JPS58150214A - 電子部品用リ−ド線の製造方法 - Google Patents
電子部品用リ−ド線の製造方法Info
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- JPS58150214A JPS58150214A JP3280782A JP3280782A JPS58150214A JP S58150214 A JPS58150214 A JP S58150214A JP 3280782 A JP3280782 A JP 3280782A JP 3280782 A JP3280782 A JP 3280782A JP S58150214 A JPS58150214 A JP S58150214A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子部品に使用されるリード線、特に品質及び
姓済性の優れたリード線の製造方法に関するものである
。
姓済性の優れたリード線の製造方法に関するものである
。
従来電子部品、例えはコンデンサー、ダイオード、固定
抵抗器、変成器寺のリード線には、銅又は鋼台ｉｉ、ｍ
復銅線、献鋼線寺Ｃ礒又は鋼合金を電気メッキ又はホッ
トディップ≦二よを」メッキした線が用いられている。
抵抗器、変成器寺のリード線には、銅又は鋼台ｉｉ、ｍ
復銅線、献鋼線寺Ｃ礒又は鋼合金を電気メッキ又はホッ
トディップ≦二よを」メッキした線が用いられている。
錫又は錫合金のメッキは部品の製造及び電気回路への組
込みの際のハンダ付けを容易にするためで、通常Ｉｌｌ
μ以上の厘さにニメッキしている。
込みの際のハンダ付けを容易にするためで、通常Ｉｌｌ
μ以上の厘さにニメッキしている。
一般に電子部品≦二流Ｔ屯流は小さいため部品ｇ二よっ
ては、その製造又は′電気回路に組込む際の半田付けに
おいて、半田句けの尚温度が部品本体イニ悪影蓄を及ば
Ｔのを防止するため、リード線の熱伝碑性、即ち都電性
を低くすることが要求されることがある。このような場
合には銅合金嵌又は痢復鋼線上に錫又は錫合金をメッキ
したものが使用されている。しかしながら鋼合金線は銅
線よ各】市価であり、経済上の理由から汎用性に欠ける
欠点がある。また銅覆鋼線は鋼線上に銅を厚く被覆した
もので、これ５二鍋又は鋼合金をメッキしたものは、黙
伝尋率が低く、腰が強い上にハンダ付は性が良好である
特徴を偏し、コンデンサー、特にアルミｉ＠Ｗｅコンデ
ンサーに使用さ名ている。しかしながら銅線、例えば低
灰素アルミキルドｗ４線上（二鋼ケ厚く被復Ｔるために
は、特Ｉ１４．な製造工程（クラッド又は厘メッキ）を
必要とし、価格は鋼合金線と同等又はよ１）商価なもの
となる欠点がある。
ては、その製造又は′電気回路に組込む際の半田付けに
おいて、半田句けの尚温度が部品本体イニ悪影蓄を及ば
Ｔのを防止するため、リード線の熱伝碑性、即ち都電性
を低くすることが要求されることがある。このような場
合には銅合金嵌又は痢復鋼線上に錫又は錫合金をメッキ
したものが使用されている。しかしながら鋼合金線は銅
線よ各】市価であり、経済上の理由から汎用性に欠ける
欠点がある。また銅覆鋼線は鋼線上に銅を厚く被覆した
もので、これ５二鍋又は鋼合金をメッキしたものは、黙
伝尋率が低く、腰が強い上にハンダ付は性が良好である
特徴を偏し、コンデンサー、特にアルミｉ＠Ｗｅコンデ
ンサーに使用さ名ている。しかしながら銅線、例えば低
