JPS5840848U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5840848U JPS5840848U JP13516281U JP13516281U JPS5840848U JP S5840848 U JPS5840848 U JP S5840848U JP 13516281 U JP13516281 U JP 13516281U JP 13516281 U JP13516281 U JP 13516281U JP S5840848 U JPS5840848 U JP S5840848U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor equipment
- conductive layer
- layer
- semiconductor
- utility
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図及び第2図は夫々本考案の実施例を示す断面図で
ある。 1は半導体基体、2,4はSiO2層、3は5nO9透
明導電層、6はTi層、7はW層、8はAI導電層であ
る。
ある。 1は半導体基体、2,4はSiO2層、3は5nO9透
明導電層、6はTi層、7はW層、8はAI導電層であ
る。
Claims (1)
- 半導体素子上に形成された酸化錫による透明導電層に対
してチタン層及びタングステン層を介してアルミニウム
導電層が接続されて成る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13516281U JPS5840848U (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13516281U JPS5840848U (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840848U true JPS5840848U (ja) | 1983-03-17 |
| JPS62206Y2 JPS62206Y2 (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=29928545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13516281U Granted JPS5840848U (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840848U (ja) |
-
1981
- 1981-09-11 JP JP13516281U patent/JPS5840848U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62206Y2 (ja) | 1987-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5866335U (ja) | 赤外線焦電素子 | |
| JPS6037257U (ja) | 光起電力素子 | |
| JPS6049651U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5892763U (ja) | 厚膜多層基板 | |
| JPS5929054U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS605133U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS587345U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6115755U (ja) | 抵抗体内蔵半導体装置 | |
| JPS5889930U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS588948U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6020159U (ja) | 集積回路半導体装置 | |
| JPS5929053U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5945939U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58444U (ja) | 半導体装置の多層配線構造 | |
| JPS588952U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6035535U (ja) | 保安装置付コンデンサ | |
| JPS5853160U (ja) | 非晶質半導体装置 | |
| JPS5931252U (ja) | 非晶質光半導体装置 | |
| JPS6068649U (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS59117149U (ja) | ビ−ムリ−ド型半導体装置 | |
| JPS6011041U (ja) | 焦電形赤外線検出器 | |
| JPS59112955U (ja) | 半導体素子 | |
| JPS5892743U (ja) | 複合素子 | |
| JPS6142861U (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01104029U (ja) |