JPS58164252A - 熱交換素子 - Google Patents
熱交換素子Info
- Publication number
- JPS58164252A JPS58164252A JP57218484A JP21848482A JPS58164252A JP S58164252 A JPS58164252 A JP S58164252A JP 57218484 A JP57218484 A JP 57218484A JP 21848482 A JP21848482 A JP 21848482A JP S58164252 A JPS58164252 A JP S58164252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cup
- shaped member
- semiconductor
- heat
- heat exchange
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
- H10W40/77—Auxiliary members characterised by their shape
- H10W40/774—Pistons, e.g. spring-loaded members
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
王寥鬼９立亘
本発明は、半導体素子がそれらの動作中に発生する熱エ
ネルギを放散させる構造体に係り、更に風体的に云えば
、半導体素子がはんだ接続部により基板−りに装着され
そしてそれらの半導体素子の裏側に近接して熱シンク即
ちキャツフ”が装着されている、単−素子又は多素子集
積回路パッケージ組立体に於ける半導体素子を冷却させ
る熱交換素子に係る。
ネルギを放散させる構造体に係り、更に風体的に云えば
、半導体素子がはんだ接続部により基板−りに装着され
そしてそれらの半導体素子の裏側に近接して熱シンク即
ちキャツフ”が装着されている、単−素子又は多素子集
積回路パッケージ組立体に於ける半導体素子を冷却させ
る熱交換素子に係る。
今日の高回路密度の集積回路半導体素子に於ては、それ
らの半導体素子の動作パラメータが所定範囲内に保たれ
セして又過熟による半導体素子の破壊が防がれる様な範
囲内にそれらの半導体素子の温度を維持するために、そ
れらの半導体素子の動作により生じた熱を効率的に除去
することが必要である。この熱の除去に関連する問題は
、半導体素子を基板−Ｌの適当な端子に電気的に接続す
るｌｄんだ端子によって半導体素子が支持基板に接続さ
れる場合には、より大きくなる。その様なはんだ接続に
よる半導体素子に於ては、はんだ接続部を経て達成され
得る熱伝導が、裏面接続による半導体素子の場合と比べ
て限定されている。半導体素子の冷却は、米国特許第３
７４１２９２号の明細書に開示されている如く、半導体
素子を適当な冷却液中に浸漬することによって達成され
得る。
らの半導体素子の動作パラメータが所定範囲内に保たれ
セして又過熟による半導体素子の破壊が防がれる様な範
囲内にそれらの半導体素子の温度を維持するために、そ
れらの半導体素子の動作により生じた熱を効率的に除去
することが必要である。この熱の除去に関連する問題は
、半導体素子を基板−Ｌの適当な端子に電気的に接続す
るｌｄんだ端子によって半導体素子が支持基板に接続さ
れる場合には、より大きくなる。その様なはんだ接続に
よる半導体素子に於ては、はんだ接続部を経て達成され
得る熱伝導が、裏面接続による半導体素子の場合と比べ
て限定されている。半導体素子の冷却は、米国特許第３
７４１２９２号の明細書に開示されている如く、半導体
素子を適当な冷却液中に浸漬することによって達成され
得る。
しかしながら、それらの冷却技術は、半導体素子上び基
板導体の城食を生じ、又パッケージが分解されて修理さ
れねばならない場合に問題を生じ得る。冷却は又、米国
特許第３９９３１２３号の明細書に記載されている如く
