JPS6337192B2 - - Google Patents
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- JPS6337192B2 JPS6337192B2 JP57048975A JP4897582A JPS6337192B2 JP S6337192 B2 JPS6337192 B2 JP S6337192B2 JP 57048975 A JP57048975 A JP 57048975A JP 4897582 A JP4897582 A JP 4897582A JP S6337192 B2 JPS6337192 B2 JP S6337192B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
- H01J9/142—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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- C23F1/02—Local etching
-
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- C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は腐蝕液の制御方法に係り、特に帯状金
属板としたアンバー材などの鉄及びニツケルを主
成分とする合金材を均一に微細精密腐蝕する場合
の腐蝕液の制御方法に関するものである。
属板としたアンバー材などの鉄及びニツケルを主
成分とする合金材を均一に微細精密腐蝕する場合
の腐蝕液の制御方法に関するものである。
例えばカラー受像管に内装するシヤドウマスク
としては一般に純鉄軟鋼板が多く使用されている
が、高精密、高精細度の画面が要求されるデイス
プレイ用のカラー受像管に内装するシヤドウマス
クはこの画面に対応するように電子ビーム通過孔
部の孔径、及びピツチも極めて微細なものが使用
される。一例としてデルタ型に円形電子ビーム通
過孔部の穿設されたシヤドウマスクではピツチ
0.20mm、電子銃側の孔径は直径0.10mm程度となつ
ている。
としては一般に純鉄軟鋼板が多く使用されている
が、高精密、高精細度の画面が要求されるデイス
プレイ用のカラー受像管に内装するシヤドウマス
クはこの画面に対応するように電子ビーム通過孔
部の孔径、及びピツチも極めて微細なものが使用
される。一例としてデルタ型に円形電子ビーム通
過孔部の穿設されたシヤドウマスクではピツチ
0.20mm、電子銃側の孔径は直径0.10mm程度となつ
ている。
シヤドウマスクを内装するカラー受像管の最も
重要な特性は電子銃より発射された電子ビームを
シヤドウマスクの電子ビーム通過孔部を通過して
忠実に螢光面を形成する所定の螢光体層に射突さ
せることである。しかしながら、稼動中のシヤド
ウマスクは時間の経過と共に電子ビームの射突に
よる温度上昇を伴い熱膨張を起し、その結果電子
ビームの軌跡と螢光体層との位置が合致しなくな
り、所謂ミスランデイングを生じて色ずれ現象を
起すことになる。
重要な特性は電子銃より発射された電子ビームを
シヤドウマスクの電子ビーム通過孔部を通過して
忠実に螢光面を形成する所定の螢光体層に射突さ
せることである。しかしながら、稼動中のシヤド
ウマスクは時間の経過と共に電子ビームの射突に
よる温度上昇を伴い熱膨張を起し、その結果電子
ビームの軌跡と螢光体層との位置が合致しなくな
り、所謂ミスランデイングを生じて色ずれ現象を
起すことになる。
このことはカラー受像管としての致命的欠陥と
なるため、解決方法として線膨張係数の極めて小
さないわゆるアンバー材を使用する例も提案され
ている。このアンバー材はニツケル鋼の一種であ
り標準組成はＣ＜0.20％、Mn0.5％、Ni36％、残
りがFeからなり、線膨張係数の小さいことが特
徴であり、０〜40℃で約１×10-6／degであり、
この線膨張係数の値は従来のシヤドウマスク素材
である純鉄軟鋼材の約１／10であり、この特性は
普通の熱膨張と磁気的体積収縮との重ね合わせに
より現われるものと考えられている。
なるため、解決方法として線膨張係数の極めて小
さないわゆるアンバー材を使用する例も提案され
ている。このアンバー材はニツケル鋼の一種であ
り標準組成はＣ＜0.20％、Mn0.5％、Ni36％、残
りがFeからなり、線膨張係数の小さいことが特
徴であり、０〜40℃で約１×10-6／degであり、
この線膨張係数の値は従来のシヤドウマスク素材
である純鉄軟鋼材の約１／10であり、この特性は
普通の熱膨張と磁気的体積収縮との重ね合わせに
より現われるものと考えられている。
本発明は前記従来の問題点に鑑みなされたもの
であり、アンバー材などの鉄及びニツケルを主成
分とする合金材を塩化第２鉄溶液の腐蝕液で腐蝕
する場合、この腐蝕液の腐蝕能力の低下を実質的
に抑制することが可能な腐蝕液の制御方法を提供
