JPS58157177A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58157177A JPS58157177A JP57040377A JP4037782A JPS58157177A JP S58157177 A JPS58157177 A JP S58157177A JP 57040377 A JP57040377 A JP 57040377A JP 4037782 A JP4037782 A JP 4037782A JP S58157177 A JPS58157177 A JP S58157177A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/225—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F30/2255—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers form heterostructures, e.g. SAM structures
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は１ｎＰｔ−母体とするプレーナ型アバランシェ
・フォトダイオードの製造方法に係り、特に−アバラン
シェ−フォトダイオードに於ける受光部及びガードリン
グ部の形成方法に関する０（ｂ） 技術の背景 ｌμ賜帝元通信用の受光素子として、第１図（イ）に示
すプレーナ１ＩＩｉ（受付番号５６０４１３５３）や、
プレーナ臘の一植で７ｉ４１図（ロ）、？→に示すよう
なリーチスルーａｉｌ（受付４号５６１１４２０．５６
１０９２８）のアバランシェ・７オトダイオード（Ａ
Ｐ Ｄ）が既に提案されている。Ｉ＠１図に於てｌは基
板、２はバッファ層、３は光吸収層、４は帛１のウィン
ド層、５に％２Ｃ）ウィンド層、６＃′ｉ塊め込み層、
７ｒＬ受元部、８はガードリング部、９は窒化シリコン
（ＳｉｓＮ４）等からなる保護絶縁貞、ｌＯは金拳亜鉛
（ＡｕＺｎ）等からなる上部電極、１１は金・ゲルマニ
ウム（ＡｕＧｅ）等からなる下部電極を示している。そ
して上記ＡＰＤに於ては何れも受光部周辺でのエツジブ
レークダウンを防止する為に、図に示し九通り受光部の
周辺部即ちｐ −ＩｎＰからなる受光ｓｎｍとｎ−−Ｉ
ｎＰ（又はｎ−１ｎＰ）からなるウィンド層の間にｐ−
ＩｎＰからなるガードリング部８が形成される０ （Ｃ） 従来技術と開成点 上記のようにＩｎＰを母体とするプレーナ型ＡＰＤＯ展
造方法に於て、従来はｐ−ＩｎＰからなるガードリング
部をベリリウム（Ｂ＠）のイオン注入で、そしてｐ −
ＩｎＰ からなる受光部上カド（ラム（ＣｄＪの気相拡
散で形成していた０従って該従来方法では上記ＡＰＤが
Ｂ＠注入層を電気陳活性化する丸めの例えば６５０〜７
５０（’Ｃ〕、６１０〔分〕程度の高温熱処理と、例え
ば５００〜６００（Ｃ）。
・フォトダイオードの製造方法に係り、特に−アバラン
シェ−フォトダイオードに於ける受光部及びガードリン
グ部の形成方法に関する０（ｂ） 技術の背景 ｌμ賜帝元通信用の受光素子として、第１図（イ）に示
すプレーナ１ＩＩｉ（受付番号５６０４１３５３）や、
プレーナ臘の一植で７ｉ４１図（ロ）、？→に示すよう
なリーチスルーａｉｌ（受付４号５６１１４２０．５６
１０９２８）のアバランシェ・７オトダイオード（Ａ
