JPS58167771A - 腐蝕液の制御方法 - Google Patents
腐蝕液の制御方法Info
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- JPS58167771A JPS58167771A JP57048975A JP4897582A JPS58167771A JP S58167771 A JPS58167771 A JP S58167771A JP 57048975 A JP57048975 A JP 57048975A JP 4897582 A JP4897582 A JP 4897582A JP S58167771 A JPS58167771 A JP S58167771A
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- etching
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- corrosive
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
- H01J9/142—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔亀＠Ｏ技留分舒〕
本１１１明は腐蝕液の制御方法に係に、特に帯状金属板
とし九ア、ンパー材などの鉄及びニッケルを主成分とす
る合金材を均一に微細精管腐蝕する場合の腐蝕譲Ｏ制御
方法に関するものである。。
とし九ア、ンパー材などの鉄及びニッケルを主成分とす
る合金材を均一に微細精管腐蝕する場合の腐蝕譲Ｏ制御
方法に関するものである。。
例えばカラー受像管に内装するシャドウマスクとしてα
−毅に純鉄軟鋼板が多く使用されて−るが、高精書、高
細直の画面が費求されるディスプレイ用のカラー受像管
に内装するシャドウマスクＵこＯｇｍ園に対応するよう
に電子ビーム通過孔部Ｏ孔径、及びピッチも極めて微細
なものが使用される。−例としてデルタ型に円形電子ビ
ーム通過孔ｓの穿設され九りヤドクマスクではピッチ０
２０膳、電子銃側の孔径は直径０．１０−程度となって
いる。
−毅に純鉄軟鋼板が多く使用されて−るが、高精書、高
細直の画面が費求されるディスプレイ用のカラー受像管
に内装するシャドウマスクＵこＯｇｍ園に対応するよう
に電子ビーム通過孔部Ｏ孔径、及びピッチも極めて微細
なものが使用される。−例としてデルタ型に円形電子ビ
ーム通過孔ｓの穿設され九りヤドクマスクではピッチ０
２０膳、電子銃側の孔径は直径０．１０−程度となって
いる。
シャドウマスクを内装するカラー受像管の最も型費な特
性に電子銃よ多発射された電子ビー基をシャドウマスタ
の電子ビーム通過孔部を通過して忠実に螢光園を形成す
る所定の螢光体層に射央させることである、しかしなが
ら、稼動中のシャドウマスクは時間の経過と共に電子ビ
ームＯ射央による温度上昇１＊い熱膨張を起し、その結
果電子ビームの軌跡と螢光体層との位置が合致しなくな
）、所剛ミスランディンダを生じて色ずれ現象を超すこ
とに表る。
性に電子銃よ多発射された電子ビー基をシャドウマスタ
の電子ビーム通過孔部を通過して忠実に螢光園を形成す
る所定の螢光体層に射央させることである、しかしなが
ら、稼動中のシャドウマスクは時間の経過と共に電子ビ
ームＯ射央による温度上昇１＊い熱膨張を起し、その結
果電子ビームの軌跡と螢光体層との位置が合致しなくな
）、所剛ミスランディンダを生じて色ずれ現象を超すこ
とに表る。
このことにカラー受像管としての致命的欠陥となる丸め
、解決方法としてｍ１１張係数の極めて小さなアンバー
材が最適であることは周知である。
、解決方法としてｍ１１張係数の極めて小さなアンバー
材が最適であることは周知である。
このアンバー＃はニッケル鋼の一種であり標準組成はＣ
＜ ０．２０ Ｘ、 ＭＤｏ、５ Ｘ、 Ｎ直３６％Ｓ
残）がＦｅからなり、線膨張係数の小さいことが特徴で
あり、０〜４０℃で約Ｉ Ｘ １０’″＠／ｄｅｆであ
ダ、この値は従来のシャドウマスク素材である純鉄軟鋼
材の約１／１０でＪｂ抄、この％性は普通の熱膨張と磁
気的体積収縮との重ね合せにより現われるものと考えら
れている。
＜ ０．２０ Ｘ、 ＭＤｏ、５ Ｘ、 Ｎ直３６％Ｓ
残）がＦｅからなり、線膨張係数の小さいことが特徴で
あり、０〜４０℃で約Ｉ Ｘ １０’″＠／ｄｅｆであ
ダ、この値は従来のシャドウマスク素材である純鉄軟鋼
材の約１／１０でＪｂ抄、この％性は普通の熱膨張と磁
気的体積収縮との重ね合せにより現われるものと考えら
れている。
しかるにアンバー材などの鉄及びニッケルを主成分とす
る合金材は通常塩化！２鉄ｓｔｔｇ錬液として腐蝕加工
するが、腐蝕が進行していく過中で腐蝕液である塩化１
１２鉄Ｓｔと反応し九Ｎｉ 。
る合金材は通常塩化！２鉄ｓｔｔｇ錬液として腐蝕加工
するが、腐蝕が進行していく過中で腐蝕液である塩化１
１２鉄Ｓｔと反応し九Ｎｉ 。
Ｃｏ ＋ Ｍｕ ｒｉ溶解しＮｉＣ４、ＣｏＣｊ、 、
ＭｇＣ２などの物質となる。このことに腐蝕能力の低
下を招自腐蝕液を一定に制御することが甚だ困離となる
問題点がある。これに対し純鉄軟鋼板を腐蝕する１ｌＫ
ｒｆ下紀反応系でリサイクルが可能とな〉常に一定の腐
蝕液の条件で管理することができる。
ＭｇＣ２などの物質となる。このことに腐蝕能力の低
