JPS58181768A - 多結晶質圧縮体を製造するための改良された掃通法 - Google Patents
多結晶質圧縮体を製造するための改良された掃通法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイヤモンドおよび立方晶窒化aS(CBN
)圧縮体(oompaats )を製造するための高圧
/高温(HP/HT)法に関する。特に本発明は劣った
焼結帯域および不規則性の如き欠陥の発生の減少により
かか−る圧縮体の製造における増大した収量を生ぜしめ
うるap/u’r法の改良に関する。
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かか−る圧縮体の製造における増大した収量を生ぜしめ
うるap/u’r法の改良に関する。
圧縮体は一体的な、強靭な、凝着した高強度環体を形成
するため結合された研摩粒子(例えばダイヤモンド)の
焼結多結晶質環体である。
するため結合された研摩粒子(例えばダイヤモンド)の
焼結多結晶質環体である。
複合圧縮体は焼結炭化物合金(例えばコバルト焼結炭化
タングステン)の如き、基体材料に結合した圧縮体であ
る。金属結合炭化物合金塊は一般に炭化タングステン、
炭化チタン、炭化タンタルおよびそれらの混合物からな
る群から選択され、その中に金属結合性材料が通常約6
〜25重量優の瀘で存在し、それらはコバルト、ニッケ
ル、鉄およびそれらの混合物から選択される。他の金属
炭化物も使用できる。
タングステン)の如き、基体材料に結合した圧縮体であ
る。金属結合炭化物合金塊は一般に炭化タングステン、
炭化チタン、炭化タンタルおよびそれらの混合物からな
る群から選択され、その中に金属結合性材料が通常約6
〜25重量優の瀘で存在し、それらはコバルト、ニッケ
ル、鉄およびそれらの混合物から選択される。他の金属
炭化物も使用できる。
圧縮体または複合圧縮体は切削工具、ドリルビット、ド
レッサー工具、および摩耗部品のためのブランクとして
使用できる。筒状の形に作られた圧縮体は線引きダイを
作るために使用されている(米国特許第3831428
号参照)。
レッサー工具、および摩耗部品のためのブランクとして
使用できる。筒状の形に作られた圧縮体は線引きダイを
作るために使用されている(米国特許第3831428
号参照)。
ダイヤモンド圧縮体を製造するための一つの方法は、
A、HP/HT装置の反応室内に配置した保護シールド
金属包囲体内に (1)ダイヤモンド結晶の置体および (2ダイヤモンド結晶の置体と接触状態で触媒金属を含
有する合金または触媒金属の置体を置き、 B、南の内容物を、隣接結晶粒子間に結合を与えるのに
充分な温度、圧力率よび時間(代表的なものは少なくと
も50Kbar1少なくとも1300℃および3〜12
0分)の条件に付す 工程を含む。
金属包囲体内に (1)ダイヤモンド結晶の置体および (2ダイヤモンド結晶の置体と接触状態で触媒金属を含
有する合金または触媒金属の置体を置き、 B、南の内容物を、隣接結晶粒子間に結合を与えるのに
充分な温度、圧力率よび時間(代表的なものは少なくと
も50Kbar1少なくとも1300℃および3〜12
0分)の条件に付す 工程を含む。
触媒金属の置体は、ダイヤモンド結晶化のため良く知ら
れている触媒または少なくともl櫨の触媒金属を含有す
る合金の一つの盤の形であることができる。IF /
HT条件下で、液体金属の波が緻密なダイヤモンドまた
はCBN材料を通って進行する、そして触媒金属は(液
体の形で)、再結晶化またはダイヤモンド結晶相互生槌
のための触媒または溶媒としてそれ自体を有効に作用さ
せる。触媒および触媒/溶媒なる語は同じ意味に使用す
る。この方法は時には掃通(mwpeepthroug
h )法として知られて鵠)る、即ち触媒がダイヤモン
ド環体を通って掃引(または進行または拡散)する。
れている触媒または少なくともl櫨の触媒金属を含有す
る合金の一つの盤の形であることができる。IF /
HT条件下で、液体金属の波が緻密なダイヤモンドまた
はCBN材料を通って進行する、そして触媒金属は(液
体の形で)、再結晶化またはダイヤモンド結晶相互生槌
のための触媒または溶媒としてそれ自体を有効に作用さ
せる。触媒および触媒/溶媒なる語は同じ意味に使用す
る。この方法は時には掃通(mwpeepthroug
h )法として知られて鵠)る、即ち触媒がダイヤモン
ド環体を通って掃引(または進行または拡散)する。
研摩置体および触媒の相対的な形は変えることができる
。例えばダイヤモンド環体は筒状であることができ、触
媒は研摩粒子の簡を取りまく魂の形であることができる
、またはダイヤモンド環体の上ドに置いた盤であること
もできる。
。例えばダイヤモンド環体は筒状であることができ、触
媒は研摩粒子の簡を取りまく魂の形であることができる
、またはダイヤモンド環体の上ドに置いた盤であること
もできる。
触媒源は、接合剤がダイヤモンド再結晶化または生長の
ための触媒または溶媒である炭化物合金成形粉末(これ
は形に冷間圧縮するとよい)または焼結炭化物合金であ
ることもできる。
ための触媒または溶媒である炭化物合金成形粉末(これ
は形に冷間圧縮するとよい)または焼結炭化物合金であ
ることもできる。
触媒は一般にコバルト、ニッケルおよび鉄から選択する
が、しかしルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金、
クロム、マンガン、タンタルまたはそれらの混合物も含
む既知の触媒の何れかから選択できあるいは触媒の合金
であることもできる。触媒は研摩結晶に隣接した別の置
体に加えてまたはその代りに研摩結晶と混合できる。
が、しかしルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金、
クロム、マンガン、タンタルまたはそれらの混合物も含
む既知の触媒の何れかから選択できあるいは触媒の合金
であることもできる。触媒は研摩結晶に隣接した別の置
体に加えてまたはその代りに研摩結晶と混合できる。
ダイヤモンド安定帯域における高温および高圧はダイヤ
モンド結晶を結合または焼結させるのに充分な時間適用
する。ダイヤモンド安定帯域は、ダイヤモンドが熱力学
的に安定である圧力温度条件の範囲である。圧力一温度
状態図上で、それはダイヤモンドとグラファイトの間の
平衡線の上の高圧力側である。形成される圧縮体は特に
ダイヤモンド対ダイヤモンド結合、即ち隣接粒子間の結
合を特長として付し、これによって(HP/HT条件下
で再結晶化により生ずる)近接結晶粒子間で共有される
結晶格子の部分が存在する。ダイヤモンド濃度はダイヤ
モンド環体の少なくとも70容量優であるのが好ましい
(即ち基体橋体を除いて)。ダイヤモンド圧縮体を作る
方法は米国特許第3141746号、第3745623
号、第3609818号、第3831418号および第
