JPH0242753A - 耐食性リードフレーム - Google Patents

耐食性リードフレーム

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JPH0242753A
JPH0242753A JP1074799A JP7479989A JPH0242753A JP H0242753 A JPH0242753 A JP H0242753A JP 1074799 A JP1074799 A JP 1074799A JP 7479989 A JP7479989 A JP 7479989A JP H0242753 A JPH0242753 A JP H0242753A
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JP
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lead frame
nickel
palladium
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JP1074799A
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English (en)
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Donald C Abbott
ドナルド　シー．アボット
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Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
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Publication date
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｌｌよ立遭皿１１ 本発明は一般に集積回路に関し、より詳細には腐食物の
ガルヴアニック・マイグレーションを低減させた集積回
路装置に関する。
従来技術 集積回路装置の構成において、リードフレームは半導体
回路に電気的な相互接続を提供するために用いられる。
典型的に、リードフレームのベースメタルは銅であるが
、これはその高熱伝導率のためである。他のベースメタ
ルにはステンレス鋼や合金４２、すなわち４２％のニッ
ケルと５８％の鉄の合金とが含まれる。幾つかの場合、
約１゜Ｏマイクロインチのニッケル層をベースメタルの
上に形成して、温度により銅がリードフレームの表面に
拡散してしまうのを防ぐ。銅の拡散によって形成された
腐食物、例えば硫化銅や酸化銅などは、リードフレーム
の半田性を低下させ、最終製品の貯蔵寿命（シェルフ・
ライフ）を短くしてしまう。
しかしニッケル層には気孔（ボアー）があり、そこを通
って腐食物が移動する。このニッケル層中の連続的な経
路のどれも銅の移動に利用できないということをかなり
確実にするためには、少なくとも４００マイクロインチ
の厚さのニッケル層が必要である。あいにく、この規模
の厚さは、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＲ
）または面実装集積回路（ＳＭＩＧ＞を形成するために
リードを最後に曲げる時、割れてしまう。
パラジウム（Ｐｄ）の層をニッケル層の上に形成しても
よい。パラジウムの表面は熱音波で金線に接着し、銀の
リード端によって得られる接着よりも強い接着を提供す
る。更に、パラジウムは空気中で変色すなわち酸化しな
いので、きれいな接着面を無期限に維持する。しかし、
パラジウム層は、パラジウム層と銅のベースとの間にガ
ルヴア二電位を生じ、銅イオンを表面に引き寄せてしま
う。このガルヴァーニ電池はパラジウムめっきリードフ
レームの気孔の腐食を促進してしまい、これは結果とし
て、銅の酸化物や硫化物、また他の反応生成物がリード
フレーム表面に生じてしまうことになる。酸化物や硫化
物、及び他の反応生成物はリードフレームの表面を褪色
させてしまい、その半田性を低下させてしまう。
従って、表面腐食を防ぐために、ガルヴァーニ電位を減
少させた集積回路のリードフレームを提供する必要性が
生じてくる。
を解　するための手段 本発明に従い、従来のリードフレームと関連する不利及
び問題を実質的に除去或いは防ぐリードフレームを提供
する。
本発明のリードフレームにより提供するパラジウムめつ
ぎリードフレームは、銅のベースメタル或いは他のベー
スメタルと使用することができ、パラジウム表面及びベ
ースメタル間のガルヴァーニ電位による表面の汚染は伴
わない。パラジウム／ニッケル合金層によりベースメタ
ルをニッケル中間層から分離するが、このニッケル中間
層はベースメタル原子が表面の方に熱拡散するのを防ぐ
ために使用する。パラジウム／ニッケル合金層はニッケ
ル中間層間のガルヴァーニ電位を最小にし、それによっ
てベースメタルのイオンが表面の方に移動するのを防ぐ
。パラジウム／ニッケル合金層及びベースメタル間の電
位のため、パラジウム／ニッケル合金層に形成された腐
食物は中性かつ不溶解性であり、従って、それらはニッ
ケル中間層を通って表面に移動しない。
本発明のこの態様により提供する技術利点は、腐食物が
形成される表面にベースメタルのイオンが移動するのを
