JPS58185085A - 磁気バブル記憶素子 - Google Patents
磁気バブル記憶素子Info
- Publication number
- JPS58185085A JPS58185085A JP57066832A JP6683282A JPS58185085A JP S58185085 A JPS58185085 A JP S58185085A JP 57066832 A JP57066832 A JP 57066832A JP 6683282 A JP6683282 A JP 6683282A JP S58185085 A JPS58185085 A JP S58185085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnifier
- detector
- magnetic bubble
- magnetic
- expander
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001175904 Labeo bata Species 0.000 description 1
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- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0866—Detecting magnetic domains
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル記憶素子にかかり、特に磁気バブル
検出器＠塚の改良に関する。
検出器＠塚の改良に関する。
磁気バブル記憶素子の構成要素である機能部のうちの重
要なものに検出器と拡大器がある。配憶情報の読出しに
使用される検出器には通常、磁気バブルからの漏洩磁場
を検出する磁気抵抗効果素子が用いられているが円形の
単一磁気バブルでは検出するに充分な磁場會得ることが
できないため検出する前に予め磁気バブル径の数百倍の
長さに拡大する拡大器が必要となる。検出出力は磁気バ
ブルの拡大器に比例して増大するため拡大器を設けるこ
とによって実用的な検出出力を得ることが可能となる。
要なものに検出器と拡大器がある。配憶情報の読出しに
使用される検出器には通常、磁気バブルからの漏洩磁場
を検出する磁気抵抗効果素子が用いられているが円形の
単一磁気バブルでは検出するに充分な磁場會得ることが
できないため検出する前に予め磁気バブル径の数百倍の
長さに拡大する拡大器が必要となる。検出出力は磁気バ
ブルの拡大器に比例して増大するため拡大器を設けるこ
とによって実用的な検出出力を得ることが可能となる。
磁気バブル拡大器のパタ／構造は今まで種々のものが提
案されてきているが現在では本質的に山形パーマロイパ
タ／からなる新組多段７エプロ／拡大器がもつとも広く
採用されている。多段シェブロン拡大器を用いて磁気バ
ブルを拡大するＫは磁壁移動度の関係から一差に数百倍
に伸ばすことかで色ないため、第１図に示すような逐次
拡大する方法がとられている。第１図は従来の磁気パズ
ル記憶素子の拡大器及び検出器（以下この領域を検出器
領域と呼ぶ。）の構成図で、ＩＦｉ転送路、２Ｆｉンエ
プロン拡大器、３は検出器を示している。
案されてきているが現在では本質的に山形パーマロイパ
タ／からなる新組多段７エプロ／拡大器がもつとも広く
採用されている。多段シェブロン拡大器を用いて磁気バ
ブルを拡大するＫは磁壁移動度の関係から一差に数百倍
に伸ばすことかで色ないため、第１図に示すような逐次
拡大する方法がとられている。第１図は従来の磁気パズ
ル記憶素子の拡大器及び検出器（以下この領域を検出器
領域と呼ぶ。）の構成図で、ＩＦｉ転送路、２Ｆｉンエ
プロン拡大器、３は検出器を示している。
しかし第１図をみて判るように検出熱炎りに磁気バブル
を拡大するには多くのシェプロ／バタ／２を必要とし素
子内での検出器領域の占有する面積が大きくなってしま
う。その丸めｌ素子内に数多くの検出器領域を具備する
わけにはいかず、通電 常１〜２ 、多くても４′が限習であった。記憶素子の
大容量化が進むとともにアーキテクチュアも多様化して
きて例えば高速読出しを実現するには多くの検出器を１
素子内に設けることが必要でそのためには検出器領域を
小さくしなければならない。これが実現できれば設計の
自由習が高まり。
を拡大するには多くのシェプロ／バタ／２を必要とし素
子内での検出器領域の占有する面積が大きくなってしま
う。その丸めｌ素子内に数多くの検出器領域を具備する
わけにはいかず、通電 常１〜２ 、多くても４′が限習であった。記憶素子の
大容量化が進むとともにアーキテクチュアも多様化して
きて例えば高速読出しを実現するには多くの検出器を１
素子内に設けることが必要でそのためには検出器領域を
小さくしなければならない。これが実現できれば設計の
自由習が高まり。
大容量化に伴なう性能低下を防ぐことができる。
本発明の目的は単位検出器領域の占有面積の小さい磁気
バブル記憶素子會提供することにある。
バブル記憶素子會提供することにある。
本発明の特徴は、少なくとも磁気バブル拡大器と検出器
とを具備してなる磁気バブル記憶素子において、前記拡
大器はパーマロイパタ／からな４第１の拡大器及び第１
の拡大器の下層に敷設された導電体バタ／からなる第２
の拡大器とを具備し、前記検出器は第１及び第２の拡大
器によって拡大された磁気バブルを検出する検出器であ
る磁気バブル記憶素子である。又、前記第２の拡大器の
拡大動作位相と前記検出器の検出動作位相が同−回転磁
場周期内にある磁気バブル記憶素子にある。
とを具備してなる磁気バブル記憶素子において、前記拡