下を招自腐蝕液を一定に制御することが甚だ困離となる
問題点がある。これに対し純鉄軟鋼板を腐蝕する１ｌＫ
ｒｆ下紀反応系でリサイクルが可能とな〉常に一定の腐
蝕液の条件で管理することができる。
Ｆｅ ＋ ２ＦｅＣ４→３ＦｅＣ４２ＦｅＣ１，＋
Ｃ１２−＋ ２ＦｅＣ４’・−・−・・・・・（１）
〔発明の目的〕 本発明は前記従来の問題点に鑑みなされ九ものであり、
了／パー彦どの鉄及びニッケルを主成分とする合金材を
塩化第２鉄溶液の腐蝕液で腐蝕する場合、この腐蝕液の
腐蝕能力を常に一定の条件に制御することが可能な腐蝕
液の制御方法を提供。
Ｃ１２−＋ ２ＦｅＣ４’・−・−・・・・・（１）
〔発明の目的〕 本発明は前記従来の問題点に鑑みなされ九ものであり、
了／パー彦どの鉄及びニッケルを主成分とする合金材を
塩化第２鉄溶液の腐蝕液で腐蝕する場合、この腐蝕液の
腐蝕能力を常に一定の条件に制御することが可能な腐蝕
液の制御方法を提供。
することを目的としている。
即ち、本発明は鉄及びニッケルを主成分とする合金材を
塩化第２鉄溶液からなる腐蝕液で腐蝕するに当怜、純鉄
を塩化ｗｋ２鉄爵液からなる腐蝕液で腐蝕して生成増量
される塩化第２鉄ｆ （Ｎｉ −ｒ・合金） 十Ｆ＠Ｃ
６３−＋ Ｎｔｃｚ、 ＋ ＦｅＣ１２反応系に投入
することにより、鉄及びニッケルを主成分とする合金材
を腐蝕する塩化第２鉄溶液からなる腐蝕能力を一定条件
に制御させるようＫし九ことを特徴としている 〔発明の実施例〕 次に本発明の一実施例を説明する５、 即ち純鉄は塩化第２鉄溶液Ｉと反応した場合、両速し九
反応式（１） Ｋよ勢、２２インチのシャドウマスタを
１枚腐蝕すると鉄分としては９５．６ ｆが腐蝕される
丸めＦｅＣ４の増量分としてＵ９５．６０ ｔ／ Ｆｅ
＝ Ｘ／ ＦｅＣ１５・−”−’・（２１の式を使用
することによシ、 ９５．６０１５５．８４ ＝ Ｘ／１６ Ｚ２１−−−
−−−（３）即ち Ｘ中２５０ ｔ （Ｆｅｃｔａ
ｔｏｏＸ ）つ１９２２インチの純鉄のシャドウマスク
を１枚腐蝕すると約２５ Ｏｆ （ＰｅＣＬｓ １００
％）即ち通常の員１１ ＴｔｅＣ１４５０％換算では約
５００ｆの塩化第２鉄５ｉｌｋが生成増量されることに
なるま九例えばアン／ζ−材と塩化＃！２鉄溶液とのメ
応系框 （Ｎ４−Ｆｅ合金） ＋ ＦｅＣ１Ｂ −＋ ＦｇＣｌ
ｌ ＋ ＮＩＣ４−１４７となるので、このＦｅＣ４と
ＮＩＣ１，に変化する分だけ常時Ｐ＠Ｃ４の新しい溶液
を投入することによ）、Ｎ１−Ｗ＜合金の腐ｌ１ｉｌｋ
ｔｒＬである塩化第２鉄溶液α一定の条件圧制御される
ことＫなる。この場合（４）式のＦｅＣ１１とＮｉＣ４
を含む腐蝕力のない考化し九浴液に廃棄すればよい 次に銭体例を図により説明する１、 即ち純鉄軟鋼板（２）からなるクヤドウマスク材の製造
ゾーン（１）に腐蝕工程１３）と、感光膜除去工程（４
）から構成され、普たアンバーＱのからなるシャドウマ
スク材の製造ゾーン（Ｉυも腐蝕工程０３と感光膜除去
工ｍＱ４１から構成されている このうち純鉄軟鋼板（２）の腐蝕工程（３）でタンク（
入）ポンプ（Ｐ）を介して矢印方向に腐蝕液を流しＦｅ
を溶かしＰｅＣ４になったものはタンク（ム）Ｋｃｔ、
を注入し、ＦｅＣ１Ｂとしリサイクルするようになっ
ている。このようにして生成増量し丸環化第２鉄からな
る腐蝕液にストレージタンク（Ｂ）に移され、さらにタ
ンク（Ｃ）にアンバーα湯の腐蝕工程日用として貯蔵し
ておく。一方アンパーａ−の腐蝕工ＳαＪではタンク（
Ｄ）ポンプ（Ｐ） を介して矢印方向に腐蝕液ｔ−流し
、Ｆｅ 、 Ｎｉ 、 Ｃｏなどを溶かしながらリサイ
クルさせるがこの時発生するＮＩＣ４。
塩化第２鉄溶液からなる腐蝕液で腐蝕するに当怜、純鉄
を塩化ｗｋ２鉄爵液からなる腐蝕液で腐蝕して生成増量
される塩化第２鉄ｆ （Ｎｉ −ｒ・合金） 十Ｆ＠Ｃ
６３−＋ Ｎｔｃｚ、 ＋ ＦｅＣ１２反応系に投入
することにより、鉄及びニッケルを主成分とする合金材
を腐蝕する塩化第２鉄溶液からなる腐蝕能力を一定条件
に制御させるようＫし九ことを特徴としている 〔発明の実施例〕 次に本発明の一実施例を説明する５、 即ち純鉄は塩化第２鉄溶液Ｉと反応した場合、両速し九
反応式（１） Ｋよ勢、２２インチのシャドウマスタを
１枚腐蝕すると鉄分としては９５．６ ｆが腐蝕される
丸めＦｅＣ４の増量分としてＵ９５．６０ ｔ／ Ｆｅ
＝ Ｘ／ ＦｅＣ１５・−”−’・（２１の式を使用
することによシ、 ９５．６０１５５．８４ ＝ Ｘ／１６ Ｚ２１−−−
−−−（３）即ち Ｘ中２５０ ｔ （Ｆｅｃｔａ
ｔｏｏＸ ）つ１９２２インチの純鉄のシャドウマスク
を１枚腐蝕すると約２５ Ｏｆ （ＰｅＣＬｓ １００
％）即ち通常の員１１ ＴｔｅＣ１４５０％換算では約
５００ｆの塩化第２鉄５ｉｌｋが生成増量されることに
なるま九例えばアン／ζ−材と塩化＃！２鉄溶液とのメ
応系框 （Ｎ４−Ｆｅ合金） ＋ ＦｅＣ１Ｂ −＋ ＦｇＣｌ
ｌ ＋ ＮＩＣ４−１４７となるので、このＦｅＣ４と
ＮＩＣ１，に変化する分だけ常時Ｐ＠Ｃ４の新しい溶液
を投入することによ）、Ｎ１−Ｗ＜合金の腐ｌ１ｉｌｋ
ｔｒＬである塩化第２鉄溶液α一定の条件圧制御される
ことＫなる。この場合（４）式のＦｅＣ１１とＮｉＣ４
を含む腐蝕力のない考化し九浴液に廃棄すればよい 次に銭体例を図により説明する１、 即ち純鉄軟鋼板（２）からなるクヤドウマスク材の製造
