JPS58152304A - 銀被覆導電体 - Google Patents
銀被覆導電体Info
- Publication number
- JPS58152304A JPS58152304A JP3459282A JP3459282A JPS58152304A JP S58152304 A JPS58152304 A JP S58152304A JP 3459282 A JP3459282 A JP 3459282A JP 3459282 A JP3459282 A JP 3459282A JP S58152304 A JPS58152304 A JP S58152304A
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- Japan
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- plating
- alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発萌はＡｇ又はＡｇ合盆？被覆した導′嘔体に関Ｔる
もので、特に尚占処理によるＡｇＸはＡｇ合斂被＆層の
萌良性及び宿看性の劣化を防止したものである。
もので、特に尚占処理によるＡｇＸはＡｇ合斂被＆層の
萌良性及び宿看性の劣化を防止したものである。
一般に飯被ａｔ４４体ハ、 Ｃｕ、 Ｃｕ合金、ＡＡ、
ＡＡ合忙、Ｆｅ、 ｉ’ｅ合斂、Ｎｊ、Ｎｉ合金等か
らなる導′亀基体上に、Ａｇ又はＡｇ−８ｂ＠彼、Ａｇ
−Ｃｕ合金、Ａｇ−Ｂ１合斂、Ａｇ−Ａｕ合盆、Ａｇ−
Ｆ３ｎ＠ｒ並等を＃復したもので、導′屯基俸の潰れた
１７Ｉｉ度とＡｇ又はＡｇ合址特有の俊れた導′岨性、
一度性、半田付は性寺な併せ有し、電気、電子機器の部
品１例えはコネクター、スイッチ、リレー、端子、半導
体等の製造、組立に広く用いられている。これ等−Ｓ電
体は部品加工や組立工程で半田付け、そ−ルデイング、
乾燥等の商温処理が打なわ４、更に機器に組み込まれて
からも長期間を二亘り室温よ１１商い昇温状態で使用さ
ねるため面淘に則えることが要求さねている。
ＡＡ合忙、Ｆｅ、 ｉ’ｅ合斂、Ｎｊ、Ｎｉ合金等か
らなる導′亀基体上に、Ａｇ又はＡｇ−８ｂ＠彼、Ａｇ
−Ｃｕ合金、Ａｇ−Ｂ１合斂、Ａｇ−Ａｕ合盆、Ａｇ−
Ｆ３ｎ＠ｒ並等を＃復したもので、導′屯基俸の潰れた
１７Ｉｉ度とＡｇ又はＡｇ合址特有の俊れた導′岨性、
一度性、半田付は性寺な併せ有し、電気、電子機器の部
品１例えはコネクター、スイッチ、リレー、端子、半導
体等の製造、組立に広く用いられている。これ等−Ｓ電
体は部品加工や組立工程で半田付け、そ−ルデイング、
乾燥等の商温処理が打なわ４、更に機器に組み込まれて
からも長期間を二亘り室温よ１１商い昇温状態で使用さ
ねるため面淘に則えることが要求さねている。
Ａｇ又はＡｇ合遊は尚価なため、経隣的理由から被覆厚
さケできるだけ趨くＴることが求められているが、＃電
基体ｌ二よっては基体金属１例えは銅や黄銅ではこれ等
の位属がＡｇ又はＡｇ＠斂増内に拡散進入し、Ａｇ又は
Ａｇ＠蛍本米の化学的安定性を損ない、酸化により′嘔
気接続性や半田イ＝１け性を急激に低ドする。このよう
なＡｇＸは紹合曽盾の劣化は尚扇で加速的に促進し、は
なはだ゛しい場合には外観変色を起１゜こねン勿止−「
るため、＃亀基体とＡｇ又はＡｇ＠蛍被覆と０〕曲にＩ
