JPS58157263A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS58157263A JPS58157263A JP57039429A JP3942982A JPS58157263A JP S58157263 A JPS58157263 A JP S58157263A JP 57039429 A JP57039429 A JP 57039429A JP 3942982 A JP3942982 A JP 3942982A JP S58157263 A JPS58157263 A JP S58157263A
- Authority
- JP
- Japan
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- solid
- vertical
- transfer
- section
- chip substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/58—Means for changing the camera field of view without moving the camera body, e.g. nutating or panning of optics or image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/48—Increasing resolution by shifting the sensor relative to the scene
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の鵬する技術分野〕
重置・明は１１１ｉｆｆ細１ｌｉｉ書ｌ提供し得る固体
撮像装置の撮像方式６二関する。
撮像装置の撮像方式６二関する。
従来の例えに−ＡＭ１６０方式のごときテレビジョン標
準方式では、垂直方向走査線５１２本、飛び越し走査ｌ
フレーム２フィールド構成、１ｉｉｉｉｉｆｌスペクト
比３：４等が定められているため、その撮像手段である
固体撮像装置は、この標準方式（二遍合丁べく構成され
ている・ 現在この標準方式に適合した例えはインターライン転送
方式ｃａｎ（ｊ２Ｌ後工Ｔ−ＣＩＣＤと称丁）惑二おけ
る画素数は５００ （ｉｍｉ！ｉ） Ｘ ４００ （水
平）程度である。
準方式では、垂直方向走査線５１２本、飛び越し走査ｌ
フレーム２フィールド構成、１ｉｉｉｉｉｆｌスペクト
比３：４等が定められているため、その撮像手段である
固体撮像装置は、この標準方式（二遍合丁べく構成され
ている・ 現在この標準方式に適合した例えはインターライン転送
方式ｃａｎ（ｊ２Ｌ後工Ｔ−ＣＩＣＤと称丁）惑二おけ
る画素数は５００ （ｉｍｉ！ｉ） Ｘ ４００ （水
平）程度である。
このような工Ｔ−００Ｄの体像動作を第１図を用いて＆
６単６二説明する。この１丁−ＣＯＤでは例えばホトダ
イオード（以下ＦＤと称丁）で形成された２ＮｘＭ［（
例えばＮ＝２５０、Ｍ＝ ４００）の感光部ＣＰＩ１％
ｐＨ’％ ＰＩｔ％Ｐ＋’＊ｂＰｌａ％”’、 Ｐｌ
ｉ５、 ”Ｉ’Ｎ、 Ｐｔ＋、’１１．２１１Ｘ治％
Ｐ宜ａｚ −”％ Ｐｇ Ｎ％ Ｐ ＆ Ｎｓ
ｌｌ＋＋％ ＰＱ ％ Ｐ’１−一 、 Ｐ
Ｍｔ 、 Ｐ’Ｍ！ ％ Ｐ 町 １・・・、Ｐ
ＭＮ、 ＦＭＮ’） （以下Ｐ１、Ｐ’１で代表する）
と、この感光部（Ｐｉ、Ｉ’１つで光電変換さｎて蓄積
された信号ＩＥ荷を絖出丁ための垂直ｃａＤ（ｅ、 、
ｏ、、・・・ＯＭ）が互いに水平方向（二交互（：配列
さｒしている。
６単６二説明する。この１丁−ＣＯＤでは例えばホトダ
イオード（以下ＦＤと称丁）で形成された２ＮｘＭ［（
例えばＮ＝２５０、Ｍ＝ ４００）の感光部ＣＰＩ１％
ｐＨ’％ ＰＩｔ％Ｐ＋’＊ｂＰｌａ％”’、 Ｐｌ
ｉ５、 ”Ｉ’Ｎ、 Ｐｔ＋、’１１．２１１Ｘ治％
Ｐ宜ａｚ −”％ Ｐｇ Ｎ％ Ｐ ＆ Ｎｓ
ｌｌ＋＋％ ＰＱ ％ Ｐ’１−一 、 Ｐ
Ｍｔ 、 Ｐ’Ｍ！ ％ Ｐ 町 １・・・、Ｐ
ＭＮ、 ＦＭＮ’） （以下Ｐ１、Ｐ’１で代表する）
と、この感光部（Ｐｉ、Ｉ’１つで光電変換さｎて蓄積
された信号ＩＥ荷を絖出丁ための垂直ｃａＤ（ｅ、 、
ｏ、、・・・ＯＭ）が互いに水平方向（二交互（：配列
さｒしている。
ここでＦＤは発生した信号電荷を蓄積−る蓄槓部でもあ
る。そしてＩＩｌ直ＯＣＤの信号電荷は、１段毎に水平
ＯＣＤシフトレジスタ（ｌ）−二転送され、水平有効期
間において水平ＣＯＤシフトレジスタ（１１内を転送さ
れた後順次出力部（２）より読出される。
る。そしてＩＩｌ直ＯＣＤの信号電荷は、１段毎に水平
ＯＣＤシフトレジスタ（ｌ）−二転送され、水平有効期
間において水平ＣＯＤシフトレジスタ（１１内を転送さ
れた後順次出力部（２）より読出される。
ここで＊ｉｉｈ ＣＯＤ （０，、Ｏ，・・・、ＣＭ）
におけるｆｌｉｌｌＬ方回の転送段数は感光＠ （Ｐｉ
、Ｐｉ勺の画面方向−素数の半数のＮ （＝２５０）で
ある。そして通常のテレビジｉｉｙ纏準方式４＝おいて
はｌフレームは２フイールドより構成され、またインタ