することを目的としている。
であり、アンバー材などの鉄及びニツケルを主成
分とする合金材を塩化第２鉄溶液の腐蝕液で腐蝕
する場合、この腐蝕液の腐蝕能力の低下を実質的
に抑制することが可能な腐蝕液の制御方法を提供
することを目的としている。
即ち、本発明は鉄及びニツケルを主成分とする
合金材を塩化第二鉄溶液からなる腐蝕液で腐蝕す
るに当り、（Ni―Fe合金）＋FeCl3→NiCl2＋
FeCl2反応系に塩素ガス及び水を投入したり、又
は純鉄の腐蝕に用いられる組成を有す腐蝕液を投
入することにより、鉄及びニツケルを主成分とす
る合金材を腐蝕する塩化第二鉄主成分の腐蝕液を
実質的に一定比率以上に保持し腐蝕能力低下を抑
制させるようにしたことを特徴としている。
合金材を塩化第二鉄溶液からなる腐蝕液で腐蝕す
るに当り、（Ni―Fe合金）＋FeCl3→NiCl2＋
FeCl2反応系に塩素ガス及び水を投入したり、又
は純鉄の腐蝕に用いられる組成を有す腐蝕液を投
入することにより、鉄及びニツケルを主成分とす
る合金材を腐蝕する塩化第二鉄主成分の腐蝕液を
実質的に一定比率以上に保持し腐蝕能力低下を抑
制させるようにしたことを特徴としている。
次に本発明の実施例をアンバー合金材（36％
Ni―64％Fe：重量％）を用いた場合について説
明する。
Ni―64％Fe：重量％）を用いた場合について説
明する。
例 １
塩素を投入しない反応系では、
0.65Fe＋0.35Ni＋2.0FeCl3
→2.65FeCl2＋0.35NiCl2 …(2)
なる反応が起る。この結果１モルのアンバー材を
腐蝕することによつて２モルの塩化第二鉄が消費
され、３モルの腐蝕に寄与しない塩化物が生成さ
れる。この事はシヤドウマスクを製造していくに
従い腐蝕能力は大幅に低下し、規定の寸法を得る
ためには腐蝕時間を長くせねばならず生産効率が
おちることになる。更に腐蝕に寄与しない塩化物
が増加しすぎると反応系が乱れ水酸化物の生成を
促進するため孔形状が乱れる。一方この系にCl2
を投入した反応系では、 0.65Fe＋0.35Ni＋2.0FeCl3＋1.325Cl2 →2.65FeCl3＋0.35NiCl2 …(3) なる反応が起きる。この結課(2)式で示した反応系
と比較し、エツチングに寄与しない塩化物の生成
は約１／９で、腐蝕されて鉄、ニツケルの重量増
分及び塩素ガスの重量増分による比重upを水を
添加する事により一定に保つことにより、腐蝕液
の腐蝕能力低下を大幅に抑制することができる。
腐蝕することによつて２モルの塩化第二鉄が消費
され、３モルの腐蝕に寄与しない塩化物が生成さ
れる。この事はシヤドウマスクを製造していくに
従い腐蝕能力は大幅に低下し、規定の寸法を得る
ためには腐蝕時間を長くせねばならず生産効率が
おちることになる。更に腐蝕に寄与しない塩化物
が増加しすぎると反応系が乱れ水酸化物の生成を
促進するため孔形状が乱れる。一方この系にCl2
を投入した反応系では、 0.65Fe＋0.35Ni＋2.0FeCl3＋1.325Cl2 →2.65FeCl3＋0.35NiCl2 …(3) なる反応が起きる。この結課(2)式で示した反応系
と比較し、エツチングに寄与しない塩化物の生成
は約１／９で、腐蝕されて鉄、ニツケルの重量増
分及び塩素ガスの重量増分による比重upを水を
添加する事により一定に保つことにより、腐蝕液
の腐蝕能力低下を大幅に抑制することができる。
この具体例を第１図により説明する。
アンバー材２からなるシヤドウマスクの製造ゾ
ーン１は腐蝕工程３と、感光膜除去工程４から構
成されている。このうちアンバー材２の腐蝕工程
３でタンクＡポンプP1を介して矢印方向に腐蝕
液を流し、エツチング反応により生成された
FeCl2＋NiCl2はタンクＡに戻る。一方ポンプP2
を介してタンクＡ中の腐蝕液はリサイクルし、こ
のラインに塩素ガス５を供給する。更に比重をコ
ントロールする為に水６をエツチング液がリサイ
クルするラインに供給し、且つ腐蝕液のPHをコ
ントロールするためにタンクＡに塩酸７を供給す
る。増量したエツチング液の一部は排液管８から
アルカリ中和工程、酸化工程、湯洗工程、瀘過分
離工程を経て処理される。これにより腐蝕液の腐
蝕能力低下速度を大幅に抑制することが可能とな
る。
ーン１は腐蝕工程３と、感光膜除去工程４から構
成されている。このうちアンバー材２の腐蝕工程
３でタンクＡポンプP1を介して矢印方向に腐蝕
液を流し、エツチング反応により生成された
FeCl2＋NiCl2はタンクＡに戻る。一方ポンプP2
を介してタンクＡ中の腐蝕液はリサイクルし、こ
のラインに塩素ガス５を供給する。更に比重をコ
ントロールする為に水６をエツチング液がリサイ
クルするラインに供給し、且つ腐蝕液のPHをコ
ントロールするためにタンクＡに塩酸７を供給す
る。増量したエツチング液の一部は排液管８から
アルカリ中和工程、酸化工程、湯洗工程、瀘過分
離工程を経て処理される。これにより腐蝕液の腐
蝕能力低下速度を大幅に抑制することが可能とな
る。
例 ２