、冷却ピストンの如き熱伝導材料系を設け、又は米国特
許第４０６９４９８号の明細書に記載されている如（、
半導体素子とキャップ即ち熱シンクとの間に固定した部
材を設けることによっても達成されイ％る。それらの部
材は、半導体素子と熱シンク即ちキャップとの間に低い
熱抵抗を保つために出来る限り大きい面積に亘って良好
な界面接触を一様に形成し且つ維持し得ねばならない。
板導体の城食を生じ、又パッケージが分解されて修理さ
れねばならない場合に問題を生じ得る。冷却は又、米国
特許第３９９３１２３号の明細書に記載されている如く
、冷却ピストンの如き熱伝導材料系を設け、又は米国特
許第４０６９４９８号の明細書に記載されている如（、
半導体素子とキャップ即ち熱シンクとの間に固定した部
材を設けることによっても達成されイ％る。それらの部
材は、半導体素子と熱シンク即ちキャップとの間に低い
熱抵抗を保つために出来る限り大きい面積に亘って良好
な界面接触を一様に形成し且つ維持し得ねばならない。
冷却ピストンを用いた場合には、半導体素子が基板に関
して傾斜して、不満尾な点接触又は耐接触を生じ得るの
で、その峰な界面接触を形成及び維持することが難しい
。概して、冷却ピストンは空気よりも高い熱伝導率を有
する不活性ガスの雰囲気中で用いられねばならず、又は
ピストン端部と半導体素子との界面にグリース或は他の
形状適合手段が施されねばならない。
して傾斜して、不満尾な点接触又は耐接触を生じ得るの
で、その峰な界面接触を形成及び維持することが難しい
。概して、冷却ピストンは空気よりも高い熱伝導率を有
する不活性ガスの雰囲気中で用いられねばならず、又は
ピストン端部と半導体素子との界面にグリース或は他の
形状適合手段が施されねばならない。
もう１つの不利な点は、パッケージが慣性力にさらされ
るとき、ピストンが冷却されている半導体素子に慟撃ン
加え得ることである。半導体素子と熱シンクとの間の熱
伝導にスプリング素子を用いることも知られている。熱
を効率的に伝導して間隔の許容誤差に適応し、しかも半
導体素子上に亀裂又は欠損を生ぜしめる破壊カケ与えな
い、充分に重いスプリングを設計することは難しく、こ
の問題は半導体素子とキャップとの間の間隙の許容誤差
が増すとともに更に大きくなる。概して、従来のスプリ
ング素子は、熱を効率的に伝導させる様に九分亜（形成
された場合には、硬すぎて間隔のＫ ｔｌｂ Ｋ 適応
できず、半導体素子−Ｅに損傷を与え得る応力を加える
ことになる。これと逆に、スプリング素子が間隔の許容
誤差に適応する様に充分薄く且つ可傭性を有する様に形
成された場合には、その埠さは冷却条件を充たす様に半
導体素子から熱を逃がす充分な能力を有していない。半
導体パッケージ技術に於ては、傾斜した半導体素子にも
適応することが出来、しかもはめ込み式素子相互間に確
実な面接触を達成する関好な熱伝導特性を有する、安価
な、伸張可能な熱交換素子が必要とされている。
るとき、ピストンが冷却されている半導体素子に慟撃ン
加え得ることである。半導体素子と熱シンクとの間の熱
伝導にスプリング素子を用いることも知られている。熱
を効率的に伝導して間隔の許容誤差に適応し、しかも半
導体素子上に亀裂又は欠損を生ぜしめる破壊カケ与えな
い、充分に重いスプリングを設計することは難しく、こ
の問題は半導体素子とキャップとの間の間隙の許容誤差
が増すとともに更に大きくなる。概して、従来のスプリ
ング素子は、熱を効率的に伝導させる様に九分亜（形成
された場合には、硬すぎて間隔のＫ ｔｌｂ Ｋ 適応
できず、半導体素子−Ｅに損傷を与え得る応力を加える
ことになる。これと逆に、スプリング素子が間隔の許容
誤差に適応する様に充分薄く且つ可傭性を有する様に形
成された場合には、その埠さは冷却条件を充たす様に半
導体素子から熱を逃がす充分な能力を有していない。半
導体パッケージ技術に於ては、傾斜した半導体素子にも
適応することが出来、しかもはめ込み式素子相互間に確
実な面接触を達成する関好な熱伝導特性を有する、安価