ーレス走査を行っている。従って工’ｒ−０（ｉＤでも
これに適合した俺像動作を行っており、先の２フイール
ドなム、Ｂフィールドも；分け、ムフィールドでは垂直
方向に連続して設けられた２１１１のＦＤ （ＰＩ ｒ
、Ｆｇｔ）、（Ｐｔ ＊、何り、・・・、 （Ｐｌ）
ｌ、−Ｊ’ｌ Ｎす、（Ｐ、１、Ｐ、１つ、（石、Ｐ８
．す・・・、 （Ｐｇ ）ｌ、ＰｔＮ’）、・・％１
（ＰＭ、 、 ＰＭ、す、 （ＰＭ、、ＰＭ、す、・
・・、 （ＰＭＮ、 ＰＩＩＩＮつで蓄積された信号
電荷を合せて絖出し、Ｂフィールドでは、垂直方向（二
ムフィールドを絖出した２ＩａのＰ’ｒｙ （ｐｔ、ｐ
ｓりに対して空間的に垂直方向に対して１８０度位相が
１％なる連続した２ｍのＦＤ（ＰＩ己Ｐ、）、（Ｐｔｍ
’、！１１）・・・、（都′、Ｐ□）、ＣＰｔｔ ’％
Ｐｌ５）％・・・、（ＰＭ、’、ＰＭり、（ＰＭｓ’
、ＰＭ、）、・・・で蓄積された信号１に荷を合せて読
出丁。このような信号電荷続出しモードをフィールド蓄
積モードと呼び、この場合、ｋｍ方向においてム、ＩＡ
フィールドで読出されるイー号の！２！間的位相が１８
０度 ｓｙｚるため、感光領域全域からは２ｍｉＸＭ
ｌｉ（”５００Ｘ ４００ｗＡ）（Ｄ ｆ ｙ ｊ Ｌ
点カ４ｒ：）レル。
におけるｆｌｉｌｌＬ方回の転送段数は感光＠ （Ｐｉ
、Ｐｉ勺の画面方向−素数の半数のＮ （＝２５０）で
ある。そして通常のテレビジｉｉｙ纏準方式４＝おいて
はｌフレームは２フイールドより構成され、またインタ
ーレス走査を行っている。従って工’ｒ−０（ｉＤでも
これに適合した俺像動作を行っており、先の２フイール
ドなム、Ｂフィールドも；分け、ムフィールドでは垂直
方向に連続して設けられた２１１１のＦＤ （ＰＩ ｒ
、Ｆｇｔ）、（Ｐｔ ＊、何り、・・・、 （Ｐｌ）
ｌ、−Ｊ’ｌ Ｎす、（Ｐ、１、Ｐ、１つ、（石、Ｐ８
．す・・・、 （Ｐｇ ）ｌ、ＰｔＮ’）、・・％１
（ＰＭ、 、 ＰＭ、す、 （ＰＭ、、ＰＭ、す、・
・・、 （ＰＭＮ、 ＰＩＩＩＮつで蓄積された信号
電荷を合せて絖出し、Ｂフィールドでは、垂直方向（二
ムフィールドを絖出した２ＩａのＰ’ｒｙ （ｐｔ、ｐ
ｓりに対して空間的に垂直方向に対して１８０度位相が
１％なる連続した２ｍのＦＤ（ＰＩ己Ｐ、）、（Ｐｔｍ
’、！１１）・・・、（都′、Ｐ□）、ＣＰｔｔ ’％
Ｐｌ５）％・・・、（ＰＭ、’、ＰＭり、（ＰＭｓ’
、ＰＭ、）、・・・で蓄積された信号１に荷を合せて読
出丁。このような信号電荷続出しモードをフィールド蓄
積モードと呼び、この場合、ｋｍ方向においてム、ＩＡ
フィールドで読出されるイー号の！２！間的位相が１８
０度 ｓｙｚるため、感光領域全域からは２ｍｉＸＭ
ｌｉ（”５００Ｘ ４００ｗＡ）（Ｄ ｆ ｙ ｊ Ｌ
点カ４ｒ：）レル。
削紀フィールド薔槓モードに対して、ムフィールドにお
いてはＦＤＯＰ、いＰｌ！、Ｐｌ、、・・・、ＰｌＮｓ
Ｐｌ１、Ｐｌｔ、Ｐ□、・・・、Ｆ＊ Ｎｓ・・・、
ＰＭ、 、ＰＭ、、ＰＭ、・・・、ＰＭＮ）６二おいて
蓄積された信号電荷を絖出し、Ｂフィールドでは！ｉｉ
直方同方向６ユてＩＩｍおきのＰＤ（’１’ｌ、Ｐ’ｓ
ｔｓ Ｐ’＋ｓ、・・・Ｉ’ｌ Ｎ ％Ｐ’ｔｔ ｓ
Ｘ’Ｂ、Ｐ’、、、・・・、Ｆ’！ ８％ ”・、Ｐ’
Ｍ、 、Ｐ蔦、Ｐ’ＭＮ）のイａ号奄（ｌｆｒｖｖｔ出
丁フレーム畜槍モードがある０ＰＤ（Ｐｉ、Ｐ′１）か
ら撫１ｉｏｃｐ（ｃｌ、ｃ、・・・、ＣＭ）への信号１
に荷転送は、ＦＤ（Ｐｉ、Ｐ′１）と泰１ＪｉＬＣ０Ｄ
（０，、Ｃａ、・・・、ＣＭ）間に設けられたフィール
ドシフトゲート（以下７８Ｇと称丁）（４）にノ（ルス
電圧を印加することによって行われる。
いてはＦＤＯＰ、いＰｌ！、Ｐｌ、、・・・、ＰｌＮｓ
Ｐｌ１、Ｐｌｔ、Ｐ□、・・・、Ｆ＊ Ｎｓ・・・、
ＰＭ、 、ＰＭ、、ＰＭ、・・・、ＰＭＮ）６二おいて
蓄積された信号電荷を絖出し、Ｂフィールドでは！ｉｉ
直方同方向６ユてＩＩｍおきのＰＤ（’１’ｌ、Ｐ’ｓ
ｔｓ Ｐ’＋ｓ、・・・Ｉ’ｌ Ｎ ％Ｐ’ｔｔ ｓ
Ｘ’Ｂ、Ｐ’、、、・・・、Ｆ’！ ８％ ”・、Ｐ’
Ｍ、 、Ｐ蔦、Ｐ’ＭＮ）のイａ号奄（ｌｆｒｖｖｔ出
丁フレーム畜槍モードがある０ＰＤ（Ｐｉ、Ｐ′１）か
ら撫１ｉｏｃｐ（ｃｌ、ｃ、・・・、ＣＭ）への信号１
に荷転送は、ＦＤ（Ｐｉ、Ｐ′１）と泰１ＪｉＬＣ０Ｄ
（０，、Ｃａ、・・・、ＣＭ）間に設けられたフィール
ドシフトゲート（以下７８Ｇと称丁）（４）にノ（ルス
電圧を印加することによって行われる。
ところで鍛近上記の標準方式によるテレビジョン放送に
おいて、爽に高稽１１ＡＩＩｋｌ蜜を提供 ることが考
えられており、それＩ：よれば垂直方向の定量締約１０
００本、１１１ｍアスペクト比３：５である。なお飛び
越し走査ｌフレーム２フイールド構成は、上記標準方式
と同様である。
おいて、爽に高稽１１ＡＩＩｋｌ蜜を提供 ることが考
えられており、それＩ：よれば垂直方向の定量締約１０
００本、１１１ｍアスペクト比３：５である。なお飛び
越し走査ｌフレーム２フイールド構成は、上記標準方式
と同様である。
しかしてこの烏槓細丁Ｖ方式に固体撮儂装置を適合させ
るため（−は、その−票数は垂直方向は１０００−素、