3850591号に詳細に記載されている(これらの全
てはここに引用して組入れる)。
モンド結晶を結合または焼結させるのに充分な時間適用
する。ダイヤモンド安定帯域は、ダイヤモンドが熱力学
的に安定である圧力温度条件の範囲である。圧力一温度
状態図上で、それはダイヤモンドとグラファイトの間の
平衡線の上の高圧力側である。形成される圧縮体は特に
ダイヤモンド対ダイヤモンド結合、即ち隣接粒子間の結
合を特長として付し、これによって(HP/HT条件下
で再結晶化により生ずる)近接結晶粒子間で共有される
結晶格子の部分が存在する。ダイヤモンド濃度はダイヤ
モンド環体の少なくとも70容量優であるのが好ましい
(即ち基体橋体を除いて)。ダイヤモンド圧縮体を作る
方法は米国特許第3141746号、第3745623
号、第3609818号、第3831418号および第
3850591号に詳細に記載されている(これらの全
てはここに引用して組入れる)。
立方晶窒化硼素圧縮体はダイヤモンドについて述べた方
法と同様の方法で作られる。しかしながら、掃通法でC
BN圧縮体を作るに当っては、CBN結晶塊体中を掃通
した金属はCBN再結晶化のための触媒または溶媒であ
ってもよく、あるいはなくてもよい。例えば多結晶′1
tCBNの置体は、コバルトがCBN用触媒でない場合
でなくとも、HP / HT条件下CBH塊置体細隙中
にコバルト成分を掃通することによってコバルト焼結炭
化タングステン基体に結合させることができる。
法と同様の方法で作られる。しかしながら、掃通法でC
BN圧縮体を作るに当っては、CBN結晶塊体中を掃通
した金属はCBN再結晶化のための触媒または溶媒であ
ってもよく、あるいはなくてもよい。例えば多結晶′1
tCBNの置体は、コバルトがCBN用触媒でない場合
でなくとも、HP / HT条件下CBH塊置体細隙中
にコバルト成分を掃通することによってコバルト焼結炭
化タングステン基体に結合させることができる。
この細隙間コバルトは多結1質CBNを焼結炭化タング
ステン基体に結合させる。それにもかかわらず、触媒な
る語は、便宜上CBN塊体中に掃引された結合性または
焼結性金属を表わすために使用される。ダイヤモンドま
たはCBN圧縮体の何れの場合においても、基体のコバ
ルト減損は基体の支持体機能に言を与える程充分なもの
ではない。
ステン基体に結合させる。それにもかかわらず、触媒な
る語は、便宜上CBN塊体中に掃引された結合性または
焼結性金属を表わすために使用される。ダイヤモンドま
たはCBN圧縮体の何れの場合においても、基体のコバ
ルト減損は基体の支持体機能に言を与える程充分なもの
ではない。
CBNに対するHP / HT焼結法は、CBNが熱力
学的に安定である圧力および温度条件の範囲であるCB
H安定帯域で実施される。CBN濃度はCBN塊体置体
なくとも70容量%であるのが好ましい。CBN圧縮体
の製造法は米国特許)[3233988号、第3743
489号、およびji 3767371号に詳述されて
いる、これらは引用してここに組入れる。結晶相互生長
または近接CBN粒子間の結晶対結晶結合が(ダイヤモ
ンド圧縮体について述べた如()存在すると信ぜられる
。
学的に安定である圧力および温度条件の範囲であるCB
H安定帯域で実施される。CBN濃度はCBN塊体置体
なくとも70容量%であるのが好ましい。CBN圧縮体
の製造法は米国特許)[3233988号、第3743
489号、およびji 3767371号に詳述されて
いる、これらは引用してここに組入れる。結晶相互生長
または近接CBN粒子間の結晶対結晶結合が(ダイヤモ
ンド圧縮体について述べた如()存在すると信ぜられる
。
熱的に安定な圧縮体の製造は米国特許第4288248
号および第4224380号に記載されている(この両
者は引用してここに組入れる)。これらの特許は、圧縮
体から実質的に全ての金WI4(触媒)相を除去して、
全般的に分散した孔の相互遍結したネットワークを有し
、自己結合したダイヤモンドまたは011粒子を含む圧
縮体を生ずることを教示している。かかる圧縮体は、約
700〜900℃の間の温度で熱的に劣化する例えば米
国特許第3745623号の圧縮体よりもすぐれた利点
である、実質的な熱劣化なしに約1200〜1300℃
の温度への曝露に耐えることができる。熱的劣化は、減
少した摩耗抵抗、横方向破壊強度および弾性モジュラス
の如き物理的性質における温度上昇と共に生ずる着しい
損失(例えば50%)で示される。金属または触媒相は
酸処理、液体亜鉛抽出、電解減損または同様の方法で除
去できる。
号および第4224380号に記載されている(この両
者は引用してここに組入れる)。これらの特許は、圧縮
体から実質的に全ての金WI4(触媒)相を除去して、
全般的に分散した孔の相互遍結したネットワークを有し
、自己結合したダイヤモンドまたは011粒子を含む圧
縮体を生ずることを教示している。かかる圧縮体は、約
700〜900℃の間の温度で熱的に劣化する例えば米
国特許第3745623号の圧縮体よりもすぐれた利点
である、実質的な熱劣化なしに約1200〜1300℃
の温度への曝露に耐えることができる。熱的劣化は、減
少した摩耗抵抗、横方向破壊強度および弾性モジュラス
の如き物理的性質における温度上昇と共に生ずる着しい
損失(例えば50%)で示される。金属または触媒相は
酸処理、液体亜鉛抽出、電解減損または同様の方法で除
去できる。
この種の圧縮体は熱安定性圧縮体として全般的に称され
る。
る。
微細なダイヤモンド供給材料は掃通法によって焼結する
のは常に困嫌であった。一般に供給材料粒子の大きさが
減少するに従って焼結は困難を増大させるようになる。
のは常に困嫌であった。一般に供給材料粒子の大きさが
減少するに従って焼結は困難を増大させるようになる。
小さい粒度のダイヤモンド供給材料の一つ(4〜8μの
公称最大寸法を有する粒子)は、反応室中に微細粉本を
装填すると壷また取扱うときまた清浄にするときその大
きな表面積および小さい大きさが困難を生せしめるため
時には問題があった。しかしながら、ダイヤモンド圧縮
体の粒度が減少するに従って、横方向破壊強度が増大す
ることも知られている、従って小さい粒子で作った圧縮
体は利点も与える。HP/H丁法中に付与される高圧下
(例えば5QKbar以上)、かかる微細研摩結晶圧縮
体はかなり大きな充填密度および非常に微細な孔構造を
生ぜしめる。従って形成されたダイヤモンド置体は緻密
であり、細隙を通る触媒金属のパーコレイションまたは
掃通に対する抵抗性を与える。
公称最大寸法を有する粒子)は、反応室中に微細粉本を
装填すると壷また取扱うときまた清浄にするときその大
きな表面積および小さい大きさが困難を生せしめるため
時には問題があった。しかしながら、ダイヤモンド圧縮
体の粒度が減少するに従って、横方向破壊強度が増大す
ることも知られている、従って小さい粒子で作った圧縮
