に流入させる。このときのSiH4／Heガス流
量、PH3／Heガス流量、NOガス流量の夫々の比
が所望の値になるように流出バルブ３１７，３１
８，３２０の開口を夫々調整し、又、反応室３０
１内の圧力が所望の値になるように真空計３３６
の読みを見ながらメインバルブ３３４の開口を調
整する。そして支持体３３７の温度が加熱ヒータ
ー３３８により50〜400℃の範囲の所望の温度に
設定されていることを確認された後、電源３４０
を所望の電力に設定して反応室３０１内にグロー
放電を生起させて支持体３３７上に先づ硼素と酸
素の含有された層領域を形成する。 この際、PH3／Heガス、或いはNOガスの反応
室３０１内への導入を各対応するガス導入管のバ
ルブを閉じることによつて遮断することで、燐の
含有される層領域、或いは、酸素の含有される層
領域の層厚を所望に従つて任意に制御することが
出来る。 燐と酸素が夫々含有された層領域が上記の様に
して所望層厚に形成された後、流出バルブ３１
８，３２０の夫々を閉じて、引き続きグロー放電
を所望時間続けることによつて、燐と酸素が夫々
含有された層領域上に、燐及び酸素の含有されな
い層領域が所望の層厚に形成されて、第一の非晶
質層の形成が終了する。 本発明の光導電部材に於いては、前述した様に
非晶質層を構成する層領域Ｏと層領域Ｖとは、
少なくともその一部の層領域を共有するものであ
るから、非晶質層を形成する際に例えばPH3ガ
スとNOガスとを所望の流量で反応室３０１に同
時に導入する時間を所望の長さ設ける必要があ
る。 例えば、前述した様に非晶質層の形成開始時
から所望の時間、PH3ガスとNOガスとを反応室
３０１内に導入し、該時間の経過後、いずれかの
ガスを反応室３０１内に導入するのを止めること
によつて、層領域Ｏ又は層領域Ｖのいずれか一方
の層領域中に他の層領域を設けることが出来る。 或いは、非晶質層の形成の際にPH3ガスか
NOガスのいずれか一方を、所望時間反応室３０
１内に導入した後、他方を更に反応室３０１内に
導入して、所望時間の層形成を行うことによつ
て、燐か酸素のいずれかが含有されている層領域
上に、燐と酸素の両者が含有されている層領域を
形成することが出来る。 又、この際、PH3ガスか又はNOガスのいずれ
か一方だけを反応室３０１内に導入するのを止
め、他方を引き続き導入することによつて、燐と
酸素の両者が含有されている層領域上に燐か又は
酸素のいずれか一方が含有されている層領域を形
成するこが出来る。 第２図に示す光導電部材２００の例の場合の様
に、第一の非晶質層２０３中に上部補助層２０
２−２を有する光導電部材の場合には、非晶質層
２０３の形成の途中に於いて、前記した方法に
よつて形成される下部補助層２０２−１と同様の
層形成を行うことによつて、非晶質層中に上部
補助層を設けることが出来る。 第一の非晶質層上に第二の非晶質層を形成
するには、例えば、次の様に行う。まずシヤツタ
ー３４２を開く。すべてのガス供給バルブは一旦
閉じられ、反応室３０１は、メインバルブ３３４
を全開することにより、排気される。 高圧電力が印加される電極３４１上には、予め
高純度シリコンウエハ３４２−１、及び高純度グ
ラフアイトウエハ３４２−２が所望の面積比率で
設置されたターゲツトが設けられている。ガスボ
ンベ３０４より、SiF4／Heガスを、反応室３０
１内に導入し、反応室３０１の内圧が0.05〜
1Torrとなるようメインバルブ３３４を調節す
る。高圧電源３４０をONとしターゲツトをスパ
ツタリングすることにより、第一の非晶質層上
に第二の非晶質層を形成することが出来る。 第二の非晶質層中に含有される炭素原子の量
は、シリコンウエハとグラフアイトウエハのスパ
ツター面積比率や、ターゲツトを作成する際のシ
リコン粉末とグラフアイト粉末の混合比を所望に
従つて調整することによつて所望に応じて制御す
ることが出来る。 第二の非晶質層を形成する他の方法として
は、第一の非晶質層の形成の際と同様なバルブ
操作によつて例えば、SiH4ガス、SiF4ガス、C2
H4ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈ガスで
稀釈して、所望の流量比で反応室３０１中に流し
所望の条件に従つてグロー放電を生起させること
によつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室３０１内、流出バルブ３１
７〜３２１から反応室３０１内に至るガス配管内
に残留することを避けるために、流出バルブ３１
７〜３２１を閉じ補助バルブ３３２を開いてメイ
ンバルブ３３４を全開して系内を一旦高真空に排
気する操作を必要に応じて行う。 実施例 １ 第３図に示した製造装置により、アルミニウム
基板上に以下の条件で層形成を行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を、透過型の
テストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を、一旦ゴム
ブレードでクリーニングし、再び上記作業クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが総合的な特性向上を計る上で更に改良さ
れる余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレードを
用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子Ｈ又はハロゲン原子Ｘのいずれか一
方を少なくとも含有するアモルフアス材料、所謂
水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化アモル
フアスシリコン、或いはハロゲン含有水素化アモ
ルフアスシリコン〔以後これ等の総称的表記とし
て「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から構成され
る光導電層を有する光導電部材の層構成を以後に
説明される様な特定化の下に設計されて作成され
た光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すば
かりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあ
らゆる点において凌駕していること、殊に電子写
真用の光導電部材として著しく優れた特性を有し
ていることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用された場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真
特性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子Siを母体とし、構成原子として
窒素原子Ｎを含有する非晶質材料で構成された補
助層と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で
構成され、光導電性を示す第一の非晶質層〔ａ−
Si（Ｈ，Ｘ）〕とを有し、前記第一の非晶質層が、
構成原子として酸素原子を含有する第一の層領域
と、構成原子として周期律表第族に属する原子
を含有する第二の層領域とを有し、これ等は、少
なくとも互いの一部を共有して前記補助層に接し
て前記支持体側の方に内在されており、前記第二
の層領域の層厚をtBとし、前記第一の非晶質層の
層厚と第二の層領域の層厚tBとの差をＴとすれ
ば、tB／（Ｔ＋tB）≦0.4の関係が成立し、前記第
一の非晶質上に、シリコン原子と炭素原子とハロ
ゲン原子とを構成原子として含む非晶質材料で構
成された第二の非晶質層を有する事を特徴とす
る。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労繰返し使
用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靱であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、補助層１０２、
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成り、光導電性を示す第一
の非晶質層（）１０３及び第二の非晶質層
（）１０８を有する。 補助層１０２は、主に、支持体１０１と、非晶
質層１０３との間の密着性を計る目的の為に設け
られ、支持体１０１と非晶質層１０３の両方と親
和性がある様に、後述する特性を有する材質で構
成される。 本発明の光導電部材に於ける補助層は、シリコ
ン原子Siを母体とし、構成原子として窒素原子Ｎ
と、必要に応じて水素原子Ｈ、ハロゲン原子Ｘと
を含有する非晶質材料（以後「ａ−SiN（Ｈ，
Ｘ）」と記す）で構成される。 ａ−SiN（Ｈ，Ｘ）としては、シリコン原子Si
を母体とし窒素原子Ｎを構成原子とする非晶質材
料（以後「ａ−SiaN1-a」と記す）、シリコン原
子Siを母体とし、窒素原子Ｎと水素原子Ｈを構成
原子とする非晶質材料（以後「ａ−（SibN1-b）
cH1-c」と記す）、シリコン原子Siを母体と、窒
素原子Ｎとハロゲン原子Ｘと必要に応じて水素原
子Ｈとを構成原子とする非晶質材料（以後「ａ−
（SidN1-d）ｅ（Ｈ，Ｘ）1-e」と記す）とを挙げる
ことが出来る。 本発明において、必要に応じて補助層中に含有
されるハロゲン原子Ｘとしては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊に、フツ
素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 補助層を上記の非晶質材料で構成する場合の層
形成法としてはグロー放電法、スパツターリング
法、イオンインブランテーシヨン法、イオンブレ