ゾーン（１）に腐蝕工程１３）と、感光膜除去工程（４
）から構成され、普たアンバーＱのからなるシャドウマ
スク材の製造ゾーン（Ｉυも腐蝕工程０３と感光膜除去
工ｍＱ４１から構成されている このうち純鉄軟鋼板（２）の腐蝕工程（３）でタンク（
入）ポンプ（Ｐ）を介して矢印方向に腐蝕液を流しＦｅ
を溶かしＰｅＣ４になったものはタンク（ム）Ｋｃｔ、
を注入し、ＦｅＣ１Ｂとしリサイクルするようになっ
ている。このようにして生成増量し丸環化第２鉄からな
る腐蝕液にストレージタンク（Ｂ）に移され、さらにタ
ンク（Ｃ）にアンバーα湯の腐蝕工程日用として貯蔵し
ておく。一方アンパーａ−の腐蝕工ＳαＪではタンク（
Ｄ）ポンプ（Ｐ） を介して矢印方向に腐蝕液ｔ−流し
、Ｆｅ 、 Ｎｉ 、 Ｃｏなどを溶かしながらリサイ
クルさせるがこの時発生するＮＩＣ４。
ＣｏＣＬＢの溶は込んだ溶液の−ｓｆ：タンク（Ｄ）か
らタンク（幻に移し、排＆ ’１！Ｆ ｕ５１から排出
すると共にタンク（Ｃ）からの腐１ｉｌｋＶｒＬが加え
られるので、アンバー仏４の腐蝕波のｍ融力１Ｊ常に一
定の条件に制御されることになる。
らタンク（幻に移し、排＆ ’１！Ｆ ｕ５１から排出
すると共にタンク（Ｃ）からの腐１ｉｌｋＶｒＬが加え
られるので、アンバー仏４の腐蝕波のｍ融力１Ｊ常に一
定の条件に制御されることになる。
ｌ１ｌＦ述した排液管−からの排液１ニ−ｒルカリ中和
工機、酸化工程、湯洗工程、Ｎｉ 、 Ｃｏ 、 Ｍｎ
′＆どの濾過分離工＠Ａを経て、濾過し丸液中のＮｉ
、 Ｃｏ 。
工機、酸化工程、湯洗工程、Ｎｉ 、 Ｃｏ 、 Ｍｎ
′＆どの濾過分離工＠Ａを経て、濾過し丸液中のＮｉ
、 Ｃｏ 。
Ｍｎの量が規定値以下であることを確認してすてること
に勿論である。
に勿論である。
前述のように本発明によれば純鉄を腐蝕して生成挿置さ
れる塩化第２鉄嬉液からなる腐蝕液を（Ｎｉ −Ｆ＊合
金） ＋ ’に’＊ｃ１１ →ＮｉＣ４＋ ＦｓＣ４反
応系である腐蝕工程に投入することにより鉄及びニッケ
ルを主成分とする合金材のｇｉｇａの腐蝕力ｔ／ｌに一
定の条件でｌｄ＃することかり能であり、その工業的価
値ａ極めて大でる・る。
れる塩化第２鉄嬉液からなる腐蝕液を（Ｎｉ −Ｆ＊合
金） ＋ ’に’＊ｃ１１ →ＮｉＣ４＋ ＦｓＣ４反
応系である腐蝕工程に投入することにより鉄及びニッケ
ルを主成分とする合金材のｇｉｇａの腐蝕力ｔ／ｌに一
定の条件でｌｄ＃することかり能であり、その工業的価
値ａ極めて大でる・る。
図ａ本薙明の腐蝕液の制御方法の一実施例に適応する純
鉄軟銅板とアンバーとの腐鮪工模における塩化第２鉄溶
液からなる腐−液の動きを示す説明図である。 ２・・・純鉄軟鋼板 ３．１３・−・腐蝕ゾーンＰ・
・ポンプ Ａ 、 Ｂ 、 Ｃ、Ｄ 、 Ｅ・・
タンク１５・・・排液管 代理人 弁理士 井 上 −男 ｊ ４ 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第０４８９７５号 ２、発明の名称 腐蝕液の制御方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）東京芝浦電気株式会社 ４代理人 〒１４４ 東京都大田区蒲田４丁目４１番１１号 第−津野田ビル 弁上特許事務所内 電話 ７３６−３５５８ ５、補正の対象 Ａ）明細書全文 Ｂ）図 面 ６、 補正の内容 Ａ）別紙の通シ Ｂ）図を別紙第１図及び第２図と差換える。 以上 訂正明細書 １、発明の名称 腐蝕液の制御方法 ２、特許請求の範囲 （刀 鉄及びニッケルを主成分とする合金材を塩化Ｍ２
鉄溶液からなる腐蝕液で腐蝕するに当に、その低下を抑
制した事を特徴とする腐蝕液の制御方法。 した事を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第３、発
明の詳細な説明 〔発明の技術分野〕 本発明は腐蝕液の制御方法に係や、特に帯状金属板とし
たアンバー材などの鉄及びニッケルを主成分とする合金
材を均一に微細精密鋪蝕する場合の腐蝕液の制御方法に
関するものである。 〔発明の技術的背景〕 例えばカラー受像管に内装するシャドウマスクとしては
一般に純鉄軟鋼板が多く使用されているが、高精密、高
精細度の画面が要求されるディスプレイ用のカラー受惨
管に内装するシャドウマスクはこの画面に対応するよう
に電子ビーム通過孔部の孔径、及びピッチも極めて微細
なものが使用される。−例としてデルタ型に円形電子ビ
ーム通過孔部の穿設されたシャドウマスクではピッチ０
．２０１１１１、電子銃側の孔径は直径０．１０１１１
１程度となっている。 シャドウマスクを内装するカラー受像管の最も重要な特
性は電子銃より発射された電子ビームをシャドウマスク
の電子ビーム通過孔部を通過して忠実に螢光面を形成す
る所定の螢光体層に射突させることである。しかしなが
ら、稼動中のシャドウマスクは時間の経過と共に電子ビ
ームの射突による温得上昇を伴い熱膨張を起し、その結
果電子ビームの軌跡と螢光体層との位置が合致しなくガ
、ゆ、所副ミスランディングを生じて色ずれ現象を起す
ことになる。 このことはカラー受像管としての致命的欠陥となるため
、解決方法として線膨張係数の極めて小さないわゆるア
ンバー材を使用する例も提案されている。このアンバー
材はニッケル鋼の一穫であり標準組成はｃ ＜ ０．２
０ Ｔｏ、Ｍｎ ０．５％、Ｎｉ３６％、残りがＦｅか