体は利点も与える。HP/H丁法中に付与される高圧下
(例えば5QKbar以上)、かかる微細研摩結晶圧縮
体はかなり大きな充填密度および非常に微細な孔構造を
生ぜしめる。従って形成されたダイヤモンド置体は緻密
であり、細隙を通る触媒金属のパーコレイションまたは
掃通に対する抵抗性を与える。
傷は圧縮体の製造中焼結されたダイヤモンドおよびCB
N中で拡大する。かかる傷の例は焼結ダイヤモンドまた
はCBN容積中の劣ったまたは不均一的に結合した帯域
である。かかる優は無傷帯域よりも小さい硬度、触媒の
高濃度、少ない結晶対結晶結合、無傷帯域とは異なる色
(良く焼結したダイヤモンドは黒色であるのに対して灰
色)、または異なる組織を特長として有す石。切削工具
または線引ダイ圧縮体の場合、かかる傷は、それが表面
近くにあるとき、有価部域をラッピングする如き機械的
手段によって時には除去できる。線引きダイの内側が切
削工具の場合における如き外側縁でなく引き抜きをする
ことから、内部での傷は線引きダイにおいてはより大き
な厳密な規制を要する。従って劣った結合帯域の出現傾
度の減少は価値ある方法の改良である。
N中で拡大する。かかる傷の例は焼結ダイヤモンドまた
はCBN容積中の劣ったまたは不均一的に結合した帯域
である。かかる優は無傷帯域よりも小さい硬度、触媒の
高濃度、少ない結晶対結晶結合、無傷帯域とは異なる色
(良く焼結したダイヤモンドは黒色であるのに対して灰
色)、または異なる組織を特長として有す石。切削工具
または線引ダイ圧縮体の場合、かかる傷は、それが表面
近くにあるとき、有価部域をラッピングする如き機械的
手段によって時には除去できる。線引きダイの内側が切
削工具の場合における如き外側縁でなく引き抜きをする
ことから、内部での傷は線引きダイにおいてはより大き
な厳密な規制を要する。従って劣った結合帯域の出現傾
度の減少は価値ある方法の改良である。
別の問題は凹部(浅いところ)の形成であり、金属炭化
物が複合圧縮体の金属炭化物との界面でダイヤモンドま
たはCBN、間中のピットを充填する。これらの欠陥は
熱的に安定な圧縮体(米国特許第4224380号参照
)または仕上げられた切削工具植刃またはブランクの如
き物品を作るに当って非ダイヤモンドまたは非CBN材
料を除去するとき露出する。
物が複合圧縮体の金属炭化物との界面でダイヤモンドま
たはCBN、間中のピットを充填する。これらの欠陥は
熱的に安定な圧縮体(米国特許第4224380号参照
)または仕上げられた切削工具植刃またはブランクの如
き物品を作るに当って非ダイヤモンドまたは非CBN材
料を除去するとき露出する。
圧縮体の大きさおよびダイヤモンドまたはCBN原料粒
子のミクロンの大きさおよび優の出現の間には相関関係
がある。傷出現頻度は一定の大きさの圧縮体に対し粒度
が減少するに従って増大する。傷出現頻度はまた圧縮体
の大きさく即ち触媒/溶媒を掃通しなければならない距
l1l)が増大すると共に増大する。従って傷の減少は
小さい(10μより小さい)粒子で作った比較的大きな
圧縮体の場には最も重大な要件である。
子のミクロンの大きさおよび優の出現の間には相関関係
がある。傷出現頻度は一定の大きさの圧縮体に対し粒度
が減少するに従って増大する。傷出現頻度はまた圧縮体
の大きさく即ち触媒/溶媒を掃通しなければならない距
l1l)が増大すると共に増大する。従って傷の減少は
小さい(10μより小さい)粒子で作った比較的大きな
圧縮体の場には最も重大な要件である。
英国特許第1478510号および第1527328号
には、銅の金属間化合物を含む種々な材料から選択した
結合媒体を用いて作られるそれぞれダイヤモンドおよび
CBNの圧縮体が記載されている。銅は含浸された金属
マトリックスダイヤモンド工具のための金属結合粉末の
既知の成分でもある。それはまたダイヤモンドのための
既知の被覆金属でもある。
には、銅の金属間化合物を含む種々な材料から選択した
結合媒体を用いて作られるそれぞれダイヤモンドおよび
CBNの圧縮体が記載されている。銅は含浸された金属
マトリックスダイヤモンド工具のための金属結合粉末の
既知の成分でもある。それはまたダイヤモンドのための
既知の被覆金属でもある。
ここに示す方法は、HP / HT掃通圧縮体製造法に
おける銅および他の相対的に低融点金属1こ対する新規
な使用法を表わす。
おける銅および他の相対的に低融点金属1こ対する新規
な使用法を表わす。
上記技術背景分野で説明した如きHP / HT掃通法
は、ダイヤモンドまたはCBN塊体置体触した状態で、
触媒より低い融点を有し、触媒の機能を妨害せず、触媒
と混和しうる追加金属を置くことによって改良された。
は、ダイヤモンドまたはCBN塊体置体触した状態で、
触媒より低い融点を有し、触媒の機能を妨害せず、触媒
と混和しうる追加金属を置くことによって改良された。
低融点追加金属は触媒に先立ってダイヤモンドまたはC
BN塊体置体通するのが好ましい。低融点金属は始めか
らダイヤモンドまたはCB11と混合してもよく、ある
いは触媒源とダイヤモンドまたはCBN塊体置体に置い
てもよい。例えば銅シートまたは盤(通常厚さ250μ
以下)をコバルト盤(または複合圧縮体の場合にはコバ
ルト焼結炭化タングステン盤)とダイヤモンドまたはC
BN塊体置体に置くことができた。触媒金属は低融点金
属を掃通し、それと合金を形成し、圧縮体中に残り物(
例えば銅)を残す。ここに記載した金属の群に入る銅族
外の他の金属にはアルミニウム、亜鉛、錨、アンチモン
およびマグネシウムがコバルトが触媒のときにある。銀
aよび鉛を試みたが有効でなかった。−T能な説明は、
それらがコバルトと混和しないことにある。通常低融点
金属残存物の大部分は、J(P / l(丁処理中触媒
啄があった場所から最も遠い面にある。
BN塊体置体通するのが好ましい。低融点金属は始めか
らダイヤモンドまたはCB11と混合してもよく、ある
いは触媒源とダイヤモンドまたはCBN塊体置体に置い
てもよい。例えば銅シートまたは盤(通常厚さ250μ
以下)をコバルト盤(または複合圧縮体の場合にはコバ
ルト焼結炭化タングステン盤)とダイヤモンドまたはC
BN塊体置体に置くことができた。触媒金属は低融点金
属を掃通し、それと合金を形成し、圧縮体中に残り物(
例えば銅)を残す。ここに記載した金属の群に入る銅族
外の他の金属にはアルミニウム、亜鉛、錨、アンチモン
およびマグネシウムがコバルトが触媒のときにある。銀
aよび鉛を試みたが有効でなかった。−T能な説明は、
それらがコバルトと混和しないことにある。通常低融点
金属残存物の大部分は、J(P / l(丁処理中触媒
啄があった場所から最も遠い面にある。
追加金属の量はダイヤモンドまたはCB81体の全断面
を通って追加金属の掃通を確立するのに充分な大きさと
すべきである。しかしながらその置は触媒の機能または
触媒掃通を阻止する程大量とすべきではない。例えばダ