水平方向は少なくとも１０００画素必賛で６る。従って
現在の一体操像装置の約４倍の１ｌＩｉｉ集検化か６畳
となる〇 すなわち、ｒｉｊｊＡの一体麹憚装亀は通常半辱体基板
上４：形成されるが、上述のように４倍の為集積化を連
成するため１：ｌ−嵩すづズを陵貴しないでＩｌｉ＆ｌ
ｋ数のみｌ増加させた場合は、半◆体基板のデツプｔイ
ズを４倍６二しなけれはならなし）。
るため（−は、その−票数は垂直方向は１０００−素、
水平方向は少なくとも１０００画素必賛で６る。従って
現在の一体操像装置の約４倍の１ｌＩｉｉ集検化か６畳
となる〇 すなわち、ｒｉｊｊＡの一体麹憚装亀は通常半辱体基板
上４：形成されるが、上述のように４倍の為集積化を連
成するため１：ｌ−嵩すづズを陵貴しないでＩｌｉ＆ｌ
ｋ数のみｌ増加させた場合は、半◆体基板のデツプｔイ
ズを４倍６二しなけれはならなし）。
しかるに半都体ｉ板のテップナイズを４倍にするどとは
、線道上大きな内−を伴うはかりでなく、伽ｑｍ出しレ
ートが４倍になることによる１体撮冑装置の駆動−路良
作上の困―性が増し、さらに洒貴゛峨力の増加が巌けら
れないという種々の間亀が生じる。
、線道上大きな内−を伴うはかりでなく、伽ｑｍ出しレ
ートが４倍になることによる１体撮冑装置の駆動−路良
作上の困―性が増し、さらに洒貴゛峨力の増加が巌けら
れないという種々の間亀が生じる。
〔発明の−６〕
本軸明は上記の点に麺みなされたもので、チップナイズ
を増大させることなく、実効的に１０００Ｘｌｔｌ Ｏ
（Ｉの画素数を有する一体撮謙装置と―等の為解源度化
を遁戚することができる撮像方式を提供することを目的
とする。
を増大させることなく、実効的に１０００Ｘｌｔｌ Ｏ
（Ｉの画素数を有する一体撮謙装置と―等の為解源度化
を遁戚することができる撮像方式を提供することを目的
とする。
本発明は、信号電荷を発生する感光部と信号電荷ｍ取り
邸である＊＠ｃＣＤを水平方向［交互し配列し、かつ垂
直ＯＣＤの転送段数と幽直方ｐｊの感光部数を同一にし
た固体撮像チップ基板を、感光部−二蓄積された信号電
荷を垂直ＣｌＣＤに移動させる期間を中心として、その
前後において、光、電子、Ｘ線等の入射ＩＩ（二対して
相対的じ移動させることを特徴とする・ 〔発明の効果〕 本発明によれば固体撮像チップ基板のＩｉｂ衿度化を行
うことなく、水平、垂直方向の解＊！ｔＶ大幅に向上さ
せることができる。
邸である＊＠ｃＣＤを水平方向［交互し配列し、かつ垂
直ＯＣＤの転送段数と幽直方ｐｊの感光部数を同一にし
た固体撮像チップ基板を、感光部−二蓄積された信号電
荷を垂直ＣｌＣＤに移動させる期間を中心として、その
前後において、光、電子、Ｘ線等の入射ＩＩ（二対して
相対的じ移動させることを特徴とする・ 〔発明の効果〕 本発明によれば固体撮像チップ基板のＩｉｂ衿度化を行
うことなく、水平、垂直方向の解＊！ｔＶ大幅に向上さ
せることができる。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
１８２図は本発明の固体撮傷方式（：よる撮像動作を説
明Ｔるための模式図である０ ホトダイオード（ＦＤ）で形成されたＭ夕ＩＪの感光部
（Ｐ＋ 、Ｐｔ ｓ・・・ＰＭ）と、同じくＭ列の垂直
Ｃ０Ｄ（０，、Ｃ２、・・＼Ｃりが図示の如く交互（二
組列され、感光部の令ターは（Ｐｉ、Ｐ信、ＰＫ□、Ｐ
′１３、Ｐｌｌ、・・・ＰＩＮ％Ｐ’ＩＮ）、（Ｐ、１
、”１１、Ｐｌｌ、Ｐ’ｌｔ％ Ｐ１８％”’、Ｐ！Ｍ
％ ７． Ｎ）、”、 （Ｐ”ｌ ｓ Ｐ”１、ＰＭ、
、Ｐ’Ｍ、、Ｐ４、・・・、ＰＭＭ、 Ｐ’ＭＮ）の
即＜２Ｍ−のＩ’Ｄが配置されており、また−鉦ｃａｐ
の谷々はＰＤ６二ｌ対１６；對応して （Ｃ３１、Ｏ’
ｌ１％Ｏ１ｍ、ｃ′１ヨ、Ｃ０、・・・、０．Ｎ１Ｃ’
ｔ）ｌ）、（Ｃ□Ｇ４いＣ０、ｃ’、、、ｃｍ、・・・
、Ｃ８Ｎ％Ｏ’＊ｘ）、・・・、（０も、Ｏ’ＭいＯＭ
、 、Ｏ’Ｍ、 、ＯＭ、 、・・・、０１＋１）１％
Ｏ’ＭＮ）の即く、２Ｍ−の転送段ＶＮする◎卸ち１感
光都と−＠ ＯＣＤが又互Ｃ二屹夕Ｕされ、かつ−１Ｏ
０Ｄの転送Ｊｌｉｌ！数と一直方向ＦＤ数は同数とされ
る。ここでｙ′１に調光は２５０とするとｆｉ＠方間の
ＦＤ数とｉｉＩ直ＯＣＤの転送に数はいずれも５００と
なる。
明Ｔるための模式図である０ ホトダイオード（ＦＤ）で形成されたＭ夕ＩＪの感光部
（Ｐ＋ 、Ｐｔ ｓ・・・ＰＭ）と、同じくＭ列の垂直
Ｃ０Ｄ（０，、Ｃ２、・・＼Ｃりが図示の如く交互（二
組列され、感光部の令ターは（Ｐｉ、Ｐ信、ＰＫ□、Ｐ
′１３、Ｐｌｌ、・・・ＰＩＮ％Ｐ’ＩＮ）、（Ｐ、１
、”１１、Ｐｌｌ、Ｐ’ｌｔ％ Ｐ１８％”’、Ｐ！Ｍ
％ ７． Ｎ）、”、 （Ｐ”ｌ ｓ Ｐ”１、ＰＭ、
、Ｐ’Ｍ、、Ｐ４、・・・、ＰＭＭ、 Ｐ’ＭＮ）の
即＜２Ｍ−のＩ’Ｄが配置されており、また−鉦ｃａｐ
の谷々はＰＤ６二ｌ対１６；對応して （Ｃ３１、Ｏ’
ｌ１％Ｏ１ｍ、ｃ′１ヨ、Ｃ０、・・・、０．Ｎ１Ｃ’
ｔ）ｌ）、（Ｃ□Ｇ４いＣ０、ｃ’、、、ｃｍ、・・・
、Ｃ８Ｎ％Ｏ’＊ｘ）、・・・、（０も、Ｏ’ＭいＯＭ
、 、Ｏ’Ｍ、 、ＯＭ、 、・・・、０１＋１）１％