な、伸張可能な熱交換素子が必要とされている。
本発明の概要
本発明は、半導体パッケージに於て基板−Ｆに装着され
ている半導体素子からそれらの半導体素子との間に間隔
を置いて配置されている熱シンク即ちキャップへ熱を伝
導させる、はめ込み成熱交換素子を提供し、その熱交換
素子は、平坦な底面及び環状壁な有する熱伝導性材料よ
り成る第１カツフー状部材と、平坦な底面及び上記第１
カップ状部材の上記壁に対してはめ込み式にスライド可
能、な状態に並置される、スロットが設けられた弾性環
状壁を有する熱伝導性材料より成る第２カップ状部材と
、上記第１及び第２カップ状部材の壁相互間に均一な信
和し得るスライド接触を生せしめる手段とを有す不。
ている半導体素子からそれらの半導体素子との間に間隔
を置いて配置されている熱シンク即ちキャップへ熱を伝
導させる、はめ込み成熱交換素子を提供し、その熱交換
素子は、平坦な底面及び環状壁な有する熱伝導性材料よ
り成る第１カツフー状部材と、平坦な底面及び上記第１
カップ状部材の上記壁に対してはめ込み式にスライド可
能、な状態に並置される、スロットが設けられた弾性環
状壁を有する熱伝導性材料より成る第２カップ状部材と
、上記第１及び第２カップ状部材の壁相互間に均一な信
和し得るスライド接触を生せしめる手段とを有す不。
本発明の好実施例
第１図は、基板の上面に装着された半導体素子１２と基
板の底面から延びるピン１４とを相互接続する、基板内
又は基板上の導体パターン（図示せず）を有する基板１
０より成る半導体パッケージを示している。ひれ状部分
１８を設けられた典型的なキャップ１６がろう付は封止
部２０により基板１０に固定されている。半導体素子１
２は、はんだ接続部２２により基板−Ｌ又は基板内の導
体系に電気的に接続されている。動作に於て、半導体素
子１２は放散されねばならない熱を発生する。
板の底面から延びるピン１４とを相互接続する、基板内
又は基板上の導体パターン（図示せず）を有する基板１
０より成る半導体パッケージを示している。ひれ状部分
１８を設けられた典型的なキャップ１６がろう付は封止
部２０により基板１０に固定されている。半導体素子１
２は、はんだ接続部２２により基板−Ｌ又は基板内の導
体系に電気的に接続されている。動作に於て、半導体素
子１２は放散されねばならない熱を発生する。
発生された熱の一部ははんだ接続部２２を経て基板１０
へ伝導される。しかしながら、高性能の集積半導体素子
を用いた場合には、はんだ接続部２２を経ての熱伝導で
は、半導体素子の温度を動作可能な範囲内に維持するに
は通常不充分である。
へ伝導される。しかしながら、高性能の集積半導体素子
を用いた場合には、はんだ接続部２２を経ての熱伝導で
は、半導体素子の温度を動作可能な範囲内に維持するに
は通常不充分である。
本発明に於ては、はめ込み成熱交換素子２４によって、
熱が半導体素子１２からＦのキャップ゛１６へ除去され
る。
熱が半導体素子１２からＦのキャップ゛１６へ除去され
る。
第２図は、本発明の一実施例によるはめ込み式熱父換素
子２４を拡大して示している。熱交換素子２４は、キャ
ップ１６と接触する平坦な底面２８及び環状壁６０を有
する熱伝導性材料より成る、第１カップ状部材２６を有
１．ている。カップ状部材２６は、例えば銅、銀又はそ
れらの合金の如き、適当な金属から形成され得る。好ま
しくは、壁が弾性ケ有する様にスプリングに似た軸杵を
する金属が用いられる。壁６０は、その各部分が他の部
分から独立して撓み得る様にスロットをを］７ているこ
とが好ましい。カップ状部材２６は、正方形の断面を有
していることが好ましいが、所望ならば矩形又は円形の
断面′？：督してもよい。カップ状部材の今頃の厚さは
適当でよいが、典型的には約０．０７乃至０．５１ｇの
範囲内である。平坦なｊに面６４Ｐ＋、ぴスロットが設
けられた弾性環状壁５６を有する熱伝導性材料より成る
第２カップ状部材６２が、第１カップ状部材２６の上記
壁に対してはめ込み式にスライド可能な状態に並置され
ている。