灰素アルミキルドｗ４線上（二鋼ケ厚く被復Ｔるために
は、特Ｉ１４．な製造工程（クラッド又は厘メッキ）を
必要とし、価格は鋼合金線と同等又はよ１）商価なもの
となる欠点がある。
こね等に鑑み、鋼線上に曲接輸又は錫合金をメッキする
ことが検問さねだが、剛線上に旧接錫又は錫合金をメッ
キＴると、メッキされた嶋又は錫合金は結晶ｔｔ楡か粗
大でピンホールが多数存在するため、累地忙ｊＡの拡散
や酸化が起りやＴ＜、ハンダ付は牲が劣化し易いため実
用化さねていない。またハンダ付は性の劣化を防止する
ため、鍋又は鋼合金のメッキ厚さを厚くした１１．戚い
は餉腺上≦ニニッケル号の中間層を設けて鍋又は賜公並
をメッキし、索地合ｊ＾の拡散を防止Ｔることも試みら
れたか、過大なメッキによ１１メツキ費用が増大するば
か壷）か、児全な効果は得らねなかった。
ことが検問さねだが、剛線上に旧接錫又は錫合金をメッ
キＴると、メッキされた嶋又は錫合金は結晶ｔｔ楡か粗
大でピンホールが多数存在するため、累地忙ｊＡの拡散
や酸化が起りやＴ＜、ハンダ付は牲が劣化し易いため実
用化さねていない。またハンダ付は性の劣化を防止する
ため、鍋又は鋼合金のメッキ厚さを厚くした１１．戚い
は餉腺上≦ニニッケル号の中間層を設けて鍋又は賜公並
をメッキし、索地合ｊ＾の拡散を防止Ｔることも試みら
れたか、過大なメッキによ１１メツキ費用が増大するば
か壷）か、児全な効果は得らねなかった。
本発明はこれに龜み棟々検討の結果、品賀及び経済性の
優れたリード線の装怠カ法！開発したもので表面が清浄
な＠蛛土と二鍋又は鋼合金の畿属成分（Ｍｎ” ）が５
〜３０１／１３の醒性冶を用いて′電流密度１〜２５Ａ
／ｄｍ”により厚さ１μ以丁の倣細核フラッシュメッキ
を施し、その上５１同種の酸を主成分とＴる鍋又は錫合
虻メッキ袷を用いて賜又は錫合金メッキを行なうことを
特徴とするものである。
優れたリード線の装怠カ法！開発したもので表面が清浄
な＠蛛土と二鍋又は鋼合金の畿属成分（Ｍｎ” ）が５
〜３０１／１３の醒性冶を用いて′電流密度１〜２５Ａ
／ｄｍ”により厚さ１μ以丁の倣細核フラッシュメッキ
を施し、その上５１同種の酸を主成分とＴる鍋又は錫合
虻メッキ袷を用いて賜又は錫合金メッキを行なうことを
特徴とするものである。
卸ち、本発明は要求される性能の鋼線１例えは炭素量が
０，２ｗｔ％以上、通常は０．０８ｗ ｔ％前後の低炭
系Ｍ梅を用い、必要に応じて脱脂、酸洗等の前処理′８
−施して表面を清浄化した後、絹又は錫合祉の金属成分
（Ｍｎ勺が５〜３０１／１３である酸性冶を用い、′電
流密度１〜２５Ａ／ｄｍ”ｌ二より厚さ１μ以−ド、望
ましくは０．０５〜０５μの鍋又は鋼合金の畝細核フラ
ッシュメッキを行ない、その上に同種の散を主成分とＴ
る鍋又は錫合金メッキ浴を用いて、鍋又は鋼合金を所定
の厚さにメッキするもθ）である。
０，２ｗｔ％以上、通常は０．０８ｗ ｔ％前後の低炭
系Ｍ梅を用い、必要に応じて脱脂、酸洗等の前処理′８
−施して表面を清浄化した後、絹又は錫合祉の金属成分
（Ｍｎ勺が５〜３０１／１３である酸性冶を用い、′電
流密度１〜２５Ａ／ｄｍ”ｌ二より厚さ１μ以−ド、望
ましくは０．０５〜０５μの鍋又は鋼合金の畝細核フラ
ッシュメッキを行ない、その上に同種の散を主成分とＴ
る鍋又は錫合金メッキ浴を用いて、鍋又は鋼合金を所定
の厚さにメッキするもθ）である。
しかして炭素量０．２ｗｔ％以上、通常は０．（１８Ｗ
