JPS58157151A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS58157151A
JPS58157151A JP57043531A JP4353182A JPS58157151A JP S58157151 A JPS58157151 A JP S58157151A JP 57043531 A JP57043531 A JP 57043531A JP 4353182 A JP4353182 A JP 4353182A JP S58157151 A JPS58157151 A JP S58157151A
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JP
Japan
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wiring
earthing
ground
electrode
integrated circuit
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JP57043531A
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English (en)
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Hajime Takano
元 高野
Hiromitsu Yamashita
山下　弘光
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体集積回路装置、特に半導体集積回路内
に含まれる複数の接地配線間の電気的相互干渉を軽減す
るための接地配線構造に関するものである。
第１図は従来の半導体集積回路装置の接地配線およびボ
ンディング電極構造を示し％　［ＩＷＡはその断面構造
を示す。ここで１は単一半導体基板（例えばＰ形シリコ
ン）、６および６は例えばＰ形の拡散層からなる分散領
域２，８．４によ）分＠＊れた基板とは反対導電形の領
域（例えばＮ形エピタキシャル層）、７および８は電子
回路網を脱刷を配路化するため各１素子（例えばＰ膨拡
散層の抵抗）を代表しＴこ電子回艷、００，４００，５
００　　は夫々の電子回路を接続する接地配線（例えば
Ｍ）１４は夫々の接地配線を１点に集めるための接地電
極（例えばＡｌ）、２Ｂは絶縁層（例えば２酸化珪素）
９、１０　、１１　、　ｌｊ、　１Ｂは電極、Ｒｏ　ａ
Ｒａ　ｔＲｓ　＊Ｒ＠＋Ｒｙ　＠ＲＪ　ＩＲｅ、Ｒｓ・
　は夫々の構造が持つ個有の寄生インピーダンスを示す
、第２図の内００，１００，４００，５００．１４およ
び１６は第１図の同一符号の構造を概念的に示したもの
である。図において、２組の電子回路７および８は分電
領域２，８および４を含む分離構造により＊気的に相互
に分離されている。夫々翫子回＆７および８の接地電極
１０および１１は夫々の電子回路に近い半導体基板ｌと
ほぼ同一と見なせる分１１１＊極９および１１に夫々配
線接続され、夫々の共通ｗｔ＠　ＯＯおよび５００は更
にワイヤボンディングのためのボンディング用接地ＩＩ
Ｅ極１４１こ接続されている。
この様な半導体集積回路はそ（Ｄｌ［気的経路に有限の
インピーダンスＲｅ　＊Ｒ６ｓＲ＠＊ＲｙおよびＲｓを
持つ事は周知の事実である。これらのインピーダンスの
実例としてＲｅ＝５０ｍΩ、Ｒｓ＝１Ω、ＲＩ＝ｚもΩ
。
〜＝２０Ω、Ｒ，＝５０Ωの値は発生し得る。ここで回
路７および８から流れ出る信号電流を夫々Ｉｙ　＝ＩＱ
ｍＡ。
Ｉｓ＝１０ｍＡとし、ホンティング電極１４’）ＯＶＪ
：する。
この時の等価回路は第８図で表わされる。但し十分小さ
いと判断されるインピーダンスは省略しである１等価回
路より＊子回路８の接地点■の電位ｖ−１４は次の通シ
求められる。
Ｖｍ−ｓａ　＝　　Ｒｓ　Ｉｓ　　　　　　　　　　　
　　　…−（１）Ｒｓ　ｂ　＝Ｒｏ　（ｂ＋ムーＩｉ　
）＋（島＋Ｒｒ　＋Ｒ＠　）　（Ｉｓ　　Ｉｓ　）””
（２）ここでＲ６＋Ｒａ　＋Ｒ＠　十Ｒｙ　＋Ｒ＠　”
”Ｒ２Ｓｅ　　とする。
Ｒｏ　Ｒａ　　　　（ＲＯ＋Ｒ＠　十Ｒｙ　＋Ｒｅ　　
）　ＲｓＶａ−ｕ　＝　Ｈ，−Ｉｙ”　Ｒｌｏ、Ｉｇ　
””（４）（４）式に前記実例のインピーダンスおよび
信号電流を代入すると、Ｖｓ−ｍ　＝　０．１２Ｘ１０
°ａ　＋　９．８９Ｘ１０’　−・−・・−（５）とな
る、したがって、電子回路８の接地点は電子回路７の影
響によル１２０μＶ分の干渉を受けることになる。この
ことは、電子回路８が等価的にｇ　ｍ＝　１０ｍＡ／１
０ｍＶ　＝　１ｍＵの性能を持っているとすれば、電子
回路８は一３８２ｄＢ（１ｚｏμｉＱ…うだけ電子回路
７から干渉を受けることになる。この様な干渉レベル（
−８８，２ｄＢ）は電子回路において無視出来ないこと
があることは一般に十分理解出来る。
