JPS58172817A - ガスブツシング - Google Patents
ガスブツシングInfo
- Publication number
- JPS58172817A JPS58172817A JP5387582A JP5387582A JPS58172817A JP S58172817 A JPS58172817 A JP S58172817A JP 5387582 A JP5387582 A JP 5387582A JP 5387582 A JP5387582 A JP 5387582A JP S58172817 A JPS58172817 A JP S58172817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- tube
- center conductor
- gas
- gas bushing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Insulators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガスブッシングに係り、特に中心導体、碍管、
コンデンサ筒等を有するガスブッシングに関するもので
ある。
コンデンサ筒等を有するガスブッシングに関するもので
ある。
従来のコンデンサ型ブッシングすなわちコンテンサ分圧
化ガスブツンングは、用いられるコンデンサ筒か中心導
体と接しているために、コンデンサ筒が電気絶縁破壊す
るとガスブッシングとしても電気絶縁破壊することにな
り、直ちに使用不能となる欠点がめった。この点を改良
するものとして第１図及び第２図に示されているような
ガスブッシングが開発された。このガスブッシングは中
心導体１、この中心導体１を包囲する碍管２、及びこれ
らによって形成されるガス空間内の碍管２と中心導体１
との間に配置されたコンデンサ筒３から構成されている
。そしてこのコンデンサ筒３は中心導体１との間に十分
なガス空間をもって配置されている。このようにしてコ
ンデンサ筒３を配置することにより、コンデンサ筒３の
電気絶縁破壊によってガスブッシングが直ちに使用不能
になることは回避できたが、コンデンサ筒３の最内周側
電極４と中心導体１との間の静電容量が小さくなり、コ
ンデンサ筒３でガスブッシング全体の電位分布を十分よ
く改善することができなかった。
化ガスブツンングは、用いられるコンデンサ筒か中心導
体と接しているために、コンデンサ筒が電気絶縁破壊す
るとガスブッシングとしても電気絶縁破壊することにな
り、直ちに使用不能となる欠点がめった。この点を改良
するものとして第１図及び第２図に示されているような
ガスブッシングが開発された。このガスブッシングは中
心導体１、この中心導体１を包囲する碍管２、及びこれ
らによって形成されるガス空間内の碍管２と中心導体１
との間に配置されたコンデンサ筒３から構成されている
。そしてこのコンデンサ筒３は中心導体１との間に十分
なガス空間をもって配置されている。このようにしてコ
ンデンサ筒３を配置することにより、コンデンサ筒３の
電気絶縁破壊によってガスブッシングが直ちに使用不能
になることは回避できたが、コンデンサ筒３の最内周側
電極４と中心導体１との間の静電容量が小さくなり、コ
ンデンサ筒３でガスブッシング全体の電位分布を十分よ
く改善することができなかった。
なおコンデンサ筒３の最内周側電極４と中心導体１との
間の静電容量が小さくなるのは、コンデンサ筒３ｔ−形
成する固体絶縁材料よりもガス空間を形成する絶縁性ガ
スの誘電率が小さいためである。
間の静電容量が小さくなるのは、コンデンサ筒３ｔ−形
成する固体絶縁材料よりもガス空間を形成する絶縁性ガ
スの誘電率が小さいためである。
すなわちコンデンサ＃３を例えばエポキシ樹脂含浸紙で
構成すると、その比誘電率は約４であるが絶縁性ガスの
比誘１１率は１であり、固体絶縁材料でるるエポキシ樹
脂含浸紙の約１／４なので、対向面積を同じにすれば絶
縁性ガス部分の静電容量は固体絶縁材料部分の約１７４
となる。
構成すると、その比誘電率は約４であるが絶縁性ガスの
比誘１１率は１であり、固体絶縁材料でるるエポキシ樹
脂含浸紙の約１／４なので、対向面積を同じにすれば絶
縁性ガス部分の静電容量は固体絶縁材料部分の約１７４
となる。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、その目的
