JPS5814945A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS5814945A JPS5814945A JP11362181A JP11362181A JPS5814945A JP S5814945 A JPS5814945 A JP S5814945A JP 11362181 A JP11362181 A JP 11362181A JP 11362181 A JP11362181 A JP 11362181A JP S5814945 A JPS5814945 A JP S5814945A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- induction heating
- heating coil
- wafer
- substrate wafer
- Prior art date
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- Granted
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、気相成長装置の改良に関するものである・
従来の気相成長装置は、第１図に示すように、反応ベル
ゾーヤーｌ内のサセプタ２上に基板ウェーハ３を載置し
、このサセプタ２を回転軸４に支持させて回転させつつ
、その下に配置した誘導加熱コイル５に高周波発振器６
よシ高周波電流を流し、サセプタ２を誘導加熱すること
にょシその熱を基板ウェーハ３に伝えて基板ウェーハ３
を加熱し、且つ回転軸４内のガス通路７よシ反応ペルジ
ャーｌ内に反応ガス（例えば、Ｈ２と５ｉＣｊ４の混合
ガス）を送９込んで基板ウェー／％３の表面に気相成長
を生じ嘔せている。
ゾーヤーｌ内のサセプタ２上に基板ウェーハ３を載置し
、このサセプタ２を回転軸４に支持させて回転させつつ
、その下に配置した誘導加熱コイル５に高周波発振器６
よシ高周波電流を流し、サセプタ２を誘導加熱すること
にょシその熱を基板ウェーハ３に伝えて基板ウェーハ３
を加熱し、且つ回転軸４内のガス通路７よシ反応ペルジ
ャーｌ内に反応ガス（例えば、Ｈ２と５ｉＣｊ４の混合
ガス）を送９込んで基板ウェー／％３の表面に気相成長
を生じ嘔せている。
しかしながら、このような従来の気相成長装置では、サ
セプタ２と基板ウェー７％３の温度差か出て、基板ウェ
ーハ３上にスリップバンド等の結晶欠陥が発生する原因
になっていえ、また高Ｊｉ！ＩＩＩ波発振器６．の周波
数を下けて行くと、例えは周波数が３０ ＫＨｚになる
と、サセプタ２が誘導加熱コイル５に流れる高周波電流
の力により浮上する欠点があった。
セプタ２と基板ウェー７％３の温度差か出て、基板ウェ
ーハ３上にスリップバンド等の結晶欠陥が発生する原因
になっていえ、また高Ｊｉ！ＩＩＩ波発振器６．の周波
数を下けて行くと、例えは周波数が３０ ＫＨｚになる
と、サセプタ２が誘導加熱コイル５に流れる高周波電流
の力により浮上する欠点があった。
本発明の目的は、スリップバンド等の結晶欠陥の発生を
防止でき、且つサセプタの浮上を抑制できる気相成長装
置を提供するにある。
防止でき、且つサセプタの浮上を抑制できる気相成長装
置を提供するにある。
本発明の気相成長装置は、サセプタの基板ウェーハ載置
面の上方に誘導加熱コイルを配設し、基板ウェーハ側よ
シサセプタを誘導加熱することＫより、基板ウェー八に
この基板ウェーハをサセｌタの側に押しつける電磁力を
作用させるようにしたものである。
面の上方に誘導加熱コイルを配設し、基板ウェーハ側よ
シサセプタを誘導加熱することＫより、基板ウェー八に
この基板ウェーハをサセｌタの側に押しつける電磁力を
作用させるようにしたものである。
以下本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
第２図は本発明の第１実施例を示したものである０本実
施例の気相成長装置において蝶、反応ペルジャー１内に
サセプタ２が水平に配設され、このサセプタ２上に基板
ウェーハ３が載置されて加熱を受けるようになって−る
。？セグタ２は反応ペルジャー１の底板ｌムを貫通すゐ
回転軸４に支持されている０反応ペルジャーｌの上部に
は反応ガス供給管８が貫通して取付けられ、その先端の
供給ヘッド８ムから反応ペルジャーｌ内に反応ガスの供
給が行われるようになっている・反応ペルジャーｌの底
板１ムには反応ガス排出口９が設けられている・基板ウ
ェーハ３の上面に対向して反応ペルジャー１の外部上方
に誘導加熱コイル５が配設されて支持体ｌＯに支持され
ている。
施例の気相成長装置において蝶、反応ペルジャー１内に
サセプタ２が水平に配設され、このサセプタ２上に基板
ウェーハ３が載置されて加熱を受けるようになって−る
。？セグタ２は反応ペルジャー１の底板ｌムを貫通すゐ
回転軸４に支持されている０反応ペルジャーｌの上部に
は反応ガス供給管８が貫通して取付けられ、その先端の
供給ヘッド８ムから反応ペルジャーｌ内に反応ガスの供
給が行われるようになっている・反応ペルジャーｌの底
板１ムには反応ガス排出口９が設けられている・基板ウ
ェーハ３の上面に対向して反応ペルジャー１の外部上方
に誘導加熱コイル５が配設されて支持体ｌＯに支持され
ている。
支持体ｌＯは本実施例で祉反応ペルジャー１の底板ＩＡ
に取付けられている。誘導加熱コイル５には高周波発振
器６が接続されている。
に取付けられている。誘導加熱コイル５には高周波発振
器６が接続されている。
このような気相成長装置においては、誘導加熱コイル５
に高周波電流を流すと、基板ウェーハ３をサセプタ２の
方向に押し付ける電磁力が働き、基板ウェーハ３とサセ
プタ２との密着性が良くなる。かかる状態で、サセプタ
２が誘導加熱はれて温度上昇すると、その上の各基板ウ
ェー／３ｔｉ熱伝導により均一に温度上昇し、スリップ
バンド等の結晶欠陥のない気相成長ができる。また、す
七ブタ２の上方に誘導加熱コイル５が存在するので、サ
セプタ２に対して下向きの電磁力が作用し、サセプタ２
Ｆｉ浮上することはない。
に高周波電流を流すと、基板ウェーハ３をサセプタ２の
方向に押し付ける電磁力が働き、基板ウェーハ３とサセ
プタ２との密着性が良くなる。かかる状態で、サセプタ
２が誘導加熱はれて温度上昇すると、その上の各基板ウ
ェー／３ｔｉ熱伝導により均一に温度上昇し、スリップ
バンド等の結晶欠陥のない気相成長ができる。また、す
七ブタ２の上方に誘導加熱コイル５が存在するので、サ
セプタ２に対して下向きの電磁力が作用し、サセプタ２
Ｆｉ浮上することはない。
第３図は本発明の第２実施例を示したものである０本実
施例の気相成長装置においては、訪導加熱コイル感をサ
セプタ２の上方に配設した点Ｆｉ紀１実施例と同様でお
るが、本実施例ではこの誘導加熱コイル６を反応ペルジ