促進するガルヴァーニ電位力によってパラジウムめっき
リードフレームが腐食されないということである。
本発明の他の態様において、パラジウム／ニッケル合金
層を形成するのに用いるパラジウム／ニッケル浴の汚染
を防ぐために、ニッケル・ストライク層をベースメタル
とパラジウム／ニッケル合金層との間に形成する。パラ
ジウム／ニッケル層と関連するニッケル・ストライク層
はまた、ベースメタルとパラジウム最上腑との間の材料
の多孔度を減少させ、それによりベースメタルが移動す
る経路を最小にするという技術利点も提供する。
さて、添付の図面とｌＩｌ連して以下の説明を参照する
ことにより、本発明及びその利点をより完全に理解する
。
実施例 本発明の好ましい実施例は第１図〜第３図の図面を参照
することにより最もよく理解されるが、図面中、同一数
字は種々の図面の同−及び相当部分に用いる。
第１図は半導体回路１２を支持するのに使用する典型的
なリードフレーム１０の平面図である。
リードフレーム１０にはプラットホーム１４が含まれ、
その上には半導体回路１２が接着されている。半導体回
路１２は、典型的に金から成るＩＩｌ線１８により、外
部リード１６に接続されている。
ダムバー２０は外部リード１６を接続しているが、これ
らのダムバーは、パッケージング媒体が加えられた後、
実質的に切断される。第１図に示すように、リードフレ
ーム１０は量産用に接続ストライプ２２によって典型的
につながり合ゎゼられている。
第２図は、パッケージング材２６に封入した従来技術の
リードフレーム２４の断面図を示す。プラットホーム１
４及び外部リード１６は、最上層３２で覆われた中間１
３０に封入されたベースメタル２８から成るものとして
示しである。典型的には、ベースメタル２８は銅から成
り、中間層３０はニッケルから、そして最上層３２はパ
ラジウムから成る。金線１８は、銀のコーティングを必
要とＵずに、パラジウム最上層３２に直接、接続しても
よい。
最上層３２がパラジウム（Ｐｄ）で、ベースメタル２８
が銅（Ｃｌ）であると、最上層３２及びベースメタル２
８のそれぞれの標準還元電位の差によって、ガルヴァー
ニ厩位がそれらの間に存在してしまう。従って、ガルヴ
ァーニ電池が生じ、ニッケル中間層が電解液として作用
する。ガルヴァーニ電位は銅イオンをニッケル層の気孔
を通して最上層３２に引き寄せてしまう。ゆえに、銅イ
オンはパラジウム最上層３２に、ニッケル中間層３０を
通して引っ張られ、パラジウム最上ＦＪ３２の気孔腐食
を促進することになる。その結果として、銅の酸化物や
硫化物、伯の反応生成物が最上層３２の表面に形成され
、表面の褪色の原因となり、その半田性を低下させてし
まう。
第３図により本発明のリードフレーム３４を説明する。
典型的に銅であるベースメタル２８は、典型的にニッケ
ル・ストライクであるストライク層３６で覆われている
。ニッケル・ストライク層３６はパラジウム／ニッケル
合金層３８で覆われている。合金層３８は、典型的にニ
ッケルである中間Ｆ？４４０で覆われている。中間１１
４０は、典型的にパラジウムを含む最上層４２で覆われ
ている。
ベースメタルの上に形成されたニッケル・ストライク１
１３６は、合金層３８を形成するのに使用する連続する
パラジウム／ニッケル浴の汚染を防ぐために提供する。
気孔の中を通って経路が中間層４０に形成され得るが、
このニッケル・ストライク１ＩｉＩ３６はまたその気孔
の数を最小にするのにも役立つ。典型的には、ニッケル
・ストライク層３６は５マイクロインチより少ない厚さ
を有する。
パラジウム／ニッケル合金層３８は典型的には３マイク
ロインチより少ない厚さを有する。パラジウム／ニッケ
ル合金層３８の目的は、ベースメタル２８とパラジウム
１４４２との間のガルヴァーニ電位の結合を断つことで
ある。このパラジウム／ニッケル合金層３８によってニ
ッケル層４０を横切る電位が実質的にゼロに減るが、こ
れはパラジウム最上層４２のガルヴァーニ電位がパラジ
ウム／ニッケル合金のガルヴァーニ電位と同じだからで
ある。従って、本発明により、ガルヴア二電位の力によ
ってベースメタルのイオンが最上層に移動するのを防ぐ
という技術利点が提供される。
しかし、パラジウム／ニッケル合金層３８と銅のベース
メタル２８との間のガルヴァーニ電位のため、腐食物が
パラジウム／ニッケル合金層３８の下に形成されてしま
うかもしれない。従って、硫化銅や塩化銅、或いは他の
反応生成物がパラジウム／ニッケル合金層３８の上に形
成されてしまうかもしれないが、しかし、これらの化合
物は電気的に中性かつ不溶解性であるので、ニッケル中
間層４０を通して拡散することはない。
ガルヴァーニ電位を減らすことに加えて、ニッケル・ス
トライク層３６及びパラジウム／ニッケル合金層３８は
、中間ニッケル層４０の多孔度を減少させる。この減少
した多孔度によって、最上Ｗ！Ｊ４２に到達する汚染物
質の可能性が更に減少するという技術利点が提供される
。
減少した多孔度や減少したガルヴァーニ電位のために、
厚いニッケル中間ＪｉＷ４０を、銅イオンの移動の心配
なく、使用することができる。
以上に本発明の詳細な説明したが、添付の特許請求の範
囲で定める本発明の精神及び範囲から離れることなく、
種々の変化や置き換え、変更を行なうことができるとい
うことを理解されたい。
以上の説明に関連して、更に下記の項を開示する。
（１）　　半導体集積回路に電気的接触を提供するリー