この様に従来の接地配線構造は電子回路相互間の電気的
干渉が生じ易く、特に高利得、高周波回路ＪＣオイては
不要信号の混入による信号の質の低下、例えば金の原因
となシ、又回路の正常な増幅機能を損う発振に到る原因
になる躯もある。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、共通の半導体基板内に形成された
２組以上の電子回路の接地配線を夫々の電子回路の間近
で半導体基板に接続せず・少くとも１つ又は一部のみの
接地配線を半導体基板に接続し全体の電子回路の接地電
位を得るようにして、夫々の電子回路の相互干渉を軽減
又は無くするような接地配線構造を有する半導体集積回
路装置提供するものである。
以下本発明の実施例について説明する。餠４図は本発明
の単一半導体集積回路の接地配線およびボンディング電
極構造を示し、ｌｉ！５図はその断面構造を示す、＠４
図および１１６図において第１図および１１２図と同−
ｉ＊＊のものは同一符号で示している０図において、２
組の電子回路７および８は分離領域ｇ、ｓおよび４を含
む分離構造によルミ気的に相互に分離されている。仁の
内電子回路７はの接地配線００のみ分離電極ｉに配線接
続され更にボンディング用接地電極１４に配線接続され
ている。一方電子回路８の接地配線’　５０Ｇは間近の
分離領域には配線されず、そのままボンデイン用接地電
極１４＃こ直接配線接続されている。この様に配線され
た半導体集積回路はその電気的経路に有限のインピーダ
ンスを持つが従来と異なる点は、第６図のような等価回
路で示されるように第８図に含まれるＲ・、　Ｒｆおよ
びＲ−を含まない点にある。
１１６図の各インピーダンスを第８図の従来例と対比し
て、実例としてＲＯ−３０ｍΩ＊　Ｒｓ＝　１Ωとし、
回路７および８から流れる信号電流を夫々Ｉ７＝１０ｍ
Ａ。
Ｉｇ　＝１０ｍＡとしボンディング用接地電極１４をＯ
ｖとする１等価回路第６図よシミ子回路８の接地点■の
電位Ｖａ−１４は次の通）求められる。
Ｖｌ−１４＝ＲＪ　　Ｉｇ ”Ｒ８ｘ。
すなわち接地点■の電位Ｖ、−１４は明らかにＲａおよ
びムのみに依存し、ｂに影砺されることはない。
相互干渉は皆無となる。
なお、上記実施例では２つの電子回路についてのみの場
合を示したが、２つ以上の複数電子回路についても全く
同じ結果が得られる事は明らかである。
又本発明の実施例を拡大し、多数の電子回路を複数の接
地電極およびボンディング用級地ＩＥ８ｉｉに組み分け
することによって単一半導体集積回路構造を電子回路相
互間の干渉なく構成することも可舵である。
以上のようにこの発明によれば共通の半導体基板内に形
成された２組以上の電子回路とこれらの電子回路に共通
な接′地ＷＩｔ＆ｉとを接続する被数の接地配線のうち
、一部の接地配線のみを半導体基板の接地点に接続する
ことによシ、電子回路間の相互干渉を容易に軽減又は無
くすることがで−る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体集積回路装置の接地配線構造を示
す平面図、第２図は１１１図の１−１線断面図、第８図
は第１図における接地配線路の等価回路図、＃！４図は
本発明の半導体集積回路装置の接地配線構造を示す平面
図、第５図はｍ４図のマーマ線断面図、第６図はｍ４図
における接地配線路の等価回路図である。 図中、７．８・・・夫々電子回路、００　、６００　、
４００・・・夫々接地配線、１・・・半導体基板、２，
８．４・・・夫々分離領域、９・・・分離電極、１４−
・・ボンディング用接地電極である。 代理人　葛野信− 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 Ｔη 手続補正書（自発） １．事件の表示　　　　特願昭５７−４８５８１号３、
補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄ならびに図面６、補正の
内容 （１）図中第４図を別紙のとおり訂正する。 （２）明細書をつぎのとおり訂正する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）共通の半導体基板内に形成された２組以上の電子
    回路部分と、これらの電子回路部分に接続された複数の
    接地配線と、上記半導体基板上に形成され上記複数の接
    地配線が接続される共通の接地電極とを備え、上記複数
    の接地配線の全部ではなく一部の接地配線のみを上記半
    導体基板の！Ｉ！地点に接続したことを特徴とする半導
    体粂ＩＩＩＷＡ路装臘。
JP57043531A 1982-03-15 1982-03-15 半導体集積回路装置 Pending JPS58157151A (ja)

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