ｔ％ｎＩＪ後の鋼線を用いたのは炭素量がｏ、２ｗｔ
％を越えると銅線か硬實なものとなＩＩ、′電子部品の
製造Ｉｔ ヒ’４気回路への組込みが困難となるためで
ある。また鎖線の表面を必要に応じて清浄化下るために
は常法に従ってアルカリ脱脂、電解エツチング等を施せ
ばよい。尚、Ｘ線の断面形状としては、円形、正方形、
平角状その他異形のものが使用できる。
ｔ％ｎＩＪ後の鋼線を用いたのは炭素量がｏ、２ｗｔ
％を越えると銅線か硬實なものとなＩＩ、′電子部品の
製造Ｉｔ ヒ’４気回路への組込みが困難となるためで
ある。また鎖線の表面を必要に応じて清浄化下るために
は常法に従ってアルカリ脱脂、電解エツチング等を施せ
ばよい。尚、Ｘ線の断面形状としては、円形、正方形、
平角状その他異形のものが使用できる。
清浄化した鋼線上に施丁錫又は錫合金の敵細核フラッシ
ュメッキとしては、賜又はｗ８合蚊の金属成分（Ｍ”）
が５〜３（１＆＃のホウフッ化浴、硫酸浴等の酸性浴を
用い、電流密度１〜２５Ａ／αｍ２でメッキする。メッ
キ浴中の礒又は１ｌｉｊｉＪ含金の金属成分１ｎＩ）ｔ
、電流密度は畝細核メッキの結晶粒度を決めるパラメー
ターとなＩ）、′電流密度がＷｄｍ２より小さいと、イ
オン放′嘔速度、即ち結晶核の生成Ｊ８度が遅くなり％
結晶の成長に十分な時間が与えら引るため、結晶が粗大
とｔＪ（１１、電流密度の増大と共に核の生成速度が速
くなって致細結品となるも、電流密度が２５Ａ／ｄｍ２
を越えると海綿状や粉末状の゛電析が生するようになる
。
ュメッキとしては、賜又はｗ８合蚊の金属成分（Ｍ”）
が５〜３（１＆＃のホウフッ化浴、硫酸浴等の酸性浴を
用い、電流密度１〜２５Ａ／αｍ２でメッキする。メッ
キ浴中の礒又は１ｌｉｊｉＪ含金の金属成分１ｎＩ）ｔ
、電流密度は畝細核メッキの結晶粒度を決めるパラメー
ターとなＩ）、′電流密度がＷｄｍ２より小さいと、イ
オン放′嘔速度、即ち結晶核の生成Ｊ８度が遅くなり％
結晶の成長に十分な時間が与えら引るため、結晶が粗大
とｔＪ（１１、電流密度の増大と共に核の生成速度が速
くなって致細結品となるも、電流密度が２５Ａ／ｄｍ２
を越えると海綿状や粉末状の゛電析が生するようになる
。
また微細核フラッシュメッキの厚さは１μ以−ド、望ま
しくは０．０５〜０５μとし、過１蔓１ニメッキを何
５− なうと結晶が粗大化する。このようにして鋼線上を１鍋
又は錫合金の微細核フラッシュメッキを仁ない続いて同
種の酸を主成分とＴる鍋又は錫合金メッキ浴、例えは通
常のホウフッ化メッキ蔭又は妹、酸メッキ浴を用いて錫
又は錫合金をＦｌｆ定の厚さにメッキＴるものである。
しくは０．０５〜０５μとし、過１蔓１ニメッキを何
５− なうと結晶が粗大化する。このようにして鋼線上を１鍋
又は錫合金の微細核フラッシュメッキを仁ない続いて同
種の酸を主成分とＴる鍋又は錫合金メッキ浴、例えは通
常のホウフッ化メッキ蔭又は妹、酸メッキ浴を用いて錫
又は錫合金をＦｌｆ定の厚さにメッキＴるものである。
このように本発明は、銅線上に結晶が細かくなる核フラ
ッシュメッキによ瘉）賜又は錫合金メッキを灯ない、更
にその上に鍋又は−合金をメッキＴるため、メッキ層の
結晶組織が蜜でピンホールが少なく、ハンダ付は性とそ
の耐熱劣化は者しく数台さね、従来の輌榎−線に鍋又は
錫合金をメッキしたものとはば同等の特性を有するリー
ド線が得られる。また敵細核フラッシュメッキとその後
の鍋又は鋼合金メッキを行なうメッキ浴の組成を同極の