ドフレームにおいて、複数のリードのそれぞれが、 第一の標準還元電位を有するベースメタル領域と、 第二の標準還元電位を有し、前記ベースメタル領域の上
にあって、前記ベースメタル領域から分離する最上層と
、 前記ベースメタル領域と前記最上層との間に配置された
中間層であって、そこを通してベースメタルのイオンが
ガルヴァーニ電位力の下で移動し得る中間層と、 前記ベースメタル領域と前記中間層との間に配置され、
前記中間層を横切るガルヴァーニ電位を減少させ、前記
イオンが前記最上層に電気的に引き寄せられないように
する分離層とを含む複数のリードフレーム。
（２）　　第（１）項に記載したリードフレームであっ
て更に、前記分離層と前記ベースメタルとの間にストラ
イク層を含むリードフレーム。
（３）　　第（２）項に記載したリードフレームにおい
て、前記ストライク層がニッケル材を含むり−ドフレー
ム。
（４）　　第（３）項に記載したリードフレームにおい
て、前記ニッケル層が５マイクロインチより少ない厚さ
を有するリードフレーム。
（５）　　第（１）項に記載したリードフレームにおい
て、前記ベースメタルが銅或いは銅合金を含むリードフ
レーム。
（６）　　第（５）項に記載したリードフレームにおい
て、前記分離層がパラジウム或いはパラジウム合金を含
むリードフレーム。
（１）　　第（５）項に記載したリードフレームにおい
て、前記分離層がパラジウム／ニッケル合金を含むリー
ドフレーム。
（８）　　第（６）項に記載したリードフレームにおい
て、前記分離層が３マイクロインチより少ない厚さを有
するリードフレーム。
（９）　　第（６）項に記載したリードフレームにおい
て、前ｒｔ！最上層がパラジウムを含むリードフレーム
。
（１０）　　第（９）項に記載したリードフレームにお
いて、前記中間層がニッケルを含むリードフレーム。
（１１）集積回路に電気的接触を提供するリードフレー
ムであって、 集積回路を支持するプラットホーム部材と、集積回路に
電気的に接続された複数のリードであって、各リードが
、 所定の標準還元電位のイオンを有するベースメタル領域
と、 第二の所定の標準還元電位をｈする、前記ベースメタル
領域の上にある最上層と、　前記最上層と前記ベースメ
タル領域との間に配置された中間層と、 前記第二の標準還元電位と実質的に等しい標準還元電位
を有し、前記ベースメタル領域と前記中間層との間に配
置され、前記イオンが前記最上層に電気的に引き寄せら
れないようにする分離層とを含む複数のリードとを含む
リードフレーム。
（１２）第（１１）項に記載したリードフレームにおい
て、前記ベースメタル領域が銅を含むリードフレーム。
（１３）　　第（１１）項に記載したリードフレームに
おいて、前記ベースメタル領域がステンレス鋼を含むリ
ードフレーム。
（１４）　　第（１２）項に記載したリードフレームに
おいて、前記ｉＦ層がパラジウムを含むリードフレーム
。
（１５）　　第（１４）項に記載したリードフレームに
おいて、前記分離層がパラジウム／ニッケル合金を含む
リードフレーム。
（１６）第（１５）項に記載したリードフレームにおい
て、前記中間層がニッケルを含むリードフレーム。
（１７）　　第（１６）項に記載したリードフレームで
あって更に、前記ベースメタルと前記分離層との間に配
置されたストライク層を含むリードフレーム。
（１８）第（１１）項に記載したリードフレームにおい
て、前記ベースメタル領域が合金４２を含むリードフレ
ーム。
（１９）　　半導体回路との電気的接触を提供するリー
ドフレームであって、 銅材料から形成され、半導体回路と電気的接触するべく
伸びている複数のリードと、 銅材料の上にあるニッケル・ストライクと、ニッケル・
ストライクの上にあるパラジウム／ニッケル合金層と、 前記パラジウム／ニッケル合金層の上にあるニッケル層
と、 前記ニッケル層の上にあるパラジウム層とを含むリード
フレーム。
（２０）半導体集積回路に電気的接触を提供するリード
フレームの製法であって、 第一の標準還元電位を有するベースメタルからリードフ
レームを形成する段階と、 前記ベースメタルの上にあって、第二の標準還元電位を
有する分離層を形成する段階と、前記分離層の上にあっ
て、前記ベースメタルの熱拡散を防ぐ中間層を形成する
段階と、前記第二の標準還元電位と実質的に等しい標準
還元電位を有し、前記中間層の上にある最上層を形成す
る段階とを含む方法。
（２１）第（２０）項に記載した方法であって更に、前
記中間層の多孔度を減少させるために、前記弁＊ｍと前
記ベースメタルとの間にストライク層を形成する段階を
含む方法。
（２２）第（２０）項に記載した方法であって更に、リ
ードフレームを集積回路に電気的に接続する段階を含む
方法。
（２３）第（１９）項に記載した方法によって形成する
リードフレーム。
（２４）　　集積回路デバイス用のパラジウムめっきリ
ードフレーム３４が、ニッケル・ストライク３６と、銅
ベースメタル２８をニッケル中間Ｆ４４０から分離する
パラジウム／ニッケル合金層３８とを有し、ガルヴァー
ニ電位が銅イオンをベースメタル層２８から最上層４２
に引き寄せるのを防ぐ。
ニッケル・ストライク３６及びパラジウム／ニッケル合
金層３８はまた、通路を通って銅イオンが表面に移動し
て腐食してしまうその通路の数を減４゜ 少させる。
【図面の簡単な説明】
第１図はリードフレームの平面図である。 第２図は従来技術のリードフレームの断面図である。 第３図は本発明のリードフレームの断面図である。 工１１」し欠匪用 １６：外部リード １８：金相線 ２８：銅ベースメタル ３４：バラジークムめっきリードフレーム３６：ニッケ