Ｐ Ｄ）が既に提案されている。Ｉ＠１図に於てｌは基
板、２はバッファ層、３は光吸収層、４は帛１のウィン
ド層、５に％２Ｃ）ウィンド層、６＃′ｉ塊め込み層、
７ｒＬ受元部、８はガードリング部、９は窒化シリコン
（ＳｉｓＮ４）等からなる保護絶縁貞、ｌＯは金拳亜鉛
（ＡｕＺｎ）等からなる上部電極、１１は金・ゲルマニ
ウム（ＡｕＧｅ）等からなる下部電極を示している。そ
して上記ＡＰＤに於ては何れも受光部周辺でのエツジブ
レークダウンを防止する為に、図に示し九通り受光部の
周辺部即ちｐ −ＩｎＰからなる受光ｓｎｍとｎ−−Ｉ
ｎＰ（又はｎ−１ｎＰ）からなるウィンド層の間にｐ−
ＩｎＰからなるガードリング部８が形成される０ （Ｃ） 従来技術と開成点 上記のようにＩｎＰを母体とするプレーナ型ＡＰＤＯ展
造方法に於て、従来はｐ−ＩｎＰからなるガードリング
部をベリリウム（Ｂ＠）のイオン注入で、そしてｐ −
ＩｎＰ からなる受光部上カド（ラム（ＣｄＪの気相拡
散で形成していた０従って該従来方法では上記ＡＰＤが
Ｂ＠注入層を電気陳活性化する丸めの例えば６５０〜７
５０（’Ｃ〕、６１０〔分〕程度の高温熱処理と、例え
ば５００〜６００（Ｃ）。
１〔時間３機度のＣｄ拡散処履との二回の高温熱処理工
種を経て形成されていた０そのためこれら高温熱処理Ｋ
Ｎてウィンド層上面近傍の如ん［Ｆ］が蒸発して、ウィ
ンド層上面近傍に結晶欠陥が形成され、ノイズ特性９周
渡航時性等ＡＰＤ素子の電気的特性が損なわれるという
問題があった。ＩｍＰ化合物に於ては上記のように）ん
（至）Ｓ発の開成があるので、該ＩｎＰの嵐好な結晶性
を保つためには受光部及びガードリンクａｔｍ形成する
−の高温熱＆＆場工１１を減らすことが好ましい。
種を経て形成されていた０そのためこれら高温熱処理Ｋ
Ｎてウィンド層上面近傍の如ん［Ｆ］が蒸発して、ウィ
ンド層上面近傍に結晶欠陥が形成され、ノイズ特性９周
渡航時性等ＡＰＤ素子の電気的特性が損なわれるという
問題があった。ＩｍＰ化合物に於ては上記のように）ん
（至）Ｓ発の開成があるので、該ＩｎＰの嵐好な結晶性
を保つためには受光部及びガードリンクａｔｍ形成する
−の高温熱＆＆場工１１を減らすことが好ましい。
（由 発明の目的
本発明は上記Ｏｌ：Ｌを考慮し、受光部及びガードリン
グａｔｍ形成する際の高温熱処垣工１ｉｔ−−回で済ま
せる製造方法ｔ−提供し、ＩｎＰを母体とするブレーナ
ａｌＡＰＤの電気的特性を向上せしめることｔ目的とす
る。
グａｔｍ形成する際の高温熱処垣工１ｉｔ−−回で済ま
せる製造方法ｔ−提供し、ＩｎＰを母体とするブレーナ
ａｌＡＰＤの電気的特性を向上せしめることｔ目的とす
る。
（・）発明の構成
即ち不発明は受光部とガードリング部１ＩｎＰ層に形成
し、ＩｎＧａＡｍ層、ＩｎＧａＡｍＰＪＩＬ戚るい１□
ｎＧａＡ ｓＰ ｈ ＩｎＧａＡｍ層ｔ ｊｔ＊１Ｕｉ
ｌ ｈ ｔ ４ ＩｎＰ ’／ １ｎＧａＡ
ｓ ＊ ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ＋成るいはＩｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓＰ−ＩｎＧＩＡＩ＠Ａｆ’ＤＯｄ造方法に於
て、受光部及びガードリング部を形成するに際して、受
光部形成領域へＣｄ ｔ−、ガードリング部形成領域へ
Ｂ＠ｌそれぞれイオン注入した後、注入Ｃｄ及び注入Ｂ
＠を電気的に活性化する為の熱ｍｍｔ−ａｔｍ行う１楊
【有すること１＊黴とする。