らな９、線膨張係数の小さいことが特徴であ妙、０〜４
０°Ｃで約Ｉ Ｘ ｌ Ｏ／ｄｅｌであり、この線膨張
係数の値は従来のシャドウマスク木材である純鉄軟鋼材
の約１／１０であり、この特性は普通の熱膨張と磁気的
体積収縮との重ね合わせによや現われるものと考えられ
ている。 〔背景技術の問題点〕 しかるにアンバー材などの鉄及びニッケルを主成分とす
る合金材は通常塩化第２鉄溶液を腐蝕液として腐蝕加工
するが、腐蝕が進行していく途中で腐蝕液である塩化第
２鉄溶液と反応したＮｉ、ｒｅは溶解しＦｅＣ１１、Ｎ
ｉＣ／ｌ 、などの物質を生成する。、しかし乍らＦｅ
Ｃ１＊ 、 ＮｉＣ１１ｔは腐蝕能力を有さない為、之
等の物質が腐蝕液中に生成増加すると腐蝕能力の低下を
招き腐蝕液を腐蝕可能な範囲に制御することが甚だ困難
となる問題点がある。これに対し純鉄軟鋼板を腐蝕する
際には下記反応系で塩素ガスを常時溶解させることによ
シ塩化第−鉄が塩化第二鉄に酸化されリサイクルが可能
となりさらに水を添加することにより常に一定の腐蝕液
の条件で管理することができる。即ち、 〔発明の目的〕 本発明は前記従来の問題点に鑑みなされたものであり、
アンバー材などの鉄及びニッケルを主成分とする合金材
を塩化第２鉄溶液の腐蝕液で腐蝕する場合、仁の腐蝕液
の腐蝕能力の低下を実質的に抑制する仁とが可能な腐蝕
液の制御方法を提供することを目的としている。 〔発明の［要〕 即ち１本発明は鉄及びニッケルを主成分とする合金材を
塩化第２鉄溶液からなる腐蝕液で腐蝕するに当り、（Ｎ
ｉ−Ｆｃ合金） 十ＦｅＣ１５−） ＮｒＣ１ｔ十Ｆｅ
Ｃ／１反応系に塩素ガス及び水を投入したり、又は純鉄
の腐蝕に用いられる組成を有す腐蝕液を投入することに
より、鉄及びニッケルを主成分とする合金材を腐蝕する
塩化第二鉄主成分の腐蝕液を実質的に一定比率以上に保
持し腐蝕能力低下を抑制させるようＫしたことを特徴と
している。 〔発明の実施例〕 次に本発明の実施例をアンバー合金材（３６１Ｎ＋−６
４１！ Ｆｅ ：重量％）を用いた場合について説明す
る。 （例１） 塩素を投入しない反応系では。 ０．６５ Ｆｅ ＋ ０．３５ Ｎ ｉ ＋ ２．０
ＦｅＣ１ｍ→２．６５Ｆｅ（Ｊ１＋０．３５ＮｉＣ／ｌ
・−（２）なる反応が起る。この結果１モルのア
ンバー材を腐蝕するととＫよって２モルの塩化第二鉄が
消費され、３モルの腐蝕に寄与しない塩化物が生成され
る。この事はシャドウマスクを製造してぃ〈Ｋ従い腐蝕
能力は大幅に低下し、規定の寸法を得るためには腐蝕時
間を長くせねばならず生産効率がおちることになる。更
に腐蝕に寄与しない塩化物が増加しすぎると反応系が乱
れ水酸化物の生成を促進するため孔形状が乱れる。一方
この系にＣ１，を投入した反応系では。 ０．６５Ｆｅ ＋ ０．３５Ｎｊ ＋ ２．０ＦｅＣ１
ｍ ＋ １．３２５Ｃ１２→２．６５ＦｅＣ１ｓ＋０．
３５ＮｉＣ１１−１３）なる反応が起きる。この結果（
２）式で示し九反応系と比較し、エツチングに寄与しな
い塩化物の生成は約１／９で、腐蝕され丸鉄、ニッケル
の重量増分及び塩素ガスの重量増分による比重ｕｐを水
を添加する事により一定に保つことにより、腐蝕液の腐
蝕能力低下を大幅に抑制する仁とができる。 この嫉体例を第１図により説明する。 アンバー材（２）からなるシャドウマスクの製造ゾーン
＋１）は腐蝕工程（３）と、感光膜除去工程（４）から
構成されている、このうちアンバー材（２）の腐蝕工程
（３）でタンク（４）ポンプ（ＰＩ）を介して矢印方向
に腐蝕液を流し、エツチング反応により生成されたＦｅ
Ｃｌ２＋ Ｎｔｃ／ｌはタンク（４）に戻る。一方ポン
プ（Ｐ、）を介してタンク（４）中の腐蝕液はリサイク
ルし、このラインに塩素ガス（５）を供給する。更に比
重をコントロールする為に水（６）をエツチング液がリ
サイクルするラインに供給し、且つ腐蝕液のＰＨをコン
トロールするためにタンク（Ａ）に塩酸（７）を供給す
る。増徴したエツチング液の一部は排液管（８）からア
ルカリ中和工程、酸化工程、湯洗工程、濾過分離工程を
経て処理される。これＫよ）腐蝕液の腐蝕能力低下速度
を大幅に抑制することが可能となる。 （例２） 純鉄は塩化第二鉄溶液にて腐蝕した場合、前述した反応
式＋１）により１モルの鉄を腐蝕して２モルの塩化第二
鉄を消費し３モルの塩化第二鉄を生成する。従って１モ
ルの塩化第二鉄が増加する事になり、２２インチのシャ
ドウマスク１枚を腐蝕すると鉄分としては９５６ｇ腐蝕
されるためＦｅＣＡ！１増量分としては。 ９５．６０９／ Ｆｅ （分子量） ＝ ｘ／ｙｅｃｌ
ｓ （分子量）−４４）の式を使用することＫよシ。 ９５．６０９１５５．８４ ＝Ｘ／１６２．２１
−１５＞即ち Ｘ’ｌ ２５０Ｊｉ’（ｒｅ（Ｊｍ
１００嗟）、つｔ）２２インチの純鉄のシャドウマスク
を１枚腐蝕することにより約２５０ Ｊｉ’ （ＦｅＣ
６＊ １００慢）。 即ち通常の５０ ｗｔ嚢ＦｅＣ１５濃度換算では約５０
０．９の塩化第二鉄溶液が生成増量されることになる。 この増量した分を前述反応式（２）で変化する腐蝕液中
に常時投入することにより（例１）に比較し更に塩化ニ
ッケルの増加速度を抑制することができ、結果として腐
蝕液の腐蝕能力低下を大幅に抑制することができる。 この具体ガな第２図により説明する。 即ち、純鉄ＩＩｋ鋼板傷邊からなるシャドウマスク材の
製造ゾーンＩは腐蝕工ＳａＷと、感光膜除去工程Ｉから