酢を主成分とすることにより水ｌ５Ｉｌ、Ｔることなく
連続メッキが口」能とな１）、七名に伴なう廃水も少な
く、工程も率純で特別な設備を必要としない。また銅覆
鋼線と比軟し、はるかに安いＸ線を用いるところから、
６− 本発明によｉ１製造したリード線は経済的にも優ねたも
のである。
ッシュメッキによ瘉）賜又は錫合金メッキを灯ない、更
にその上に鍋又は−合金をメッキＴるため、メッキ層の
結晶組織が蜜でピンホールが少なく、ハンダ付は性とそ
の耐熱劣化は者しく数台さね、従来の輌榎−線に鍋又は
錫合金をメッキしたものとはば同等の特性を有するリー
ド線が得られる。また敵細核フラッシュメッキとその後
の鍋又は鋼合金メッキを行なうメッキ浴の組成を同極の
酢を主成分とすることにより水ｌ５Ｉｌ、Ｔることなく
連続メッキが口」能とな１）、七名に伴なう廃水も少な
く、工程も率純で特別な設備を必要としない。また銅覆
鋼線と比軟し、はるかに安いＸ線を用いるところから、
６− 本発明によｉ１製造したリード線は経済的にも優ねたも
のである。
以ト、本発明を実施例について説明する。
実施例（１＋
ｌ径Ｑ、 ５ ＲＭの灰素含自童かＱ、５ｗｔ％の鋼線
を′帛挾に従ってアルカリ脱脂した後、電解エツチング
し、その上にＦ紀ホウフッ化浴を用い、浴温２０℃、゛
龜流笛度用Ａ／ｄｍ２で５秒間畝細核フラッシュメッキ
を１１ない、鹿さ０．１μ（電流効率３０％）の礒畝細
メッキを行なった。次にこれをド記ボウフッ化メッキ府
を用い、浴温２０℃、′屯流汁１・度］ＯＡ／ｄｍ２で
２分闇礒メッキを打ない、岸さｌＯμの礒メッキを施し
て、本発明リード線を製造した。
を′帛挾に従ってアルカリ脱脂した後、電解エツチング
し、その上にＦ紀ホウフッ化浴を用い、浴温２０℃、゛
龜流笛度用Ａ／ｄｍ２で５秒間畝細核フラッシュメッキ
を１１ない、鹿さ０．１μ（電流効率３０％）の礒畝細
メッキを行なった。次にこれをド記ボウフッ化メッキ府
を用い、浴温２０℃、′屯流汁１・度］ＯＡ／ｄｍ２で
２分闇礒メッキを打ない、岸さｌＯμの礒メッキを施し
て、本発明リード線を製造した。
ホウフッ化冶
小７７ ツ化第１ ”ｎ（ＢＦ４）ｚ ２ｏｙ／ｌ
ｔホウ 、、 ＨＢ）、ｌ ５ｔｌ＆／Ａ４ボ
ワフツ化メツキ冶 ７ｊ１７ツ化第１ ＠ ｉｎｎ （ｂｌ’４）、
２１ＪＯ＆／Ａ！ホｒ） ７ ツＨＨＢｋ’４１ｏｏｙ
ｚｚホウ酸 ＨＢＯ２５ｆｌ／！ｊセラテン
６１／／ｌｊβ−ナフトール
ｌ ｊＪ／１実施例（２） 実施例（１）Ｃ二おいてアルカリ脱脂後電解エツチング
した鋼線上にＦＦｄホウフッ化浴を用い、浴温２０℃竜
流密度１０Ａ／ｄｍ２で５秒間歓細核フラッシュメッキ
を行ない厚さ０．１μ（電流効率３０ｗ）半田畝線メッ
キを１丁なった。
ｔホウ 、、 ＨＢ）、ｌ ５ｔｌ＆／Ａ４ボ
ワフツ化メツキ冶 ７ｊ１７ツ化第１ ＠ ｉｎｎ （ｂｌ’４）、
２１ＪＯ＆／Ａ！ホｒ） ７ ツＨＨＢｋ’４１ｏｏｙ
ｚｚホウ酸 ＨＢＯ２５ｆｌ／！ｊセラテン
６１／／ｌｊβ−ナフトール
ｌ ｊＪ／１実施例（２） 実施例（１）Ｃ二おいてアルカリ脱脂後電解エツチング
した鋼線上にＦＦｄホウフッ化浴を用い、浴温２０℃竜
流密度１０Ａ／ｄｍ２で５秒間歓細核フラッシュメッキ
を行ない厚さ０．１μ（電流効率３０ｗ）半田畝線メッ
キを１丁なった。
次に、こねをド記ホクフツ化メッキ浴を用い、冶温２０
℃、′電流密度１０Ａ／’ｄｍ”で１分５５秒半田メッ
キを灯ない、厚さ１０μの半田メッキを施して、本発明