大器はパーマロイパタ／からな４第１の拡大器及び第１
の拡大器の下層に敷設された導電体バタ／からなる第２
の拡大器とを具備し、前記検出器は第１及び第２の拡大
器によって拡大された磁気バブルを検出する検出器であ
る磁気バブル記憶素子である。又、前記第２の拡大器の
拡大動作位相と前記検出器の検出動作位相が同−回転磁
場周期内にある磁気バブル記憶素子にある。
第１図の従来構成の拡大器で大面積を占有してまで逐次
拡大しなければならない理由は磁気バブル磁壁移動度に
制限があるからである。磁気バブル径１〜２μｒｎＱｉ
後のガーネット材料での最大磁壁移動迷電は３０〜４０
ｍ／ｓｅｅ程質であるので充分な磁場勾配が与えられれ
ば数μ式の時間内、すなわち通常使用される磁動周波数
１００ＫＨＩ前後の回転磁場の１周期内に所要の長さに
拡大することが可能である。しかし７エプロン拡大ｖ９
ｒＫ誘起されるａ場勾配のみでは最大磁壁速度が得られ
ないため回転磁場の数１０周期をかけて逐次拡大する方
法をとらざるを得ない。
拡大しなければならない理由は磁気バブル磁壁移動度に
制限があるからである。磁気バブル径１〜２μｒｎＱｉ
後のガーネット材料での最大磁壁移動迷電は３０〜４０
ｍ／ｓｅｅ程質であるので充分な磁場勾配が与えられれ
ば数μ式の時間内、すなわち通常使用される磁動周波数
１００ＫＨＩ前後の回転磁場の１周期内に所要の長さに
拡大することが可能である。しかし７エプロン拡大ｖ９
ｒＫ誘起されるａ場勾配のみでは最大磁壁速度が得られ
ないため回転磁場の数１０周期をかけて逐次拡大する方
法をとらざるを得ない。
本発明は例えばシェプロ／拡大器のようなパーマロイパ
タ／からなる第１の拡大器と、この拡大器の下層に導電
体からなる第２の拡大器を設け、第２の拡大器に電流パ
ルスを流し充分な磁場勾配を磁気バブルに与えることに
よって達成される。
タ／からなる第１の拡大器と、この拡大器の下層に導電
体からなる第２の拡大器を設け、第２の拡大器に電流パ
ルスを流し充分な磁場勾配を磁気バブルに与えることに
よって達成される。
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。第２図は本
発明による磁気バブル記憶素子の第１の実施例の検出器
領域を示す構成図である。
発明による磁気バブル記憶素子の第１の実施例の検出器
領域を示す構成図である。
第２図右方向より転送路ｌをｌＯμ式の転送周期で転送
してきた磁気バブルはパーマロイパタ／からなる５０段
シェブロンの第１の拡大！２１に到達すると回転磁場に
よって誘起されたシェブｐンパタ／の磁場勾配により拡
大し始める。この磁気バブルが導電体パタ／からなるヘ
アピン形状の第２の拡大器４の中央部に到達した時、鉄
部の垂直バイアス磁場が小さくなるように第２の拡大器
４にＩｌ＆１３μ獣の電流パルスを通電する。この１１
１１パルスによって一部拡大し始めてい友磁気バブルは
一挙に第１の拡大５２１の全要分に拡大される。
してきた磁気バブルはパーマロイパタ／からなる５０段
シェブロンの第１の拡大！２１に到達すると回転磁場に
よって誘起されたシェブｐンパタ／の磁場勾配により拡
大し始める。この磁気バブルが導電体パタ／からなるヘ
アピン形状の第２の拡大器４の中央部に到達した時、鉄
部の垂直バイアス磁場が小さくなるように第２の拡大器
４にＩｌ＆１３μ獣の電流パルスを通電する。この１１
１１パルスによって一部拡大し始めてい友磁気バブルは
一挙に第１の拡大５２１の全要分に拡大される。
一旦拡大された磁気バブルは電流パルスが取り去られた
あとも全長分圧拡大されたま＼後続の７エ〜 プｐン
拡大器２２を転送して検出器３に到達し検出される。こ
のように従来は拡大器に進入してから検出器に到達する
のに数１０周期ｔ−要していたが本実施例によれば２周
期で済み検出器領域の面積が大幅に削減された。
あとも全長分圧拡大されたま＼後続の７エ〜 プｐン
拡大器２２を転送して検出器３に到達し検出される。こ
のように従来は拡大器に進入してから検出器に到達する
のに数１０周期ｔ−要していたが本実施例によれば２周
期で済み検出器領域の面積が大幅に削減された。
第３図は本発明による磁気バブル記憶素子の第２の実施
例の検出器領域を示す構成図である０第２図に示した第
１の実施例と異なる点は検出器３を第２の拡大器４のへ
アビ／ループ内に敷設したことである。すなわち第２の
拡大器４に流す電流パルスによって磁気バブルが一挙に
第１の拡大器２１の全要分に拡大されたと同時に検出器
３によって検出する。この一連の動作に関連する機能部
の周期内タイミングを第４図に示す。鮪４図は第２図の
実施例での回転磁場、検出出力波形、検出ストローブパ
ルス、第２の拡大器４に流す電流パルスの夫々の時間的
関係を表わし、この順序でａ。
例の検出器領域を示す構成図である０第２図に示した第
１の実施例と異なる点は検出器３を第２の拡大器４のへ
アビ／ループ内に敷設したことである。すなわち第２の
拡大器４に流す電流パルスによって磁気バブルが一挙に
第１の拡大器２１の全要分に拡大されたと同時に検出器
３によって検出する。この一連の動作に関連する機能部
の周期内タイミングを第４図に示す。鮪４図は第２図の
実施例での回転磁場、検出出力波形、検出ストローブパ
ルス、第２の拡大器４に流す電流パルスの夫々の時間的
関係を表わし、この順序でａ。
ｂ、ｃ、ｄに示されている。本実施例によれば拡大器に
進入してから検出器に到達するまでの所要転送周期が１
周期で済み第１の実施例よりさらに検出器領域の面積が
削減されている。
進入してから検出器に到達するまでの所要転送周期が１
周期で済み第１の実施例よりさらに検出器領域の面積が
削減されている。
以上説明したように本発明によれば検出器領域の面積が
大幅に削減でき、ｌ素子内に多くの検出器を具備するこ