構成され、またアンバー材（ハ）からなるシャドウマス
クの製造ゾーンＣυも腐蝕工程（ハ）と感光膜除去工８
Ｉ（２４）から構成されている。 このうち、純鉄軟鋼板圓の腐蝕工程−でタンク（４）、
ポンプ（Ｐ、）を介して矢印の方向に腐蝕液を流しエツ
チング反応により生成され九ＦｅＣ１ｔはタンク（４）
に戻る。一方ポンプ（Ｐ、）を介してタンク（４）中の
腐蝕液はリサイクルし、このラインに塩素ガス０りを供
給する。更に比重をコントロールする為に水ｔｔｅを腐
蝕液がリサイクルするラインに供給し、且つ腐蝕液のＰ
Ｈをコントロールするためタンク（４）に１Ｍ酸ＯＤを
供給する。これにより一定の組成を有する腐蝕液が生成
増量され、この増量された塩化第二鉄からなる腐蝕液は
排液管翰）を通してストレージタンク（Ｂ）に移され、
さらにタンク（Ｃ）にアシバー材０４の腐蝕工程（至）
用として貯蔵される。一方アンパー材（ハ）の腐蝕工程
（至）ではタンク（Ｄ）ポンプ（Ｐｌ）を介して矢印方
向に腐蝕液を流しアンバー材（社）を腐蝕させ、腐蝕さ
れた液をタンク（Ｄ）に戻す。一方ポンプ（Ｐｔ）を介
してタンク（１）ｌ中の腐蝕液ｔｉ ＩＪプサイルし、
このラインに塩素ガス（ハ）を供給する。更に比重をコ
ントロールする為に水（至）を腐蝕液がリサイクルする
ラインに供給し、且つ腐蝕液のＰＨをコントロールする
丸めタンク（Ｄ）に塩酸＠を供給する。またタンク（Ｃ
）から調整済の腐蝕液が一定量ずつ腐蝕工程（ハ）に投
入される。タンク（Ｃ）から一定量腐蝕工程（至）に供
給した分とアンバー材（２）の腐蝕工程Ｑ３で生成増加
した分をたした全増量分は排液管（至）を通してタンク
（Ｅ） Ｋ貯められる。このタンク（匂の腐蝕排液はア
ルカリ中和工程、酸化工程、湯洗工程、濾過分離工程の
処理能力にあわせ一定量ずつ処理される。この結果（例
１）に比較し更にアンバー材を腐蝕する腐蝕液中の塩化
ニッケルの腐蝕液中に占める割合をさらに小さく抑制す
ることができ、結果として腐蝕液の腐蝕能力低下を実質
的に大幅に抑制することができる。 （例３） 純鉄の腐蝕液と同じ組成を持つ腐蝕液（新液）をストレ
ージタンクに貯え、ここから常時一定量アンパー材の腐
蝕工程に供給する。 （例４） アンバー材の腐蝕工程に純鉄で生成増量された腐蝕液と
ストレージタンクに貯えた腐蝕液（新液）とを供給する
。 〔発明の効果〕 （Ｎｉ−Ｆｅ合金） ＋ Ｆ ｅ Ｃｌ ＠−→ＮｉＣ
ｌ２ ＋ＦｅＣ１１の反応系において、時間とともに腐
蝕に寄与しないＮｉＣ／を及びＦｅ Ｃ１！が増加し、
この結果腐蝕速度が低下こて量産効率がおちるが、前述
のように本発明によれば上記反応系に塩素ガスを投入す
ることによ秒、又は純鉄の腐蝕液組成を有す塩化第二鉄
からなる腐蝕液を投入することにより、鉄及びニッケル
を主成分とする合金材の腐蝕液中のＮｌＣｌ鵞及びＦｅ
Ｃ＾の占める比率を小さくすることができ、結果として
腐蝕液の腐蝕能力低下を大幅に抑制でき量産効率及びシ
ャドウマスク品位を低下きせることなく製造が可能で、
その工業的価値は極めて大である。 ４、図面の簡単な説明 第１図及び第２図は本発明の腐蝕液の制御方法を説明す
るための腐蝕装置の概略構成図である。 （２）、（２）アンバー材 ０邊・・純鉄軟鋼板（３
１、１１３、（ハ）・腐蝕ゾーン（Ｐ） ポンプ（４
）、 （Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ） 、 （ｇ）
タンク代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図
鉄軟銅板とアンバーとの腐鮪工模における塩化第２鉄溶
液からなる腐−液の動きを示す説明図である。 ２・・・純鉄軟鋼板 ３．１３・−・腐蝕ゾーンＰ・
・ポンプ Ａ 、 Ｂ 、 Ｃ、Ｄ 、 Ｅ・・
タンク１５・・・排液管 代理人 弁理士 井 上 −男 ｊ ４ 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第０４８９７５号 ２、発明の名称 腐蝕液の制御方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）東京芝浦電気株式会社 ４代理人 〒１４４ 東京都大田区蒲田４丁目４１番１１号 第−津野田ビル 弁上特許事務所内 電話 ７３６−３５５８ ５、補正の対象 Ａ）明細書全文 Ｂ）図 面 ６、 補正の内容 Ａ）別紙の通シ Ｂ）図を別紙第１図及び第２図と差換える。 以上 訂正明細書 １、発明の名称 腐蝕液の制御方法 ２、特許請求の範囲 （刀 鉄及びニッケルを主成分とする合金材を塩化Ｍ２
鉄溶液からなる腐蝕液で腐蝕するに当に、その低下を抑
制した事を特徴とする腐蝕液の制御方法。 した事を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第３、発
明の詳細な説明 〔発明の技術分野〕 本発明は腐蝕液の制御方法に係や、特に帯状金属板とし
たアンバー材などの鉄及びニッケルを主成分とする合金
材を均一に微細精密鋪蝕する場合の腐蝕液の制御方法に
関するものである。 〔発明の技術的背景〕 例えばカラー受像管に内装するシャドウマスクとしては
一般に純鉄軟鋼板が多く使用されているが、高精密、高
精細度の画面が要求されるディスプレイ用のカラー受惨
管に内装するシャドウマスクはこの画面に対応するよう
に電子ビーム通過孔部の孔径、及びピッチも極めて微細
