JPS58182204A - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
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- JPS58182204A JPS58182204A JP57065641A JP6564182A JPS58182204A JP S58182204 A JPS58182204 A JP S58182204A JP 57065641 A JP57065641 A JP 57065641A JP 6564182 A JP6564182 A JP 6564182A JP S58182204 A JPS58182204 A JP S58182204A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発・明＃ｉ酸化亜鉛を主成分とする鋺結体の貌結過程
においてＩＩｌ後まで自形を一つ不純物ｉ混入した電圧
非直線抵抗体の製造方法に関する。
においてＩＩｌ後まで自形を一つ不純物ｉ混入した電圧
非直線抵抗体の製造方法に関する。
近年ＩＣ，トツンジスタ、１イリスタなどの牛導体嵩子
および牛専体−踏とその応用の急速な舛膳にとも１に％
Ａｌｔｉｌ−麹−−、庫伽−―および電力＊＊における
半導体嵩子および半導体細路の使翔が昔及しこれら０＠
＠０小履化・高性彎化が急速に進展している。しかし他
方てはこのような進展にともないこれらの一養やその部
品のＩｉＩ！電圧、ｌｖナージおよび耐ノイス性趣は十
分と匹見ない。仁の友めこれらの機器中部品を異常なサ
ージやノイズから制御するこ′と中崗路電圧を安定化す
ることが璽わめて重ｔｉｔｍｍになっている。これらの
謙−のためにすぐれた電圧非直−抵抗体として鹸化墓船
逼バリスタがＩＩＩＪ＆されている。バリスタの電圧電
流特性は一般にりぎの胸像 Ｉ −（Ｖ／Ｃ）″ で１１ボされる口ここでｖ社バリスタに印加されている
電圧であ〉■はバリスタを流れる電流である。
および牛専体−踏とその応用の急速な舛膳にとも１に％
Ａｌｔｉｌ−麹−−、庫伽−―および電力＊＊における
半導体嵩子および半導体細路の使翔が昔及しこれら０＠
＠０小履化・高性彎化が急速に進展している。しかし他
方てはこのような進展にともないこれらの一養やその部
品のＩｉＩ！電圧、ｌｖナージおよび耐ノイス性趣は十
分と匹見ない。仁の友めこれらの機器中部品を異常なサ
ージやノイズから制御するこ′と中崗路電圧を安定化す
ることが璽わめて重ｔｉｔｍｍになっている。これらの
謙−のためにすぐれた電圧非直−抵抗体として鹸化墓船
逼バリスタがＩＩＩＪ＆されている。バリスタの電圧電
流特性は一般にりぎの胸像 Ｉ −（Ｖ／Ｃ）″ で１１ボされる口ここでｖ社バリスタに印加されている
電圧であ〉■はバリスタを流れる電流である。
また０社与え、られた電流を流したときの電圧に対応す
る定数である。ζこではバリスタ特性をＣと−で表わす
かわ夛にｌ鳳ムにおけゐ立上夛電圧Ｖ１ｍムとαで表わ
すこととするｏａは非直−係敵でα−１はオームの法則
にしたがう昔−の抵抗体でＴｏＬａが大暑いはと非直線
性がすぐれているといえる。前記鹸化血船系バリスタは
Ｖ１ｍムの通の各極の一〇が１ｌｉｌｆｉされている◎
諺結対廖さ１−における立上）電圧をＶ ｌ ７ｍと丁
ゐとおりよそｖ１／ｍ−２２Ｖ、４０Ｖ、１００Ｖ、２
００Ｖ４り４ｍ−のバリスタがｌ１ＩｉｌｉＩｉされて
いる。これらのｖ１／■をもつ飯化墓船糸バリスタにお
いてｖｌ／■は嵐紬体内の敞化墓船を主成分とする結晶
粒の大島さによって決まる。低いｖ１／■を得るために
は赫に１１粒を大きく成長させることが、また高いＶ
ｌ ／ａｍ ｔｔ褥るためには結晶粒の成長を小さく抑
えるととΣ会費とする。しかしこれらのＶＺｌ■をもち
、かつ＾い非直！Ｉ係緻αと高い信頼性を有する胱結体