ーテイング法、エレクトロンビーム法等が挙げら
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易で
ある、シリコン原子と共に窒素原子、必要に応じ
て水素原子やハロゲン原子を作製する補助層中に
導入するのが容易に行える等の利点からグロー放
電法或いはスパツターリング法が好適に採用され
る。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して補助
層を形成しても良い。 グロー放電法によつて、ａ−SiN（Ｈ，Ｘ）で
構成される補助層を形成するには、基本的にはシ
リコン原子Siを供給し得るSi供給用の原料ガスと
窒素原子Ｎ導入用の原料ガスと、必要に応じて水
素原子Ｈ導入用の又は／及びハロゲン原子Ｘ導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されてある所定の支持体表面
上にａ−SiN（Ｈ，Ｘ）からなる補助層を形成さ
せれば良い。 又、スパツタリング法で補助層を形成する場合
には、例えば次の様にされる。 第一には、例えばAr，He等の不活性ガス又は
これ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中
にSiで構成されたターゲツトをスパツタリングす
る際、窒素原子Ｎ導入用の原料ガスを、必要に応
じて水素原子Ｈ導入用の又は／及びハロゲン原子
Ｘ導入用の原料ガスと共にスパツタリングを行う
真空堆積室内に導入してやれば良い。 第二には、スパツタリング用のターゲツトとし
てSi3N4で構成されたターゲツトか、或いはSiで
構成されたターゲツトとSi3N4で構成されたター
ゲツトの二枚か、又はSiとSi3N4とで構成された
ターゲツトを使用することで形成される補助層中
へ窒素原子Ｎを導入することが出来る。この際、
前記の窒素原子Ｎ導入用の原料ガスを併せて使用
すればその流量を制御すること補助層中に導入さ
れる窒素原子Ｎの量を任意に制御することが容易
である。 補助層中へ導入される窒素原子Ｎの含有量は、
窒素原子Ｎ導入用の原料ガスが堆積室中へ導入さ
れる際の流量を制御するか、又は窒素原子Ｎ導入
用のターゲツト中に含有される窒素原子Ｎの割合
を、該ターゲツトを作成する際に調製するか、或
いは、この両者を行うことによつて、所望に従つ
て任意に制御することが出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
となる出発物質としては、Si2H4，Si2H6，Si3
H6，Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Si
供給効率の良さ等の点でSiH4，Si2H6が好ましい
ものとして挙げられる。 これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を
適切に選択することによつて形成される補助層中
にSiと共にＨも導入し得る。 Si供給用の原料ガスとなる有効な出発物質とし
ては、上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子Ｘ
を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で置換さ
れたシラン誘導体、具体的には例えばSiF4，Si2
F6，SiCl4，SiBr4等のハロゲン化硅素が好ましい
ものとして挙げることが出来る。 更には、SiH2F2，SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，
SiH2Br2，SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、
等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原子
を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な補
助層形成の為のSi供給用の出発物質として挙げる
事が出来る。 これ等のハロゲン原子Ｘを含む硅素化合物を使
用する場合にも前述した様に層形成条件の適切な
選択によつて、形成される補助層中にSiと共にＸ
を導入することが出来る。 上記した出発物質の中水素原子を含むハロゲン
化硅素化合物は、補助層形成の際に層中にハロゲ
ン原子Ｘの導入と同時に電気的或いは光電的特性
の制御に極めて有効な水素原子Ｈも導入されるの
で、本発明においては好適なハロゲン原子Ｘ導入
用の出発物質として使用される。 本発明において補助層を形成する際に使用され
るハロゲン原子Ｘ導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記したものの他に、例え
ば、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、BrF，ClF，ClF3，BrF5，BrF3，IF3，IF7，
ICl，IBr等のハロゲン間化合物、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素を挙げることが出
来る。 補助層を形成する際に使用される窒素原子Ｎ導
入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮ
とＨとを構成原子とする例えば窒素N2，アンモ
ニアNH3，ヒドラジンH2NNH2，アジ化水素
HN3，アジ化アンモニウムNH4N5等のガス状の
又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の
窒素化合物を挙げることが出来る。この他に、窒
素原子Ｎの導入に加えて、ハロゲン原子Ｘの導入
も行えるという点から、三弗化窒素F3Ｎ，四弗
化窒素F4N2等のハロゲン化窒素化合物を挙げる
ことが出来る。 本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はス
パツターリング法で形成する際に使用される希釈
ガスとしては、所謂、希ガス、例えばHe，Ne，
Ar等が好適なものとして挙げることが出来る。 本発明の補助層を構成するａ−SiN（Ｈ，Ｘ）
なる非晶質材料は、補助層の機能が、支持体と非
晶質層との間の密着を強固にし、加えてそれ等の
間に於ける電気的接触性を均一にするものである
から、補助層に要求される特性が所望通りに与え
られる様にその作成条件の選択が厳密に成され
て、注意深く作成される。 本発明の目的に適した特性を有するａ−SiN
（Ｈ，Ｘ）から成る補助層が形成される為の層作
成条件の中の重要な要素として、層作成時の支持
体温度を挙げる事が出来る。 即ち、支持体の表面にａ−SiN（Ｈ，Ｘ）から
成る補助層を形成する際、層形成中の支持体温度
は、形成される層の構造及び特性を左右する重要
な因子であつて、本発明に於いては、目的とする
特性を有するａ−SiN（Ｈ，Ｘ）が所望通りに作
成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制
御される。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
補助層を形成する際の支持体温度としては補助層
の形成法に併せて適宜最適範囲が選択されて、補
助層の形成が実行されるが、通常の場合、50℃〜
350℃、好適には、100℃〜250℃とされるのが望
ましいものである。補助層の形成には、同一系内
で補助層、非晶質層、非晶質層、更には必要
に応じて他の層まで連続的に形成する事が出来
る、各層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に比べて比較的容易である
事等の為に、グロー放電法やスパツターリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で補助
層を形成する場合には、前記の支持体温度と同様
に層形成の際の放電パワー、ガス圧が、作成され
る補助層の特性を左右する重要な因子として挙げ
ることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
する補助層が生産性よく効果的に作成される為の
放電パワー条件としては、通常１〜300W好適に
は２〜150Wである。又、堆積室内のガス圧は通
常３×10-3〜5Torr、好適には８×10-3〜
0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける補助層に含有され
る窒素原子の量及び必要に応じて含有される水素
原子、ハロゲン原子の量は、補助層の作製条件と
同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得ら
れる補助層が形成される重量な因子である。 補助層中に含有される窒素原子Ｎの量、水素原
子Ｈの量、ハロゲン原子Ｘの量の夫々は、本発明
の目的が効果的に達成される様に上記の層作成条
件を考慮し乍ら所望に従つて任意に決定される。 補助層をａ−SiaN1-aで構成する場合には、窒
素原子の補助層中の含有量は好ましくは１×10-3
〜60atomic％、より好適には１〜50atomic％、
ａの表示では好ましくは0.4〜0.99999、より好適
には0.5〜0.99とされるのが望ましい。 ａ−（SibN1-b）cH1-cで構成する場合には、窒
素原子Ｎの含有量としては、好ましくは１×103
〜55atomic％、より好適には１〜55atomic％、
水素原子の含有量としては、好ましくは２〜
35atomic％、より好適には５〜30atomic％とさ
れ、ｂ，ｃで表示すれば、ｂとしては通常0.43〜
0.99999、より好適には0.43〜0.99、ｃとしては通
常0.65〜0.98、好適には0.7〜0.95とされ、ａ−