し、ＩｎＧａＡｍ層、ＩｎＧａＡｍＰＪＩＬ戚るい１□
ｎＧａＡ ｓＰ ｈ ＩｎＧａＡｍ層ｔ ｊｔ＊１Ｕｉ
ｌ ｈ ｔ ４ ＩｎＰ ’／ １ｎＧａＡ
ｓ ＊ ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ＋成るいはＩｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓＰ−ＩｎＧＩＡＩ＠Ａｆ’ＤＯｄ造方法に於
て、受光部及びガードリング部を形成するに際して、受
光部形成領域へＣｄ ｔ−、ガードリング部形成領域へ
Ｂ＠ｌそれぞれイオン注入した後、注入Ｃｄ及び注入Ｂ
＠を電気的に活性化する為の熱ｍｍｔ−ａｔｍ行う１楊
【有すること１＊黴とする。
（ｊ）発明の実施例
以下本発明を一実施例について、菖２図（イ）乃至（ホ
）に示す工楊断−図及び第３図に示す不純物注入領域の
キャリア分布図を用いて詳ｊｌｌＫａｆ１４する〇本発
明の方法を用いて例えばプレーナ置ＩｎＰ／ＩｎＧａＡ
ｓＰａＡＰＤを形成するに蒙しては、通常の液相エピタ
キシ苓ル成長（ＬＰｊ：）法を用いて、先ず第２図Ｈ）
ＶＣ示すようＫ Ｉ Ｘ Ｉ Ｇ” （ａｉｍ／ｃｄ
〕機度のキャリア１１［１１−有し厚さ３５（Ｊ（Ｊｌ
ｍｌ） ｍｊ［のｎ”−ＩｎＰ＊基板ｌ上に、キャリア
ｌｌｊ［ｌＸ１０”［ａ ｔｍ ／ ｃｄ ］ｔ 厚さ
３［μＪ機度のｎ−ＩｎＰｓバッファ層２１キャリア＠
Ｍｌ Ｉ Ｘ １０” （ａｔｍ ／ ｃｊ ）を犀さ
２（／ＪＩＢ）８にのｎ−ＩｎＧａＡｓＰｅｊｔ、吸収
層３゜中ヤリア濃’［Ｉ Ｘ １０” （ａ ｋｍ ／
６ｄ ）ｓ厚さｌ（、ａＪｍｕのｎ−ＩｎＰ＠第１ウ
ィンド層４、キャリア濃［５ｘｌＧ”（ａｔｍ／ｃｊ〕
、厚さ１（ＡｌｌＥ Ｉｉ＆。
）に示す工楊断−図及び第３図に示す不純物注入領域の
キャリア分布図を用いて詳ｊｌｌＫａｆ１４する〇本発
明の方法を用いて例えばプレーナ置ＩｎＰ／ＩｎＧａＡ
ｓＰａＡＰＤを形成するに蒙しては、通常の液相エピタ
キシ苓ル成長（ＬＰｊ：）法を用いて、先ず第２図Ｈ）
ＶＣ示すようＫ Ｉ Ｘ Ｉ Ｇ” （ａｉｍ／ｃｄ
〕機度のキャリア１１［１１−有し厚さ３５（Ｊ（Ｊｌ
ｍｌ） ｍｊ［のｎ”−ＩｎＰ＊基板ｌ上に、キャリア
ｌｌｊ［ｌＸ１０”［ａ ｔｍ ／ ｃｄ ］ｔ 厚さ
３［μＪ機度のｎ−ＩｎＰｓバッファ層２１キャリア＠
Ｍｌ Ｉ Ｘ １０” （ａｔｍ ／ ｃｊ ）を犀さ
２（／ＪＩＢ）８にのｎ−ＩｎＧａＡｓＰｅｊｔ、吸収
層３゜中ヤリア濃’［Ｉ Ｘ １０” （ａ ｋｍ ／
６ｄ ）ｓ厚さｌ（、ａＪｍｕのｎ−ＩｎＰ＠第１ウ
ィンド層４、キャリア濃［５ｘｌＧ”（ａｔｍ／ｃｊ〕
、厚さ１（ＡｌｌＥ Ｉｉ＆。
ｎ −ＩｍＰＩＩｊ１２ウィンド層器が、−次積層され
九ＡＰＤ用エピタキシャル基板を準備する。次いで通常
のフォトプロセスを用い、第２図ｔＰ）に示すようＫｌ
ｌ紀ＡＰＤ用エピタキシャル基板上にガードリング部形
成領域ｍを表出する第１のイオン注入窓ｔＷするフォト
レジスト＠ｉスク１２１形成し、駅マスク１２のＪ１１
１１０イオン圧入窓から選択的に例えば加遮エネルギー
１５０（Ｋ＠Ｖ）、注入量ＩＸ１０” （ａｔｍ／ｍ）
＠直の条件でベリリウム・イオン（Ｂ＠）Ｏ注入を行
い、例えばｎ−−ＩｎＰ・第２ウィンド層５からｎ−Ｉ
ｎＰ・ 第１ウィンド層４の上部領域に１するＢ・注入
領域８′を形成する。
九ＡＰＤ用エピタキシャル基板を準備する。次いで通常
のフォトプロセスを用い、第２図ｔＰ）に示すようＫｌ