リード線を製造した。
℃、′電流密度１０Ａ／’ｄｍ”で１分５５秒半田メッ
キを灯ない、厚さ１０μの半田メッキを施して、本発明
リード線を製造した。
ホウフッ化浴
ホウフッ化第１＠５ｎ（ＢＦａ）ｘ １５１１
／１３ホウフツ化鉛 ＰｂＣＢＦａ）２ ７
ｇ々ホウ７ ッＩ！ｌ！ ＨＢＦ４
１５０ ＆／１３ボウフッ化メッキ浴 ホウフツ化Ｎ％１ｇ ５ｎ（ＢＦ４）２ ４５
０．！７／Ａホウフッ化鉛 Ｐｂ（ｋ３Ｆ、）２
２２５Ｍ／ｌ；ニカワ ０．５ｇ／１３
実施例（３） 実施例（１１においてアルカリ脱脂後゛屯解エツチング
した鋼線上にＦ記硫酸浴を用い、給温２０°α竜流密ｆ
ｊＪ−２Ａ／ｄｍ２で５秒間畝細核フラッシュメッキを
灯ない、厚さ０．０８μの騙敵細メッキを行なった。
／１３ホウフツ化鉛 ＰｂＣＢＦａ）２ ７
ｇ々ホウ７ ッＩ！ｌ！ ＨＢＦ４
１５０ ＆／１３ボウフッ化メッキ浴 ホウフツ化Ｎ％１ｇ ５ｎ（ＢＦ４）２ ４５
０．！７／Ａホウフッ化鉛 Ｐｂ（ｋ３Ｆ、）２
２２５Ｍ／ｌ；ニカワ ０．５ｇ／１３
実施例（３） 実施例（１１においてアルカリ脱脂後゛屯解エツチング
した鋼線上にＦ記硫酸浴を用い、給温２０°α竜流密ｆ
ｊＪ−２Ａ／ｄｍ２で５秒間畝細核フラッシュメッキを
灯ない、厚さ０．０８μの騙敵細メッキを行なった。
次にこｈをトー記硫酸メッキ浴を用い、浴温２０℃、゛
也流密曳５Ａ／ｄｍ”で４分間錫メツギを行ない、岸さ
１０μの絹メッキを施して本発明リード線を９Ａ造した
。
也流密曳５Ａ／ｄｍ”で４分間錫メツギを行ない、岸さ
１０μの絹メッキを施して本発明リード線を９Ａ造した
。
硫酸浴
硫酸第１６ Ｓｎ ８０４１５．ｌｉ’／Ａ
硫 ＃Ｌ 出８０． １００＆／Ａ硫酸メツ
キ浴 硫１酸第１ ｖ７ ５ｎ８０． ｌｏＯ，！ｉ
’／Ａ’４１ｖ Ｗ Ｈｚ ８０４］
（Ｊ ０１／／ＩＩクレゾールスルホン鹸
４０１／ｌ；ゼラチン ２３／
ｊβ−ナフトール １１／１３９
一 実施例（４） 実ｍＮＪ（１１においてアルカリ脱脂後、電解エツチン
グした一極上にドｇピホウフツ化袷を用いて給温２０℃
、’Ｉ’ｉｌＬ ｉｊｔ ｍ Ｉｔ ２０Ａ／ｄｍで５
秒間微細化核フラッシュメッキを行ない、厚さ０２μ（
電流効率３０ ’１０ ）の鴫倣細メッキを行なった。
硫 ＃Ｌ 出８０． １００＆／Ａ硫酸メツ
キ浴 硫１酸第１ ｖ７ ５ｎ８０． ｌｏＯ，！ｉ
’／Ａ’４１ｖ Ｗ Ｈｚ ８０４］
（Ｊ ０１／／ＩＩクレゾールスルホン鹸
４０１／ｌ；ゼラチン ２３／
ｊβ−ナフトール １１／１３９
一 実施例（４） 実ｍＮＪ（１１においてアルカリ脱脂後、電解エツチン
グした一極上にドｇピホウフツ化袷を用いて給温２０℃
、’Ｉ’ｉｌＬ ｉｊｔ ｍ Ｉｔ ２０Ａ／ｄｍで５
秒間微細化核フラッシュメッキを行ない、厚さ０２μ（
電流効率３０ ’１０ ）の鴫倣細メッキを行なった。
次にこれを実施例（１１にボＴホウフッ化メッキ浴を用
い、浴ｌ晶２０℃、暖流密度１０Ａ／ｄｍ ２で１分１
２秒聞嘔メッキを竹ない、厚さ６μの鍋メッキを施した
本発明リード線を製造した。
い、浴ｌ晶２０℃、暖流密度１０Ａ／ｄｍ ２で１分１
２秒聞嘔メッキを竹ない、厚さ６μの鍋メッキを施した
本発明リード線を製造した。
ポウフッ化袷
ホウフツ化第１錫５ｎ（ＢＦ、）２４（１＃／７ボウフ
ツ＠ ）ｔＢＦ ］ ５ （ｌ ｙ／
Ａ！比較例ｆｉ＋ 実施例ｉｌ＋においてアルカリ脱脂後、″電解エツチン
グした銅線上に、倣細核メッキを打なわず、旧接実施例