（SidN1-d）ｅ（Ｈ，Ｘ）1-eで構成する場合には窒
素原子の含有量は、好ましくは１×103〜
60atomic％、より好適には１〜60atomic％、ハ
ロゲン原子の含有量、又はハロゲン原子と水素原
子とを併せた含有量は、好ましくは１〜
20atomic％、より好適には２〜15atomic％とさ
れ、この場合の水素原子の含有量は好ましくは
19atomic％以下、より好適には13atomic％以下
とされるのが望ましい。 ｄ，ｅの表示で示せば、ｄとしては、好ましく
は、0.43〜0.99999、より好ましくは0.43〜0.99、
ｅとしては、好ましくは、0.8〜0.99、より好ま
しくは0.85〜0.98とされるのが望ましい。 本発明に於ける光導電部材を構成する補助層の
層厚としては、該補助層上に設けられる非晶質層
の層厚及び非晶質層の特性に応じて、所望に従つ
て適宜決定される。 本発明に於いて、補助層の層厚としては、通常
は、30Å〜2μ、好ましくは、40Å〜1.5μ、最適に
は50Å〜1.5μとされるのが望ましい。 第１図に示される光導電部材１００に於ける第
一の非晶質層（）１０３は、構成原子として酸
素原子を含有する第一の層領域Ｏ１０４、周期律
表第族に属する原子（第族原子）を含有する
第二の層領域１０５、及び第二の層領域１０
５上に、酸素原子及び第族原子が含有されてな
い層領域１０７とから成る層構造を有する。 第一の層領域Ｏ１０４と層領域１０７との間に
設けられている層領域１０６には第族原子は含
有されているが酸素原子は含有されてない。 第一の層領域Ｏ１０４に含有される酸素原子
は、或いは第二の層領域１０５に含有される第
族原子は、各層領域に於いて、層厚方向には連
続的に均一に分布し、支持体１０１の表面に実質
的に平行な面内に於いては連続的に且つ実質的に
均一に分布されるのが好ましいものである。 第１図に示す場合の例の様な本発明の光導電部
材に於いては、非晶質層１０３の上部表面側部
分には、酸素原子及び第族原子が含有されない
層領域（第１図に示す表面層領域１０７に相当）
を有するが、第族原子は含有されているが、酸
素原子は含有されない層領域（第１図に示す層領
域１０６）は必ずしも設けられることを要しな
い。即ち、例えば第１図に於いて、第一の層領域
１０４Ｏと第二の層領域１０５とが同じ層領域
であつても良いし、又、第一の層領域Ｏ１０４の
中に第二の層領域１０５が設けられても良いも
のである。 本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域
Ｏには、酸素原子の含有によつて、高暗抵抗化
と、第一の非晶質層が直接設けられる補助層と
の間の密着性の向上が重点的に計られ、上部表面
側の層領域には酸素原子を含有させずに高感度化
が重点的に計られている。 殊に、第１図に示す光導電部材１００の様に、
非晶質層１０３が、酸素原子を含有する第一の
層領域Ｏ１０４、第族原子を含有する第二の層
領域１０５、酸素原子の含有されていない層領
域１０６、及び酸素原子及び第族原子の含有さ
れていない層領域１０７とを有し、第一の層領域
Ｏ１０４と第二の層領域１０５とが共有する層
領域を有する層構造の場合により良好な結果が得
られる。 本発明の光導電部材に於いては第一の非晶質層
の一部を構成し酸素原子の含有される第一の層
領域Ｏは、１つには非晶質層の補助層との密着
性の向上を計る目的の為に、又、非晶質層の一
部を構成し第族原子の含有される第二の層領域
は、１つには、非晶質層の自由表面側より帯
電処理を施された際、支持体側より非晶質層の
内部に電荷が注入されるのを阻止する目的の為に
夫々、非晶質層の一部として支持体と非晶質層
とが接合する層領域として、少なくとも互いの
一部を共有する構造で設けられる。 又、別には第二の層領域は補助層と、或いは
第二の層領域の上に直接設けられる層領域との
密着性の向上をより一層効果的に達成するには、
第一の層領域Ｏを補助層との接触界面から、第二
の層領域を内包する様に設ける、詰り、補助層
との接触界面から第二の層領域の上方まで延在
させて第二の層領域を含んだ層構造となる様に
第一の層領域Ｏを非晶質層中に設けるのが好ま
しいものである。 本発明において、第一の非晶質層を構成する
第二の層領域中に含有される周期律表第族に
層する原子として使用されるのは、Ｐ（燐）、As
（硼素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であ
り、殊に好適に用いられるのはＰ，Asである。 本発明において、第二の層領域中に含有され
る第族原子の含有量としては、本発明の目的が
効果的に達成される用に所望に従つて適宜決めら
れるが、層領域に於いて、通常は30〜５×104
atomic ppm、好ましくは50〜１×104atomic
ppm、最適には100〜５×103atomic ppmとされ
るのが望ましいものである。第一の層領域Ｏ中に
含有される酸素原子の量に就ても形成される光導
電部材に要求される特性に応じて所望に従つて適
宜決められるが、通常の場合、0.001〜50atomic
％、好ましくは、0.002〜40atomic％、最適には
0.003〜30atomic％とされるのが望ましいもので
ある。 本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有されている層領域の層厚tBと（第１図では
層領域１０４の層厚）、層領域の上に設けられ
た、層領域を除いた部分の層領域（第１図では
層領域１０６）の層厚Ｔとは、その関係が先に示
した様な関係式を満足する様に決められるもので
あるが、より好ましくは、先に示した関係式の値
が0.35以下、最適には0.3以下とされるのが望ま
しい。 本発明に於いて、第族原子の含有される層領
域の層厚tBとしては、通常30Å〜5μ、好適には
40Å〜4μ、最適には50Å〜3μとされるのが望ま
しいものである。 又、前記層厚Ｔと層tBとの和（Ｔ＋tB）として
は、通常は１〜100μ、好適には１〜80μ、最適に
は２〜50μとされるのが望ましいものである。 酸素原子の含有される層領域Ｏの層厚tOとして
は、少なくともその一部の層領域を共有する層領
域の層厚tBとの関係に於いても適宜所望する目
的に従つて決定されるのが望ましい。即ち、層領
域と、該層領域と直に接触する補助層との間
の密着性の強化を計る目的であれば、層領域Ｏ
は、層領域の支持体側端部層領域に少なくとも
設けられてあれば良いから、層領域Ｏの層厚tOと
には高々層領域の層厚tB分だけあれば良い。 又、層領域と該層領域上に直に設けられる
層領域（第１図で示せば層領域１０７に相当す
る）との間の密着性の強化を計るのであれば、層
領域Ｏは層領域の支持体の設けてある側とは反
対の端部層領域に少なくとも設けてあれば良いか
ら、層領域Ｏの層厚tOとしては、高々、層領域
の層厚tB分だけあれば良い。 更に、上記２つの点を満足する場合を考慮すれ
ば層領域Ｏの層厚tOとしては、少なくとも層領域
の層厚tBだけある必要があり、且つ、この場合
は、層領域Ｏ中に層領域が設けられた層構造と
される必要がある。 層領域と、該層領域上に直に設けられる層
領域との間の密着性を一層効果的に計るには層領
域Ｏを層領域の上方（支持体のある側とは反対
方向）に延在させるのが好ましいものである。 本発明に於いて、非晶質層の非晶質層側端
部層領域に酸素原子の含有されてない部分を設
け、層領域Ｏを非晶質層の反対側に局所的に偏
在させる場合には、層厚tOとしては上記した点を
考慮しつつ所望に従つて適宜決められるが、通常
の場合10Å〜10μ、好適には20Å〜8μ、最適には
30Å〜5μとされるのが望ましいものである。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第一の非晶質層１０３上に形成される第二の非
晶質層１０８は自由表面１０９を有し、主に耐湿
性、連続繰返し使用特性、耐圧性、使用環境特
性、耐久性に於いて本発明の目的を達成する為に
設けられる。 本発明に於いては、第一の非晶質層と第二の
非晶質層とを構成する非晶質材料の各々がシリ
コン原子という共通の構成要素を有しているの
で、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充
分成されている。 第二の非晶質層は、シリコン原子と炭素原子
とハロゲン原子Ｘとで構成される非晶質材料〔ａ
−（SixC1-x）yX1-y，但し０＜ｘ，ｙ＜１〕で形
成される。 ａ−（SixC1-x）yX1-yで構成される第二の非晶
質層の形成はグロー放電法、スパツタリング
法、イオンブランテーシヨン法、イオンブレーテ
イング法、エレクトロンビーム法等によつて成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易で
ある、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲン
原子を、作製する第二の非晶質層中に導入する
のが容易に行える等の利点からグロー放電法或い
はスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層を形成
するには、ａ−（SixC1-x）yX1-y形成用の原料ガ
スを、必要に応じて希釈ガスと所定量の混合比で
混合して、支持体の設置してある真空堆積用の堆
積室に導入し、導入されたガスを、グロー放電を
生起させることでガスプラズマ化して前記支持体
上に既に形成されてある第一の非晶質層上にａ
−（SixC1-x）yX1-yを堆積させれば良い。 本発明に於いて、ａ−（Six1-x）yX1-y形成用の
原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｘの中の少なくとも