Ｏ’ＭＮ）の即く、２Ｍ−の転送段ＶＮする◎卸ち１感
光都と−＠ ＯＣＤが又互Ｃ二屹夕Ｕされ、かつ−１Ｏ
０Ｄの転送Ｊｌｉｌ！数と一直方向ＦＤ数は同数とされ
る。ここでｙ′１に調光は２５０とするとｆｉ＠方間の
ＦＤ数とｉｉＩ直ＯＣＤの転送に数はいずれも５００と
なる。
本発明４：おいて嫁、このような固体−一チツプ基板を
移動さセなから一蜜動作を行ない、ＦＤから信置ＣＣＤ
（Ｃ，、Ｃい・・・、ＣＭ）へ送られた信号電荷は一段
毎に水平ｃｃｐＶフトＶンスタ＋１）に転送され、水平
１助期閲櫨二おいて水平ＣＯＤシフトレジスタ（１）内
６二おいて転送された後、願次出力都（２）より続出さ
れる。
移動さセなから一蜜動作を行ない、ＦＤから信置ＣＣＤ
（Ｃ，、Ｃい・・・、ＣＭ）へ送られた信号電荷は一段
毎に水平ｃｃｐＶフトＶンスタ＋１）に転送され、水平
１助期閲櫨二おいて水平ＣＯＤシフトレジスタ（１）内
６二おいて転送された後、願次出力都（２）より続出さ
れる。
次−二本発明による移動を伴う撮像方式−二ついて詳述
する。
する。
ＩＪａ図１ｍｌは本発明の撮像方式の一実施例を説明す
るための、一体撮冑デツブ基板を光照射側からみた図で
ある。
るための、一体撮冑デツブ基板を光照射側からみた図で
ある。
フォトダイオード列（Ｐｉ 、Ｐｔ・・・）と無１１Ｉ
ＣＣＤ（ａｔ％Ｃ３・・・）は交互ζ；配列されており
、またも垂直００Ｄはフォトダイオード（ＦＤ）と同じ
数の段を有する。丁なわちこの固体撮像デツプ基板では
、同一フィールドで全てのＦＤに蓄積された信号′亀ｖ
Ｉｖ互いに独立に得ることができる。
ＣＣＤ（ａｔ％Ｃ３・・・）は交互ζ；配列されており
、またも垂直００Ｄはフォトダイオード（ＦＤ）と同じ
数の段を有する。丁なわちこの固体撮像デツプ基板では
、同一フィールドで全てのＦＤに蓄積された信号′亀ｖ
Ｉｖ互いに独立に得ることができる。
このようなテップ基ｋ（：おいて、ムフィールドでは９
中実線で示すＰＤ （Ｐ、、、Ｐ’ｌ１％”＋１％ＰＩ
ｌｌ、Ｐへ、・・・、ＰＵｓ ’１１％ ＰＭｍｓ ”
＊宜ｚ Ｂｌａｂ Ｐ’＊ａｓ °” ％ １１
１％ ’１１％ Ｐａ雪％ Ｐ’ｌ１％ ｐＨ％ｙ、い
・・うの場所の入射光学像を感知せしめ、Ｂフィールド
ではこのテップ基板を丙印（８１１ニー示、よう鑑ユＶ
２１Ｊｉｉ嵩ピツプだけ水平方向ｄ：移動させ、各ＦＤ
で入射光学像を感知せしめる。その結果Ｂフィールドで
は第３図中であたかも点線で示Ｔｓ分（丁なわち垂直Ｃ
ＯＤがある部分）（＝谷ＦＤが存在していたかの如く撮
像することができる。以下説明！簡単６；するため６二
初期の状−における感光部（実線で示したＦＤ）を第１
の感光部と呼び、移動後の感光部（点線で示したＦＤ）
を第２の感光部と呼ぶ。
中実線で示すＰＤ （Ｐ、、、Ｐ’ｌ１％”＋１％ＰＩ
ｌｌ、Ｐへ、・・・、ＰＵｓ ’１１％ ＰＭｍｓ ”
＊宜ｚ Ｂｌａｂ Ｐ’＊ａｓ °” ％ １１
１％ ’１１％ Ｐａ雪％ Ｐ’ｌ１％ ｐＨ％ｙ、い
・・うの場所の入射光学像を感知せしめ、Ｂフィールド
ではこのテップ基板を丙印（８１１ニー示、よう鑑ユＶ
２１Ｊｉｉ嵩ピツプだけ水平方向ｄ：移動させ、各ＦＤ
で入射光学像を感知せしめる。その結果Ｂフィールドで
は第３図中であたかも点線で示Ｔｓ分（丁なわち垂直Ｃ
ＯＤがある部分）（＝谷ＦＤが存在していたかの如く撮
像することができる。以下説明！簡単６；するため６二
初期の状−における感光部（実線で示したＦＤ）を第１
の感光部と呼び、移動後の感光部（点線で示したＦＤ）
を第２の感光部と呼ぶ。
そして史に次のムフィールドではテップ基板を元の位置
４：員丁ようＣ；移動し、！ｓｌの感光部で入射光Ｉｌ
を感知セしめる。以後このようなテップ基板の移！１１
！ｌをム、Ｂ２フィールド期閲（：より構成されたｌフ
レーム期間を１周動期間として縄り返丁。
４：員丁ようＣ；移動し、！ｓｌの感光部で入射光Ｉｌ
を感知セしめる。以後このようなテップ基板の移！１１
！ｌをム、Ｂ２フィールド期閲（：より構成されたｌフ
レーム期間を１周動期間として縄り返丁。
なお杏生画像上にはム、Ｂフイルードで水平方向（二１
／２ｉｉｕ 素ピッチずらして表示させる。
／２ｉｉｕ 素ピッチずらして表示させる。
１Ｍ３図１ｂ１は上述の如き固体ｍ＊デツプ基板の移動
量−ドの一例な示す。この例はｌフレーム期間を１８期
としてデツプ基板を矩形状６：１１動さセる場合を示し
ている０ここで振動振−ム−は上述の第１の感光部から
第２の感光部への移動距離である。
量−ドの一例な示す。この例はｌフレーム期間を１８期
としてデツプ基板を矩形状６：１１動さセる場合を示し
ている０ここで振動振−ム−は上述の第１の感光部から
第２の感光部への移動距離である。
この振動モードにおいて、その−動中心（９−１％９−
２．９−３、・→が位置する期間と４ＦＤで蓄積された
信号１衝４Ｉ：撫直ＣＯＤに移動させる動量とを互い６
；−期させる。丁なわちｓ３図（ｃｌはｓ２図中のＩＰ
Ｂ Ｇ （４１に印加するパルス亀庄阪彫な示し、本
図で示Ｔようし上記振動中ＩＬ？に一紋するよう（二１
ｓａｓ−７＠、亀圧ＶＨな印加する。ここで「−散」と
は厳密なｔ味での一欽でなくても、多少ずれていてもか