なものが使用される。−例としてデルタ型に円形電子ビ
ーム通過孔部の穿設されたシャドウマスクではピッチ０
．２０１１１１、電子銃側の孔径は直径０．１０１１１
１程度となっている。 シャドウマスクを内装するカラー受像管の最も重要な特
性は電子銃より発射された電子ビームをシャドウマスク
の電子ビーム通過孔部を通過して忠実に螢光面を形成す
る所定の螢光体層に射突させることである。しかしなが
ら、稼動中のシャドウマスクは時間の経過と共に電子ビ
ームの射突による温得上昇を伴い熱膨張を起し、その結
果電子ビームの軌跡と螢光体層との位置が合致しなくガ
、ゆ、所副ミスランディングを生じて色ずれ現象を起す
ことになる。 このことはカラー受像管としての致命的欠陥となるため
、解決方法として線膨張係数の極めて小さないわゆるア
ンバー材を使用する例も提案されている。このアンバー
材はニッケル鋼の一穫であり標準組成はｃ ＜ ０．２
０ Ｔｏ、Ｍｎ ０．５％、Ｎｉ３６％、残りがＦｅか
らな９、線膨張係数の小さいことが特徴であ妙、０〜４
０°Ｃで約Ｉ Ｘ ｌ Ｏ／ｄｅｌであり、この線膨張
係数の値は従来のシャドウマスク木材である純鉄軟鋼材
の約１／１０であり、この特性は普通の熱膨張と磁気的
体積収縮との重ね合わせによや現われるものと考えられ
ている。 〔背景技術の問題点〕 しかるにアンバー材などの鉄及びニッケルを主成分とす
る合金材は通常塩化第２鉄溶液を腐蝕液として腐蝕加工
するが、腐蝕が進行していく途中で腐蝕液である塩化第
２鉄溶液と反応したＮｉ、ｒｅは溶解しＦｅＣ１１、Ｎ
ｉＣ／ｌ 、などの物質を生成する。、しかし乍らＦｅ
Ｃ１＊ 、 ＮｉＣ１１ｔは腐蝕能力を有さない為、之
等の物質が腐蝕液中に生成増加すると腐蝕能力の低下を
招き腐蝕液を腐蝕可能な範囲に制御することが甚だ困難
となる問題点がある。これに対し純鉄軟鋼板を腐蝕する
際には下記反応系で塩素ガスを常時溶解させることによ
シ塩化第−鉄が塩化第二鉄に酸化されリサイクルが可能
となりさらに水を添加することにより常に一定の腐蝕液
の条件で管理することができる。即ち、 〔発明の目的〕 本発明は前記従来の問題点に鑑みなされたものであり、
アンバー材などの鉄及びニッケルを主成分とする合金材
を塩化第２鉄溶液の腐蝕液で腐蝕する場合、仁の腐蝕液
の腐蝕能力の低下を実質的に抑制する仁とが可能な腐蝕
液の制御方法を提供することを目的としている。 〔発明の［要〕 即ち１本発明は鉄及びニッケルを主成分とする合金材を
塩化第２鉄溶液からなる腐蝕液で腐蝕するに当り、（Ｎ
ｉ−Ｆｃ合金） 十ＦｅＣ１５−） ＮｒＣ１ｔ十Ｆｅ
Ｃ／１反応系に塩素ガス及び水を投入したり、又は純鉄
の腐蝕に用いられる組成を有す腐蝕液を投入することに
より、鉄及びニッケルを主成分とする合金材を腐蝕する
塩化第二鉄主成分の腐蝕液を実質的に一定比率以上に保
持し腐蝕能力低下を抑制させるようＫしたことを特徴と
している。 〔発明の実施例〕 次に本発明の実施例をアンバー合金材（３６１Ｎ＋−６
４１！ Ｆｅ ：重量％）を用いた場合について説明す
る。 （例１） 塩素を投入しない反応系では。 ０．６５ Ｆｅ ＋ ０．３５ Ｎ ｉ ＋ ２．０
ＦｅＣ１ｍ→２．６５Ｆｅ（Ｊ１＋０．３５ＮｉＣ／ｌ
・−（２）なる反応が起る。この結果１モルのア
ンバー材を腐蝕するととＫよって２モルの塩化第二鉄が
消費され、３モルの腐蝕に寄与しない塩化物が生成され
る。この事はシャドウマスクを製造してぃ〈Ｋ従い腐蝕
能力は大幅に低下し、規定の寸法を得るためには腐蝕時
間を長くせねばならず生産効率がおちることになる。更
に腐蝕に寄与しない塩化物が増加しすぎると反応系が乱
れ水酸化物の生成を促進するため孔形状が乱れる。一方
この系にＣ１，を投入した反応系では。 ０．６５Ｆｅ ＋ ０．３５Ｎｊ ＋ ２．０ＦｅＣ１
ｍ ＋ １．３２５Ｃ１２→２．６５ＦｅＣ１ｓ＋０．
３５ＮｉＣ１１−１３）なる反応が起きる。この結果（
２）式で示し九反応系と比較し、エツチングに寄与しな
い塩化物の生成は約１／９で、腐蝕され丸鉄、ニッケル
の重量増分及び塩素ガスの重量増分による比重ｕｐを水
を添加する事により一定に保つことにより、腐蝕液の腐
蝕能力低下を大幅に抑制する仁とができる。 この嫉体例を第１図により説明する。 アンバー材（２）からなるシャドウマスクの製造ゾーン
＋１）は腐蝕工程（３）と、感光膜除去工程（４）から
構成されている、このうちアンバー材（２）の腐蝕工程
（３）でタンク（４）ポンプ（ＰＩ）を介して矢印方向
に腐蝕液を流し、エツチング反応により生成されたＦｅ
Ｃｌ２＋ Ｎｔｃ／ｌはタンク（４）に戻る。一方ポン
プ（Ｐ、）を介してタンク（４）中の腐蝕液はリサイク
ルし、このラインに塩素ガス（５）を供給する。更に比
重をコントロールする為に水（６）をエツチング液がリ
サイクルするラインに供給し、且つ腐蝕液のＰＨをコン
トロールするためにタンク（Ａ）に塩酸（７）を供給す
る。増徴したエツチング液の一部は排液管（８）からア
ルカリ中和工程、酸化工程、湯洗工程、濾過分離工程を
経て処理される。これＫよ）腐蝕液の腐蝕能力低下速度
を大幅に抑制することが可能となる。 （例２） 純鉄は塩化第二鉄溶液にて腐蝕した場合、前述した反応
式＋１）により１モルの鉄を腐蝕して２モルの塩化第二
鉄を消費し３モルの塩化第二鉄を生成する。従って１モ
ルの塩化第二鉄が増加する事になり、２２インチのシャ