子２４を拡大して示している。熱交換素子２４は、キャ
ップ１６と接触する平坦な底面２８及び環状壁６０を有
する熱伝導性材料より成る、第１カップ状部材２６を有
１．ている。カップ状部材２６は、例えば銅、銀又はそ
れらの合金の如き、適当な金属から形成され得る。好ま
しくは、壁が弾性ケ有する様にスプリングに似た軸杵を
する金属が用いられる。壁６０は、その各部分が他の部
分から独立して撓み得る様にスロットをを］７ているこ
とが好ましい。カップ状部材２６は、正方形の断面を有
していることが好ましいが、所望ならば矩形又は円形の
断面′？：督してもよい。カップ状部材の今頃の厚さは
適当でよいが、典型的には約０．０７乃至０．５１ｇの
範囲内である。平坦なｊに面６４Ｐ＋、ぴスロットが設
けられた弾性環状壁５６を有する熱伝導性材料より成る
第２カップ状部材６２が、第１カップ状部材２６の上記
壁に対してはめ込み式にスライド可能な状態に並置され
ている。
カップ状部材２６梃び３２の組立てが容易になる様に、
部材２６の壁６０の上部が外側に張り出されそして部材
５２の壁６６の−Ｌ部が内側に傾斜していることが好ま
しい。部材２６の内側の幅の寸法が部材６２の外側の幅
の寸法に相当していることが好ましい。部材２６反び６
２が相互に内方に押されて、より近接してはめ込まれた
とぎ、それらの９３０反び３６の間のスライド接触は環
状の面接触となる。第２図に示されている位置に於ては
、部材２６及び３２０間の接触は耐接触である。
部材２６の壁６０の上部が外側に張り出されそして部材
５２の壁６６の−Ｌ部が内側に傾斜していることが好ま
しい。部材２６の内側の幅の寸法が部材６２の外側の幅
の寸法に相当していることが好ましい。部材２６反び６
２が相互に内方に押されて、より近接してはめ込まれた
とぎ、それらの９３０反び３６の間のスライド接触は環
状の面接触となる。第２図に示されている位置に於ては
、部材２６及び３２０間の接触は耐接触である。
・窮２図に於ては、構造ケより明確に示すために、椿６
０曵ひ３６の弓状端部が誇張して示されている。部材２
６攻び６２の平坦な底面２８文び６４ケ半導体素子１２
及びキャップ１６に対して押しつけるために、適当なス
プリング３８が設けられ得る。
０曵ひ３６の弓状端部が誇張して示されている。部材２
６攻び６２の平坦な底面２８文び６４ケ半導体素子１２
及びキャップ１６に対して押しつけるために、適当なス
プリング３８が設けられ得る。
第３図は、カップ状部材２６及び３２が内部にスプリン
グを用いて又は用いずに相互に組合わされた後に、それ
らが分離しない様にする１つの係合機構を示している。
グを用いて又は用いずに相互に組合わされた後に、それ
らが分離しない様にする１つの係合機構を示している。
熱交換素子の各角部に、両部材の分離を防ぐ１組のフッ
ク手段が設けられている。より具体的に云えば、＠６図
に示されているｈｎ＜、壁３Ｄ上のタブの延長部分４０
が壁５６上のタブの対応する延長部分４２と係合する。
ク手段が設けられている。より具体的に云えば、＠６図
に示されているｈｎ＜、壁３Ｄ上のタブの延長部分４０
が壁５６上のタブの対応する延長部分４２と係合する。
カップ状部材２６反び６２が相互にはめ込まれるとぎ、
一方又は両方のタブが外方へ撓められて、タブの＋１〔
長部分４０反び４２が相互に係合され得る。
一方又は両方のタブが外方へ撓められて、タブの＋１〔
長部分４０反び４２が相互に係合され得る。
必要１ｆらは、組合わされているカッツー状部材は、角
部の各タブを同時に外方へ撓ませてそれらの延長部分の
係合を外すことによって、相互に分離され・得る。両カ
ップ状部材相互間の分離が防がれるとともに、半導体素
子をキャップの変動に適応させるためにそれらの重畳部
分が自由に増加又は減少され得る。
部の各タブを同時に外方へ撓ませてそれらの延長部分の
係合を外すことによって、相互に分離され・得る。両カ
ップ状部材相互間の分離が防がれるとともに、半導体素
子をキャップの変動に適応させるためにそれらの重畳部
分が自由に増加又は減少され得る。
