JPS5815959B2 - 透明積層配線基板の製造方法 - Google Patents
透明積層配線基板の製造方法Info
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- JPS5815959B2 JPS5815959B2 JP16893979A JP16893979A JPS5815959B2 JP S5815959 B2 JPS5815959 B2 JP S5815959B2 JP 16893979 A JP16893979 A JP 16893979A JP 16893979 A JP16893979 A JP 16893979A JP S5815959 B2 JPS5815959 B2 JP S5815959B2
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Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明積層配線基板の製造方法に係り、特に発光
ダイオード（ＬＥＤ）、液晶（ＬＣＤ）、エレクトロル
ミネッセンス（ＥＬ）等の表示素子の実装に好適な透明
積層配線基板の製造方法に関する。
ダイオード（ＬＥＤ）、液晶（ＬＣＤ）、エレクトロル
ミネッセンス（ＥＬ）等の表示素子の実装に好適な透明
積層配線基板の製造方法に関する。
積層配線基板としては従来プラスチック系−銅張り配線
板又はセラミック系−メタライズ配線板等が一般的であ
る。
板又はセラミック系−メタライズ配線板等が一般的であ
る。
これら配線板は相応の特徴を有するが不透明のため透明
が要求されるＬＥＤ。
が要求されるＬＥＤ。
ＬＣＤ、ＥＩ、ＥＣＤ（エレクトロクロミックディスプ
レイ）等の表示素子を実装するには不向きであった。
レイ）等の表示素子を実装するには不向きであった。
従って、本発明は表示素子を実装するに好適な透明の積
層配線基板を提供できると共に、製造性が良く信頼性の
高い比較的低コストの積層配線板の製造方法を提供する
ことを目的とする。
層配線基板を提供できると共に、製造性が良く信頼性の
高い比較的低コストの積層配線板の製造方法を提供する
ことを目的とする。
以下本発明に係る製造方法の実施例を図面に従って詳細
に説明する。
に説明する。
第１図乃至第５図は本発明の積層板の製造方法を説明す
る説明図であり、図中１は透明ガラス基板又は透明セラ
ミック基板、２．２’は透明酸化インジウム系導電被膜
、３は酸化けい素板膜、４は酸化鉛、酸化亜鉛系の低融
点ガラス層である。
る説明図であり、図中１は透明ガラス基板又は透明セラ
ミック基板、２．２’は透明酸化インジウム系導電被膜
、３は酸化けい素板膜、４は酸化鉛、酸化亜鉛系の低融
点ガラス層である。
実施例 １
ステップｌ；透明ガラス基板又は透明セラミック基板１
の全面又は部分に透明酸化インジウム系導電被膜２を真
空蒸着法又はスパッタリング法により形成する（第１図
）。
の全面又は部分に透明酸化インジウム系導電被膜２を真
空蒸着法又はスパッタリング法により形成する（第１図
）。
ステップ２：次に導電被膜２の上面の必要部分に有機シ
リコン化合物、たとえば正けい酸エチルを均一に被着し
これを５００℃前後で加熱分解して酸化けい素度膜３を
１ｏｏｏｉ以下程度形成する（第２図）。
リコン化合物、たとえば正けい酸エチルを均一に被着し
これを５００℃前後で加熱分解して酸化けい素度膜３を
１ｏｏｏｉ以下程度形成する（第２図）。
ステップ３；引き続いて酸化鉛、酸化亜鉛系の低融点ガ
ラス層４を酸化けい素板膜３上及び除去すべき導電被膜
の適所に形成する。
ラス層４を酸化けい素板膜３上及び除去すべき導電被膜
の適所に形成する。
この低融点ガラス層４の形成はガラスフリットとエチル
セルローズと有機溶剤とを均一に混合して得られるペー
スト状インクを用いてスクリーン印刷法で形成する（第
３図）。
セルローズと有機溶剤とを均一に混合して得られるペー
スト状インクを用いてスクリーン印刷法で形成する（第
３図）。
ステップ４；ついで、低融点ガラス被膜４を４００乃至
５００℃位で加熱する。
５００℃位で加熱する。
これにより導電被膜２に直接接触している部分ａ（第３
図）に変化が起こり該導電被膜２が低融点ガラス被膜４
に溶けて消滅し、不導体化する。
図）に変化が起こり該導電被膜２が低融点ガラス被膜４
に溶けて消滅し、不導体化する。
一方、中間層の酸化ケイ素（Ｓｉｎ２）被膜３が形成さ
れである部４分す、ｃ、ｄ（第３図）の導電被膜には上
記変化が生じず、該導電被膜は不導体化しない（第４囚
これにより必要な回路のパタニング及び導電被膜２の保
護、絶縁が完了する。
れである部４分す、ｃ、ｄ（第３図）の導電被膜には上
記変化が生じず、該導電被膜は不導体化しない（第４囚
これにより必要な回路のパタニング及び導電被膜２の保
護、絶縁が完了する。
ステップ５；以後同様に透明酸化インジウム系導電被膜
２′を全面あるいは必要な個所に形成しく第５図）、上
記工程を繰返えし必要な層数り透明積層配線基板を作成
するっ 以上実施例１によればパターンの選択性が容易であり、
又各層を確実に積層できるうえ、導体被膜の絶縁、保護
が行なえ、更には比較的安価に透明積層配線基板を提供