ドウマスク１枚を腐蝕すると鉄分としては９５６ｇ腐蝕
されるためＦｅＣＡ！１増量分としては。 ９５．６０９／ Ｆｅ （分子量） ＝ ｘ／ｙｅｃｌ
ｓ （分子量）−４４）の式を使用することＫよシ。 ９５．６０９１５５．８４ ＝Ｘ／１６２．２１
−１５＞即ち Ｘ’ｌ ２５０Ｊｉ’（ｒｅ（Ｊｍ
１００嗟）、つｔ）２２インチの純鉄のシャドウマスク
を１枚腐蝕することにより約２５０ Ｊｉ’ （ＦｅＣ
６＊ １００慢）。 即ち通常の５０ ｗｔ嚢ＦｅＣ１５濃度換算では約５０
０．９の塩化第二鉄溶液が生成増量されることになる。 この増量した分を前述反応式（２）で変化する腐蝕液中
に常時投入することにより（例１）に比較し更に塩化ニ
ッケルの増加速度を抑制することができ、結果として腐
蝕液の腐蝕能力低下を大幅に抑制することができる。 この具体ガな第２図により説明する。 即ち、純鉄ＩＩｋ鋼板傷邊からなるシャドウマスク材の
製造ゾーンＩは腐蝕工ＳａＷと、感光膜除去工程Ｉから
構成され、またアンバー材（ハ）からなるシャドウマス
クの製造ゾーンＣυも腐蝕工程（ハ）と感光膜除去工８
Ｉ（２４）から構成されている。 このうち、純鉄軟鋼板圓の腐蝕工程−でタンク（４）、
ポンプ（Ｐ、）を介して矢印の方向に腐蝕液を流しエツ
チング反応により生成され九ＦｅＣ１ｔはタンク（４）
に戻る。一方ポンプ（Ｐ、）を介してタンク（４）中の
腐蝕液はリサイクルし、このラインに塩素ガス０りを供
給する。更に比重をコントロールする為に水ｔｔｅを腐
蝕液がリサイクルするラインに供給し、且つ腐蝕液のＰ
Ｈをコントロールするためタンク（４）に１Ｍ酸ＯＤを
供給する。これにより一定の組成を有する腐蝕液が生成
増量され、この増量された塩化第二鉄からなる腐蝕液は
排液管翰）を通してストレージタンク（Ｂ）に移され、
さらにタンク（Ｃ）にアシバー材０４の腐蝕工程（至）
用として貯蔵される。一方アンパー材（ハ）の腐蝕工程
（至）ではタンク（Ｄ）ポンプ（Ｐｌ）を介して矢印方
向に腐蝕液を流しアンバー材（社）を腐蝕させ、腐蝕さ
れた液をタンク（Ｄ）に戻す。一方ポンプ（Ｐｔ）を介
してタンク（１）ｌ中の腐蝕液ｔｉ ＩＪプサイルし、
このラインに塩素ガス（ハ）を供給する。更に比重をコ
ントロールする為に水（至）を腐蝕液がリサイクルする
ラインに供給し、且つ腐蝕液のＰＨをコントロールする
丸めタンク（Ｄ）に塩酸＠を供給する。またタンク（Ｃ
）から調整済の腐蝕液が一定量ずつ腐蝕工程（ハ）に投
入される。タンク（Ｃ）から一定量腐蝕工程（至）に供
給した分とアンバー材（２）の腐蝕工程Ｑ３で生成増加
した分をたした全増量分は排液管（至）を通してタンク
（Ｅ） Ｋ貯められる。このタンク（匂の腐蝕排液はア
ルカリ中和工程、酸化工程、湯洗工程、濾過分離工程の
処理能力にあわせ一定量ずつ処理される。この結果（例
１）に比較し更にアンバー材を腐蝕する腐蝕液中の塩化
ニッケルの腐蝕液中に占める割合をさらに小さく抑制す
ることができ、結果として腐蝕液の腐蝕能力低下を実質
的に大幅に抑制することができる。 （例３） 純鉄の腐蝕液と同じ組成を持つ腐蝕液（新液）をストレ
ージタンクに貯え、ここから常時一定量アンパー材の腐
蝕工程に供給する。 （例４） アンバー材の腐蝕工程に純鉄で生成増量された腐蝕液と
ストレージタンクに貯えた腐蝕液（新液）とを供給する
。 〔発明の効果〕 （Ｎｉ−Ｆｅ合金） ＋ Ｆ ｅ Ｃｌ ＠−→ＮｉＣ
ｌ２ ＋ＦｅＣ１１の反応系において、時間とともに腐
蝕に寄与しないＮｉＣ／を及びＦｅ Ｃ１！が増加し、
この結果腐蝕速度が低下こて量産効率がおちるが、前述
のように本発明によれば上記反応系に塩素ガスを投入す
ることによ秒、又は純鉄の腐蝕液組成を有す塩化第二鉄
からなる腐蝕液を投入することにより、鉄及びニッケル
を主成分とする合金材の腐蝕液中のＮｌＣｌ鵞及びＦｅ
Ｃ＾の占める比率を小さくすることができ、結果として
腐蝕液の腐蝕能力低下を大幅に抑制でき量産効率及びシ
ャドウマスク品位を低下きせることなく製造が可能で、
その工業的価値は極めて大である。 ４、図面の簡単な説明 第１図及び第２図は本発明の腐蝕液の制御方法を説明す
るための腐蝕装置の概略構成図である。 （２）、（２）アンバー材 ０邊・・純鉄軟鋼板（３
１、１１３、（ハ）・腐蝕ゾーン（Ｐ） ポンプ（４
）、 （Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ） 、 （ｇ）
タンク代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図
Claims (1)
- 鉄及びニッケル會主成分とする合金材を塩化菖２鉄５ｉ
ｌｌからなる腐蝕波で腐蝕するに当シ、純鉄を前記塩化
藁２鉄＃１１筐からなる腐蝕液て腐蝕して生成増量され
る塩化１［２鉄を（Ｆ＠−Ｎ１合金）＋ＦｅＣ４→組Ｃ
４＋ ＦｅＣｌ２ Ｏ反応系に投入することによに、前
記鉄及びニッケルを主成分とする合金材を腐蝕する前記
塩化篇２鉄溶液からなる腐蝕ｉｌの腐蝕能力を一定条件
に制御さぜるようＫし九ことｔ４１黴とする腐蝕液の制
御方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048975A JPS58167771A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 腐蝕液の制御方法 |