純鉄は塩化第二鉄溶液にて腐蝕した場合、前述
した反応式(1)により１モルの鉄を腐蝕して２モル
の塩化第二鉄を消費し３モルの塩化第二鉄を生成
する。従つて１モルの塩化第二鉄が増加する事に
なり、22インチのシヤドウマスク１枚を腐蝕する
と鉄分としては95.6ｇ腐蝕されるためFeCl3増量
分としては、 95.60ｇ／Fe（分子量）＝Ｘ／FeCl3（分子量） …(4) の式を使用することにより、 95.60ｇ／55.84＝Ｘ／162.21 …(5) 即ち Ｘ≒250ｇ（FeCl3 100％）、 つまり22インチの純鉄のシヤドウマスクを１枚
腐蝕することにより約250ｇ（FeCl3100％）、即
ち通常の50wt％FeCl3濃度換算では約500ｇの塩
化第二鉄溶液が生成増量されることになる。この
増量した分を前述反応式(2)で変化する腐蝕液中に
常時投入することにより例１に比較し更に塩化ニ
ツケルの増加速度を抑制することができ、結果と
して腐蝕液の腐蝕能力低下を大幅に抑制すること
ができる。
した反応式(1)により１モルの鉄を腐蝕して２モル
の塩化第二鉄を消費し３モルの塩化第二鉄を生成
する。従つて１モルの塩化第二鉄が増加する事に
なり、22インチのシヤドウマスク１枚を腐蝕する
と鉄分としては95.6ｇ腐蝕されるためFeCl3増量
分としては、 95.60ｇ／Fe（分子量）＝Ｘ／FeCl3（分子量） …(4) の式を使用することにより、 95.60ｇ／55.84＝Ｘ／162.21 …(5) 即ち Ｘ≒250ｇ（FeCl3 100％）、 つまり22インチの純鉄のシヤドウマスクを１枚
腐蝕することにより約250ｇ（FeCl3100％）、即
ち通常の50wt％FeCl3濃度換算では約500ｇの塩
化第二鉄溶液が生成増量されることになる。この
増量した分を前述反応式(2)で変化する腐蝕液中に
常時投入することにより例１に比較し更に塩化ニ
ツケルの増加速度を抑制することができ、結果と
して腐蝕液の腐蝕能力低下を大幅に抑制すること
ができる。
この具体例を第２図により説明する。
即ち、純鉄軟鋼板１２からなるシヤドウマスク
材の製造ゾーン１１は腐蝕工程１３と、感光膜除
去工程１４から構成され、またアンバー材２２か
らなるシヤドウマスクの製造ゾーン２１も腐蝕工
程２３と感光膜除去工程２４から構成されてい
る。
材の製造ゾーン１１は腐蝕工程１３と、感光膜除
去工程１４から構成され、またアンバー材２２か
らなるシヤドウマスクの製造ゾーン２１も腐蝕工
程２３と感光膜除去工程２４から構成されてい
る。
このうち、純鉄軟鋼板１２の腐蝕工程１３でタ
ンクＡ、ポンプP1を介して矢印の方向に腐蝕液
を流しエツチング反応により生成されたFeCl2は
タンクＡに戻る。一方ポンプP2を介してタンク
Ａ中の腐蝕液はリサイクルし、このラインに塩素
ガス１５を供給する。更に比重をコントロールす
る為に水１６を腐蝕液がリサイクルするラインに
供給し、且つ腐蝕液のPHをコントロールするた
めタンクＡに塩酸１７を供給する。これにより一
定の組成を有する腐蝕液が生成増量され、この増
量された塩化第二鉄からなる腐蝕液は排液管８１
を通してストレージタンクＢに移され、さらにタ
ンクＣにアンバー材２２の腐蝕工程２３用として
貯蔵される。一方アンバー材２２の腐蝕工程２３
ではタンクＤポンプP1を介して矢印方向に腐蝕
液を流しアンバー材２２を腐蝕させ、腐蝕された
液をタンクＤに戻す。一方ポンプP2を介してタ
ンクＤ中の腐蝕液はリサイクルし、このラインに
塩素ガス２５を供給する。更に比重をコントロー
ルする為に水２６を腐蝕液がリサイクルするライ
ンに供給し、且つ腐蝕液のPHをコントロールす
るためタンクＤに塩酸２７を供給する。またタン
クＣから調整済の腐蝕液が一定量ずつ腐蝕工程２
３に投入される。タンクＣから一定量腐蝕工程２
３に供給した分とアンバー材２２の腐蝕工程２３
で生成増加した分をたした全増量分は排液管２８
を通してタンクＥに貯められる。このタンクＥの
腐蝕排液はアルカリ中和工程、酸化工程、湯洗工
程、瀘過分離工程の処理能力にあわせ一定量ずつ
処理される。この結果例１に比較し更にアンバー
材を腐蝕する腐蝕液中の塩化ニツケルの腐蝕液中
に占める割合をさらに小さく抑制することがで
き、結果として腐蝕液の腐蝕能力低下を実質的に
大幅に抑制することができる。
ンクＡ、ポンプP1を介して矢印の方向に腐蝕液
を流しエツチング反応により生成されたFeCl2は
タンクＡに戻る。一方ポンプP2を介してタンク
Ａ中の腐蝕液はリサイクルし、このラインに塩素
ガス１５を供給する。更に比重をコントロールす
る為に水１６を腐蝕液がリサイクルするラインに
供給し、且つ腐蝕液のPHをコントロールするた
めタンクＡに塩酸１７を供給する。これにより一
定の組成を有する腐蝕液が生成増量され、この増
量された塩化第二鉄からなる腐蝕液は排液管８１
を通してストレージタンクＢに移され、さらにタ
ンクＣにアンバー材２２の腐蝕工程２３用として
貯蔵される。一方アンバー材２２の腐蝕工程２３
ではタンクＤポンプP1を介して矢印方向に腐蝕