ｌ紀ＡＰＤ用エピタキシャル基板上にガードリング部形
成領域ｍを表出する第１のイオン注入窓ｔＷするフォト
レジスト＠ｉスク１２１形成し、駅マスク１２のＪ１１
１１０イオン圧入窓から選択的に例えば加遮エネルギー
１５０（Ｋ＠Ｖ）、注入量ＩＸ１０” （ａｔｍ／ｍ）
＠直の条件でベリリウム・イオン（Ｂ＠）Ｏ注入を行
い、例えばｎ−−ＩｎＰ・第２ウィンド層５からｎ−Ｉ
ｎＰ・ 第１ウィンド層４の上部領域に１するＢ・注入
領域８′を形成する。
次いで１Ｉｌｒ記フオトレジスト・マスク１２ｉ鹸去し
起債、通常の化学気相成長及び７オト・エッチング工楊
【経て、例えば第２図ビうに示すように該ＡＰＤ用エビ
タ命シャル基板上に受光部形成領域向を表出すゐ篇２の
イオン注入窓を有する窒化シリコン（８１１Ｎ４）”マ
スク１３ｉ形成し、腋基板ｏ＠ＫＷ ２００ ＣＣＪ
横１１ｃ昇Ｉｌｌ Ｌ ｆｔ 状１ｍ テ８１ ｓ Ｎ
４・ｉスフ１３のｉｓ２のイオン注入窓から選択的に例
えば加速エネルギー４００（Ｋ＠Ｖ）、注入量ｌｘ１０
” （ａ ｔｍ／ａｉ ） ８ｆＫの条件でカド建り
ム・イオン（Ｃｄ ） ｔ−ｆｆ人し、注入深さが例え
ば０．７μ皇楊度のＣｄ注入領域７’ｔ−ｎ−ＩｎＰ纂
２ウィンド肩５内に形成する◎この時Ｃｄ注入領域７′
の端面は、前記Ｂ・注入領域８′内に違してい企０なお
鍍Ｃｄ”選択注入に際してのマスクは二酸化シリコン■
１ＱＪｔ＋ りん珪酸ガフス（ＰＳＧ）等でも嵐（、［ＫＣｄ注入を
常温で行う鍬にはフォトレジメトでもさしつかえない。
起債、通常の化学気相成長及び７オト・エッチング工楊
【経て、例えば第２図ビうに示すように該ＡＰＤ用エビ
タ命シャル基板上に受光部形成領域向を表出すゐ篇２の
イオン注入窓を有する窒化シリコン（８１１Ｎ４）”マ
スク１３ｉ形成し、腋基板ｏ＠ＫＷ ２００ ＣＣＪ
横１１ｃ昇Ｉｌｌ Ｌ ｆｔ 状１ｍ テ８１ ｓ Ｎ
４・ｉスフ１３のｉｓ２のイオン注入窓から選択的に例
えば加速エネルギー４００（Ｋ＠Ｖ）、注入量ｌｘ１０
” （ａ ｔｍ／ａｉ ） ８ｆＫの条件でカド建り
ム・イオン（Ｃｄ ） ｔ−ｆｆ人し、注入深さが例え
ば０．７μ皇楊度のＣｄ注入領域７’ｔ−ｎ−ＩｎＰ纂
２ウィンド肩５内に形成する◎この時Ｃｄ注入領域７′
の端面は、前記Ｂ・注入領域８′内に違してい企０なお
鍍Ｃｄ”選択注入に際してのマスクは二酸化シリコン■
１ＱＪｔ＋ りん珪酸ガフス（ＰＳＧ）等でも嵐（、［ＫＣｄ注入を
常温で行う鍬にはフォトレジメトでもさしつかえない。
次いで５ｉｉＮ＊・マスク１３を除去した後、通常の化
学気相成長法管用いて纂２ｗＡに）に示すようＫａＡＰ
Ｄ用エピタキシャル基板上に例えばＰＳＧ成るいは８ｋ
ｍＮ＋等からなるシん［Ｆ］の原発防止膜１４を形成し
、次ｉで該基板を置素（Ｎ１）成るいは不活性ガス中で
例えｄ１ｓＯｃ℃〕＊２ｒＸ剣機度熱感場して前記Ｂ＠
注入領域８′とＣｄ江大入領域７′同時に電気的に活性
化し、該領域にｐ−ＩｕＰ・ガードリング部８及びｐ−
ＩｎＰ・受光１１７Ｖｃ形成する０上記熱処場後Ｏｎｅ
注入領域とＣ４注入Ｂ＠江入領域がなだらかなキャリア
分布を示し、ガードリング部形成に遍していることは、
これ宜で提案済みの特許（受付誉号５６０３５５７，５
６０４６５３゜５６１０９２８．５６１１４２０）
で述べた通りであるが、更ＫＣｄ注入領域の今ヤリア分
布もＣｄ拡飲分布と同１１に急峻な分布となす、該Ｃｄ
注入領域が受光部形成に適していることが図から明らか