ャーｌの中に入れた点で相違している。この場合は、反
応ガスによシ腐蝕されないように誘導加熱コイル５Ｆｉ
石英等め保膿材１１で保賎されている。
施例の気相成長装置においては、訪導加熱コイル感をサ
セプタ２の上方に配設した点Ｆｉ紀１実施例と同様でお
るが、本実施例ではこの誘導加熱コイル６を反応ペルジ
ャーｌの中に入れた点で相違している。この場合は、反
応ガスによシ腐蝕されないように誘導加熱コイル５Ｆｉ
石英等め保膿材１１で保賎されている。
仁のようにしても第１実施例と同様の効果を得ることが
できる。
できる。
以上説明したように本発明の気相成長装置において鉱、
サセプタの上方に誘導加熱コイルを配設してサセプタ上
面の基板ウェーＩ・に気相成長を行わせるようにしたの
で、基板ウエーノ１をサセプタに押しつける電磁力が働
き、基板ウェーハとサセプタとの密着性が良くな如、誘
導加熱されたサセプタによシ均一に各基板つＳニー７１
が加熱され、スリップバンド等Ｏ結晶欠陥のな一気相成
長を行わせることができる。従って、本発明によれば、
歩留及び生産性を向上嘔せることができる。１にた、本
発明によれば、サセプタには誘導加熱コイルによシ下向
きの電磁力が作用し、サセプタの浮上を防止することが
できる・
サセプタの上方に誘導加熱コイルを配設してサセプタ上
面の基板ウェーＩ・に気相成長を行わせるようにしたの
で、基板ウエーノ１をサセプタに押しつける電磁力が働
き、基板ウェーハとサセプタとの密着性が良くな如、誘
導加熱されたサセプタによシ均一に各基板つＳニー７１
が加熱され、スリップバンド等Ｏ結晶欠陥のな一気相成
長を行わせることができる。従って、本発明によれば、
歩留及び生産性を向上嘔せることができる。１にた、本
発明によれば、サセプタには誘導加熱コイルによシ下向
きの電磁力が作用し、サセプタの浮上を防止することが
できる・
第１図は従来の気相成長装置の一実施例を示す縦断面図
、ｊｌｉＥ２図及び第３図は本発明に係る気相成長装置
の第１．第２実施例の縦断面図である。 １・・・反応ペルジャー、２・・・サセプタ、３・・・
基板ウェーハ、４・・・回転軸、５・・・誘導加熱コイ
ル。
、ｊｌｉＥ２図及び第３図は本発明に係る気相成長装置
の第１．第２実施例の縦断面図である。 １・・・反応ペルジャー、２・・・サセプタ、３・・・
基板ウェーハ、４・・・回転軸、５・・・誘導加熱コイ
ル。
Claims (1)
- 反応ペルジャー内で回転するサセプタ上に基板ウェーハ
を載置し、前記反応ペルジャー内に反応ガスを供給し、
前記サセプタを誘導加熱コイルにより誘導加熱しつつ前
記基板ウェーハを気相成長させる気相成長装置において
一前記誘導加熱コイルを前記サセプタの上方に配設した
ことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11362181A JPS5814945A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11362181A JPS5814945A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814945A true JPS5814945A (ja) | 1983-01-28 |
| JPS625995B2 JPS625995B2 (ja) | 1987-02-07 |
Family
ID=14616850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11362181A Granted JPS5814945A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814945A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61246370A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-11-01 | Sakaguchi Dennetsu Kk | 気相化学反応炉 |
| JPS6347364A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化学的気相成長法およびその装置 |
| JP2004315930A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Denso Corp | Ｃｖｄ装置 |
| JP2005294606A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー加熱装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110665A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-09 | Seiko Epson Corp | Heating mechanism for vacuum apparatus |
-
1981
- 1981-07-22 JP JP11362181A patent/JPS5814945A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110665A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-09 | Seiko Epson Corp | Heating mechanism for vacuum apparatus |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61246370A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-11-01 | Sakaguchi Dennetsu Kk | 気相化学反応炉 |
| JPS6347364A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化学的気相成長法およびその装置 |
| JP2004315930A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Denso Corp | Ｃｖｄ装置 |
| JP2005294606A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー加熱装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS625995B2 (ja) | 1987-02-07 |
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