液を流しアンバー材２２を腐蝕させ、腐蝕された
液をタンクＤに戻す。一方ポンプP2を介してタ
ンクＤ中の腐蝕液はリサイクルし、このラインに
塩素ガス２５を供給する。更に比重をコントロー
ルする為に水２６を腐蝕液がリサイクルするライ
ンに供給し、且つ腐蝕液のPHをコントロールす
るためタンクＤに塩酸２７を供給する。またタン
クＣから調整済の腐蝕液が一定量ずつ腐蝕工程２
３に投入される。タンクＣから一定量腐蝕工程２
３に供給した分とアンバー材２２の腐蝕工程２３
で生成増加した分をたした全増量分は排液管２８
を通してタンクＥに貯められる。このタンクＥの
腐蝕排液はアルカリ中和工程、酸化工程、湯洗工
程、瀘過分離工程の処理能力にあわせ一定量ずつ
処理される。この結果例１に比較し更にアンバー
材を腐蝕する腐蝕液中の塩化ニツケルの腐蝕液中
に占める割合をさらに小さく抑制することがで
き、結果として腐蝕液の腐蝕能力低下を実質的に
大幅に抑制することができる。
例 ３
純鉄の腐蝕液と同じ組成を持つ腐蝕液（新液）
をストレージタンクに貯え、ここから常時一定量
アンバー材の腐蝕工程に供給する。
をストレージタンクに貯え、ここから常時一定量
アンバー材の腐蝕工程に供給する。
例 ４
アンバー材の腐蝕工程に純鉄で生成増量された
腐蝕液とストレージタンクに貯えた腐蝕液（新
液）とを供給する。
腐蝕液とストレージタンクに貯えた腐蝕液（新
液）とを供給する。
（Ni―Fe合金）＋FeCl3→NiCl2＋FeCl2の反応
系において、時間とともに腐蝕に寄与しない
NiCl2及びFeCl2が増加し、この結果腐蝕速度が
低下して量産効率がおちるが、前述のように本発
明によれば上記反応系に塩素ガスを投入すること
により、又は純鉄の腐蝕液組成を有す塩化第二鉄
からなる腐蝕液を投入することにより、鉄及びニ
ツケルを主成分とする合金材の腐蝕液中のNiCl2
及びFeCl2の占める比率を小さくすることがで
き、結果として腐蝕液の腐蝕能力低下を大幅に抑
制でき量産効率及びシヤドウマスク品位を低下さ
せることなく製造が可能で、その工業的価値は極
めて大である。
系において、時間とともに腐蝕に寄与しない
NiCl2及びFeCl2が増加し、この結果腐蝕速度が
低下して量産効率がおちるが、前述のように本発
明によれば上記反応系に塩素ガスを投入すること
により、又は純鉄の腐蝕液組成を有す塩化第二鉄
からなる腐蝕液を投入することにより、鉄及びニ
ツケルを主成分とする合金材の腐蝕液中のNiCl2
及びFeCl2の占める比率を小さくすることがで
き、結果として腐蝕液の腐蝕能力低下を大幅に抑
制でき量産効率及びシヤドウマスク品位を低下さ
せることなく製造が可能で、その工業的価値は極
めて大である。
第１図は本発明の一実施例である腐蝕液の制御
方法を説明するための腐蝕装置の概略構成図、第
２図は他の実施例を説明するための腐蝕装置の概
略構成図である。 ２，２２……アンバー材、１２……純鉄軟鋼
板、３，１３，２３……腐蝕ゾーン、Ｐ……ポン
プ、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ……タンク。
方法を説明するための腐蝕装置の概略構成図、第
２図は他の実施例を説明するための腐蝕装置の概
略構成図である。 ２，２２……アンバー材、１２……純鉄軟鋼
板、３，１３，２３……腐蝕ゾーン、Ｐ……ポン
プ、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ……タンク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鉄及びニツケルを主成分とする合金材を塩化
第２鉄溶液からなる腐蝕液で腐蝕するに当り、そ
の反応系である（Fe―Ni合金）＋FeCl3→NiCl2
＋FeCl2にCl2、H2O及び塩化第２鉄溶液を投入す
ることにより腐蝕能力の低下を抑制した事を特徴
とする腐蝕液の制御方法。 ２ 純鉄を塩化第２鉄溶液からなる腐蝕液で腐蝕
して生成された塩化第２鉄液を鉄及びニツケルを
主成分とする合金材を塩化第２鉄で腐蝕する反応
系に投入し、その系の腐蝕能力低下を抑制した事
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の腐蝕液
の制御方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048975A JPS58167771A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 腐蝕液の制御方法 |
| US06/479,849 US4472236A (en) | 1982-03-29 | 1983-03-28 | Method for etching Fe-Ni alloy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048975A JPS58167771A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 腐蝕液の制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58167771A JPS58167771A (ja) | 1983-10-04 |