| US06/479,849 US4472236A (en) | 1982-03-29 | 1983-03-28 | Method for etching Fe-Ni alloy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048975A JPS58167771A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 腐蝕液の制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58167771A true JPS58167771A (ja) | 1983-10-04 |
| JPS6337192B2 JPS6337192B2 (ja) | 1988-07-25 |
Family
ID=12818258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048975A Granted JPS58167771A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 腐蝕液の制御方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4472236A (ja) |
| JP (1) | JPS58167771A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1204143A (en) * | 1982-08-27 | 1986-05-06 | Kanemitsu Sato | Textured shadow mask |
| JPS60200985A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| US4747907A (en) * | 1986-10-29 | 1988-05-31 | International Business Machines Corporation | Metal etching process with etch rate enhancement |
| DE3740381A1 (de) * | 1987-11-27 | 1989-06-08 | Siemens Ag | Aetzverfahren fuer nickel |
| JPH02148690U (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 | ||
| US5227010A (en) * | 1991-04-03 | 1993-07-13 | International Business Machines Corporation | Regeneration of ferric chloride etchants |
| US5456795A (en) * | 1993-05-20 | 1995-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for regenerating etching liquid |
| US5863681A (en) * | 1996-09-19 | 1999-01-26 | Wickeder Westgalenstahl Gmbh | Composite shadow mask |
| US5718874A (en) * | 1996-12-19 | 1998-02-17 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Solvent extraction method of separating ferric chloride from nickel chloride |
| US5795492A (en) * | 1997-04-30 | 1998-08-18 | Vlsi Technology, Inc. | Etching metals using chlorine gas and hydrochloric gas in de-ionized water |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158342A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-14 | Sumitomo Metal Mining Co | Etching iron alloy |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP57048975A patent/JPS58167771A/ja active Granted
-
1983
- 1983-03-28 US US06/479,849 patent/US4472236A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337192B2 (ja) | 1988-07-25 |
| US4472236A (en) | 1984-09-18 |
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