を優るために祉結晶粒の１ｌＩｌ１１が原子価制御など
の固体反応的手法によることからそれぞれ組成と鋺結条
件を大輪に変えなければならない＠また一定のＶｌ／■
をもつ焼結体で広い電圧軸−のバリスタを１ｉ１ｆｆｉ
すると焼結体の厚さな一端に麺くするか逆に一端に犀く
しなければならずｍ＊条件が−１で纏ｊｋ−鐘となシし
か一価髄が高くなる欠点があった〇本発Ｉｌｉ社上記の
ような欠点を解消するため５鹸化血船を主成分とする焼
結体の諺結過娠で飯化臘船績晶粒欅に＊＊まで自形を臘
つ不純物を混入して結晶粒界の移動を抑−し結晶粒成長
を抑−することにより岡−条件で高い非ｌｋ−愉鈑αと
＾い伽−性を看し広い電圧軸−の任意のＶｌ／■を一つ
電圧非＊＊抵抗体のＩｌｌｌｌ法を提供せんとする−の
である。
る定数である。ζこではバリスタ特性をＣと−で表わす
かわ夛にｌ鳳ムにおけゐ立上夛電圧Ｖ１ｍムとαで表わ
すこととするｏａは非直−係敵でα−１はオームの法則
にしたがう昔−の抵抗体でＴｏＬａが大暑いはと非直線
性がすぐれているといえる。前記鹸化血船系バリスタは
Ｖ１ｍムの通の各極の一〇が１ｌｉｌｆｉされている◎
諺結対廖さ１−における立上）電圧をＶ ｌ ７ｍと丁
ゐとおりよそｖ１／ｍ−２２Ｖ、４０Ｖ、１００Ｖ、２
００Ｖ４り４ｍ−のバリスタがｌ１ＩｉｌｉＩｉされて
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は赫に１１粒を大きく成長させることが、また高いＶ
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、かつ＾い非直！Ｉ係緻αと高い信頼性を有する胱結体
を優るために祉結晶粒の１ｌＩｌ１１が原子価制御など
の固体反応的手法によることからそれぞれ組成と鋺結条
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をもつ焼結体で広い電圧軸−のバリスタを１ｉ１ｆｆｉ
すると焼結体の厚さな一端に麺くするか逆に一端に犀く
しなければならずｍ＊条件が−１で纏ｊｋ−鐘となシし
か一価髄が高くなる欠点があった〇本発Ｉｌｉ社上記の
ような欠点を解消するため５鹸化血船を主成分とする焼
結体の諺結過娠で飯化臘船績晶粒欅に＊＊まで自形を臘
つ不純物を混入して結晶粒界の移動を抑−し結晶粒成長
を抑−することにより岡−条件で高い非ｌｋ−愉鈑αと
＾い伽−性を看し広い電圧軸−の任意のＶｌ／■を一つ
電圧非＊＊抵抗体のＩｌｌｌｌ法を提供せんとする−の
である。
以下本発鞠の一実ｍ例につき１向を寡朧しながらａ＋す
る。すなわち皺化菫船を主成分としてこれにＭｇＯ，Ｂ
ｉ＊Ｏｓ、１ｉＩＩｓＯｓ、ＣｏＯ，Ｍ鳳ＯｍＣｒｍＯ
ｓＩＩＦ＠１０８ａｌ１１０３１０８ａｌ１１０３ｓＳ
ｉｎｓｅＴｉＯａ、ＢａＯ，ＣａＯ，ＮｉＯ，ＰｂＯＰ
ｂ０８Ｂ。
る。すなわち皺化菫船を主成分としてこれにＭｇＯ，Ｂ
ｉ＊Ｏｓ、１ｉＩＩｓＯｓ、ＣｏＯ，Ｍ鳳ＯｍＣｒｍＯ
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ｉｎｓｅＴｉＯａ、ＢａＯ，ＣａＯ，ＮｉＯ，ＰｂＯＰ
ｂ０８Ｂ。
Ｍｏ０ｓａＬ１ｓＯ，ＶｓＱｓ、ＺｒＯｓ、Ｉｎ＊Ｏｓ
、ＷＯｓ＊Ｔ＊黛ＯａａＢｒＯｍＧ＊５ＯｓａＧ＠Ｏｍ
などの他の蓋属瞭化物を＆極！ｌｌＩ添加し、がっ
焼結過程で酸化朧鉛結晶粒界に＊＊１で自形ｔｔ ｆＭ
ッＡ Ｉ Ｎ 、 ８ Ｌ ｓ Ｎ ａ 。
、ＷＯｓ＊Ｔ＊黛ＯａａＢｒＯｍＧ＊５ＯｓａＧ＠Ｏｍ
などの他の蓋属瞭化物を＆極！ｌｌＩ添加し、がっ
焼結過程で酸化朧鉛結晶粒界に＊＊１で自形ｔｔ ｆＭ
ッＡ Ｉ Ｎ 、 ８ Ｌ ｓ Ｎ ａ 。
ＮｂＮ、ＣｒＮ、ＭｇｍＮｍａＴｉＮａＺｒＮ＊ＴａＮ
ｔたはＶＮなとの電化物からなる不純物を混入するＯ該
不純物は翫赫体１伽３中の不純物粒子の個数が１０５〜
２×１０９個の＠−で混入しこれらを十分に混合して１