である０ 次いで原発防止績１４￥ｒ除去した後、従来と同様の方
法により１１２ｍ（ホ）に示すように受光部７及びガー
ドリング＊ＳＯ形成された第２のウィンド層５上へＯ＊
ｓｉ絶縁−９の形成、該保嫌絶鍬臘９への受ｆ、部７ｔ
−表出する電橋窓の形成、？ａ電極窓上へのＡｕＺｎ等
からなる上部ｉＥ極ｌＯの形成、ＡＰＬ）ｉ板嬌面への
ＡｕＧ・等からなる下部ＩＥ極１１の形成、等がなされ
てプＶ−すｌｉ Ｉ ｎＰ ／ Ｉ ｎＧａＡｓＰ ・
ＡＰＤが提供される。
学気相成長法管用いて纂２ｗＡに）に示すようＫａＡＰ
Ｄ用エピタキシャル基板上に例えばＰＳＧ成るいは８ｋ
ｍＮ＋等からなるシん［Ｆ］の原発防止膜１４を形成し
、次ｉで該基板を置素（Ｎ１）成るいは不活性ガス中で
例えｄ１ｓＯｃ℃〕＊２ｒＸ剣機度熱感場して前記Ｂ＠
注入領域８′とＣｄ江大入領域７′同時に電気的に活性
化し、該領域にｐ−ＩｕＰ・ガードリング部８及びｐ−
ＩｎＰ・受光１１７Ｖｃ形成する０上記熱処場後Ｏｎｅ
注入領域とＣ４注入Ｂ＠江入領域がなだらかなキャリア
分布を示し、ガードリング部形成に遍していることは、
これ宜で提案済みの特許（受付誉号５６０３５５７，５
６０４６５３゜５６１０９２８．５６１１４２０）
で述べた通りであるが、更ＫＣｄ注入領域の今ヤリア分
布もＣｄ拡飲分布と同１１に急峻な分布となす、該Ｃｄ
注入領域が受光部形成に適していることが図から明らか
である０ 次いで原発防止績１４￥ｒ除去した後、従来と同様の方
法により１１２ｍ（ホ）に示すように受光部７及びガー
ドリング＊ＳＯ形成された第２のウィンド層５上へＯ＊
ｓｉ絶縁−９の形成、該保嫌絶鍬臘９への受ｆ、部７ｔ
−表出する電橋窓の形成、？ａ電極窓上へのＡｕＺｎ等
からなる上部ｉＥ極ｌＯの形成、ＡＰＬ）ｉ板嬌面への
ＡｕＧ・等からなる下部ＩＥ極１１の形成、等がなされ
てプＶ−すｌｉ Ｉ ｎＰ ／ Ｉ ｎＧａＡｓＰ ・
ＡＰＤが提供される。
億） 発＠Ｅ）ＭＪ釆
以上説明したように、本発明によれば受光部及びガード
リング部を形成するに際しての為温熱地場の１１１１Ｉ
ＩＬｔ従来方法より−＠畝らずことがで自るので、機能
領域の＃ｖｌｆｌＩ性ｔ−嵐好に保つことができる０従
りて本発明によればＩｎＰｔ母体とするプレーナ臘ムＰ
Ｄの素子特性を向上させることがで龜るＯ なお上記夷廊例は、重置＠を通常構造のプレーナ［ＡＰ
Ｄの製造工ｍＫ遍用し九例でめったが、本発明の方法は
り一チスルー臘ムＰＤＣ）製造工程に適用しても勿論有
効である◎父型発明は上記実Ｊｌ１例に示したＩｎＰ／
ＩｎＧａＡｓＰ ４１１造ＫＡらず、ＩｎＰ／ＩｎＧａ
Ａａ、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ−ＩｎＧａムｌ柳造等Ｉ
ｎＰＫ−母体とする鱒てのプレーナ虚ムＰＤに対して有
効である０そして又重置−の効果はＢ・注入とＣｄ注入
の順序に５ｇ４１係で６９、上記実施例以下の注入条件
（注入エネルギ、注入量等）、熱処理粂件（保護膜の種
類あるいは有無、温度、時間、熱処理雰囲気等）でも有
効であることは勿論である。
リング部を形成するに際しての為温熱地場の１１１１Ｉ
ＩＬｔ従来方法より−＠畝らずことがで自るので、機能
領域の＃ｖｌｆｌＩ性ｔ−嵐好に保つことができる０従
りて本発明によればＩｎＰｔ母体とするプレーナ臘ムＰ
Ｄの素子特性を向上させることがで龜るＯ なお上記夷廊例は、重置＠を通常構造のプレーナ［ＡＰ
Ｄの製造工ｍＫ遍用し九例でめったが、本発明の方法は