イヤモンドおよび触媒源の間でダイヤモンド置体の直径
と同じ直径を有する盤として追加金属として銅を使用す
るとき、好ましい厚さの範囲は厚さ約4.3關のダイヤ
モンドj−に対し銅25〜250μである。
を通って追加金属の掃通を確立するのに充分な大きさと
すべきである。しかしながらその置は触媒の機能または
触媒掃通を阻止する程大量とすべきではない。例えばダ
イヤモンドおよび触媒源の間でダイヤモンド置体の直径
と同じ直径を有する盤として追加金属として銅を使用す
るとき、好ましい厚さの範囲は厚さ約4.3關のダイヤ
モンドj−に対し銅25〜250μである。
触媒より低い融点を傅することは、低融点金属が触媒よ
り前に動くようになる(即ちHP / HT室の加熱中
より早く動く)。中間材料の機能は、進行する触媒より
先立ってダイヤモンドま・たはCBN粉末の細隙中また
は表面上の不純物を動かすこととなるようである。それ
はまた焼結前にダイヤモンドまたはCBN粉末の再配置
および圧縮化を助けるか潤滑するものと思われる。この
現象は進行する触媒金属に先立って研摩粉末をより均一
に圧縮化させ、架橋を避けさせることができる。
り前に動くようになる(即ちHP / HT室の加熱中
より早く動く)。中間材料の機能は、進行する触媒より
先立ってダイヤモンドま・たはCBN粉末の細隙中また
は表面上の不純物を動かすこととなるようである。それ
はまた焼結前にダイヤモンドまたはCBN粉末の再配置
および圧縮化を助けるか潤滑するものと思われる。この
現象は進行する触媒金属に先立って研摩粉末をより均一
に圧縮化させ、架橋を避けさせることができる。
低融点追加金属を含有する合金も、それらが触媒の機能
を妨害をしない限り使用できる。かかる合金はそれらが
触媒を含有するときには触媒源および追加金属合金の両
者として作用しさえする。かかる二重機能合金の例はコ
バルトおよび銅の合金(例えばコバルト10%、銅50
%、−よびマンガン40%)、および銅およびニッケル
の合金(例えばfiA55%およびニッケル45%)が
ある。
を妨害をしない限り使用できる。かかる合金はそれらが
触媒を含有するときには触媒源および追加金属合金の両
者として作用しさえする。かかる二重機能合金の例はコ
バルトおよび銅の合金(例えばコバルト10%、銅50
%、−よびマンガン40%)、および銅およびニッケル
の合金(例えばfiA55%およびニッケル45%)が
ある。
形成された焼結塊体は工具またはダイブランクを作るた
めの通常の方法で仕上げることができる。追加中間また
は低融点金属は、使用したHP / HT条件下で使用
した触媒およびダイヤモンドまたはCBH粉末に対して
不活性または非反応性で、汚染物(例えば空気)を除去
または1侠に充分な活性でなければならない。
めの通常の方法で仕上げることができる。追加中間また
は低融点金属は、使用したHP / HT条件下で使用
した触媒およびダイヤモンドまたはCBH粉末に対して
不活性または非反応性で、汚染物(例えば空気)を除去
または1侠に充分な活性でなければならない。
第1図は触媒としてコバルトaよび低融点金属として銅
を用いた本発明方法によって作られた筒状ダイヤモンド
圧縮体(直径約5.3麿および長さ3.5 ff )の
断面の顕微−写真(208)である。
を用いた本発明方法によって作られた筒状ダイヤモンド
圧縮体(直径約5.3麿および長さ3.5 ff )の
断面の顕微−写真(208)である。
第2A図〜第2C図は第1図の筒状ダイヤモンド圧縮体
の断面を通したいくつかの点でのエネルギー拡散性X線
スペクトルである。それぞれの場合において、垂直軸の
全長は16000X線カウントであり、水平軸の全長は
20000電子ボルトである。第2ム図は触IIX源の
次にあった表面での銅およびコバルト濃度を示す。第2
B図は焼結ダイヤモンドの中央近くの点での銅およびコ
バルト濃度を示す。第2C図は触媒源があった所から最
も遠い圧縮体の面近くでの銅およびコバルト濃度を示す
。
の断面を通したいくつかの点でのエネルギー拡散性X線
スペクトルである。それぞれの場合において、垂直軸の
全長は16000X線カウントであり、水平軸の全長は
20000電子ボルトである。第2ム図は触IIX源の
次にあった表面での銅およびコバルト濃度を示す。第2
B図は焼結ダイヤモンドの中央近くの点での銅およびコ
バルト濃度を示す。第2C図は触媒源があった所から最
も遠い圧縮体の面近くでの銅およびコバルト濃度を示す
。
第3図は本発明の改良をせず1こ、コバルト触媒を用い
た方法によって掃引して作った筒状ダイヤモンド圧縮体
(長さ約5.30 )の断面の顧徽鏡写真(20倍)で
ある、内部の傷は写真の底の方に向って明瞭に示されて
いる。
た方法によって掃引して作った筒状ダイヤモンド圧縮体
(長さ約5.30 )の断面の顧徽鏡写真(20倍)で
ある、内部の傷は写真の底の方に向って明瞭に示されて
いる。
第4A図〜第4C図は第3図の筒状ダイヤモンド圧縮体
の断面を通したいくつかの点でのエネルギー分散性X線
スペクトルである。第4A図、1I4B図および第4C
図は第2A図、第2B図および第2C図のそれにほぼ相
当する断面における点でのコバルト濃度を示す。銅は示
されない。第4ム図および第4B図は第2A図〜第2C
図のそれの2倍または8000カウントに拡大した垂直
軸を有する。
の断面を通したいくつかの点でのエネルギー分散性X線
スペクトルである。第4A図、1I4B図および第4C
図は第2A図、第2B図および第2C図のそれにほぼ相
当する断面における点でのコバルト濃度を示す。銅は示
されない。第4ム図および第4B図は第2A図〜第2C
図のそれの2倍または8000カウントに拡大した垂直
軸を有する。
本発明の圧縮体を作りうるHP/HT装置の−っの好ま
しい形はベルト装置と称される米国特許第294124
8号(これは引用してここに組入れる)のものである。
しい形はベルト装置と称される米国特許第294124
8号(これは引用してここに組入れる)のものである。
それは一対の対向した焼結炭化タングステンパンチおよ
び同じ材料の中間ベルトまたはダイ部材を含む。ダイ部
材には、仕込組立体を含有させるための形をとった反応
容器を置いである開口を含む。各パンチおよびダイ間に
は、一対の熱絶縁性で電気非伝導性のピロフィライト部
材料および中間金属ガスケットからなるガスケットa立
体がある。
び同じ材料の中間ベルトまたはダイ部材を含む。ダイ部
材には、仕込組立体を含有させるための形をとった反応
容器を置いである開口を含む。各パンチおよびダイ間に
は、一対の熱絶縁性で電気非伝導性のピロフィライト部
材料および中間金属ガスケットからなるガスケットa立
体がある。
一つの好ましい形で反応容器は中空塩シリンダーを含む
。シリンダーは別の材料例えばタルクであってもよい、
これはFil l(P / HT操作中より強く、より