５ ｍｌｌ Ｘ ｌ■ｔの寸法の円＆漏に酸層し１００
０〜１４５０℃の空気中１１１ｉｌｉｉｌ！で焼結した
。衣１にＶｌ／５ｍ−２２Ｖ、４０Ｖ、１ＯＯＶ、２０
０Ｖの本発２の実＆ｈ＠になるバリスタの組成とｇａｓ
ｔｍ＆について上記のような不に１１を一切混入しない
従来の１考例との比較をボす。
ｔたはＶＮなとの電化物からなる不純物を混入するＯ該
不純物は翫赫体１伽３中の不純物粒子の個数が１０５〜
２×１０９個の＠−で混入しこれらを十分に混合して１
５ ｍｌｌ Ｘ ｌ■ｔの寸法の円＆漏に酸層し１００
０〜１４５０℃の空気中１１１ｉｌｉｉｌ！で焼結した
。衣１にＶｌ／５ｍ−２２Ｖ、４０Ｖ、１ＯＯＶ、２０
０Ｖの本発２の実＆ｈ＠になるバリスタの組成とｇａｓ
ｔｍ＆について上記のような不に１１を一切混入しない
従来の１考例との比較をボす。
（以下余白）
款ｌから明らかなようにムｌＮｍ８１ｓＮ、、ｋＪｂＮ
ｈＣｒＮ、ＭｇｓＮｍ、ＴｉＣ，ＺｒＮ、ＴａＮｔたは
ｖＮなどＯｉ１化物からなる不純物は竣１１まて自形を
−って異物として存在するため上記の不純物の混入量を
変えてもバリスタとしてのｊ１！或社変わらず一定であ
り、かつ腕結温＆も一定である０したがって実噛例（４
）（３）（Ｑ社組成中鵬造条件を全く変更することなく
単に上記の不純物を腕細体１０１）”中の不義−粒子の
一叡が１０５〜２ＸＩＯ’−の亀−で混入する疋けで任
意の立上９電圧のバリスタをきわめて−単にｍ造するこ
とができる。不純物の混入−が１ｏ”＠／ｃｍ”未満で
は着果がなく、また２ Ｘ １０？−／♂を越えると腕
緒体の焼結性が龜〈同一条件での睨結が不ｇＪ舵になる
。つぎに第１−に不純物の湿人蓋を変えたときのＺｎＯ
結晶粒子の平均粒径の変化、第２図に不純物の混入−を
変えたときのＶｌ／ｍの変化をボ丁。これによれば不純
物の混入量、′すなわち不純物の存在皐によってＺｎＯ
結晶粒子の成長を抑制しＶｌ／■を任意に制御できるこ
とがわかる。第３−に＆ｌの寡考例と実施例η）とのＶ
ｌ／■に翅沁する非直に係数αの比較・纂４−に電′ｆ
ＬＭ形が８×２０μＳで１０００ムの麹寧亀龜を１０
ｂ印ｍ ｔ、＊トｌｉ ｆ） Ｖｌ／ｍに９１ｊＩＩ６
するＶ１ｍムの変化率の比較を不す０これによれば夷ｋ
ｌｓ Ｎ （ＡＪ ｔｓ組成およびｌ１４ｉｆ１瘉件を
変えないで単に不純物の混入量を変えるだけで参考−と
同じ特性の慟られることがわかる。
ｈＣｒＮ、ＭｇｓＮｍ、ＴｉＣ，ＺｒＮ、ＴａＮｔたは
ｖＮなどＯｉ１化物からなる不純物は竣１１まて自形を
−って異物として存在するため上記の不純物の混入量を
変えてもバリスタとしてのｊ１！或社変わらず一定であ
り、かつ腕結温＆も一定である０したがって実噛例（４
）（３）（Ｑ社組成中鵬造条件を全く変更することなく
単に上記の不純物を腕細体１０１）”中の不義−粒子の
一叡が１０５〜２ＸＩＯ’−の亀−で混入する疋けで任
意の立上９電圧のバリスタをきわめて−単にｍ造するこ
とができる。不純物の混入−が１ｏ”＠／ｃｍ”未満で
は着果がなく、また２ Ｘ １０？−／♂を越えると腕
緒体の焼結性が龜〈同一条件での睨結が不ｇＪ舵になる
。つぎに第１−に不純物の湿人蓋を変えたときのＺｎＯ
結晶粒子の平均粒径の変化、第２図に不純物の混入−を
変えたときのＶｌ／ｍの変化をボ丁。これによれば不純
物の混入量、′すなわち不純物の存在皐によってＺｎＯ
結晶粒子の成長を抑制しＶｌ／■を任意に制御できるこ
とがわかる。第３−に＆ｌの寡考例と実施例η）とのＶ
ｌ／■に翅沁する非直に係数αの比較・纂４−に電′ｆ
ＬＭ形が８×２０μＳで１０００ムの麹寧亀龜を１０
ｂ印ｍ ｔ、＊トｌｉ ｆ） Ｖｌ／ｍに９１ｊＩＩ６
するＶ１ｍムの変化率の比較を不す０これによれば夷ｋ
ｌｓ Ｎ （ＡＪ ｔｓ組成およびｌ１４ｉｆ１瘉件を
変えないで単に不純物の混入量を変えるだけで参考−と
同じ特性の慟られることがわかる。
以上評述したように本発明によれば鹸化監船を主成分と