とが可能となり、大容量、高性能磁気バブル記憶素子の
レイアウト設計の自由度が高まり工業上有益となる。
大幅に削減でき、ｌ素子内に多くの検出器を具備するこ
とが可能となり、大容量、高性能磁気バブル記憶素子の
レイアウト設計の自由度が高まり工業上有益となる。
笥１図は従来の磁気バブル記憶素子に用いられている検
出器領域の構成図、第２図、第３図は本発明の第１．第
２の実施例による磁気バブル記憶素子における検出諸省
域の構成図、第４図は本発明の第２の実施例の磁気バブ
ル記憶素子の駆動状態の時間的関係を示す図である。 なお図において。 ｌ・・・・・・転送路、２．２１．２２・・・・・・第
１の拡大器、３・・・・・・検出器、４・・・・・・第
２の拡大器である。 華３
出器領域の構成図、第２図、第３図は本発明の第１．第
２の実施例による磁気バブル記憶素子における検出諸省
域の構成図、第４図は本発明の第２の実施例の磁気バブ
ル記憶素子の駆動状態の時間的関係を示す図である。 なお図において。 ｌ・・・・・・転送路、２．２１．２２・・・・・・第
１の拡大器、３・・・・・・検出器、４・・・・・・第
２の拡大器である。 華３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌ＋ 少なくとも磁気バブル拡大器と検出器とを具
備してなる磁気バブル記憶素子において、前記拡大器は
パーマロイパタンからなるｓＲｔの拡大器及び第１の拡
大器の下層に敷設された導電体パタンからなる＃！２の
拡大器とを具備し、前記検出器は第１及び第２の拡大器
によって拡大された磁気バブルを検出する検出器である
ことを特徴とする磁気バブル記憶素子。 ＋２１ ！！ｆｆ記第２の拡大器の拡大動作位相と前
記検出器の検出動作位相が同−回転磁場周期内にある特
許請求範囲第（１）項記載の磁気バブル記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57066832A JPS58185085A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 磁気バブル記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57066832A JPS58185085A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 磁気バブル記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185085A true JPS58185085A (ja) | 1983-10-28 |
| JPS6142344B2 JPS6142344B2 (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=13327202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57066832A Granted JPS58185085A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 磁気バブル記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185085A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53130939A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-15 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
| JPS53139439A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-05 | Fujitsu Ltd | Bubble magnetic domain divider |
| JPS5755587A (en) * | 1980-09-20 | 1982-04-02 | Fujitsu Ltd | Bubble detecting system of magnetic bubble memory device |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP57066832A patent/JPS58185085A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53130939A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-15 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
| JPS53139439A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-05 | Fujitsu Ltd | Bubble magnetic domain divider |
| JPS5755587A (en) * | 1980-09-20 | 1982-04-02 | Fujitsu Ltd | Bubble detecting system of magnetic bubble memory device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6142344B2 (ja) | 1986-09-20 |
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