ＮｔｌＴｔａ′４ｒ′形成している。へｉはＡｇと反応
しないため０．１／ｉ捏反の厚さで人きなバリヤー幼果
を発伸するが、置部、例えば１８０℃以上の１度では大
気中のｒ＃、累がＡｇ又はＡｇ合金層を浸透してＮｉが
酸化さね、その結果、Ａｇ又はＡｇ合金層の密肴性が低
ドし、曲げなど０）変形で剥離な起Ｔはかりか、半田句
は性にも影響する。即ちＡｇは半田的に迅連に溶解する
ため、酸化した１Ｎ重而が露出して半田浴に按するよう
になると篩ね性が租沓されることになる。
さケできるだけ趨くＴることが求められているが、＃電
基体ｌ二よっては基体金属１例えは銅や黄銅ではこれ等
の位属がＡｇ又はＡｇ＠斂増内に拡散進入し、Ａｇ又は
Ａｇ＠蛍本米の化学的安定性を損ない、酸化により′嘔
気接続性や半田イ＝１け性を急激に低ドする。このよう
なＡｇＸは紹合曽盾の劣化は尚扇で加速的に促進し、は
なはだ゛しい場合には外観変色を起１゜こねン勿止−「
るため、＃亀基体とＡｇ又はＡｇ＠蛍被覆と０〕曲にＩ
ＮｔｌＴｔａ′４ｒ′形成している。へｉはＡｇと反応
しないため０．１／ｉ捏反の厚さで人きなバリヤー幼果
を発伸するが、置部、例えば１８０℃以上の１度では大
気中のｒ＃、累がＡｇ又はＡｇ合金層を浸透してＮｉが
酸化さね、その結果、Ａｇ又はＡｇ合金層の密肴性が低
ドし、曲げなど０）変形で剥離な起Ｔはかりか、半田句
は性にも影響する。即ちＡｇは半田的に迅連に溶解する
ため、酸化した１Ｎ重而が露出して半田浴に按するよう
になると篩ね性が租沓されることになる。
このような塊象は導電基体に上１ｅ、 Ｆｅ合盆■＼ζ
Ｎ１合位を用いた場合も同様に起るため、尚占Ｃ耐える
必要があるＡｇ又はＡｇ＠金被復被覆体では、Ａｇ又は
Ａｇ合金層の厚さを３〜５μ、時にはそれ以上の厚い被
覆が施される場合がある。
Ｎ１合位を用いた場合も同様に起るため、尚占Ｃ耐える
必要があるＡｇ又はＡｇ＠金被復被覆体では、Ａｇ又は
Ａｇ合金層の厚さを３〜５μ、時にはそれ以上の厚い被
覆が施される場合がある。
本発明はこｉ １′−龜み棟々検討の結果、尚１度にＩ
ＩＩ）ｊえる銀ｗ槍尋″屯体を開発したもので１表向か
上’ｅ、Ｎｉ、ＣＯ又はその合金からなる専電基体上シ
ミＡｇ又はＡｇ合金を被覆した専醸俸において、該基体
とＡｇ又はＡｇ合金被援層との闇に岸さ０．１）１μ以
上のＳｎ又はＳｎ合金層を設けたことを特徴とするもの
である。
ＩＩ）ｊえる銀ｗ槍尋″屯体を開発したもので１表向か
上’ｅ、Ｎｉ、ＣＯ又はその合金からなる専電基体上シ
ミＡｇ又はＡｇ合金を被覆した専醸俸において、該基体
とＡｇ又はＡｇ合金被援層との闇に岸さ０．１）１μ以
上のＳｎ又はＳｎ合金層を設けたことを特徴とするもの
である。
即ち本発明導電体は、 ｉｌＩ”ｅ、 Ｎ ｉ、 Ｃｏ
又はそＱ〕合斂からなる導磁基体、或いはＣｕ、 Ｃｕ
合金等の基体上にＮｉ、Ｃｏ又はその合址を被覆した＃
竜基俸を用い、その上（二Ｓｎ又は８ｎ合釡を被覆し、
その上Ｃ二Ａ、ｌ（又はＡｇ合金を被覆したものである
。こハ弄θ）被覆には、＃有、スパッタリング、メッキ
、機械的圧右寺、各種の方法か用いられるが、゛嘔気メ
ッキにより被覆することか実用的に最も実施し易い場合
が多い。特にＳｎ又はＳ １１ ＠ｉ ｆｉ２の被覆に
はアルカリ冶、値酸冶、ボウフッ化浴等公知のメッキ浴
を用いて（Ｔ７よえはよい。またＳｎ＠址としては５ｎ