すゐ腕結体の胱績過娠で皺化臘船結晶粒界に鍛Ｉｌまで
ｗＩ形を一つＡＩＮ、ＳエラＮａ、ＮｂＮ。
すゐ腕結体の胱績過娠で皺化臘船結晶粒界に鍛Ｉｌまで
ｗＩ形を一つＡＩＮ、ＳエラＮａ、ＮｂＮ。
Ｃｒ Ｎ ｅ Ｍ ｇ ｓ Ｎ ＊ ａ Ｔ Ｌ Ｎ
＃ Ｚ ｒ Ｎ ａ Ｔ ａ ＮまたＵＶＮなどの童化
物からな、る不純物を混入して結晶粒賽の移動を抑制し
結晶粒成長を抑制することによ）鴎−条件で応い電圧軸
回の任意のＶ ｌ ７８１Ｍを一つ電圧非直縁抵抗体の
製造方法を提供することがで自る０
＃ Ｚ ｒ Ｎ ａ Ｔ ａ ＮまたＵＶＮなどの童化
物からな、る不純物を混入して結晶粒賽の移動を抑制し
結晶粒成長を抑制することによ）鴎−条件で応い電圧軸
回の任意のＶ ｌ ７８１Ｍを一つ電圧非直縁抵抗体の
製造方法を提供することがで自る０
第１図は不純物の混入量を変えたときのＺｎＯ結晶粒子
の平均粒径の変化を示す曲線図、第２図は不純物の混入
量を変えたときのＶｌ／履の変化を示す曲線図、ｊ１５
−はＶｌ／−に対応する非直−像ｋａの比較を不す制御
一、賂４図社伽撃亀處を印加したと龜のＶｌ／■に対応
するＶｌ ｗｓＡ ｆ）変化率の比較を不すｖ１１脳−
である。 特＃！Ｆ出−人 マルコン電子株式★社 毒喝七セα も １（−と計鷹） 、二′
の平均粒径の変化を示す曲線図、第２図は不純物の混入
量を変えたときのＶｌ／履の変化を示す曲線図、ｊ１５
−はＶｌ／−に対応する非直−像ｋａの比較を不す制御
一、賂４図社伽撃亀處を印加したと龜のＶｌ／■に対応
するＶｌ ｗｓＡ ｆ）変化率の比較を不すｖ１１脳−
である。 特＃！Ｆ出−人 マルコン電子株式★社 毒喝七セα も １（−と計鷹） 、二′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ＩＪ馨化亜鉛を主成分とする祝結体の翫紬−一で急化
益礒１ｍ晶粒界に蝋後まで自形を一つ富化物からなる不
純物を混入して説結丁ゐことを特徴とする電圧非直１抵
抗体の製造方法。 （２）富化物がムｌ Ｎ ＃ ８１３Ｎ ４− Ｎ ｂ
Ｎ ＊ Ｃｒ Ｎ ＃ Ｍ ｇ ３Ｎ 雪ａＴ ｉ
Ｎ ａ Ｚ ｒ Ｎ ａ Ｔ ａ Ｎま７’ｊｕＶＮで
めることを特徴とする特許請求の烏囲第ａ）項記載の電
圧非直線抵抗体の製造方法。 （３不義物の混入蓋が貌結体ｌ−３中の不純物粒子のの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57065641A JPS58182204A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57065641A JPS58182204A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182204A true JPS58182204A (ja) | 1983-10-25 |
| JPH0128482B2 JPH0128482B2 (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=13292844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57065641A Granted JPS58182204A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58182204A (ja) |
-
1982
- 1982-04-19 JP JP57065641A patent/JPS58182204A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0128482B2 (ja) | 1989-06-02 |
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