できる。
２′を全面あるいは必要な個所に形成しく第５図）、上
記工程を繰返えし必要な層数り透明積層配線基板を作成
するっ 以上実施例１によればパターンの選択性が容易であり、
又各層を確実に積層できるうえ、導体被膜の絶縁、保護
が行なえ、更には比較的安価に透明積層配線基板を提供
できる。
実施例 ２
ステップ１：有機インジウム系ペーストをスクリーン印
刷法にて基板１上に秘着し５００℃前後で加熱分解して
導電被膜２を形成する（第１図）。
刷法にて基板１上に秘着し５００℃前後で加熱分解して
導電被膜２を形成する（第１図）。
この方法たよればパターン形成をスパッタリング、蒸着
法による場合に比らべ簡単に行なえることができる。
法による場合に比らべ簡単に行なえることができる。
尚、ステップ２以降の工程は実施例１に同じ。
実施例 ３
実施例１のステップ２における有機シリコン化合物に替
えて、有機チタン化合物を導電被膜２の上面の必要部分
に均一に被着し、加熱分解して酸化チタンＴｉＯ２を形
成した。
えて、有機チタン化合物を導電被膜２の上面の必要部分
に均一に被着し、加熱分解して酸化チタンＴｉＯ２を形
成した。
尚、ステップ１，３゜４．５については実施例１と同一
である。
である。
この実施例３の場合忙は黄褐色に着色され、無色透明な
積層基板を得ることができなかった。
積層基板を得ることができなかった。
実施例 ４
実施例１のステップ３においては酸化けい素被膜３及び
除去すべき導電被膜２，２／上に低融点ガラス層４が形
成されるがこの低融点ガラス層４の融点を第１層（５４
０°Ｃ）、第２層（５００℃第３層（４８０℃）、第４
層（４５０℃）と上層尾行くほど低く〜して透明積層配
線基板を作成した。
除去すべき導電被膜２，２／上に低融点ガラス層４が形
成されるがこの低融点ガラス層４の融点を第１層（５４
０°Ｃ）、第２層（５００℃第３層（４８０℃）、第４
層（４５０℃）と上層尾行くほど低く〜して透明積層配
線基板を作成した。
尚、基板１としてソーダガラス基板を用いた。透明配線
基板を多層化するには低融点ガラス４により各層間を絶
縁する必要があるが、該低融点ガラスの融点を各層すべ
て同一にすると、第（ｉ＋１）層のパターン作成の際（
ステップ４）該層の導電被膜２／が第１層（ｉ−１，２
・・・・・・）即ち下層の低融点ガラス４の加熱溶融に
より溶けてしまい、良好な透明配線基板を作成すること
ができない場合が生じる。
基板を多層化するには低融点ガラス４により各層間を絶
縁する必要があるが、該低融点ガラスの融点を各層すべ
て同一にすると、第（ｉ＋１）層のパターン作成の際（
ステップ４）該層の導電被膜２／が第１層（ｉ−１，２
・・・・・・）即ち下層の低融点ガラス４の加熱溶融に
より溶けてしまい、良好な透明配線基板を作成すること
ができない場合が生じる。
しかし、実施例４によれば上層へ行くほど低融点ガラス
の融点が低いため、ステップ４の加熱温度を上層へ行く
程低く〜できるから第（ｉ＋１）層の導電被膜２′が第
１層の低融点ガラスに喰われることはない。
の融点が低いため、ステップ４の加熱温度を上層へ行く
程低く〜できるから第（ｉ＋１）層の導電被膜２′が第
１層の低融点ガラスに喰われることはない。
同、融点差は最低２０℃必要であった。
実施例 ５
実施例１のステップ４以降にステップ４′ として次の
工程を加えて透明積層配線基板を作成した。
工程を加えて透明積層配線基板を作成した。
ステップ４′；低融点ガラス層４上に有機シリコン化合
物な被着し、これを５００’Ｃ前後で加熱分解して酸化
けい素被膜３′を１００ＯＡ以下程度形成する（第６図
）。
物な被着し、これを５００’Ｃ前後で加熱分解して酸化
けい素被膜３′を１００ＯＡ以下程度形成する（第６図
）。
以後ステップ１〜４′を繰返えして透明積層配線基板を
作成した。
作成した。
。即ち実施例５では中間層の導電被膜２／ を酸化けい
素皮膜３警はさみ込んで透明積層配線基板を作成した。
素皮膜３警はさみ込んで透明積層配線基板を作成した。
実施例４の場合には低融点ガラスの融点差を順次２０℃
以上づつ下げてゆかなくてはならないため積層数に限界
があるが、実施例５の場合には各低融点ガラス４の融点
を同一にできるため積層数の限界はない。
以上づつ下げてゆかなくてはならないため積層数に限界
があるが、実施例５の場合には各低融点ガラス４の融点
を同一にできるため積層数の限界はない。
以上、本発明によれば表示素子の実装に好適なしかも信
頼性の高い即ち絶縁性、保護性等が良好で、製造性の良
い透明積層配線基板を提供することができる。
頼性の高い即ち絶縁性、保護性等が良好で、製造性の良
い透明積層配線基板を提供することができる。
第１図、第２図、第３図、第４図、第５図及び第６図は
本発明に係る透明積層配線基板の製造方法の各工程を説
明する説明図である。 １・・・・・・透明ガラス基板又は透明セラミック基板
、２．２′ ・・・・・・透明酸化インジウム系導電被
膜、３゜３１ ・・・・・・百般イにしｔＸ、Ｘ去才古
■宜 Ａ 、、、、、、酸イに左へ 酸イレ石鉛
系の低融点ガラス層。
本発明に係る透明積層配線基板の製造方法の各工程を説
明する説明図である。 １・・・・・・透明ガラス基板又は透明セラミック基板
、２．２′ ・・・・・・透明酸化インジウム系導電被