ｉｌ＋にホしたホウフッ化メッキ浴を用いて同一条件で
２分向メッキを行ない、犀さｌＯμの鍋メッキを施した
り一ド嶽を製造した。
ツ＠ ）ｔＢＦ ］ ５ （ｌ ｙ／
Ａ！比較例ｆｉ＋ 実施例ｉｌ＋においてアルカリ脱脂後、″電解エツチン
グした銅線上に、倣細核メッキを打なわず、旧接実施例
ｉｌ＋にホしたホウフッ化メッキ浴を用いて同一条件で
２分向メッキを行ない、犀さｌＯμの鍋メッキを施した
り一ド嶽を製造した。
比較例（２）
＝ １０−
実ｘ＝ ｂ＋＋ （１１に３いてアルカリ脱脂伐−゛電
解エツチングした鋼線上にＦ記ニッケルメツギ浴を用い
て塔高５５“Ｃ１′屯’ｔｆ＋を密Ｉｆ ５Ａ／而１２
で１分１川ニツグルメツキを行ない、淳さｌｌのニッケ
ル中間ｍを°設け１次にこｈを実施例ｉｌｌに示したボ
ウフッ化メッキ浴を用いて、同一条件で２分間メッキを
行ない、厚さ１０μの賜メッキを施したり一ド嶽を製造
した。
解エツチングした鋼線上にＦ記ニッケルメツギ浴を用い
て塔高５５“Ｃ１′屯’ｔｆ＋を密Ｉｆ ５Ａ／而１２
で１分１川ニツグルメツキを行ない、淳さｌｌのニッケ
ル中間ｍを°設け１次にこｈを実施例ｉｌｌに示したボ
ウフッ化メッキ浴を用いて、同一条件で２分間メッキを
行ない、厚さ１０μの賜メッキを施したり一ド嶽を製造
した。
比軟例（３）
曲径０・５ｎの賄撹鋼線（尋屯率３０％■Ａ（３片常法
に１正ってアルカリ）況Ｔｈｆ Ｌだ後、酸洗し、その
−Ｌに実／ｆｉｔ！ｍ］（ｌｌにボしたホウフッ化メッ
キ袷な用い、同−菜件で２分間メッキを灯ない、厚さｌ
υμの駒メッキ？施した促米す−ド蛛を製造した。
に１正ってアルカリ）況Ｔｈｆ Ｌだ後、酸洗し、その
−Ｌに実／ｆｉｔ！ｍ］（ｌｌにボしたホウフッ化メッ
キ袷な用い、同−菜件で２分間メッキを灯ない、厚さｌ
υμの駒メッキ？施した促米す−ド蛛を製造した。
比較例（４）
実力出汐ｌ」（ｌｌにおいてアル刀り刀シ１脂イｍ、電
解エツチングした睦Ｉ腺上に畝細核メッキを１−］なわ
ず、的接法実施ｙｌｌ （２１に４＜シたポぢ１フツ化
メツギ府を用いて同一条件で１分５５秒半田メッキ′？
施して岸さ１（）μＱ）早出メッキを力也したリード線
を製−１１− 盾１−た。
解エツチングした睦Ｉ腺上に畝細核メッキを１−］なわ
ず、的接法実施ｙｌｌ （２１に４＜シたポぢ１フツ化
メツギ府を用いて同一条件で１分５５秒半田メッキ′？
施して岸さ１（）μＱ）早出メッキを力也したリード線
を製−１１− 盾１−た。
以上の各実施例及び各比較例によＩＩ製造したリード線
について、そわそわ草気中で１７０℃の７１１１Ｉｉ度
に２４時間、４８時１川、７２時間加熱した１友、ハン
ダ付は性を試験した。その結果を第１衣を１示１−。
について、そわそわ草気中で１７０℃の７１１１Ｉｉ度
に２４時間、４８時１川、７２時間加熱した１友、ハン
ダ付は性を試験した。その結果を第１衣を１示１−。
ハンダ付は杵は、谷す−ド巌をロジン２５ｗｔ％、１１
’Ａ７５ｗｔ％の組成のフラックス中に１０抄間漬偵【
た仮、２３０℃の施度シニ保持した共晶ハンダ府中（二
２秒曲浸浦してハンダぬわ面積を水め、全表面積に対し
、てぬ引た面積を％で表わした。
’Ａ７５ｗｔ％の組成のフラックス中に１０抄間漬偵【
た仮、２３０℃の施度シニ保持した共晶ハンダ府中（二
２秒曲浸浦してハンダぬわ面積を水め、全表面積に対し
、てぬ引た面積を％で表わした。
ｍ１表
−１２＝
第１表から明らかなように、本発明方法シニよ１１製造