り一チスルー臘ムＰＤＣ）製造工程に適用しても勿論有
効である◎父型発明は上記実Ｊｌ１例に示したＩｎＰ／
ＩｎＧａＡｓＰ ４１１造ＫＡらず、ＩｎＰ／ＩｎＧａ
Ａａ、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ−ＩｎＧａムｌ柳造等Ｉ
ｎＰＫ−母体とする鱒てのプレーナ虚ムＰＤに対して有
効である０そして又重置−の効果はＢ・注入とＣｄ注入
の順序に５ｇ４１係で６９、上記実施例以下の注入条件
（注入エネルギ、注入量等）、熱処理粂件（保護膜の種
類あるいは有無、温度、時間、熱処理雰囲気等）でも有
効であることは勿論である。
第１図（イ）はＩｎＰを母体とするプレーナ型ＡＰＤの
断面図、第１図（ロ）及び（ハ）は同じくリーチスルー
型ＡＰＤの断面図、第２図（イ）乃至（ホ）は本発明の
方法の一実施例に於ける工程断面図で、第３図は不純物
注入領域のキャリア分布図である。 図に於て、１はｎ＋−ＩｎＰ・基板、２はｎ−ＩｎＰ・
バッファ層、３はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ・光吸収層、４は
ｎ−ＩｎＰ・第１ウィンド層、５はｎ−−ＩｎＰ・第２
ウィンド層、６はｎ−ＩｎＰ又はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ・
埋込み層、７′はＣｄ注入領域、７はｐ＋−ＩｎＰ・受
光部、８′はＢｅ注入領域、８はｐ−ＩｎＰ・ガードリ
ング部、９は保護用絶縁膜、１０は上部電極、１１は下
部電極、１２はフォトレジスト・マスク、１３は窒化シ
リコン・マスク、１４は蒸発防止虞を示す。
断面図、第１図（ロ）及び（ハ）は同じくリーチスルー
型ＡＰＤの断面図、第２図（イ）乃至（ホ）は本発明の
方法の一実施例に於ける工程断面図で、第３図は不純物
注入領域のキャリア分布図である。 図に於て、１はｎ＋−ＩｎＰ・基板、２はｎ−ＩｎＰ・
バッファ層、３はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ・光吸収層、４は
ｎ−ＩｎＰ・第１ウィンド層、５はｎ−−ＩｎＰ・第２
ウィンド層、６はｎ−ＩｎＰ又はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ・
埋込み層、７′はＣｄ注入領域、７はｐ＋−ＩｎＰ・受
光部、８′はＢｅ注入領域、８はｐ−ＩｎＰ・ガードリ
ング部、９は保護用絶縁膜、１０は上部電極、１１は下
部電極、１２はフォトレジスト・マスク、１３は窒化シ
リコン・マスク、１４は蒸発防止虞を示す。
Claims (1)
- （１）受光部とガードリング部をＩｎＰ層に形成しＩｎ
ＧａＡｓ層（或るいはＩｎＧａＡｓＰ層）を光吸収層と
するＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ（或るいはＩｎＧａＡｓＰ）
・アバランシェ・フォトダイオードの製造方法に於て、
受光部及びガードリング部を形成するに際して、受光部
形成領域ヘカド電つムを、ガードリング部形成領域ヘベ
９９ウムをそれぞれイオン注入し九後、注入カド建りム
及び注入ベリリウムを電気的Ｋｆｉ性イビする為の熱処
思會同時に行う工１１を有することｔ４Ｉ黴とする半導
体装置Ｏ製造方法０（功 受光部とガードリング部をＩ
ｍＰ層に形成し、ＩｎＧａＡｓＰ及びｌ鳳ＧａＡ１層を
光吸収層とするＩｍＰ／ＩｍＧａＡｓＰ−１１１Ｇ＆Ａ
Ｉ＠アパツンシエ・７オトダイオードの製造方法に験て