まわず、以後これｔ含めて「−１と称する。
２．９−３、・→が位置する期間と４ＦＤで蓄積された
信号１衝４Ｉ：撫直ＣＯＤに移動させる動量とを互い６
；−期させる。丁なわちｓ３図（ｃｌはｓ２図中のＩＰ
Ｂ Ｇ （４１に印加するパルス亀庄阪彫な示し、本
図で示Ｔようし上記振動中ＩＬ？に一紋するよう（二１
ｓａｓ−７＠、亀圧ＶＨな印加する。ここで「−散」と
は厳密なｔ味での一欽でなくても、多少ずれていてもか
まわず、以後これｔ含めて「−１と称する。
そして上記伯号亀荷移動は、撮像動作上、表示での垂直
ブランキング期間に相当する細間に行われるＯ このように振動中心（９−１，９−２，９−３、・・う
と７８ＧのｖＨ印加時と１一致せしめながらチップ基板
す第３図（ｂｌに示す如く振動させることにより、第３
図１ａｌで示したようにムフィールドとＢフィールドで
別々の場所の光学情輻を得ることができる。そしてこの
ことは言うまでもなく水平方向の解ｉ＆Ｊｆ１に：２倍
６二できることを意味する〇 ！Ｊ４図は本発明の他の実施例を示１゜本図ｈ＊３図の
撮偉方式を灸に改良し、垂直方向の解像度も同上できる
ようにした実施例である。第４図（：示す方式の場合も
、第３図と同様、供用ＣＯＤの走置方向転送段数と自１
方回のＦＤ数は同一である０しかし本実Ｊｉｋ例の場合
はチップ基板を図示の如く斜め方向に振動させる。Ｔな
わちムフィールドにおいて第１の感光部（冥婦で示すＦ
Ｄ部）にて入射光学像を感知し、ＢフィールドＣ二おい
ては、ムフィールドでｆｌｉｌｉｉＯｃＤが位置してい
た場所でかつ１１１ｍ万刈においてＦＤの中間６二位置
する場所まで移動させて入射光学像を感知丁も。そして
更に次のムフィールドではチップ基板を元の位ｔ−二員
し％以後−檜の薔動丁なわち振動を実行する。
ブランキング期間に相当する細間に行われるＯ このように振動中心（９−１，９−２，９−３、・・う
と７８ＧのｖＨ印加時と１一致せしめながらチップ基板
す第３図（ｂｌに示す如く振動させることにより、第３
図１ａｌで示したようにムフィールドとＢフィールドで
別々の場所の光学情輻を得ることができる。そしてこの
ことは言うまでもなく水平方向の解ｉ＆Ｊｆ１に：２倍
６二できることを意味する〇 ！Ｊ４図は本発明の他の実施例を示１゜本図ｈ＊３図の
撮偉方式を灸に改良し、垂直方向の解像度も同上できる
ようにした実施例である。第４図（：示す方式の場合も
、第３図と同様、供用ＣＯＤの走置方向転送段数と自１
方回のＦＤ数は同一である０しかし本実Ｊｉｋ例の場合
はチップ基板を図示の如く斜め方向に振動させる。Ｔな
わちムフィールドにおいて第１の感光部（冥婦で示すＦ
Ｄ部）にて入射光学像を感知し、ＢフィールドＣ二おい
ては、ムフィールドでｆｌｉｌｉｉＯｃＤが位置してい
た場所でかつ１１１ｍ万刈においてＦＤの中間６二位置
する場所まで移動させて入射光学像を感知丁も。そして
更に次のムフィールドではチップ基板を元の位ｔ−二員
し％以後−檜の薔動丁なわち振動を実行する。
なおこの場合今生−−上ではム、Ｂフィールドで祷られ
るｍ１％弗２の感光ｇ（ユ各々対応するように襠正して
表示される。丁なわちム、１フイールドで貌出しクロッ
クに同期して蝦り出される信号ｔ’ １／２に嵩Ｊｉｌ
ｌｉ１期丁ら丁という操作が行われる。
るｍ１％弗２の感光ｇ（ユ各々対応するように襠正して
表示される。丁なわちム、１フイールドで貌出しクロッ
クに同期して蝦り出される信号ｔ’ １／２に嵩Ｊｉｌ
ｌｉ１期丁ら丁という操作が行われる。
このような−四方式をとること（二より、第４図で示し
たよう６；ムフィールドでは（Ｎ−１）Ｈム、ＭＨム、
（Ｍ＋ｌ） Ｈムを読み出し、１フイールドでは（Ｎ−
１）ＨＢ、 ＭＨＢ、 （Ｎ＋１） ＨＢｔ’＊み出せ
は、水平方向だけ □でなく、Ｉｌ垂直方向おいて
も表示における飛び越し走査に対応してインターレス撮
像を行うことができる。
たよう６；ムフィールドでは（Ｎ−１）Ｈム、ＭＨム、
（Ｍ＋ｌ） Ｈムを読み出し、１フイールドでは（Ｎ−
１）ＨＢ、 ＭＨＢ、 （Ｎ＋１） ＨＢｔ’＊み出せ
は、水平方向だけ □でなく、Ｉｌ垂直方向おいて
も表示における飛び越し走査に対応してインターレス撮
像を行うことができる。
従って第３１のものがＩｓ似インターレス煉宙６二よる
尚ｆｉ１１細化を図っているのに対し、第４図のもので
は堆層的なインターレス−像’ａ’ ＯＪ ｋにする。
尚ｆｉ１１細化を図っているのに対し、第４図のもので
は堆層的なインターレス−像’ａ’ ＯＪ ｋにする。
了なわちこのよう７２：撮像方式（二よって蟲直疋量線
１０００本（二対応した一龜解像度が侍られ、かつ水平
方向の解像度も倍増させることができる。
１０００本（二対応した一龜解像度が侍られ、かつ水平
方向の解像度も倍増させることができる。
以上６二説明した本発明の一像力式≦二おいては、１１
１ｊ述のように垂直ＣＯＤの膜数とＦＤの垂直方向の鯖
数が同一のチップ基板を用いたが、このようなデツプ基
板は次砿：睨明するような槙瓜とすることか望ましい。
１ｊ述のように垂直ＣＯＤの膜数とＦＤの垂直方向の鯖
数が同一のチップ基板を用いたが、このようなデツプ基