硬い状態に変化せず(相転移および/または緻密化によ
るなど)、+214i温および高圧の付与中生ずる容積
不連続を実質的に含まない。米国特許第3030622
号(第1欄]1159行〜WS1欄第2行、これは引用
してここに組入れる)に記載された他の基準要件に合致
する材料がシリンダーを作るのに有用である。
。シリンダーは別の材料例えばタルクであってもよい、
これはFil l(P / HT操作中より強く、より
硬い状態に変化せず(相転移および/または緻密化によ
るなど)、+214i温および高圧の付与中生ずる容積
不連続を実質的に含まない。米国特許第3030622
号(第1欄]1159行〜WS1欄第2行、これは引用
してここに組入れる)に記載された他の基準要件に合致
する材料がシリンダーを作るのに有用である。
シリンダー内でそれに隣して同心的にグラファイト電気
抵抗ヒーターチューブを―く。グラファイトヒーターチ
ューブ内に同心的にシリンダー状塩ライナーを置く。ラ
イナーの端は、頂部および底部に配置した塩プラグを一
合させる。
抵抗ヒーターチューブを―く。グラファイトヒーターチ
ューブ内に同心的にシリンダー状塩ライナーを置く。ラ
イナーの端は、頂部および底部に配置した塩プラグを一
合させる。
導電性金属端盤をグラファイトヒーターチューブに対す
る峨気接続を与えるため各シリンダ一端で利用する。各
盤に隣接して、端キヤツプ組立体があり、その各々は$
4性リングでとりまかれたピロフィライトプラグまたは
盤を含む。
る峨気接続を与えるため各シリンダ一端で利用する。各
盤に隣接して、端キヤツプ組立体があり、その各々は$
4性リングでとりまかれたピロフィライトプラグまたは
盤を含む。
この種の装置で高圧詔よび高温の両者を同時に付与する
操作技術は超高圧技術の当業者に良く知られている。仕
込(または反応帯域)組立体は塩ライナーおよび塩プラ
グで規定された空間内に表金iせる。仕込み初成立体は
シリンダー状スリーブ、参よびジルコニウム、チタン、
タンタル、タングステンおよびモリブデンからなる群か
ら選択したシールド金属の端キャップからなる。シール
ド金属スリーブ内にはそれぞれシールド金属盤およびシ
ールド金属カップによって規定された一つの以上の副組
立体がある。
操作技術は超高圧技術の当業者に良く知られている。仕
込(または反応帯域)組立体は塩ライナーおよび塩プラ
グで規定された空間内に表金iせる。仕込み初成立体は
シリンダー状スリーブ、参よびジルコニウム、チタン、
タンタル、タングステンおよびモリブデンからなる群か
ら選択したシールド金属の端キャップからなる。シール
ド金属スリーブ内にはそれぞれシールド金属盤およびシ
ールド金属カップによって規定された一つの以上の副組
立体がある。
研摩ダイヤモンドまたはCBN粒子の置体はカップおよ
び盤によって規定された空洞内にmき、ダイヤモンドは
カップ中に軽くつきかためる。
び盤によって規定された空洞内にmき、ダイヤモンドは
カップ中に軽くつきかためる。
この置体はまたグラファイトおよび/または触媒溶媒も
含有できる。触媒/fg媒(例えばコバルト)または触
媒/溶媒を含有する材料の盤は研摩結晶塊体の上に通常
置く。CBHの場合にはアルミニウム合金も副組立体中
に置いてもよい。
含有できる。触媒/fg媒(例えばコバルト)または触
媒/溶媒を含有する材料の盤は研摩結晶塊体の上に通常
置く。CBHの場合にはアルミニウム合金も副組立体中
に置いてもよい。
即ちアルミニウムおよびいくつかの他の材料(通常ニッ
ケル、コバルト、マンガン、鉄、バナジウムまたはクロ
ム)の盤または盤群またはアルミニウム前形成した合金
は通常CBN粒子塊体置体接して置く。
ケル、コバルト、マンガン、鉄、バナジウムまたはクロ
ム)の盤または盤群またはアルミニウム前形成した合金
は通常CBN粒子塊体置体接して置く。
反応帯域内での副組立体の数は変えることができ、厳密
な規制はない、各副組立体は通常脱水マイカ、六方晶窒
化硼素または塩の如き不活性材料から作った分離盤で分
離する。反応帯域組立体内の容積の残余はシリンダーと
同じ材料(例えばグラファイト)から作った一つ以上の
盤および/または六方晶電化硼素から作った盤でとるこ
とができる。
な規制はない、各副組立体は通常脱水マイカ、六方晶窒
化硼素または塩の如き不活性材料から作った分離盤で分
離する。反応帯域組立体内の容積の残余はシリンダーと
同じ材料(例えばグラファイト)から作った一つ以上の
盤および/または六方晶電化硼素から作った盤でとるこ
とができる。
複合圧縮体が所望のときには、適切な金属結合媒体(例
えばコバルト、鉄、またはニッケル)と炭化物合金粉末
または焼結金属炭化物合金(例えば炭化チタン、炭化タ
ングステンまたは炭化タンタル)の置体をダイヤモンド
またはCBHに隣接した副組立体内に置く。これはダイ
ヤモンド結晶塊体の上または下の何れかで盤または層と
しておく。線引きダイ盤圧縮体が所望のと壷には、ダイ
ヤモンドの内側塊体を冷間圧縮した焼結性金属炭化物粉
末の環内に置き、そこから触媒(例えばコバルト)を放
射状”にダイヤモンド中に掃引させる。環は完全に焼結
した金属結合炭化物合金から作ることができる。複合圧
縮体の製造は良く知られており、詳細は米国特許第37
45623号および第3831428号に見出すことが
できる。
えばコバルト、鉄、またはニッケル)と炭化物合金粉末
または焼結金属炭化物合金(例えば炭化チタン、炭化タ
ングステンまたは炭化タンタル)の置体をダイヤモンド
またはCBHに隣接した副組立体内に置く。これはダイ
ヤモンド結晶塊体の上または下の何れかで盤または層と
しておく。線引きダイ盤圧縮体が所望のと壷には、ダイ
ヤモンドの内側塊体を冷間圧縮した焼結性金属炭化物粉
末の環内に置き、そこから触媒(例えばコバルト)を放
射状”にダイヤモンド中に掃引させる。環は完全に焼結
した金属結合炭化物合金から作ることができる。複合圧
縮体の製造は良く知られており、詳細は米国特許第37
45623号および第3831428号に見出すことが
できる。
仕込組立体はHP / HTベルト装置中に置いた反応
容器中に仕込む。先ず圧力を、次いで温度を増大させ、
焼結が生ずるのに充分な時間所望条件で保つ。次に試料
を短時間で加圧下に冷却し、最後に圧力を大気圧まで減
じ、圧縮体を回収する。
容器中に仕込む。先ず圧力を、次いで温度を増大させ、
焼結が生ずるのに充分な時間所望条件で保つ。次に試料
を短時間で加圧下に冷却し、最後に圧力を大気圧まで減
じ、圧縮体を回収する。
シールド金属スリーブは手で取り除くことができる。シ
ールド金属カップまたは盤からの接着金属は研摩または
ラッピングで除去できる。
ールド金属カップまたは盤からの接着金属は研摩または
ラッピングで除去できる。
歪または表面不規則性は同じ方法で除去できる。
HP / HT法から形成された圧縮体からの接1室材
料の除夫後、回収した圧縮体は焼結した多結晶質ダイヤ