−Ｐｂ、 ５ｎ−Ｚｎ、 ５ｎ−ｆＮｉ％か自’９．Ｊ
ｒ −Ｃアロ。
又はそＱ〕合斂からなる導磁基体、或いはＣｕ、 Ｃｕ
合金等の基体上にＮｉ、Ｃｏ又はその合址を被覆した＃
竜基俸を用い、その上（二Ｓｎ又は８ｎ合釡を被覆し、
その上Ｃ二Ａ、ｌ（又はＡｇ合金を被覆したものである
。こハ弄θ）被覆には、＃有、スパッタリング、メッキ
、機械的圧右寺、各種の方法か用いられるが、゛嘔気メ
ッキにより被覆することか実用的に最も実施し易い場合
が多い。特にＳｎ又はＳ １１ ＠ｉ ｆｉ２の被覆に
はアルカリ冶、値酸冶、ボウフッ化浴等公知のメッキ浴
を用いて（Ｔ７よえはよい。またＳｎ＠址としては５ｎ
−Ｐｂ、 ５ｎ−Ｚｎ、 ５ｎ−ｆＮｉ％か自’９．Ｊ
ｒ −Ｃアロ。
Ｓｎ又はＳｎ＠蛍の被覆厚さに００１μ以上、望ましく
は０．１〜０．５声とし、被覆厚さか０．０１ｔ未満で
は外ダを中の０２の献透醒化を防止する効果が期待でき
ない。またｂｎ又はＢｎ合址の被覆厚さの上限ハＡｇ又
はＡｇ台位の被彼岸さ≦二より異なるか、辿′吊は１〜
２μの厚さでその効果が飽和するから、それ以上０）過
剰の被覆は経隘的でないはかりカー簡諷栄件によっては
８ｎかＡｇ層中に過剰（二拡散合金化して、Ａｇ本本来
０附附性な佃なう場合もあｉｌ、実用上は０１〜０．５
μ侃が呈よしい。
は０．１〜０．５声とし、被覆厚さか０．０１ｔ未満で
は外ダを中の０２の献透醒化を防止する効果が期待でき
ない。またｂｎ又はＢｎ合址の被覆厚さの上限ハＡｇ又
はＡｇ台位の被彼岸さ≦二より異なるか、辿′吊は１〜
２μの厚さでその効果が飽和するから、それ以上０）過
剰の被覆は経隘的でないはかりカー簡諷栄件によっては
８ｎかＡｇ層中に過剰（二拡散合金化して、Ａｇ本本来
０附附性な佃なう場合もあｉｌ、実用上は０１〜０．５
μ侃が呈よしい。
面、Ｓｎ合位とはＳｎを主成分とする合金で、ｔ１Ｍｎ
含有量が多い程旬効であ１１、その童は合金の柚知を二
よっても異なるか、約４（」％以上の合金を用いること
が望ましい。
含有量が多い程旬効であ１１、その童は合金の柚知を二
よっても異なるか、約４（」％以上の合金を用いること
が望ましい。
思ド、本発明４電体な実施例１二ついて説明する。
実施例（ＩＩ
Ｄｊ’−’ｉａ Ｏ，５ＪＩｉａ ］純Ｍｎｌ ｋ ’
ａ’ 常Ｌ ＣヨｉＪ Ｎａ０１（２０，Ｖ／Ａ、（ｉ
（１＝に ０）温浴中で刀ソード脱＋１１１ してか
らＨ２８Ｕ４府、甲イニｌＯ抄間デツプした良、へｉ
（ＳＣｈＮＨ２ｈ３０（Ｍ／ＡｐＨ２，５Ｑ） Ｎ ｉ
メッキ！６を用い、′電流’ｅＢ １３ｔ ｌ ＯＡ／
ｄｍ２でメッキを行ない、純南条の表向に厚さ０７５μ
のＮ １１％ ｙ形成し、その上に５Ｉ０４２０１／！
ｊ、）１．８０４１００１１／！１％＝カワ２１１／ｌ
ｖ＞Ｓｎメッキ浴（除温１８℃）を用い、屯＃Ｌ密曳５
Ａ／ｄｍでメッキを社ない、厚さ０．２５μｏ〕ｓｎノ
曽をｊし成した。伏にこれＣ二４へ８Ｃへ２ｇイン。
ａ’ 常Ｌ ＣヨｉＪ Ｎａ０１（２０，Ｖ／Ａ、（ｉ
（１＝に ０）温浴中で刀ソード脱＋１１１ してか
らＨ２８Ｕ４府、甲イニｌＯ抄間デツプした良、へｉ
（ＳＣｈＮＨ２ｈ３０（Ｍ／ＡｐＨ２，５Ｑ） Ｎ ｉ
メッキ！６を用い、′電流’ｅＢ １３ｔ ｌ ＯＡ／
ｄｍ２でメッキを行ない、純南条の表向に厚さ０７５μ
のＮ １１％ ｙ形成し、その上に５Ｉ０４２０１／！
ｊ、）１．８０４１００１１／！１％＝カワ２１１／ｌ