カップ状部材２６反び６２の一方又は両方にスロットが
設けられ得る。スロットは壁を複数の部分に分割させて
、確実なスライド接触火達成する。
設けられ得る。スロットは壁を複数の部分に分割させて
、確実なスライド接触火達成する。
又、壁の弾性も、組立体の外部抵抗を著しく減少させる
スライド接触を達成して、半導体素子１２からＬのキャ
ップ即ち熱シンクへの熱の効率的な伝導を＋」ｌ能にす
る。本発明によるはめ込み成熱交換素子は、両カップ状
部材相互間に確実なスライド接触を得るための精密加工
を要しないので、比較的安価である。更に、本発明のは
め込み成熱交換素子は質量が小さく、従ってパッケージ
が犬ぎな慣性力にさらされても、該パッケージに於ける
半導体素子が損傷される可能性が極めて低い。従って、
質量の小さい熱交換素子２４は半導体素子に最小の力を
加える。又、熱交換素子２４は、半導体素子とキャップ
との間に於ける変動する幅の間隙を橋渡しすることが出
来る。史に、第２カップ状部材３２が壁３０文び３６の
弾性によって傾斜面に適応し鵠るので、熱交換索子２４
は基板１０Ｌ、の傾斜した半導体素子に適応し得る。そ
れと同時に、両カップ状部材２６反び６２の間に、熱抵
抗を低ドさせる線接触又は面接触のいずれかが維持され
る。
スライド接触を達成して、半導体素子１２からＬのキャ
ップ即ち熱シンクへの熱の効率的な伝導を＋」ｌ能にす
る。本発明によるはめ込み成熱交換素子は、両カップ状
部材相互間に確実なスライド接触を得るための精密加工
を要しないので、比較的安価である。更に、本発明のは
め込み成熱交換素子は質量が小さく、従ってパッケージ
が犬ぎな慣性力にさらされても、該パッケージに於ける
半導体素子が損傷される可能性が極めて低い。従って、
質量の小さい熱交換素子２４は半導体素子に最小の力を
加える。又、熱交換素子２４は、半導体素子とキャップ
との間に於ける変動する幅の間隙を橋渡しすることが出
来る。史に、第２カップ状部材３２が壁３０文び３６の
弾性によって傾斜面に適応し鵠るので、熱交換索子２４
は基板１０Ｌ、の傾斜した半導体素子に適応し得る。そ
れと同時に、両カップ状部材２６反び６２の間に、熱抵
抗を低ドさせる線接触又は面接触のいずれかが維持され
る。
４４Ａ図及び第４Ｂ図は、本発明のもう１つの実施例レ
ボしている。はめ込み式カップ状部材５０反び５２は、
半導体素子を冷却するために、先に熱交換索子２４に関
して述べた場合と同様にして、熱伝導を行う。しかしな
がら、この実施例に於ては、壁５４反び５６の端部が湾
曲していない。
ボしている。はめ込み式カップ状部材５０反び５２は、
半導体素子を冷却するために、先に熱交換索子２４に関
して述べた場合と同様にして、熱伝導を行う。しかしな
がら、この実施例に於ては、壁５４反び５６の端部が湾
曲していない。
その結果、両カップ状部材５０使び５２間には、常に面
接触が得られる。その接継の面積が両部材の相対的位置
に応じて変化することは勿論である。
接触が得られる。その接継の面積が両部材の相対的位置
に応じて変化することは勿論である。
第１図は本発明によるはめ込み成熱交換素子並びに該熱
交換素子と半導体素子反び熱シンクとの間の関係ケ示す
、半導体パッケージの立面図であり、第２図は本発明に
よるはめ込み成熱交換素子の一実施例を示す立面図であ
り、第３図は両カッフー状部材の分離を防ぐ、本発明の
他の実施例を示す図であり、第４Ａ図は組立てられてい
ない本発明による熱交換素子のもう１つの実施例を示す
立面図であり、４４８図は組立てられた′＄４Ａ図の熱
交換素子を示す立面図である。 １０・・・・基板、１２・・・・半導体素子、１４・・
・・ビン、１６・・・・キャップ（熱シンク）、１８・
・・・ひれ状部分、２０・・・・ろう付は封止部、２２
・・・・はんだ接続部、２４・・・・はめ込み成熱交換
素子、２６．３２．５０．５２・・・・カップ状部材、
２８・・・・部材２６の底面、５０１５６．５４．５６
・・・・環状壁、３４・・・・部材６２の底面、３８・