| JPS6337192B2 true JPS6337192B2 (ja) | 1988-07-25 |
Family
ID=12818258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048975A Granted JPS58167771A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 腐蝕液の制御方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4472236A (ja) |
| JP (1) | JPS58167771A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148690U (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1204143A (en) * | 1982-08-27 | 1986-05-06 | Kanemitsu Sato | Textured shadow mask |
| JPS60200985A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| US4747907A (en) * | 1986-10-29 | 1988-05-31 | International Business Machines Corporation | Metal etching process with etch rate enhancement |
| DE3740381A1 (de) * | 1987-11-27 | 1989-06-08 | Siemens Ag | Aetzverfahren fuer nickel |
| US5227010A (en) * | 1991-04-03 | 1993-07-13 | International Business Machines Corporation | Regeneration of ferric chloride etchants |
| US5456795A (en) * | 1993-05-20 | 1995-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for regenerating etching liquid |
| US5863681A (en) * | 1996-09-19 | 1999-01-26 | Wickeder Westgalenstahl Gmbh | Composite shadow mask |
| US5718874A (en) * | 1996-12-19 | 1998-02-17 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Solvent extraction method of separating ferric chloride from nickel chloride |
| US5795492A (en) * | 1997-04-30 | 1998-08-18 | Vlsi Technology, Inc. | Etching metals using chlorine gas and hydrochloric gas in de-ionized water |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158342A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-14 | Sumitomo Metal Mining Co | Etching iron alloy |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP57048975A patent/JPS58167771A/ja active Granted
-
1983
- 1983-03-28 US US06/479,849 patent/US4472236A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148690U (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4472236A (en) | 1984-09-18 |
| JPS58167771A (ja) | 1983-10-04 |
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