ル・ストライク ３８：パラジウム／ニッケル合金層 ４０：ニッケル中間層 ４２：最上層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体集積回路に電気的接触を提供するリードフ
    レームにおいて、複数のリードのそれぞれが、第一の標
    準還元電位を有するベースメタル領域と、 第二の標準還元電位を有し、前記ベースメタル領域の上
    にあって、前記ベースメタル領域から分離する最上層と
    、 前記ベースメタル領域と前記最上層との間に配置された
    中間層であって、そこを通してベースメタルのイオンが
    ガルヴァーニ電位力の下で移動し得る中間層と、 前記ベースメタル領域と前記中間層との間に配置され、
    前記中間層を横切るガルヴァーニ電位を減少させ、前記
    イオンが前記最上層に電気的に引き寄せられないように
    する分離層とを含む複数のリードフレーム。
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DE (1) DE68923024T2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04211153A (ja) * 1990-02-26 1992-08-03 Hitachi Ltd 半導体パッケージ及びそれに用いるリードフレーム
US5521432A (en) * 1991-10-14 1996-05-28 Fujitsu Limited Semiconductor device having improved leads comprising palladium plated nickel
US5558239A (en) * 1993-03-09 1996-09-24 Alfatechnic Patent Ag Snap-on, plastic hinged closure in a single piece
US5639018A (en) * 1995-08-31 1997-06-17 Combibloc, Inc. Push-tab hinge for a container closure apparatus
US6521358B1 (en) 1997-03-04 2003-02-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lead frame for semiconductor device and method of producing same
KR100436512B1 (ko) * 1999-08-26 2004-06-16 주식회사 포스코 래들경동대를 이용하는 역립식 래들 자동보열장치

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5384155A (en) * 1992-06-04 1995-01-24 Texas Instruments Incorporated Silver spot/palladium plate lead frame finish
DE4311872C2 (de) * 1993-04-10 1998-07-02 Heraeus Gmbh W C Leiterrahmen für integrierte Schaltungen
US5360991A (en) * 1993-07-29 1994-11-01 At&T Bell Laboratories Integrated circuit devices with solderable lead frame
US5650661A (en) * 1993-12-27 1997-07-22 National Semiconductor Corporation Protective coating combination for lead frames
US5436082A (en) * 1993-12-27 1995-07-25 National Semiconductor Corporation Protective coating combination for lead frames
US5728285A (en) * 1993-12-27 1998-03-17 National Semiconductor Corporation Protective coating combination for lead frames
US5459103A (en) * 1994-04-18 1995-10-17 Texas Instruments Incorporated Method of forming lead frame with strengthened encapsulation adhesion
US5454929A (en) * 1994-06-16 1995-10-03 National Semiconductor Corporation Process for preparing solderable integrated circuit lead frames by plating with tin and palladium
DE4431847C5 (de) * 1994-09-07 2011-01-27 Atotech Deutschland Gmbh Substrat mit bondfähiger Beschichtung