とするところは、コンデンサ筒の静電容量が大きなガス
ブッシングを提供するＫｈる。
とするところは、コンデンサ筒の静電容量が大きなガス
ブッシングを提供するＫｈる。
すなわち本発明は、コンデンサ筒と中心導体との間に、
コンデンサ筒内の最内周側電極と接続し、かつ最内周側
電極の軸方向長さよりも大きな分圧円筒を設けたことを
特徴とするものでるる。
コンデンサ筒内の最内周側電極と接続し、かつ最内周側
電極の軸方向長さよりも大きな分圧円筒を設けたことを
特徴とするものでるる。
以下、図示した実施例に基づいて本発明を説明する。第
３図には本発明の一実施例か示されている。なお従来と
同じ部分には同じ符号を付したので説明は省略する。本
実施例ではコンデンサ筒３１− と中心導体１との間にコンアンサ筒３内の最内周側電極
４と接続し、かつ最内周側電極４の軸方向長さよりも大
きな分圧円筒５を設けた。このようにすることによりコ
ンデンサ筒３の最内周１１１％極４と中心導体１との静
電容量を従来よりも大きくすることができる。それはコ
ンデンサ筒３と中心導体１との間に配置し、かつコンデ
ンサ筒３の最内周側電極４と接続して最内周側電極４と
同電位とした分圧円筒５の軸方向長さを、最内周側電極
４のそれよりも大きくしたので、最内周側電極４と中心
導体１との対向面積が大きくなるからである。従って分
圧円筒５の軸方向長さを最内周０ＩＩＩｔ極４のそれよ
りも長くすればする程コンデンサ筒３の静電容量を増加
させることができ、例えば５００ｋＶ級のａ７ｍの碍管
２中に３ｍのコンデンサ筒３に一装置した場合、従来は
１５０ＰＦであったのに対し、：１５０ＰＦとすること
ができた。
３図には本発明の一実施例か示されている。なお従来と
同じ部分には同じ符号を付したので説明は省略する。本
実施例ではコンデンサ筒３１− と中心導体１との間にコンアンサ筒３内の最内周側電極
４と接続し、かつ最内周側電極４の軸方向長さよりも大
きな分圧円筒５を設けた。このようにすることによりコ
ンデンサ筒３の最内周１１１％極４と中心導体１との静
電容量を従来よりも大きくすることができる。それはコ
ンデンサ筒３と中心導体１との間に配置し、かつコンデ
ンサ筒３の最内周側電極４と接続して最内周側電極４と
同電位とした分圧円筒５の軸方向長さを、最内周側電極
４のそれよりも大きくしたので、最内周側電極４と中心
導体１との対向面積が大きくなるからである。従って分
圧円筒５の軸方向長さを最内周０ＩＩＩｔ極４のそれよ
りも長くすればする程コンデンサ筒３の静電容量を増加
させることができ、例えば５００ｋＶ級のａ７ｍの碍管
２中に３ｍのコンデンサ筒３に一装置した場合、従来は
１５０ＰＦであったのに対し、：１５０ＰＦとすること
ができた。
このようにコンデンサ筒３の静電容量か大きくなるので
碍管２表面の電位補正効果を大きくとることができるば
かりでなく、ガスブッシングの静電容量も大きくするζ
、とができ、従来のガスブッシングの静電容量が約１０
０ ＰＦであったのに対し、約２００〜３００ＰＦとす
ることができる。
碍管２表面の電位補正効果を大きくとることができるば
かりでなく、ガスブッシングの静電容量も大きくするζ
、とができ、従来のガスブッシングの静電容量が約１０
０ ＰＦであったのに対し、約２００〜３００ＰＦとす
ることができる。
なお本実施例は、使用電圧が高くなってコンデンサｔｆ
ｔＪ３の軸方向長さと径とが大きくなり、一体品で製造
できないような場合にも適用できる。
ｔＪ３の軸方向長さと径とが大きくなり、一体品で製造
できないような場合にも適用できる。
第４図には本発明の他の実施例が示されている。
本実施例では分圧円筒５１−１下部になる程その内径を
大きくしたコンデンサ筒３ａに適用した。このようにコ
ンデンサ筒３ａの内径を下部になる程大きくしであるの
は、コンデンサ筒３ａと分圧用ＷＪ５との間に加わる電
圧が下部になる程大きくなるので、必要な絶縁距離を確
保する念めである。
大きくしたコンデンサ筒３ａに適用した。このようにコ
ンデンサ筒３ａの内径を下部になる程大きくしであるの
は、コンデンサ筒３ａと分圧用ＷＪ５との間に加わる電
圧が下部になる程大きくなるので、必要な絶縁距離を確
保する念めである。
この場合にも前述の場合と同様な作用効果を奏すること
ができる。
ができる。
なおコンデンサ筒３ａの上部にシールド環６を取り付け