したリード線は従来の銅覆鋼線に８ｎメツキを施したリ
ード線と同等のハンダ付は性を有［ていることが判る。
したリード線は従来の銅覆鋼線に８ｎメツキを施したリ
ード線と同等のハンダ付は性を有［ていることが判る。
このようは二、本発明方法（二よ冶は、銅ａ剛厭と比較
してはるかに価格の安い′Ｍ線上に鍋又は鋼合金メッキ
′８′施すことにより、銅覆鋼線上に賜又は賜合址をメ
ッキした従来のリード線と同前のハンダ付は性を有する
リードｍを侍ることかできる顕著な効果を奏するもので
ある。
してはるかに価格の安い′Ｍ線上に鍋又は鋼合金メッキ
′８′施すことにより、銅覆鋼線上に賜又は賜合址をメ
ッキした従来のリード線と同前のハンダ付は性を有する
リードｍを侍ることかできる顕著な効果を奏するもので
ある。
−１３−
Claims (1)
- 表面が清浄な鋼線上に、賜又は錫合金の金属成分ＣＭ”
）か５〜３０９／１３の酸性浴を用いて電流密度１〜２
５Ａｙ／ｄＫｎ２により厚さ１μ思Ｆの微細核フラツン
ユメッキを施し、その上に同種の殴を主成分とする鍋又
は鍋合盆メッキ府を用いて賜又は鋼合金メッキを行なう
ことを特徴とする電子部品用リード線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3280782A JPS58150214A (ja) | 1982-03-02 | 1982-03-02 | 電子部品用リ−ド線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3280782A JPS58150214A (ja) | 1982-03-02 | 1982-03-02 | 電子部品用リ−ド線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58150214A true JPS58150214A (ja) | 1983-09-06 |
| JPH0354405B2 JPH0354405B2 (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=12369100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3280782A Granted JPS58150214A (ja) | 1982-03-02 | 1982-03-02 | 電子部品用リ−ド線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58150214A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57152713U (ja) * | 1981-03-23 | 1982-09-25 |
-
1982
- 1982-03-02 JP JP3280782A patent/JPS58150214A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57152713U (ja) * | 1981-03-23 | 1982-09-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0354405B2 (ja) | 1991-08-20 |
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