US5675177A (en) * 1995-06-26 1997-10-07 Lucent Technologies Inc. Ultra-thin noble metal coatings for electronic packaging
KR100231828B1 (ko) * 1997-02-20 1999-12-01 유무성 다층 도금 리드프레임
CN1134839C (zh) * 1997-12-26 2004-01-14 三星航空产业株式会社 引线框架及涂敷引线框架的方法
US20030011048A1 (en) * 1999-03-19 2003-01-16 Abbott Donald C. Semiconductor circuit assembly having a plated leadframe including gold selectively covering areas to be soldered
US6376901B1 (en) * 1999-06-08 2002-04-23 Texas Instruments Incorporated Palladium-spot leadframes for solder plated semiconductor devices and method of fabrication
JP2001185670A (ja) * 1999-12-10 2001-07-06 Texas Instr Inc <Ti> リードフレームとその製法
KR100419981B1 (ko) * 2001-04-04 2004-03-04 이규한 반도체 실장기판의 적층 구조
ATE399328T1 (de) 2001-09-24 2008-07-15 Rika Denshi America Inc Elektrische testsonden und verfahren zu ihrer herstellung
US6706561B2 (en) 2002-02-11 2004-03-16 Texas Instruments Incorporated Method for fabricating preplated nickel/palladium and tin leadframes
US20040185287A1 (en) * 2003-03-19 2004-09-23 Reighard Tricia Susan Adhesive tie material containing an inorganic filler
EP1524693A1 (en) 2003-10-13 2005-04-20 Infineon Technologies AG Leadframe being protected against corrosion
DE10348715B4 (de) 2003-10-16 2006-05-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Flachleiterrahmens mit verbesserter Haftung zwischen diesem und Kunststoff sowie Flachleiterrahmen
US7268415B2 (en) * 2004-11-09 2007-09-11 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device having post-mold nickel/palladium/gold plated leads
US7309909B2 (en) * 2005-09-21 2007-12-18 Texas Instruments Incorporated Leadframes for improved moisture reliability of semiconductor devices
JP4820616B2 (ja) * 2005-10-20 2011-11-24 パナソニック株式会社 リードフレーム
US7256481B2 (en) * 2005-11-30 2007-08-14 Texas Instruments Incorporated Leadframes for improved moisture reliability and enhanced solderability of semiconductor devices
JP4834022B2 (ja) * 2007-03-27 2011-12-07 古河電気工業株式会社 可動接点部品用銀被覆材およびその製造方法
US8737089B2 (en) * 2010-09-27 2014-05-27 Micro Stamping Corporation Lead frames for capacitors
KR101802850B1 (ko) * 2011-01-11 2017-11-29 해성디에스 주식회사 반도체 패키지
ITVI20110122A1 (it) 2011-05-13 2012-11-14 St Microelectronics Srl Metodo e apparato per la fabbricazione di lead frames
US9035440B2 (en) 2011-06-23 2015-05-19 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with a lead and method of manufacture thereof