１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものの中の大概のものが使
用され得る。 Si，Ｃ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層中に含有さ
れるハロゲン原子Ｘとして好適なのはＦ，Cl，
Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましいものであ
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層は、ａ−
（SixC1-x）yX1-yで構成されるものであるが、更
に水素原子を含有させることが出来る。 第二の非晶質層への水素原子の含有は、第一
の非晶質層との連続層形成の際に原料ガス種の
一部共通化を計ることが出来るので生産コスト面
の上で好都合である。 本発明に於いて、第二の非晶質層を形成する
のに有効に使用される原料ガスと成り得るものと
しては、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容
易にガス化し得る物質を挙げることが出来る。 この様な第二の非晶質層形成用の物質として
は、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数
２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲン化
水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロ
ゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が
出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
CH4、エタンC2H6、プロパンC3H6、ｎ−ブタン
ｎ−C4H10、ペンタンC5H12、エチレン系炭化水
素としては、エチレンC2H4，プロピレンC3H6、
ブテン−1C4H6、ブテン−2C4H6、イソブチレン
C4H6、ペンテンC5H10、アセチレン系炭化水素
としては、アセチレンC2H2、メチルアセチレン
C3H4、ブチンC4H6、ハロゲン単体としては、フ
ツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロ
ゲン化水素としては、FH，HI，HCl，HBr、ハ
ロゲン間化合物としては、BrF，ClF，ClF3，
ClF5，BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr，ハロ
ゲン化硅素としてはBiF4，Si2F6，SiCl4，SiCl3
Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3Ｉ，SiBr4、ハロ
ゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2，SiH2
Cl2，SiHCl3，SiH3Cl，SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他に、CCl4，CHF3，CH2H2，CH3
Ｆ，CH8Cl，CH3Br，CH3Ｉ，C2H5Cl等のハロ
ゲン置換パラフイン系炭化水素、SF4，SF6等の
フツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4，Si（C2H5）4，等
のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3，SiCl2（CH3）2，
SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シラン誘導体も有効なものとして挙げることが出
来る。 これ等の第二の非晶質層形成物質は、形成さ
れる第二の非晶質層中に、所定の組成比でシリ
コン原子、炭素原子及びハロゲン原子と必要に応
じて水素原子とが含有される様に、第二の非晶質
層の形成の際に所望に従つて選択されて使用さ
れる。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3，SiCl4，SiH2Cl2，或
いはSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で
第二の非晶質層形成用の装置内に導入してグロ
ー放電を生起させることによつてａ−（SixC1-x）
ｙ（Cl＋Ｈ）1-yから成る第二の非晶質層を形成
することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハ
ー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含有
されているウエーハーをターゲツトとして、これ
等をハロゲン原子と必要に応じて水素原子を構成
要素として含む種々のガス雰囲気中でスパツター
リングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて希釈ガスで希釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともハロゲン原子を
含有するガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて成される。Ｃ及びＸ、必要に応じてＨ
の導入用の原料ガスとなる物質としては先述した
グロー放電の例で示した第二の非晶質層形成用
の物質がスパツターリング法の場合にも有効な物
質として使用され得る。 本発明に於いて、第二の非晶質層をグロー放
電法又はスパツターリング法で形成する際に使用
される希釈ガスとしては、所謂・希ガス例えば
He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げること
が出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層は、その要求
される特性が所望通りに与えられる様に注意深く
形成される。 即ち、Si，Ｃ及びＸ，必要に応じてＨを構成原
子とする物質は、その作成条件によつて構造的に
は結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電気
物性的には、導電性から半導体性、絶縁性までの
間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質
までの間の性質を、各々示すので本発明に於いて
は、目的に応じた所望の特性を有するａ−
（SixC1-x）yX1-yが形成される様に、所望に従つ
てその作成条件の選択が厳密に成される。例え
ば、第二の非晶質層を耐圧性の向上を主な目的
として設けるにはａ−（SixC1-x）yX1-yは使用環
境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料
として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層が設けられ
る場合には上記の電気絶縁性の度合はある程度緩
和され、照射される光に対してある程度の感度を
有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）yX1-yが
作成される。 第一の非晶質層の表面にａ−（SixC1-x）
yX1-yから成る第二の非晶質層を形成する際、
層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及
び特性を左右する重要な因子であつて、本発明に
於いては、目的とする特性を有するａ−
（SixC1-x）yX1-yが所望通りに作成され得る様に
層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望
ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の非晶質層の形成法に併せて適宜
最適範囲が選択されて、第二の非晶質層の形成
が実行されるが、通常の場合、50〜350℃、好適
には100〜250℃とされるのが望ましいものであ
る。第二の非晶質層の形成には、層を構成する
原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方
法に較べて比較的容易である事等の為に、グロー
放電法やスパツターリング法の採用が有利である
が、これ等の層形成法で第二の非晶質層を形成
する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成
の際の放電パワーが作成されるａ−（SixC1-x）
yX1-yの特性を左右する重要な因子の１つであ
る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）yX1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては通常10〜
300W、好適には20〜200Wである。 堆積室内のガス圧は通常は0.01〜1Torr、好適
には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明に於いては第二の非晶質層を作成する
為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲
として前記した範囲の値が挙げられるが、これ等
の層作成フアクターは、独立的に別々に決められ
るものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）
yX1-yから成る第二の非晶質層が形成される様
に相互的有機的関連性に基づいて各層作成フアク
ターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
に含有される炭素原子及びハロゲン原子の量は、
第二の非晶質層の作成条件と同様、本発明の目
的を達成する所望の特性が得られる第二の非晶質
層が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層に含有される
炭素原子の量は通常１×10-3〜90atomic％、好
適には１〜90atomic％、最適には10〜80atomic
％とされるのが望ましいものがある。ハロゲン原
子の含有量としては、通常の場合、１〜
20atomic％、好適には１〜18atomic％、最適に
は２〜15atomic％とされるのが望ましく、これ
等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成
される光導電部材を実際面に充分適用させ得るも
のである。必要に応じて含有される水素原子の含
有量としては、通常の場合19atomic％、好適に
は13atomic％以下とされるのが望ましいもので
ある。即ち先のａ−（SixC1-x）ｙ：X1-yのｘ，
ｙ表示で行えばｘが通常0.1〜0.99999、好適には
0.1〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｙが通常0.8〜
0.99、好適には0.82〜0.99で最適には0.85〜0.98あ
るのが望ましい。ハロゲン原子と水素原子の両方
が含まれる場合、先と同様のａ−（SixC1-x）ｙ
（Ｈ＋Ｘ）1-yの表示で行えばこの場合のｘ，ｙの
数値範囲ａ−（SixC1-x）yX1-yの場合と、略々同
様である。 本発明に於ける第二の非晶質層の層厚の数値
範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の重
要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第二の非晶質層の層厚は、第一の非晶質
層１０３の層厚との関係に於いても、各々の層
領域に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。本
発明に於ける第二の非晶質層の層厚としては、
通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、最適には
0.005〜10μとされるのが望ましいものである。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス、Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O2＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 本発明において、Ｓ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層を形成するには例えばグロー
放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレー
テイング法等の放電現象を利用する真空堆積法に
よつて成される。例えば、グロー放電法によつ
て、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層を
形成するには、基本的にはシリコン原子Siを供給
し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子Ｈ導
入用の又は／及びハロゲン原子Ｘ導入用の原料ガ
スを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置されてある所定の支持体表面上に既に形
成されてある補助層上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る層を形成させれば良い。又、スパツタリング法
で形成する場合には、例えばAr，He等の不活性
ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの
雰囲気中でSiで構成されたターゲツトをスパツタ
リングする際、水素原子Ｈ又は／及びハロゲン原
子Ｘ導入用のガスをスパツタリング用の堆積室に
導入してやれば良い。 本発明において、必要に応じて非晶質層中に
含有されるハロゲン原子Ｘとしては、具体的には
フツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフ
ツ素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4，Si2H6，Si3H6，Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4，Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン置換されたシ
ラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上に既に設けてある補助層上にハロ
ゲン原子を含むａ−Siから成る非晶質層を形成
する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む非
晶質層を形成する場合、基本的には、Si供給用
の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとAr，
H2，He等のガス等を所定の混合比とガス流量に
なる様にして非晶質層を形成する堆積室に導入
し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズ
マ雰囲気を形成することによつて、所定の支持体
上に非晶質層を形成し得るものであるが、水素原
子の導入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子
を含む硅素化合物のガスも所定量混合して層形成
しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質
層を形成するには、例えばスパツタリング法の
場合にはSiから成るターゲツトを使用して、これ
を所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリング
し、イオンプレーテイング法の場合には、多結晶
シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸着
ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱
法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）等に
よつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラ
ズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えばH2、或いは前記したシ
ラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれ
ば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，SiH2
I2，SiH2Cl2，SiHCl2，SiH2Br2，SiHBr3等のハ
ロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物も有効な非晶質層形成用の出発物
質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては
好適なハロゲン原子導入用の原料として使用され
る。 水素原子を非晶質層中に構造的に導入するに
は、上記の他にH2、或いはSiH4，Si2H4，Si3
H6，Si4H10等の水素化硅素のガスをSiを供給す
る為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放
電を生起させる事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、補助層上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る非晶質層が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の第一
の非晶質層中に含有される水素原子Ｈの量又は
ハロゲン原子Ｘの量又は水素原子とハロゲン原子
の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜40atomic
％、好適には５〜30atomic％とされるのが望ま
しい。 第一の非晶質層中に含有される水素原子Ｈ又
は／及びハロゲン原子Ｘの量を制御するには、例
えば支持体温度又は／及び水素原子Ｈ、或いはハ
ロゲン原子Ｘを含有させる為に使用される出発物
質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制
御してやれば良い。 非晶質層に、第族原子を含有する層領域
及び酸素原子を含有する層領域Ｏを設けるには、
グロー放電法や反応スパツタリング法等による非
晶質層の形成の際に、第族原子導入用の出発
物質及び酸素原子導入用の出発物質を夫々前記し
た非晶質層形成用の出発物質と共に使用して、
形成される層中にその量を制御し乍ら含有してや
る事によつて成される。 第一の非晶質層を構成する、酸素原子の含有
される層領域Ｏ及び第族原子の含有される層領
域を夫々形成するのにグロー放電法を用いる場
合、各層領域形成用の原料ガスとなる出発物質と
しては、前記した非晶質層形成用の出発物質の