ｖ＞Ｓｎメッキ浴（除温１８℃）を用い、屯＃Ｌ密曳５
Ａ／ｄｍでメッキを社ない、厚さ０．２５μｏ〕ｓｎノ
曽をｊし成した。伏にこれＣ二４へ８Ｃへ２ｇイン。
ＫＣＮ ３１）ｉ／＃ ０） Ａｇストライクメッキ冶
を用い、′鴫ｍ 化度５Ａ／ｄｍ ２でＡｇストライク
メッキし、続いて ５− ＡｇＣＮ５０．９／Ａ、 ＫＣＮ １０（１，９／Ａ’
Ｏ） Ａｇ厚メッキ浴を用い、゛４流密Ｉｆ ２．５
Ａ／ｄｍ ２でＡｇ厚メッキをイ丁なイ１，９ｎ層上（
二厚さ約１．５μのＡｇ膚を形成して本発明導電体を装
造した。 ′ 実施例ｆ２＋ 実施例（ＩＩにおいて、ｓｎｔツキ＃）Ｉ １１にＳｎ
８０４４０ Ｊｉ’／１３、ＺｎＳ０ ７Ｈ２０４（
ＩＪ＠／Ａ、りｘンｆｇ第２アンモニウム１５０Ｉ／ｉ
：（１’ＪＲ４）２８０ａ ｉ Ｕ （Ｊ ｌ／Ａ 、
アンモニア水（約３５％〕７０１／／Ｌ ｐＨ７，５の
５ｎ−Ｚｎ合金／ツ＋浴Ｙｍい、竜＠＠ 度１．５Ａ／
ｄｍ ２でＳ ｎ Ｚ ｎ合ｙ（Ｚｎ約２０％）メッキ
を？Ｔない１Ｎ藍膚上シニ厚さ０．３μのＳｎ−’ｌ、
ｎ合盆膚を形成し、その上に実施例ｔｌｌと同様にして
厚さ約１．５μのＡｇ膚を形成して本発明導電体を製造
し剋芙施例（３） 実Ａ例ｔｌ＋において、Ｓｎメッキ浴の賛りにＮａ２８
ｒｄＪｓｉＵＯ，Ｖ／Ａ、ＩＮａ（Ｊ）ｉ１５＆／Ｖの
Ｓｎメッキ浴（給温’７５℃）ン用い、嵐１ｌＪｌｔ密
度１．５ Ａ／ｄ ｍでδｎメッキを打ないｌＮｉ１曽
上に厚さｔｌ、０７５μのＳｎＪ曽を１６敗し、その上
に淳さ約１．５μのＡｇ Ｉｎを形成して本発明１ｓ竜
体を製造した。
を用い、′鴫ｍ 化度５Ａ／ｄｍ ２でＡｇストライク
メッキし、続いて ５− ＡｇＣＮ５０．９／Ａ、 ＫＣＮ １０（１，９／Ａ’
Ｏ） Ａｇ厚メッキ浴を用い、゛４流密Ｉｆ ２．５
Ａ／ｄｍ ２でＡｇ厚メッキをイ丁なイ１，９ｎ層上（
二厚さ約１．５μのＡｇ膚を形成して本発明導電体を装
造した。 ′ 実施例ｆ２＋ 実施例（ＩＩにおいて、ｓｎｔツキ＃）Ｉ １１にＳｎ
８０４４０ Ｊｉ’／１３、ＺｎＳ０ ７Ｈ２０４（
ＩＪ＠／Ａ、りｘンｆｇ第２アンモニウム１５０Ｉ／ｉ
：（１’ＪＲ４）２８０ａ ｉ Ｕ （Ｊ ｌ／Ａ 、
アンモニア水（約３５％〕７０１／／Ｌ ｐＨ７，５の
５ｎ−Ｚｎ合金／ツ＋浴Ｙｍい、竜＠＠ 度１．５Ａ／
ｄｍ ２でＳ ｎ Ｚ ｎ合ｙ（Ｚｎ約２０％）メッキ
を？Ｔない１Ｎ藍膚上シニ厚さ０．３μのＳｎ−’ｌ、
ｎ合盆膚を形成し、その上に実施例ｔｌｌと同様にして
厚さ約１．５μのＡｇ膚を形成して本発明導電体を製造
し剋芙施例（３） 実Ａ例ｔｌ＋において、Ｓｎメッキ浴の賛りにＮａ２８
ｒｄＪｓｉＵＯ，Ｖ／Ａ、ＩＮａ（Ｊ）ｉ１５＆／Ｖの
Ｓｎメッキ浴（給温’７５℃）ン用い、嵐１ｌＪｌｔ密
度１．５ Ａ／ｄ ｍでδｎメッキを打ないｌＮｉ１曽
上に厚さｔｌ、０７５μのＳｎＪ曽を１６敗し、その上
に淳さ約１．５μのＡｇ Ｉｎを形成して本発明１ｓ竜
体を製造した。
６−
比較例（ＩＩ
実力也例ｉｔ二おいて、Ｓｎメッキ浴によるｂｎメツキ
ケ価略し、へ１層上シニ曲接厚さ約１．５μのＡＪ曽な
プレ成して碑屯俸を製送した。
ケ価略し、へ１層上シニ曲接厚さ約１．５μのＡＪ曽な
プレ成して碑屯俸を製送した。
比較例（２）
Ｊｊ 軟例（１１において、Ｎ１勝」二に直接厚さ３μ
のＡｇ１−を形成して導電体を製造した。
のＡｇ１−を形成して導電体を製造した。