KR102188500B1 (ko) 2014-07-28 2020-12-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치
US9070392B1 (en) 2014-12-16 2015-06-30 Hutchinson Technology Incorporated Piezoelectric disk drive suspension motors having plated stiffeners
CN107735834B (zh) 2015-06-30 2019-11-19 哈钦森技术股份有限公司 具有改进的可靠性的盘驱动器头部悬架结构
US10796986B2 (en) * 2016-03-21 2020-10-06 Infineon Technologies Ag Leadframe leads having fully plated end faces
CN110265376A (zh) * 2018-03-12 2019-09-20 意法半导体股份有限公司 引线框架表面精整
US11735512B2 (en) 2018-12-31 2023-08-22 Stmicroelectronics International N.V. Leadframe with a metal oxide coating and method of forming the same
CN116110798A (zh) * 2023-03-03 2023-05-12 先进半导体材料(安徽)有限公司 用于保护引线框架的方法、引线框架组合、盒和外部容器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5882406A (ja) * 1981-10-15 1983-05-18 古河電気工業株式会社 銀又は銀合金被覆ダイオ−ドリ−ド線とその製造方法
JPS58152304A (ja) * 1982-03-05 1983-09-09 古河電気工業株式会社 銀被覆導電体
JPS59180908A (ja) * 1983-03-30 1984-10-15 古河電気工業株式会社 銀被覆導体とその製造方法
JPS59222596A (ja) * 1983-06-02 1984-12-14 Furukawa Electric Co Ltd:The Ａｇ被覆Ｃｕ系材料とその製造方法
JPS59228311A (ja) * 1983-06-08 1984-12-21 古河電気工業株式会社 Ａｇ被覆電気材料とその製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2886499A (en) * 1957-01-07 1959-05-12 Glenn R Schaer Protective metal coatings for molybdenum
US3684464A (en) * 1970-11-04 1972-08-15 Texas Instruments Inc Composite metal laminate material and lead frame
US4141029A (en) * 1977-12-30 1979-02-20 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit device
JPS5596662A (en) * 1979-01-17 1980-07-23 Toshiba Corp Electronic component member
JPS5817649A (ja) * 1981-07-24 1983-02-01 Fujitsu Ltd 電子部品パツケ−ジ
JPS5936953A (ja) * 1982-08-25 1984-02-29 Hitachi Cable Ltd 半導体用リ−ドフレ−ム
JPS5936954A (ja) * 1982-08-25 1984-02-29 Hitachi Cable Ltd 半導体用リ−ドフレ−ム
JPS59168659A (ja) * 1983-03-15 1984-09-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 集積回路用リ−ドフレ−ム
US4529667A (en) * 1983-04-06 1985-07-16 The Furukawa Electric Company, Ltd. Silver-coated electric composite materials
DE3312713A1 (de) * 1983-04-08 1984-10-11 The Furukawa Electric Co., Ltd., Tokio/Tokyo Silberbeschichtete elektrische materialien und verfahren zu ihrer herstellung
JPS607157A (ja) * 1983-06-25 1985-01-14 Masami Kobayashi Ｉｃ用リ−ドフレ−ム
JPH0612796B2 (ja) * 1984-06-04 1994-02-16 株式会社日立製作所 半導体装置
JPS60143636A (ja) * 1984-07-09 1985-07-29 Hitachi Ltd 電子部品