中から所望に従つて選択されたものに、酸素原子
導入用の出発物質又は／及び第族原子導入用の
出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入用
の出発物質又は第族原子導入用の出発物質とし
ては、少なくとも酸素原子或いは第族原子を構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質
をガス化したものの中の大概のものが使用され得
る。 例えば層領域Ｏを形成するのであれば、シリコ
ン原子Siを構成原子とする原料ガスと、酸素原子
Ｏを構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水
素原子Ｈ又は／及びハロゲン原子Ｘを構成原子と
する原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、シリコン原子Siを構成原子とする原
料ガスと、酸素原子Ｏ及び水素原子Ｈを構成原子
とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子Siを構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子Si、酸素原子Ｏ及
び水素原子Ｈの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子Siと水素原子Ｈとを
構成原子とする原料ガスに酸素原子Ｏを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具
体的には、例えば酸素O2、オゾンO3、一酸化窒
素NO、二酸化窒素NO2、一二酸化窒素N2Ｏ、三
二酸化窒素N2O3、四二酸化窒素N2O4、五二酸化
窒素N2O3、三酸化窒素NO3、シリコン原子Siと
酸素原子Ｏと水素原子Ｈとを構成原子とする、例
えば、ジシロキサンH3SiOSiH3、トリシロキサ
ンH3SiOSiH2OSiH3等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。 層領域をグロー放電法を用いて形成する場合
に第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH3，P2H4等の水素化燐、PH4Ｉ，PF3，
PF5，PCl3．PCl5．PBr3，PBr5，PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3，AsF3，
AsCl3，AsBr3，AsF5．SbH3，SbF3，SbH5，
SbCl3，SbCl5，BiH3，BiCl3，BiBr3等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。 第族原子を含有する層領域に導入される第
族原子の含有量は、堆積室中に流入される第
族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流量
比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力等
を制御することによつて任意に制御され得る。 スパツターリング法によつて、酸素原子を含有
する層領域Ｏを形成するには、単結晶又は多結晶
のSiウエーハー又はSiO2ウエーハー、又はSiと
SiO2が混合されて含有されているウエーハーを
ターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパツターリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて希釈ガスで希釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての希釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子Ｈ又は／及びハロゲン原子Ｘを構成原子
として含有するガス雰囲気中でスパツターリング
することによつて成される。酸素原子導入用の原
料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガスが、
スパツターリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。 本発明において、非晶質層をグロー放電法で形
成する際に使用される希釈ガス、或いはスパツタ
ーリング法で形成される際に使用されるスパツタ
ーリング用のガスとしては、所謂稀ガス、例えば
He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げること
が出来る。 第２図には、本発明の光導電部材の他の好適な
実施態様例の層構成が示される。 第２図に示される光導電部材２００が、第１図
に示される光導電部材１００と異なるところは、
第一の非晶質層２０３がその中に、下部補助層
２０２−１と同様の機能を果す上部補助層２０２
−２を有することである。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１、該
支持体２０１上に順に積層された、下部補助層２
０２−１、第一の非晶質層２０３及び第二の非
晶質層２０８とを具備し、非晶質層２０３
は、酸素原子の含有されている第一の層領域Ｏ２
０４と、第族原子の含有されている第二の層領
域２０５と、層領域２０６と層領域２０７との
間に上部補助層２０２−２とを有している。 上部補助層２０２−２は、層領域２０５と層
領域２０７との間の密着を強固にし、両者の接触
界面に於ける電気的接触を均一にしていると同時
に、層領域２０５上に直に設けることにより層
領域２０５の層質を強靱なものとしている。 第２図に示される光導電部材２００を構成する
下部補助層２０２−１及び上部補助層２０２−２
は、第１図に示した光導電部材１００を構成する
補助層１０２の場合と同様の非晶質材料を使用し
て、同様の特性が与えられる様に同様な層作成手
順と条件によつて形成される。 非晶質層２０３及び非晶質層２０８も、第
１図に示す非晶質層１０３及び非晶質層１０
８と夫々同様の特性及び機能を有し、第１図の場
合と同様な層作成手順と条件によつて作成され
る。 本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有される層領域の上に設けられ、第族原子
の含有されない層領域Ｂ（第１図では層領域１０
６に相当する）には、伝導特性を制御する物質を
含有させることにより、該層領域Ｂの伝導特性を
所望に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層を構成するａ−Si
（Ｈ，Ｘ）と対して、Ｐ型伝導特性を与えるｐ型
不純物、具体的には、周期律表第族に属する原
子（第族原子）、例えばＢ（硼素）、Al（アルミ
ニウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウム）、Tl
（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ，Gaである。 本発明に於いて、層領域Ｂに含有される伝導特
性を制御する物質の含有量は、該層領域Ｂに直に
要求される伝導特性、或いは該層領域Ｂに直に接
触して設けられる他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係等、有機
的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。 本発明に於いて、層領域Ｂ中に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量としては、通常の場
合、0.001〜1000atomic ppm、好適には0.05〜
500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましいものである。 層領域Ｂ中に伝導特性を制御する物質、例えば
第族原子を構造的に導入するには、層形成の際
に第族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に、非晶質層を形成する為の他の出発物質と
共に導入してやれば良い。この様な第族原子導
入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常
圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容
易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第族原子導入用の出発物質として
具体的には硼素原子導入用としては、B2H6，B4
H10，B5H9，B5H11，B6H10，B4H12，B6H14等
の水素化硼素、BF3，BCl3，BBr3等のハロゲン
化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3，GaCl3，
Ga（CH3）3，InCl3，TlCl3等も挙げることが出来
る。 本発明の光導電部材に於いては、第１図及び第
２図に示した例に於いて説明した様に、非晶質層
を構成する層領域Ｏが非晶質層に於いて支持
体側の方に局所的に偏在されている場合を好適な
実施態様例とするが、本発明はこれに限定される
ことはなく、例えば層領域Ｏを非晶質層の全層
領域として非晶質層を形成しても良いものであ
る。 この場合、非晶質層が光導電性を示すものと
して作成される必要があることから層領域Ｏ中に
含有される酸素原子の量の上限としては通常
30atomic％、好適には10atomic％、最適には
5atomic％とすることが望ましいものである。下
限としては、この場合も勿論前記した値とされ