板は次砿：睨明するような槙瓜とすることか望ましい。
丁なわち第５図１ａｌに本発明の煉］ダ力式に迩するテ
ップ基板の半画４ｉ１１道を示す〇 水平方間Ｃ二おいて感光部であるＦＤ（５−１，ハ５−
ｉ、・・・）とｉｉｉｍｃｃｐｙ−ヤ不ル （６−１１
ｕ−２、川）が交互に配夕Ｕされており、垂７ｃｃｎチ
ャネル（６−ＩＳｔｉ−２、・・・）上１；は１ｉ１１
−目の転送電極（２〇−１、・・・、２０−１、・・・
）と第２Ｍ１１目の転送−極（２１−１゜・・・、２１
−１、・・・）が、ｌ−歯部ムｐのはば中間部で関１１
１１ （２２−１，、、、，２２−１、−）ＶＩｒＬ”
ＣｊＪＫさｔＬ”Ｃいる。そしてこれら１ｓ１麺目及び
′ｇｓ２層目の転送電極上に、垂直方向に）！！緬した
ストライプ形状を有するｓ３−目の電極２３−１，２３
−２、・・・）が形成されている。なおムＤは！Ｉｌ１
層目の’１ｉｔａ＋極と第２鳩目の電極の息なりＳ奮示
す＠ ８５図（ｂｌは上記第１細目の転送電極（２０〜１１・
・・、２０−１、−） トＩＩ ２ ｍ ｆＡ ノ転’
ａ電１ｋ （２１−１％ −・・、ｚｉ−ｉ、：・・）
だけ１１略ｌ−黍部分取り出して示した拡大図である。
ップ基板の半画４ｉ１１道を示す〇 水平方間Ｃ二おいて感光部であるＦＤ（５−１，ハ５−
ｉ、・・・）とｉｉｉｍｃｃｐｙ−ヤ不ル （６−１１
ｕ−２、川）が交互に配夕Ｕされており、垂７ｃｃｎチ
ャネル（６−ＩＳｔｉ−２、・・・）上１；は１ｉ１１
−目の転送電極（２〇−１、・・・、２０−１、・・・
）と第２Ｍ１１目の転送−極（２１−１゜・・・、２１
−１、・・・）が、ｌ−歯部ムｐのはば中間部で関１１
１１ （２２−１，、、、，２２−１、−）ＶＩｒＬ”
ＣｊＪＫさｔＬ”Ｃいる。そしてこれら１ｓ１麺目及び
′ｇｓ２層目の転送電極上に、垂直方向に）！！緬した
ストライプ形状を有するｓ３−目の電極２３−１，２３
−２、・・・）が形成されている。なおムＤは！Ｉｌ１
層目の’１ｉｔａ＋極と第２鳩目の電極の息なりＳ奮示
す＠ ８５図（ｂｌは上記第１細目の転送電極（２０〜１１・
・・、２０−１、−） トＩＩ ２ ｍ ｆＡ ノ転’
ａ電１ｋ （２１−１％ −・・、ｚｉ−ｉ、：・・）
だけ１１略ｌ−黍部分取り出して示した拡大図である。
右上り斜線部が光入射鋼がらみた）１１Ｍｍ９の転送電
＆ （２０−１，２０−２、−） 、右下りｆＩｉ＋一
部が第２鵬ｌの転送電極・（２１−１，２１−２、・・
・）、クロス部分が］ＩＬなり部である。
＆ （２０−１，２０−２、−） 、右下りｆＩｉ＋一
部が第２鵬ｌの転送電極・（２１−１，２１−２、・・
・）、クロス部分が］ＩＬなり部である。
第５図１ａｌに第５図１ａｌのムーム′断面因である。
Ｐ急シリコン基＆ａａ上逼二塚込みデャネルであるＭ＋
層■が設けられ、このＩ＋麺ＱＵ上４：ゲート酸化１ａ
ｕａが形成されている。そしてこのゲート酸化膜ｑｚ上
にｊｌ［ＰＩ４目の転送電極（２０−１，２０−２，２
０−３、・・・）が形成され、その上に第１の絶縁＊Ｏ
Ｖ介して第２層目の転送電極（２１１％２１−２、・・
・）が、第１鳩目の電極とｋなりｓＡ、ｖ有して形成さ
れている。
層■が設けられ、このＩ＋麺ＱＵ上４：ゲート酸化１ａ
ｕａが形成されている。そしてこのゲート酸化膜ｑｚ上
にｊｌ［ＰＩ４目の転送電極（２０−１，２０−２，２
０−３、・・・）が形成され、その上に第１の絶縁＊Ｏ
Ｖ介して第２層目の転送電極（２１１％２１−２、・・
・）が、第１鳩目の電極とｋなりｓＡ、ｖ有して形成さ
れている。
そしてさらにその上−二Ｔｈ２の絶縁族−を介して自直
７７同４二連続してｗ１３層目の電極（２３−１）が形
成されてし）る。ここでこの第３膚目の電極（２３−１
）は、第１ＨＩＩＩ目の亀＆ （２０−１，２０−２，
２０−３、・・・）と第２鳩目の電極（２１１ｓ ２１
−２、・・つがｍなっていない部分、丁なわちｉｉＪ述
のｉｉｌ昧都においてゲート敵化麟ａ４を嶺うよう６；
形成されている。
７７同４二連続してｗ１３層目の電極（２３−１）が形
成されてし）る。ここでこの第３膚目の電極（２３−１
）は、第１ＨＩＩＩ目の亀＆ （２０−１，２０−２，
２０−３、・・・）と第２鳩目の電極（２１１ｓ ２１
−２、・・つがｍなっていない部分、丁なわちｉｉＪ述
のｉｉｌ昧都においてゲート敵化麟ａ４を嶺うよう６；
形成されている。
そして座ｌ鳩目の一極（２０へ１．２０−２．２０−３
、・・・）、第２層目の電極（２１−１，１−２、・・
・）及び第３鳩目の電極（２３−１）４二各々独立ｒｊ
３相クロツクパルス電比ｔゆ加することＣ二より、連
続した３亀−例えは第１Ｉ１１目の電極（２０−２）％
第２鳩目の一極（２１−１）、そして弗２層目の一極（
２１−１）とこれζ：ｖ４讃する第１層目の電極（２０
−１）との間の第３７１ｍ１目の１ｉＬ極（２３−１）
４：よって、垂鐘ＣＣＤの１段の転送単位を構成する。
、・・・）、第２層目の電極（２１−１，１−２、・・
・）及び第３鳩目の電極（２３−１）４二各々独立ｒｊ
３相クロツクパルス電比ｔゆ加することＣ二より、連
続した３亀−例えは第１Ｉ１１目の電極（２０−２）％
第２鳩目の一極（２１−１）、そして弗２層目の一極（