US4666796A (en) * 1984-09-26 1987-05-19 Allied Corporation Plated parts and their production
US4601958A (en) * 1984-09-26 1986-07-22 Allied Corporation Plated parts and their production
JPS6196088A (ja) 1984-10-16 1986-05-14 Masami Kobayashi Ｎｉ−Ｆｅ合金ＩＣ用リ−ドフレ−ムの製造法
EP0250146A1 (en) * 1986-06-16 1987-12-23 Texas Instruments Incorporated Palladium plated lead frame for integrated circuit
US4835067A (en) * 1988-01-21 1989-05-30 Electro Alloys Corp. Corrosion resistant electroplating process, and plated article
US4895771A (en) * 1988-06-14 1990-01-23 Ab Electronic Components Limited Electrical contact surface coating

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5882406A (ja) * 1981-10-15 1983-05-18 古河電気工業株式会社 銀又は銀合金被覆ダイオ−ドリ−ド線とその製造方法
JPS58152304A (ja) * 1982-03-05 1983-09-09 古河電気工業株式会社 銀被覆導電体
JPS59180908A (ja) * 1983-03-30 1984-10-15 古河電気工業株式会社 銀被覆導体とその製造方法
JPS59222596A (ja) * 1983-06-02 1984-12-14 Furukawa Electric Co Ltd:The Ａｇ被覆Ｃｕ系材料とその製造方法
JPS59228311A (ja) * 1983-06-08 1984-12-21 古河電気工業株式会社 Ａｇ被覆電気材料とその製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04211153A (ja) * 1990-02-26 1992-08-03 Hitachi Ltd 半導体パッケージ及びそれに用いるリードフレーム
US5521432A (en) * 1991-10-14 1996-05-28 Fujitsu Limited Semiconductor device having improved leads comprising palladium plated nickel
US5558239A (en) * 1993-03-09 1996-09-24 Alfatechnic Patent Ag Snap-on, plastic hinged closure in a single piece
US5639018A (en) * 1995-08-31 1997-06-17 Combibloc, Inc. Push-tab hinge for a container closure apparatus
US5823420A (en) * 1995-08-31 1998-10-20 Combibloc, Inc. Push-tab hinge for a container closure apparatus
US5992734A (en) * 1995-08-31 1999-11-30 Sig Combibloc Inc. Push-tab hinge for a container closure apparatus
US6244503B1 (en) * 1995-08-31 2001-06-12 Sig Combibloc Inc. Container closure apparatus
US6521358B1 (en) 1997-03-04 2003-02-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lead frame for semiconductor device and method of producing same
KR100436512B1 (ko) * 1999-08-26 2004-06-16 주식회사 포스코 래들경동대를 이용하는 역립식 래들 자동보열장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0335608A2 (en) 1989-10-04
EP0335608B1 (en) 1995-06-14
KR890015394A (ko) 1989-10-30
DE68923024D1 (de) 1995-07-20
US6245448B1 (en) 2001-06-12
EP0335608A3 (en) 1991-10-30
KR0129118B1 (ko) 1998-04-06
DE68923024T2 (de) 1995-11-02

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