、これと分圧円筒５とを電気的に接続すると共Ｋ、分圧
円筒５を支持するようにしてあり、分圧円筒５は図示さ
れているようにコンデンサ筒３ａの最内周側電極４より
も上方に伸びないようにしであるが、最内周側電極４よ
りも上方に伸びてもよい。
、これと分圧円筒５とを電気的に接続すると共Ｋ、分圧
円筒５を支持するようにしてあり、分圧円筒５は図示さ
れているようにコンデンサ筒３ａの最内周側電極４より
も上方に伸びないようにしであるが、最内周側電極４よ
りも上方に伸びてもよい。
上述のように本発明は、コンデンサ筒の最内周側電極と
接続し、この最内周側電極の軸方向長さよりも大きな分
圧円筒を設けたので、中心導体との対向面積が大きくな
って、コンデンサ筒の静電容量が大きくなり、コンデン
サ筒の静電容量が大きなガスブッシングを得ることがで
きる。
接続し、この最内周側電極の軸方向長さよりも大きな分
圧円筒を設けたので、中心導体との対向面積が大きくな
って、コンデンサ筒の静電容量が大きくなり、コンデン
サ筒の静電容量が大きなガスブッシングを得ることがで
きる。
第１図は従来のガスブッシングの縦断側面図、第２図は
従来のガスブッシングのコンデンサ筒近傍の縦断側面図
、第３図は本発明のガスブッシングの一実施例の縦断側
面図、第４図は本発明のガスブッシングの他の実施例の
縦断側面図である。 １・・・中心導体、２・・・碍管、３，３ａ・・・コン
テンサ第 ／ 図 第 ２ 国 第 ３ 日
従来のガスブッシングのコンデンサ筒近傍の縦断側面図
、第３図は本発明のガスブッシングの一実施例の縦断側
面図、第４図は本発明のガスブッシングの他の実施例の
縦断側面図である。 １・・・中心導体、２・・・碍管、３，３ａ・・・コン
テンサ第 ／ 図 第 ２ 国 第 ３ 日
Claims (1)
- １、 中心導体と、この中心導体を包囲する？ｊ＋管と
、これらによって形成されるガス空間内の前記碍管と前
記中心導体との間に配置されたコンデンサ筒とからなる
ガスブッシングにおいて、前記コンデンサ筒と前記中心
導体との間に、前記コンデンサ筒内の最内周側電極と接
続し、かつ前記最内周１１１１゛極の軸方向長さよりも
大きな分圧円筒を設けたことを％徴とするガスブッシン
グ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5387582A JPS58172817A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | ガスブツシング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5387582A JPS58172817A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | ガスブツシング |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172817A true JPS58172817A (ja) | 1983-10-11 |
Family
ID=12954914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5387582A Pending JPS58172817A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | ガスブツシング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019114933A1 (de) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochspannungsdurchführung |
-
1982
- 1982-04-02 JP JP5387582A patent/JPS58172817A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019114933A1 (de) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochspannungsdurchführung |
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