２１−１）とこれζ：ｖ４讃する第１層目の電極（２０
−１）との間の第３７１ｍ１目の１ｉＬ極（２３−１）
４：よって、垂鐘ＣＣＤの１段の転送単位を構成する。
第５図（ｄｉは第５図ｉａｌのＢ −Ｂ’断面図である
。本図で明らかなようじｎ −Ｂ’ｌｌｌ向Ｃ二おいて
は、事１層目の一極（２０−１１ｚｏ−２，２０−３、
・・・）と弗２−目の電極（２１−１％ ２１−２．２
１−３、・・・）とのｌなりだけで良い。
。本図で明らかなようじｎ −Ｂ’ｌｌｌ向Ｃ二おいて
は、事１層目の一極（２０−１１ｚｏ−２，２０−３、
・・・）と弗２−目の電極（２１−１％ ２１−２．２
１−３、・・・）とのｌなりだけで良い。
このよう６二丁れは藺巣な４ＩＩ道でかつ１１４度劣化
なく１１１２−で示した基板チップな構成することがで
きる。
なく１１１２−で示した基板チップな構成することがで
きる。
上記夷ｋｆ１４では光入射によって信号電衝が発生する
場合について述べたがＸＩＩ％電子繍α；よるものであ
っても良いことは云うまでもない。
場合について述べたがＸＩＩ％電子繍α；よるものであ
っても良いことは云うまでもない。
また上述の冥に例では１体撮像チップ基板の振動として
矩形状のものｌ示したが、正弦波状、三角波状等であっ
てもよい。豊する６；振動中心が位置する勘閲ともＰＤ
で蓄積された信号電ｌｌｊを垂直Ｃｃｐｊニー＄動さセ
る期間が同期しておれはよい。
矩形状のものｌ示したが、正弦波状、三角波状等であっ
てもよい。豊する６；振動中心が位置する勘閲ともＰＤ
で蓄積された信号電ｌｌｊを垂直Ｃｃｐｊニー＄動さセ
る期間が同期しておれはよい。
また実施例で４ＦＤが四角の開口の即く説明したが−何
ら四角である必要はない。又４！ｒＰＤが垂龜万同に一
列６二配外した例を示したが、ジグザグに配外されたも
のでもよい。さらに本発明は、このような１体−曽デツ
ブ基板’＆’１１ｍ１，２１１１あるいは３＠ｌ用いて
カラー−像な行う場合にも適用できることは言う菫でも
ない。
ら四角である必要はない。又４！ｒＰＤが垂龜万同に一
列６二配外した例を示したが、ジグザグに配外されたも
のでもよい。さらに本発明は、このような１体−曽デツ
ブ基板’＆’１１ｍ１，２１１１あるいは３＠ｌ用いて
カラー−像な行う場合にも適用できることは言う菫でも
ない。
またいわゆる２＆武、３板式カラーカメラにおいては、
本発明≦二よる撮像方式と＃集ずらし法とを共用するこ
とＣ二より、更に一解像の画像を優ることができる。
本発明≦二よる撮像方式と＃集ずらし法とを共用するこ
とＣ二より、更に一解像の画像を優ることができる。
さらに実施例ではム、Ｂフィールド′に＃ｌり返して一
像する動的一像について説明したが、１枚ごとに独５Ｌ
ｔ＝撮像するいわゆる電子カメラ６二も適用することが
できる・ また本発明は工τ−〇ＣＤの上部（二光電変換撫が形成
されたいわゆる２階建の１体撮曽＃ ｔ ｌ：も適用で
きる。この場合は光電変換線が感光部となり、ＩＪ３図
で示したＩＴ−ＣＯＤにおけるＰＤが′ｔｉ積部となる
。
像する動的一像について説明したが、１枚ごとに独５Ｌ
ｔ＝撮像するいわゆる電子カメラ６二も適用することが
できる・ また本発明は工τ−〇ＣＤの上部（二光電変換撫が形成
されたいわゆる２階建の１体撮曽＃ ｔ ｌ：も適用で
きる。この場合は光電変換線が感光部となり、ＩＪ３図
で示したＩＴ−ＣＯＤにおけるＰＤが′ｔｉ積部となる
。
第１図は１丁−ＣＯＤの一般的な連像動作を説明するた
めの図、１ＩＢ２図は本発明の１体撮像方式Ｃ二よる撮
像動作を説明するための図、第３凶は本発明による撮像
方式の一実施例を説明するための図、８４図は本発明の
撮像方式の他の実施例を説明するための図、第５図は本
発明の撮像方式に迩するデツプ基板の栖戚を示す図であ
る。 ＰＩ ％ 烏％ ｐ、・・・フォトダイオードタＵＣ１
、’Ｑ、ＣＩ・・・＊ｍｃｃｐ ｌ・・・水平ａｃｐＶ７）レジスタ ２・・・出力部 ９−１％ ９−２．９−３・・・ｔｉ動中心（７３１７
） 代造人 弁迦士 則 近 埴 佑（ほか１名） 第２図 第３図 第４図 第５図 第５図
めの図、１ＩＢ２図は本発明の１体撮像方式Ｃ二よる撮
像動作を説明するための図、第３凶は本発明による撮像
方式の一実施例を説明するための図、８４図は本発明の
撮像方式の他の実施例を説明するための図、第５図は本
発明の撮像方式に迩するデツプ基板の栖戚を示す図であ
る。 ＰＩ ％ 烏％ ｐ、・・・フォトダイオードタＵＣ１
、’Ｑ、ＣＩ・・・＊ｍｃｃｐ ｌ・・・水平ａｃｐＶ７）レジスタ ２・・・出力部 ９−１％ ９−２．９−３・・・ｔｉ動中心（７３１７
） 代造人 弁迦士 則 近 埴 佑（ほか１名） 第２図 第３図 第４図 第５図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１光１１ｉＬ子もしくはｘｉ＆の照射１二より発生
した伯号亀荷１蓄棟する薔検部とこの畜横部の信号ｉｉ
Ｌ衛奮試み出丁ｋｉｋ転送部とが丹生幽轍上の水平方向
６二対応する方向に変互（二組ターされ、かつ前記―龜
転送部の転込択数が薊記査槓部の垂直方向の鐘数と同じ
である１体撮像テップ基ｈｖ入射禦に対して相対的（二
