JPS5818345U - 耐マイグレ−ション性Ａｌ配線 - Google Patents
耐マイグレ−ション性Ａｌ配線Info
- Publication number
- JPS5818345U JPS5818345U JP11180281U JP11180281U JPS5818345U JP S5818345 U JPS5818345 U JP S5818345U JP 11180281 U JP11180281 U JP 11180281U JP 11180281 U JP11180281 U JP 11180281U JP S5818345 U JPS5818345 U JP S5818345U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- film
- migration resistant
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図及び第２図はそれぞれ本考案のＡ１配線の製造方
法の説明図である。 図において、ｌ Ｈ８ｉ基板、２：ＳｉＯ２膜、３：Ａ
ｌ−Ｃｕ合金膜、４ ＨＣｕ膜、５：配線、５． ７：
Ａ１酸化膜、８：保護膜。
法の説明図である。 図において、ｌ Ｈ８ｉ基板、２：ＳｉＯ２膜、３：Ａ
ｌ−Ｃｕ合金膜、４ ＨＣｕ膜、５：配線、５． ７：
Ａ１酸化膜、８：保護膜。
Claims (1)
- 基板上に絶縁膜を介して設けたＡ】もしくはＡ１を主成
分とする合金からなる配線上にＣｕ膜を設けるか、また
は該Ｃｕ膜上にさらにＡｌ膜を設けたことを特徴とする
耐マイグレーシヨン性Ａ１配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11180281U JPS5818345U (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 耐マイグレ−ション性Ａｌ配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11180281U JPS5818345U (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 耐マイグレ−ション性Ａｌ配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818345U true JPS5818345U (ja) | 1983-02-04 |
Family
ID=29906146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11180281U Pending JPS5818345U (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 耐マイグレ−ション性Ａｌ配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818345U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61294838A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11180281U patent/JPS5818345U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61294838A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
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