比軟例（Ｘ３）
比較例（１）において、Ｎｉ鳩上に直接厚さ５μのＡｇ
層曽をプレ成して導゛屯体を装造した。
層曽をプレ成して導゛屯体を装造した。
これ等の各導電体をそれぞれ大気中２２０℃の温度で２
４時間３００℃の温度で１時曲加熱処理した後、１８０
℃の折番１曲げ加工をｆＴない、その折り曲げ部を５０
倍の拡大鏡で観察し、剥離の有無を調べた。また刀１］
黙処理したものをロジンフラックス処理してから温度２
３５℃の共晶半田府に５秒間デツプし、浸漬面に対Ｔる
半田部れ面積の比率を測足した。これ寺の結果を第１表
に示゛４−０ ７− 第１表から明らかなように、本発明導電体は厚さ１５μ
のＡｇ被覆で従来導電体の胤さ５μのＡｇ被覆と同等以
上の性能が得ら台ることが判る。
４時間３００℃の温度で１時曲加熱処理した後、１８０
℃の折番１曲げ加工をｆＴない、その折り曲げ部を５０
倍の拡大鏡で観察し、剥離の有無を調べた。また刀１］
黙処理したものをロジンフラックス処理してから温度２
３５℃の共晶半田府に５秒間デツプし、浸漬面に対Ｔる
半田部れ面積の比率を測足した。これ寺の結果を第１表
に示゛４−０ ７− 第１表から明らかなように、本発明導電体は厚さ１５μ
のＡｇ被覆で従来導電体の胤さ５μのＡｇ被覆と同等以
上の性能が得ら台ることが判る。
実施例（４）
厚さＱ、 ５ ａｍのＮｉ４８％−ｒ’ｅ Ｆ）２％合
せ条を常法に、Ｊｌ、 １１ ＮａＯＨ２（Ｈ１／Ｌ
６０℃の′＆Ａ冶中でカソード脱脂してから１５％ＨＣ
７（に３０秒間デツプした後、５ｎ（Ｈｆ！”ｅ）２５
０．９／１１ＨＢＦｅ１００＃／ＡのＳｎメッキ袷（浴
温１５℃）を用い゛亀流布度Ｉ ＯＡ７’ｃｔｍ ”で
Ｍｎメツギを行ない、Ｎｉ４８％−Ｆ８５２％合址条の
表■（二厚さ約０５μの９ｎ層を形成し、その上に実施
例（１１と同様のＡｇストライクメッキ浴とＡｇ厚メッ
キ蔭な用いて厚さ２．５μのＡｇ層を形成して本発明導
電体を製造した。
せ条を常法に、Ｊｌ、 １１ ＮａＯＨ２（Ｈ１／Ｌ
６０℃の′＆Ａ冶中でカソード脱脂してから１５％ＨＣ
７（に３０秒間デツプした後、５ｎ（Ｈｆ！”ｅ）２５
０．９／１１ＨＢＦｅ１００＃／ＡのＳｎメッキ袷（浴
温１５℃）を用い゛亀流布度Ｉ ＯＡ７’ｃｔｍ ”で
Ｍｎメツギを行ない、Ｎｉ４８％−Ｆ８５２％合址条の
表■（二厚さ約０５μの９ｎ層を形成し、その上に実施
例（１１と同様のＡｇストライクメッキ浴とＡｇ厚メッ
キ蔭な用いて厚さ２．５μのＡｇ層を形成して本発明導
電体を製造した。
比較例（４１
￥廉例（４目二おいて、Ｍｎメッキ浴による８０メツキ
を１略し、Ｎ１４８％−に’６５２％合金条の表面に直
接厚さ２．５ ／ｊのＡｇ層をに／成して征米辱′岨体
を製造した。
を１略し、Ｎ１４８％−に’６５２％合金条の表面に直
接厚さ２．５ ／ｊのＡｇ層をに／成して征米辱′岨体
を製造した。
この両導電俸について、大気中３５０℃の温度 ９−
で３０分間加熱処理した後、その表面を５０倍拡大鏡で
観察し、表面のフクレ発生を調べると共ｌ二前記と同様
ｊ二して半１ｌ１８＃；れ性を試験した。
観察し、表面のフクレ発生を調べると共ｌ二前記と同様
ｊ二して半１ｌ１８＃；れ性を試験した。
その結果、実施例（４）により製造した本発明導電体俸
にはフクレが全く認めらねす、半田罵れ性も９３％をボ
した。こねに対し、ｄｎ膚の形成を１略した比較例（４
）により製造した従来導電体にはφ数のフクレか発止１