、受光部及びガードリング部′ｇｔ形成するＫＩＩｉし
て、受光部形成領域ヘカドイウ五をガードリングＳ形成
領域へベリリウムをそれぞれイオン注入した後、注入カ
ドミウム及び注入ペリリウム電気的に活性化する為の熱
処理を同時に行う工程を有することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57040377A JPS58157177A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57040377A JPS58157177A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157177A true JPS58157177A (ja) | 1983-09-19 |
Family
ID=12578950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57040377A Pending JPS58157177A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58157177A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198786A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JPS61101085A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Nec Corp | ３−５族半導体受光素子の製造方法 |
| US4638345A (en) * | 1983-06-01 | 1987-01-20 | Rca Corporation | IR imaging array and method of making same |
| CN110098270A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-06 | 中国科学技术大学 | 雪崩光电二极管扩散结构的制备方法及二极管扩散结构 |
-
1982
- 1982-03-15 JP JP57040377A patent/JPS58157177A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4638345A (en) * | 1983-06-01 | 1987-01-20 | Rca Corporation | IR imaging array and method of making same |
| JPS60198786A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JPS61101085A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Nec Corp | ３−５族半導体受光素子の製造方法 |
| CN110098270A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-06 | 中国科学技术大学 | 雪崩光电二极管扩散结构的制备方法及二极管扩散结构 |
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