る。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第３図に光導電部材の製造装置の一例を示す。 図中の３０２，３０３，３０４，３０５，３０
６のガスボンベには、本発明の夫々の層領域を形
成するための原料ガスが密封されており、その１
例としてたとえば３０２は、Heで希釈された
SiH4ガス（純度99.999％、以下SiH4／Heと略
す。）ボンベ、３０３はHeで希釈されたPH3ガス
（純度99.999％、以下PH3／Heと略す。）ボンベ、
３０４はHeで希釈されたSiF4ガス（純度99.99
％、以下SiF4／Heと略す。）ボンベ、３０５は
NOガス（純度99.999％）ボンベ、３０６はC2H4
ガス（純度99.999％）ボンベである。 各ボンベに充填されるガスは各層を形成する際
に必要とされるガス種とされることは云うまでも
なく、例えば、補助層を形成する場合には、ボン
ベ３０６に、NH3ガスを充填しておくようにす
る。 これらのガスを反応室３０１に流入させるには
ガスボンベ３０２〜３０６のバルブ、３２２〜３
２６、リークバルブ３３５が閉じられていること
を確認し、又、流入バルブ３１２〜３１６、流出
バルブ３１７〜３２１、補助バルブ３３２が開か
れていることを確認して先づメインバルブ３３４
を開いて反応室３０１、ガス配管内を排気する。
次に真空計３３６の読みが約５×10-6torrになつ
た時点で補助バルブ３３２，３３３、流入バルブ
３２２〜３２６、流出バルブ３１７〜３２１を閉
じる。その後、反応室３０１内に導入すべきガス
のボンベに接続されているガス配管のバルブを所
定通り操作して、所望するガスを反応室３０１内
に導入する。 次に第１図に示す構成と同様の構成の光導電部
材を作成する場合の一例の概略を述べる。 先ず、支持体３３７上に補助層を形成する場合
の１例をあげると、ガスボンベ３０２より
SiH4／Heガス、ガスボンベ３０６よりNH3ガス
をバルブ３２２，３２６を開いて出口圧ゲージ３
２７，３３１の圧を１Kg／cm3に調整し、流入バル
ブ３１２，３１６を徐々に開けて、マスフロコン
トローラ３０７，３１１内に流入させる。引き続
いて流出バルブ３１７，３２１、補助バルブ３３
２を徐々に開いて夫々のガスを反応室３０１に流
入させる。このときのSiH4／Heガス流量とNH3
ガス流量との比が所望の値になるように流出バル
ブ３１７，３２１を調整し、又、反応室３０１内
の圧力が所望の値になるように真空計３３６の読
みを見ながらメインバルブ３３４の開口を調整す
る。そして支持体３３７の温度が加熱ヒーター３
３８により50〜400℃の範囲の温度に設定されて
いることを確認した後、電源３４０を所望の電力
に設定して反応室３０１内にグロー放電を生起さ
せて補助層を支持体３３７上に形成する。形成さ
れる補助層中に、ハロゲン原子を導入するには、
例えば上記の補助層の作成に就ての説明に於い
て、SiH4ガスの代りに、SiF4ガスを用いるか、
SiH4ガスにSiF4ガスを加えて層形成することに
よつて成される。補助層中に含有される窒素原子
や水素原子、ハロゲン原子の含有量は、これ等の
原子を構成原子とする補助層形成用の出発物質を
反応室３０１に導入する際の流量を調整すること
によつて制御される。 例えば窒素原子の含有量の制御は、NH3ガス
の流量を、又、ハロゲン原子の含有量の制御は、
SiF4ガスの流量を、夫々調整することによつて成
される。 次に、支持体３３７上に第一の非晶質層を形
成する場合の１例をあげる。シヤツター３４２は
閉じられており、電源３４０より高圧電力が印加
されるよう接続されている。ガスボンベ３０２よ
りSiH4／Heガス、ガスボンベ３０３よりPH3／
Heガス、ガスボンベ３０５からNOガスの夫々
をバルブ３２２，３２３，３２５を夫々開いて出
口圧ゲージ３２７，３２８，３３０の夫々の圧を
１Kg／cm3に調整し、流入バルブ３１２，３１３，
３１５を徐々に開けて、マスフロコントローラ３
０７，３０８，３１０内に流入させる。引き続い
て流出バルブ３１７，３１８，３２０、補助バル
ブ３３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室３０
１に流入させる。このときのSiH4／Heガス流
量、PH3／Heガス流量、NOガス流量の夫々の比
が所望の値になるように流出バルブ３１７，３１
８，３２０の開口を夫々調整し、又、反応室３０
１内の圧力が所望の値になるように真空計３３６
の読みを見ながらメインバルブ３３４の開口を調
整する。そして支持体３３７の温度が加熱ヒータ
ー３３８により50〜400℃の範囲の所望の温度に
設定されていることを確認された後、電源３４０
を所望の電力に設定して反応室３０１内にグロー
放電を生起させて支持体３３７上に先づ硼素と酸
素の含有された層領域を形成する。 この際、PH3／Heガス、或いはNOガスの反応
室３０１内への導入を各対応するガス導入管のバ
ルブを閉じることによつて遮断することで、燐の
含有される層領域、或いは、酸素の含有される層
領域の層厚を所望に従つて任意に制御することが
出来る。 燐と酸素が夫々含有された層領域が上記の様に
して所望層厚に形成された後、流出バルブ３１
８，３２０の夫々を閉じて、引き続きグロー放電
を所望時間続けることによつて、燐と酸素が夫々
含有された層領域上に、燐及び酸素の含有されな
い層領域が所望の層厚に形成されて、第一の非晶
質層の形成が終了する。 本発明の光導電部材に於いては、前述した様に
非晶質層を構成する層領域Ｏと層領域Ｖとは、
少なくともその一部の層領域を共有するものであ
るから、非晶質層を形成する際に例えばPH3ガ
スとNOガスとを所望の流量で反応室３０１に同
時に導入する時間を所望の長さ設ける必要があ
る。 例えば、前述した様に非晶質層の形成開始時
から所望の時間、PH3ガスとNOガスとを反応室
３０１内に導入し、該時間の経過後、いずれかの
ガスを反応室３０１内に導入するのを止めること
によつて、層領域Ｏ又は層領域Ｖのいずれか一方
の層領域中に他の層領域を設けることが出来る。 或いは、非晶質層の形成の際にPH3ガスか
NOガスのいずれか一方を、所望時間反応室３０
１内に導入した後、他方を更に反応室３０１内に
導入して、所望時間の層形成を行うことによつ
て、燐か酸素のいずれかが含有されている層領域
上に、燐と酸素の両者が含有されている層領域を
形成することが出来る。 又、この際、PH3ガスか又はNOガスのいずれ
か一方だけを反応室３０１内に導入するのを止
め、他方を引き続き導入することによつて、燐と
酸素の両者が含有されている層領域上に燐か又は
酸素のいずれか一方が含有されている層領域を形
成するこが出来る。 第２図に示す光導電部材２００の例の場合の様
に、第一の非晶質層２０３中に上部補助層２０
２−２を有する光導電部材の場合には、非晶質層
２０３の形成の途中に於いて、前記した方法に
よつて形成される下部補助層２０２−１と同様の
層形成を行うことによつて、非晶質層中に上部
補助層を設けることが出来る。 第一の非晶質層上に第二の非晶質層を形成
するには、例えば、次の様に行う。まずシヤツタ
ー３４２を開く。すべてのガス供給バルブは一旦
閉じられ、反応室３０１は、メインバルブ３３４
を全開することにより、排気される。 高圧電力が印加される電極３４１上には、予め
高純度シリコンウエハ３４２−１、及び高純度グ
ラフアイトウエハ３４２−２が所望の面積比率で
設置されたターゲツトが設けられている。ガスボ
ンベ３０４より、SiF4／Heガスを、反応室３０
１内に導入し、反応室３０１の内圧が0.05〜
1Torrとなるようメインバルブ３３４を調節す
る。高圧電源３４０をONとしターゲツトをスパ
ツタリングすることにより、第一の非晶質層上
に第二の非晶質層を形成することが出来る。 第二の非晶質層中に含有される炭素原子の量
は、シリコンウエハとグラフアイトウエハのスパ
ツター面積比率や、ターゲツトを作成する際のシ
リコン粉末とグラフアイト粉末の混合比を所望に
従つて調整することによつて所望に応じて制御す
ることが出来る。 第二の非晶質層を形成する他の方法として
は、第一の非晶質層の形成の際と同様なバルブ
操作によつて例えば、SiH4ガス、SiF4ガス、C2
H4ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈ガスで
稀釈して、所望の流量比で反応室３０１中に流し
所望の条件に従つてグロー放電を生起させること
によつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室３０１内、流出バルブ３１
７〜３２１から反応室３０１内に至るガス配管内
に残留することを避けるために、流出バルブ３１
７〜３２１を閉じ補助バルブ３３２を開いてメイ
ンバルブ３３４を全開して系内を一旦高真空に排
気する操作を必要に応じて行う。 実施例 １ 第３図に示した製造装置により、アルミニウム
基板上に以下の条件で層形成を行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を、透過型の
テストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を、一旦ゴム
ブレードでクリーニングし、再び上記作業クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
【表】
実施例 ２
第３図に示した製造装置により、Al基板上に
以下の条件で層形成を行つた。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数10万回以
上行つても画像の劣化は見られなかつた。
以下の条件で層形成を行つた。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数10万回以