膜、３゜３１ ・・・・・・百般イにしｔＸ、Ｘ去才古
■宜 Ａ 、、、、、、酸イに左へ 酸イレ石鉛
系の低融点ガラス層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 耐熱性透明絶縁基板の上面に全面或いは部分的に酸
化インジウム系透明導電皮膜を形成し、その上面の必要
な部分に有機けい素化合物を熱分解して酸化けい素の皮
膜を被着し、更にその上面の必要部分に低融点ガラス質
を覆い、加熱溶融させて不必要な部分の該導電皮膜を除
去し、しかる後上記工程を繰返えして透明積層配線基板
を製造することを特徴とする透明積層配線基板の製造方
法。 ２ 透明積層配線基板忙積層する前記各層の低融点ガラ
スの融点を積層順に順次低く〜したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の透明積層配線基板の製造方法
。 ３２層目以降の前記酸化インジウム系透明導電皮膜を酸
化けい素度膜ではさんだことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の透明積層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16893979A JPS5815959B2 (ja) | 1979-12-25 | 1979-12-25 | 透明積層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16893979A JPS5815959B2 (ja) | 1979-12-25 | 1979-12-25 | 透明積層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5691491A JPS5691491A (en) | 1981-07-24 |
| JPS5815959B2 true JPS5815959B2 (ja) | 1983-03-28 |
Family
ID=15877336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16893979A Expired JPS5815959B2 (ja) | 1979-12-25 | 1979-12-25 | 透明積層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815959B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482425A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-28 | Nitto Seiko Kk | Manufacture of temperature fuse |
| KR20200127031A (ko) * | 2018-03-13 | 2020-11-09 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 기판 수납 용기 |
| KR20210146803A (ko) * | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 퍼지 노즐 어셈블리 및 퍼지 노즐 어셈블리를 포함한 반도체 처리 어셈블리 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6010735A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2597809B2 (ja) * | 1993-10-12 | 1997-04-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
1979
- 1979-12-25 JP JP16893979A patent/JPS5815959B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482425A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-28 | Nitto Seiko Kk | Manufacture of temperature fuse |
| KR20200127031A (ko) * | 2018-03-13 | 2020-11-09 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 기판 수납 용기 |
| KR20210146803A (ko) * | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 퍼지 노즐 어셈블리 및 퍼지 노즐 어셈블리를 포함한 반도체 처리 어셈블리 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5691491A (en) | 1981-07-24 |
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