モンドまたは011粒子を含み、粒子間の細隙は触媒/
1g媒の二次相によって占められている。熱的に安定な
圧縮体を作るため、この置体を先ず硝酸および弗化水素
酸からなる熱媒体(代表的なのはI H3i’ : I
HNO,容量比の沸とう濃酸混合物)と接触させ、続
いてそれを塩酸と硝酸からなる第二熱媒体(例えば沸と
う3HC1:IHHO=)と接触させる。浸出時間は第
−酸浸出工程で12日間という長い期間、第二酸浸出工
程で6日間という長い期間であることができる。
料の除夫後、回収した圧縮体は焼結した多結晶質ダイヤ
モンドまたは011粒子を含み、粒子間の細隙は触媒/
1g媒の二次相によって占められている。熱的に安定な
圧縮体を作るため、この置体を先ず硝酸および弗化水素
酸からなる熱媒体(代表的なのはI H3i’ : I
HNO,容量比の沸とう濃酸混合物)と接触させ、続
いてそれを塩酸と硝酸からなる第二熱媒体(例えば沸と
う3HC1:IHHO=)と接触させる。浸出時間は第
−酸浸出工程で12日間という長い期間、第二酸浸出工
程で6日間という長い期間であることができる。
圧縮体中に浸入した触媒/S縄材料の実質的に全てが、
米国特許第4224380号の教示に従って充分な時間
それを行なうならばこの方法で除去される。結果は熱的
に安定な圧縮体となる。
米国特許第4224380号の教示に従って充分な時間
それを行なうならばこの方法で除去される。結果は熱的
に安定な圧縮体となる。
本発明の好ましい方法は、HP/HT処m前に、各副組
立体内の触媒/溶媒源と研摩粉末の界面で中間低融点金
属の層を置くことである。本発明を、代表的な仕込物組
立体のダイヤモンド粉末およびコバルト層の間でその界
面で銅を置いて試験した。また仕込物組立体を銅単独の
効果を測定するためコバルトを用いずに試験した。
立体内の触媒/溶媒源と研摩粉末の界面で中間低融点金
属の層を置くことである。本発明を、代表的な仕込物組
立体のダイヤモンド粉末およびコバルト層の間でその界
面で銅を置いて試験した。また仕込物組立体を銅単独の
効果を測定するためコバルトを用いずに試験した。
コバルト焼結圧縮体は市場で入手しうるダイヤモンド圧
縮体に匹敵するヌープ硬度を有しており、#浸出浴中に
置いたとき砕けなかった。これはダイヤモンド対ダイヤ
モンド結合を示す。
縮体に匹敵するヌープ硬度を有しており、#浸出浴中に
置いたとき砕けなかった。これはダイヤモンド対ダイヤ
モンド結合を示す。
コバルト触媒を用いない別の仕込物組立体からの圧縮体
は酸浴中に置いたとき砕けた、これは( 銅によるダイヤモンド対ダイヤモンド結合または焼結が
ないか殆どないことを示している。
は酸浴中に置いたとき砕けた、これは( 銅によるダイヤモンド対ダイヤモンド結合または焼結が
ないか殆どないことを示している。
走査電子顕微鏡およびX線のエネルギー分散分析で測定
したと#I(第1図および第2A図〜第2C図参照)、
コバルトがダイヤモンド置体のバルク全般にわたる主金
属成分であった。触媒源を置いたところから最も遠くの
圧縮体の端で銅の大部分がある銅濃度勾配があった。銅
極大は濃度勾配を示す第2ム図〜第2cは1から判るよ
うに高さを増大している。図示したコバルトおよび鉄は
触媒からのもので、モリブデンはシールド金属からのも
のである。不純物は試料製造中の研削から主として発生
する。
したと#I(第1図および第2A図〜第2C図参照)、
コバルトがダイヤモンド置体のバルク全般にわたる主金
属成分であった。触媒源を置いたところから最も遠くの
圧縮体の端で銅の大部分がある銅濃度勾配があった。銅
極大は濃度勾配を示す第2ム図〜第2cは1から判るよ
うに高さを増大している。図示したコバルトおよび鉄は
触媒からのもので、モリブデンはシールド金属からのも
のである。不純物は試料製造中の研削から主として発生
する。
これらの実験から、焼結ダイヤモンド置体の品質をm1
2gするため、金属炭化物支持体を用いまたは用いずに
、多くの他の試験を行なった。
2gするため、金属炭化物支持体を用いまたは用いずに
、多くの他の試験を行なった。
X線透過写真は比較的均一なコバルト分布を示しく図参
照)、傷現出頻度の減少を示。す、この方法を用いると
、公称最大寸法4〜8μのダイヤモンドを用いて作った
直径約5.3m、長さ約3、51EIの筒状圧縮体の場
合傷は90%以上から5%未満に減少した。また表面形
態学はピット型の欠陥の減少を示す。これはfi+削ま
たはラッピングで工員ブランク圧縮体から優部域を除く
必要を減じ、工具ブランクおよび線引きダイ徽圧縮体の
収率を増大させる利点を存する。
照)、傷現出頻度の減少を示。す、この方法を用いると
、公称最大寸法4〜8μのダイヤモンドを用いて作った
直径約5.3m、長さ約3、51EIの筒状圧縮体の場
合傷は90%以上から5%未満に減少した。また表面形
態学はピット型の欠陥の減少を示す。これはfi+削ま
たはラッピングで工員ブランク圧縮体から優部域を除く
必要を減じ、工具ブランクおよび線引きダイ徽圧縮体の
収率を増大させる利点を存する。
本発明の別の実施態様は、ここに示した本発明の実施お
よび本明細書の考慮から当業者には明らかであろう。こ
こに示した原理に檀々な省略、改変を本発明を逸脱する
ことなく当業者にはなしうる。
よび本明細書の考慮から当業者には明らかであろう。こ
こに示した原理に檀々な省略、改変を本発明を逸脱する
ことなく当業者にはなしうる。
第1図は触媒としてコバルト、および低融点金属として
銅を用いた本発明方法によって作られた筒状ダイヤモン
ド圧縮体の断面の顕微鏡写真(20倍)であり、第2A
図〜第2C図は第1図の筒状ダイヤモンド圧縮体の断面
を通した幾つかの点でのエネルギー拡散性X線スペクト
ルであり、s3図は本発明の改良をせずにコノ4ルト触
媒を用いた方法によって掃引して作った筒状ダイヤ。モ
ンド圧縮体の断面の顕微鏡写真(20倍)であり、第4
ム図〜第4C図は第3図の湾状ダイヤモンド圧縮体の断
面を通したいくつかの点でのエネルギー分散性【線スペ
クトルである。 れ・電!鳳 も−倉 FT[l nj72A 20、αカミ)ホ゛ルト 4矢 2o、ooa’it):r:y’t− FTf72C 20,000It)*−一徒ト T7r3 7T4A 20.000電、):r:1vト 20.000’j、)4んド アー4C 20,000J)lr+bト
銅を用いた本発明方法によって作られた筒状ダイヤモン
ド圧縮体の断面の顕微鏡写真(20倍)であり、第2A
図〜第2C図は第1図の筒状ダイヤモンド圧縮体の断面
を通した幾つかの点でのエネルギー拡散性X線スペクト
ルであり、s3図は本発明の改良をせずにコノ4ルト触
媒を用いた方法によって掃引して作った筒状ダイヤ。モ
ンド圧縮体の断面の顕微鏡写真(20倍)であり、第4
ム図〜第4C図は第3図の湾状ダイヤモンド圧縮体の断
面を通したいくつかの点でのエネルギー分散性【線スペ