・・・スプリング、４０．４２・・・・タブの延長部分
ｔｔ［人 インターナショカル・６２ネス・マシーン
ズ・コーポレーション代理人 弁理士 岡 １）
次 生（外１名）
交換素子と半導体素子反び熱シンクとの間の関係ケ示す
、半導体パッケージの立面図であり、第２図は本発明に
よるはめ込み成熱交換素子の一実施例を示す立面図であ
り、第３図は両カッフー状部材の分離を防ぐ、本発明の
他の実施例を示す図であり、第４Ａ図は組立てられてい
ない本発明による熱交換素子のもう１つの実施例を示す
立面図であり、４４８図は組立てられた′＄４Ａ図の熱
交換素子を示す立面図である。 １０・・・・基板、１２・・・・半導体素子、１４・・
・・ビン、１６・・・・キャップ（熱シンク）、１８・
・・・ひれ状部分、２０・・・・ろう付は封止部、２２
・・・・はんだ接続部、２４・・・・はめ込み成熱交換
素子、２６．３２．５０．５２・・・・カップ状部材、
２８・・・・部材２６の底面、５０１５６．５４．５６
・・・・環状壁、３４・・・・部材６２の底面、３８・
・・・スプリング、４０．４２・・・・タブの延長部分
ｔｔ［人 インターナショカル・６２ネス・マシーン
ズ・コーポレーション代理人 弁理士 岡 １）
次 生（外１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 平坦な底面及び環状壁を有する熱伝導性金属より成る第
１カップ状部材と、 平坦な底面及び上記第１カップ状部材の上記壁に対して
はめ込み式にスライド可能な状態に並置される、スロッ
トが設けられた弾性環状壁を有する熱伝導性金属より成
る第２カップ状部材と、上記第１及び第２カップ状部材
の壁相互間にスライド接触な生ぜしめる手段とを有する
、はめ込み成熱交換素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/356,677 US4483389A (en) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | Telescoping thermal conduction element for semiconductor devices |
| US356677 | 1982-03-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164252A true JPS58164252A (ja) | 1983-09-29 |
| JPS635904B2 JPS635904B2 (ja) | 1988-02-05 |
Family
ID=23402456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57218484A Granted JPS58164252A (ja) | 1982-03-10 | 1982-12-15 | 熱交換素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4483389A (ja) |
| EP (1) | EP0088246B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58164252A (ja) |
| DE (1) | DE3374491D1 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60126853A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-06 | Hitachi Ltd | 半導体デバイス冷却装置 |
| USRE35721E (en) * | 1983-12-14 | 1998-02-03 | Hitachi, Ltd. | Cooling device of semiconductor chips |
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