２、半田罵れ性は１０％以トであった。
にはフクレが全く認めらねす、半田罵れ性も９３％をボ
した。こねに対し、ｄｎ膚の形成を１略した比較例（４
）により製造した従来導電体にはφ数のフクレか発止１
２、半田罵れ性は１０％以トであった。
このように本発明導電体は、＾高処理におけるＡｇ又は
Ａｇ合並板覆層の耐食性及び密右性の男゛化を防止し％
浚ねた半田付は性を示Ｔはか１】か、Ａｇ又はＡｇ合合
金金薄くすることかできる１輪的にも後ねたもので、工
業上順者な効果を奏Ｔるものである。
Ａｇ合並板覆層の耐食性及び密右性の男゛化を防止し％
浚ねた半田付は性を示Ｔはか１】か、Ａｇ又はＡｇ合合
金金薄くすることかできる１輪的にも後ねたもので、工
業上順者な効果を奏Ｔるものである。
−ｌ 〇 −
Claims (1)
- 表面がｌ’ｅ、 Ｎ ｉ、 Ｃｏ又はその合址からなる
尋鴫基体上ｃ Ａｇ又はＡｇ合金を＃ａｔした導電体に
おいて、該基体とＡｇ又はｈｇ＠ 忙被覆層との間に厚
さ０．０１ ｐ以上の郭又はＳｎ合金増を設けたことを
特徴とする銀被覆導電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3459282A JPS58152304A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 銀被覆導電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3459282A JPS58152304A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 銀被覆導電体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58152304A true JPS58152304A (ja) | 1983-09-09 |
Family
ID=12418594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3459282A Pending JPS58152304A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 銀被覆導電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58152304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0242753A (ja) * | 1988-03-28 | 1990-02-13 | Texas Instr Inc <Ti> | 耐食性リードフレーム |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP3459282A patent/JPS58152304A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0242753A (ja) * | 1988-03-28 | 1990-02-13 | Texas Instr Inc <Ti> | 耐食性リードフレーム |
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