クトルである。 れ・電!鳳 も−倉 FT[l nj72A 20、αカミ)ホ゛ルト 4矢 2o、ooa’it):r:y’t− FTf72C 20,000It)*−一徒ト T7r3 7T4A 20.000電、):r:1vト 20.000’j、)4んド アー4C 20,000J)lr+bト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 (aJ(11触媒より低い融点を有し、(暦)
触媒の機能を妨害せず、+1lll触媒と混和し5つる
単一金属+bl触媒の機能を妨害しない上記(mlに記
載した金属の合金 からなる群から選択した追加金属または金属合金をダイ
ヤモンド粒子の置体と接触状態に置き、触媒からなる金
属間化合物相を含有し、ダイヤモンド対ダイヤモンド結
合を特徴とする圧縮体を生成させる高圧/高温法に、ダ
イヤモンド再結晶のための触媒源と接触状態にあるダイ
ヤモンド粒子の置体を付することからなる多結晶質ダイ
ヤモンド圧縮体の改良された製造法。 2、追加金属または金属合金が触媒と合金を形成する特
許請求の範囲第1項記載の改良方法。 3、追加金属または金属合金をダイヤモンドと混合する
特許請求の範囲vs1項記載の改良方法。 4、触媒が追加金属との合金の一部であり、その合金が
触msおよび追加金属合金としての両者のtriを釆す
特許請求の範囲第1項記載の改良方法。 5、合金をコバルトおよび銅の合金、詔よびニッケルお
よび銅の合金からなる群から選択する特許請求の範囲第
4項記載の改良方法。 6、更に圧縮体から金属相の実質的に全てを除去する特
許請求の範囲311項記載の改良方法。 7、追加金属または金属合金をダイヤモンドおよび触媒
源の間に置く特許請求の範囲第1項記載の方法。 8、追加金属が触媒に先立ってダイヤモンド塊体を掃通
する単一金属である特許請求の範囲第7項記載の改良方
法。 9、追加金属を銅、錫、アルミニウム、亜鉛、マグネシ
ウムおよびアンチモンからなる群から選択する持lF#
求の範囲第8項記載の改良方法。 10、 追加金属が銅である特許請求の範1a[9項
記載の改良方法。 11、 触媒源が、接合剤の少なくとも一部が触媒で
ある焼結炭化物合金成形粉末および焼結炭化物合金から
なる群から選択した環体である特許請求の範囲第9項記
載の改良方法。 12、触媒源がダイヤモンド粒をとりまく環の形である
特許請求の範囲第11項記載の改良方丸13、形成され
る多結晶質圧体内に触媒からなる金属間化合物相および
少なくとも70容量優の立方。晶窒化硼素を有する圧縮
体を生ぜしめる高圧/高温法に、焼結性触媒源と接触状
態にある立方晶窒化硼素粒子の環体を付すことからなる
多結晶質立方晶窒化硼素圧縮体を製造する方法において
、 ta)(11触媒より低い融点を有し、fil+触媒の
機能を妨害せず、(till触媒と混和できる単一金属
、および tbi触媒の機能を妨害しない上記(ajに記載した金
属の合金 からなる群から選択した追加金属または金属合金を立方
晶窒化硼素の環体と接触状態に置くことを特徴とする改
良方法。 14.4加金属または金属合金が触媒と合金を形成する
特許請求の範囲第13項記載の改良方法。 15、 J細金属または金属合金を立方晶窒化硼素と
混合する特許請求の範囲第13項記載の改良方法。 16 9結性触媒が触媒源および追加金属合金として両
者の機能を果す追加金属との合金の一部である特許請求
の範囲第13項記載の改良方法。 17、更に圧縮体から金属相の実質的に全てを除去する
特許請求の範囲J113項記載の改良方法。 18、追加金属または金属合金を立方晶窒化硼素および
触媒源の間に置く特許請求の範囲第13項記載の改良方
法。 19、追加金属が触媒に先立って立方晶窒化硼素塊体を
掃通する単一金属である特許請求の範囲第18項記載の
改良方法。 20、 追加金属を鯛、アルミニウム、亜鉛、マグネ
シウムおよびアンチモンからなる群から選択する特許請
求の範囲第19項記載の改良方法。 21、 追加金属が銅である特許請求の範囲第20項
記載の改良方法。 22、触媒源が、接合剤の少なくとも一部が触媒である
焼結炭化物合金成形粉末および焼結炭化物合金からなる
群から選択した環体である特許請求の範囲第20項記載
の改良方法。 23、触媒より低い融点を有し、触媒の機能を妨害せず
、触媒と混和しつる追加金属および触媒を結晶粒子間の
#隙内に含有する多結晶質ダイヤモンドまたは立方晶電
化硼素圧縮体。 24、追加金属が高圧/高温焼結法において触媒に先立
って研摩粒子塊体を掃通する特許請求の範囲第23項記
載の多結晶質ダイヤモンドまたは立方晶窒化硼素圧縮体
。 25、追加金属が銅である特許請求の範囲第24項紀記
載多結晶質ダイヤモンドまたは立方晶電化硼素圧縮体。 26、追加金属の合金および触媒を含有する特許請求の
範囲第24項記載の多結晶質圧縮体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US36471482A | 1982-04-02 | 1982-04-02 | |
| US364714 | 1982-04-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58181768A true JPS58181768A (ja) | 1983-10-24 |
| JPS641431B2 JPS641431B2 (ja) | 1989-01-11 |
Family
ID=23435745
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58054965A Granted JPS58181768A (ja) | 1982-04-02 | 1983-03-30 | 多結晶質圧縮体を製造するための改良された掃通法 |
| JP63172515A Granted JPS6428279A (en) | 1982-04-02 | 1988-07-11 | Improved sweeping through process for manufacturing polycrystal compacts |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63172515A Granted JPS6428279A (en) | 1982-04-02 | 1988-07-11 | Improved sweeping through process for manufacturing polycrystal compacts |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0094147B1 (ja) |
| JP (2) | JPS58181768A (ja) |
| DE (1) | DE3371483D1 (ja) |