振動させ１この振動の中心’ｆｆｉ ＆ＩＪ紀蓄積蓄横
部Ｉｌｌ］ ｔｉｌｌ！垂直転送部へのイハ号−旬の絖
み出しの期間嘔ニー散せしめることを特徴と丁ζ固体擁
儂装置の撮像方式。 ＋２） 自ＩＪ記振動は、前記固体撮像チップ基板を
丹生ｌｉｔ像上で水平方向に対応する万一」（二振らせ
るものであることｔ特徴とする特ｒｆ−誂求の範１ｅＥ
ＩＩｐＨ項記載の固体撮像装置の撮像方式。 （３１＃ｉＪ紀ｔｉ動は、前記固体撮像チップ基板を再
生１導上で斜め方向ζ二対応する方向であってかつ前記
感知部の中間位ｔｔで振らせるものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１墳記載の固体撮像装置の撮像方
式〇 （４） 前記振動は矩形波状、正弦波状もしくは三角
波状の振動量−ドで行われることを特徴とする特許請求
の範囲第１璃配執の固体撮像装置の撮像方式。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57039429A JPS58157263A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 固体撮像装置 |
| US06/451,465 US4543601A (en) | 1981-12-25 | 1982-12-20 | Solid state image sensor with high resolution |
| EP82306971A EP0083240B1 (en) | 1981-12-25 | 1982-12-24 | Solid state image sensor with high resolution |
| CA000418564A CA1187979A (en) | 1981-12-25 | 1982-12-24 | Solid state image sensor with high resolution |
| DE8282306971T DE3278604D1 (en) | 1981-12-25 | 1982-12-24 | Solid state image sensor with high resolution |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57039429A JPS58157263A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157263A true JPS58157263A (ja) | 1983-09-19 |
| JPH0245872B2 JPH0245872B2 (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=12552745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57039429A Granted JPS58157263A (ja) | 1981-12-25 | 1982-03-15 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58157263A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02185169A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56153886A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Driving method for solid image pickup device |
| JPS5731258A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-19 | Toshiba Corp | Pickup device |
-
1982
- 1982-03-15 JP JP57039429A patent/JPS58157263A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56153886A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Driving method for solid image pickup device |
| JPS5731258A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-19 | Toshiba Corp | Pickup device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02185169A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0245872B2 (ja) | 1990-10-12 |
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