上行つても画像の劣化は見られなかつた。
【表】
実施例 ３
第３図に示した装置により、Al基板上に以下
の条件で層形成を行つた。 その他の条件は、実施例１と同様にして行つ
た。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に濃度の極めて高い良好なト
ナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
の条件で層形成を行つた。 その他の条件は、実施例１と同様にして行つ
た。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に濃度の極めて高い良好なト
ナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
【表】
実施例 ４
第二の非晶質層の形成の際とシリコンウエハ
とグラフアイトの面積比を変えて、非晶質層中
に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変
化させる以外は、実施例３と全く同様な方法によ
つて像形成部材を作成した。 こうして得られた像形成部材につき実施例１に
述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約
５万回繰り返した後画像評価を行つたところ第４
表の如き結果を得た。
とグラフアイトの面積比を変えて、非晶質層中
に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変
化させる以外は、実施例３と全く同様な方法によ
つて像形成部材を作成した。 こうして得られた像形成部材につき実施例１に
述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約
５万回繰り返した後画像評価を行つたところ第４
表の如き結果を得た。
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上使用し得
る ×〓画像欠陥を生ずる
実施例 ５ 第二の非晶質層の層厚を変える以外は、実施
例１と全く同様な方法によつて像形成部材を作成
した。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリ
ーニングの工程を繰り返し下記の結果を得た。
る ×〓画像欠陥を生ずる
実施例 ５ 第二の非晶質層の層厚を変える以外は、実施
例１と全く同様な方法によつて像形成部材を作成
した。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリ
ーニングの工程を繰り返し下記の結果を得た。
【表】
実施例 ６
補助層と非晶質層の形成方法を下記第６表の
如く変える以外は、実施例１と同様な方法で像形
成部材を作成し、実施例１と同様な方法で評価を
行つたところ良好な結果が得られた。
如く変える以外は、実施例１と同様な方法で像形
成部材を作成し、実施例１と同様な方法で評価を
行つたところ良好な結果が得られた。
【表】
実施例 ７
補助層と非晶質層の形成方法を下記第７表の
如く変える以外は、実施例１と同様な方法で像形
成部材を作成し、実施例１と同様な方法で評価を
行つたところ、良好な結果が得られた。
如く変える以外は、実施例１と同様な方法で像形
成部材を作成し、実施例１と同様な方法で評価を
行つたところ、良好な結果が得られた。
【表】
実施例 ８
第３図に示した製造装置により、Al基板上に、
下記の第８表の条件にした他は実施例と同様にし
て層形成を行つた。 この様にして得られた電子写真用像形成部材に
実施例２と同様の評価を行つたところ良好な結果
が得られた。
下記の第８表の条件にした他は実施例と同様にし
て層形成を行つた。 この様にして得られた電子写真用像形成部材に
実施例２と同様の評価を行つたところ良好な結果
が得られた。
【表】
実施例 ９
第３図に示した製造装置により、Al基板上に
下記の第９表の条件で層形成を行つた。 その他の条件は、実施例１と同様にして行つ
た。 こうして得られた像形成部材に就て、実施例３
と同様の評価を行つたところ、高品質の画像が得
られ、耐久性に優れたものであつた。
下記の第９表の条件で層形成を行つた。 その他の条件は、実施例１と同様にして行つ
た。 こうして得られた像形成部材に就て、実施例３
と同様の評価を行つたところ、高品質の画像が得
られ、耐久性に優れたものであつた。
【表】
実施例 10
非晶質層を下記の如き条件によつてスパツタ
リング法によつて作成する以外は、実施例３と同
様な方法で像形成部材を作成し、実施例３と同様
な方法で評価を行つたところ、良好な結果が得ら
れた。
リング法によつて作成する以外は、実施例３と同
様な方法で像形成部材を作成し、実施例３と同様
な方法で評価を行つたところ、良好な結果が得ら
れた。
【表】
実施例 11
実施例８の第３，４層作成段階に於ける層作成
条件を下記の第11表に示す各条件にした以外は、
実施例８に示した条件と手順に従つて、電子写真
用像形成部材の夫々を作製し、実施例１と同様の
方法で評価したところ、夫々に於いて特に画質耐
久性の点に於いて良好な結果が得られた。
条件を下記の第11表に示す各条件にした以外は、
実施例８に示した条件と手順に従つて、電子写真
用像形成部材の夫々を作製し、実施例１と同様の
方法で評価したところ、夫々に於いて特に画質耐
久性の点に於いて良好な結果が得られた。
【表】
第１図及び第２図は、夫々、本発明の光導電部
材の好適な実施例態様例の層構造を模式的に示し
た模式的層構成図、第３図は、本発明の光導電部
材を製造する為の装置の一例を示す模式的説明図
である。 １００，２００……光導電部材、１０１，２０
１……支持体、１０２，２０２−１，２０２−２
……補助層、１０３，２０３……第一の非晶質層
、１０４，２０４……第一の層領域Ｏ、１０
５，２０５……第二の層領域Ｖ、１０８，２０８
……第二の非晶質層、１０９，２０９……自由
表面。
材の好適な実施例態様例の層構造を模式的に示し
た模式的層構成図、第３図は、本発明の光導電部
材を製造する為の装置の一例を示す模式的説明図
である。 １００，２００……光導電部材、１０１，２０
１……支持体、１０２，２０２−１，２０２−２
……補助層、１０３，２０３……第一の非晶質層
、１０４，２０４……第一の層領域Ｏ、１０
５，２０５……第二の層領域Ｖ、１０８，２０８
……第二の非晶質層、１０９，２０９……自由
表面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
体とし、構成原子として窒素原子を含有する非晶
質材料で構成された補助層と、シリコン原子を母
体とする非晶質材料で構成され、光導電性を示す
第一の非晶質層とを有し、前記第一の非晶質層
が、構成原子として酸素原子を含有する第一の層
領域と、構成原子として周期律表第族に属する
原子を含有する第二の層領域とを有し、これ等
は、少なくとも互いの一部を共有して前記補助層
に接して前記支持体側の方に内在されており、前
記第二の層領域の層厚をtBとし、前記第一の非晶
質層の層厚と第二の層領域の層厚tBとの差をＴと
すれば tB／（Ｔ＋tB）≦0.4 の関係が成立し、前記第一の非晶質上に、シリコ
ン原子と炭素原子とハロゲン原子とを構成原子と
して含む非晶質材料で構成された第二の非晶質層
を有する事を特徴とする光導電部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57034209A JPS58150964A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 光導電部材 |
| DE19833303266 DE3303266A1 (de) | 1982-02-01 | 1983-02-01 | Fotoeleitfaehiges element |
| US06/830,483 US4636450A (en) | 1982-02-01 | 1986-02-18 | Photoconductive member having amorphous silicon matrix with oxygen and impurity containing regions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57034209A JPS58150964A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58150964A JPS58150964A (ja) | 1983-09-07 |
| JPH0473145B2 true JPH0473145B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=12407762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57034209A Granted JPS58150964A (ja) | 1982-02-01 | 1982-03-04 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58150964A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2551477Y2 (ja) * | 1992-02-26 | 1997-10-22 | 石川ガスケット株式会社 | 金属積層形ガスケット |
-
1982
- 1982-03-04 JP JP57034209A patent/JPS58150964A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58150964A (ja) | 1983-09-07 |