| ES (2) | ES521120A0 (ja) |
| IE (1) | IE55202B1 (ja) |
| IL (1) | IL68170A0 (ja) |
| IN (1) | IN159536B (ja) |
| ZA (1) | ZA831881B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008542180A (ja) * | 2005-05-31 | 2008-11-27 | エレメント シックス (プロダクション)(プロプライエタリィ) リミテッド | ダイヤモンド種結晶を被覆する方法 |
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| AU601561B2 (en) * | 1987-03-23 | 1990-09-13 | Australian National University, The | Diamond compacts |
| DE68908549T2 (de) * | 1988-08-17 | 1994-02-10 | Univ Australian | Kompaktierter diamant mit niedrigem elektrischem spezifischem widerstand. |
| JP2609149B2 (ja) * | 1989-05-16 | 1997-05-14 | 大阪瓦斯株式会社 | 既設ガス管継手部の活管補修装置 |
| JPH0750634Y2 (ja) * | 1989-12-28 | 1995-11-15 | 株式会社サンケン | 管路内面の補修装置 |
| JPH0456995U (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-15 | ||
| US8449991B2 (en) * | 2005-04-07 | 2013-05-28 | Dimicron, Inc. | Use of SN and pore size control to improve biocompatibility in polycrystalline diamond compacts |
| CN103649014B (zh) | 2011-04-06 | 2015-08-19 | 戴蒙得创新股份有限公司 | 提高多晶金刚石(pcd)的热稳定性的方法 |
| EP3467213B1 (de) | 2017-10-09 | 2024-03-20 | Renata Rumankova | Spritzschutzvorrichtung für spülbecken und waschbecken |
| CN114471652A (zh) * | 2020-11-12 | 2022-05-13 | 石门县顺超科技发展有限公司 | 一种合成金刚石用的催化剂 |
Family Cites Families (6)
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|---|---|---|---|---|
| GB990818A (en) * | 1960-10-03 | 1965-05-05 | Gen Electric | Improvements in or relating to boron nitride |
| US3743489A (en) * | 1971-07-01 | 1973-07-03 | Gen Electric | Abrasive bodies of finely-divided cubic boron nitride crystals |
| GB1382080A (en) * | 1972-12-01 | 1975-01-29 | Inst Fiziki Vysokikh Davleny | Method of preparing a diamond-metal compact |
| IE46644B1 (en) * | 1977-02-18 | 1983-08-10 | Gen Electric | Temperature resistant abrasive compact and method for making same |
| GB2048956B (en) * | 1979-03-29 | 1983-02-16 | Sumitomo Electric Industries | Sintered compact for a machining tool |
| ZA826297B (en) * | 1981-10-30 | 1983-11-30 | Gen Electric | Sintering diamond |
-
1983
- 1983-03-17 ZA ZA831881A patent/ZA831881B/xx unknown
- 1983-03-18 IL IL68170A patent/IL68170A0/xx unknown
- 1983-03-23 DE DE8383301631T patent/DE3371483D1/de not_active Expired
- 1983-03-23 EP EP83301631A patent/EP0094147B1/en not_active Expired
- 1983-03-23 IN IN345/CAL/83A patent/IN159536B/en unknown
- 1983-03-30 ES ES521120A patent/ES521120A0/es active Granted
- 1983-03-30 JP JP58054965A patent/JPS58181768A/ja active Granted
- 1983-03-31 IE IE753/83A patent/IE55202B1/en not_active IP Right Cessation
-
1984
- 1984-07-16 ES ES534365A patent/ES8603363A1/es not_active Expired
-
1988
- 1988-07-11 JP JP63172515A patent/JPS6428279A/ja active Granted
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| JP2008542180A (ja) * | 2005-05-31 | 2008-11-27 | エレメント シックス (プロダクション)(プロプライエタリィ) リミテッド | ダイヤモンド種結晶を被覆する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3371483D1 (en) | 1987-06-19 |
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