JPS58188004A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS58188004A JPS58188004A JP57070048A JP7004882A JPS58188004A JP S58188004 A JPS58188004 A JP S58188004A JP 57070048 A JP57070048 A JP 57070048A JP 7004882 A JP7004882 A JP 7004882A JP S58188004 A JPS58188004 A JP S58188004A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- composition
- high dielectric
- present
- porcelain composition
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミックコンデンサおよび電歪素子などの用
途に適した温度特性のすぐれた高誘電率磁器組成物に関
するものである。
途に適した温度特性のすぐれた高誘電率磁器組成物に関
するものである。
従来、上記の用途には、BaTi Os 、 Ba5
nO3)CaTiOsなどを主成分とし、これを種々の
添加物などで変性した磁器が実用化されている。これら
の磁器は、常温付近の誘電率が大きくなると誘電率の温
度変化率が大きくなるものであり、一方、読′直率の温
度変化率が小さくなると誘電率が小さくなるものであっ
て、銹′市率が大きく同時に誘゛市十の温度変化率の小
さい磁器を?1.)ることけ困ガ1なものであった。
nO3)CaTiOsなどを主成分とし、これを種々の
添加物などで変性した磁器が実用化されている。これら
の磁器は、常温付近の誘電率が大きくなると誘電率の温
度変化率が大きくなるものであり、一方、読′直率の温
度変化率が小さくなると誘電率が小さくなるものであっ
て、銹′市率が大きく同時に誘゛市十の温度変化率の小
さい磁器を?1.)ることけ困ガ1なものであった。
本発明はこのような欠点を改善し、誘電率が犬きく、か
つ誘電率の温度変化率が小さい磁器組成物を提供するも
のである。すなわち、本発明の組成物はBa CTie
−)((Zny、 Nb2/、 )x:] 03 (
たたし、0・01≦X≦0・08)で示される組成(B
a原子の30%リー1−″を Sr原子で置換した組成
を含む)よりなることを特徴とする高誘電率磁器組成物
である。
つ誘電率の温度変化率が小さい磁器組成物を提供するも
のである。すなわち、本発明の組成物はBa CTie
−)((Zny、 Nb2/、 )x:] 03 (
たたし、0・01≦X≦0・08)で示される組成(B
a原子の30%リー1−″を Sr原子で置換した組成
を含む)よりなることを特徴とする高誘電率磁器組成物
である。
誘′+18材木Aの旦備すべき条件としては、その用途
によす異なるが、セラミックコンデンサおよび電否素−
fなどでは誘電率が大きく、かつその温度変化率の′1
・さいことが要求される。なお、誘電率が大きいことは
素子の小形に重要である。また、広い温度僅囲で安定し
た特性を得るためには、誘電率の温度変化率の小さいこ
とが望ましい。本発明はこのような用途に適する磁器組
成物を提供することを目的とする。
によす異なるが、セラミックコンデンサおよび電否素−
fなどでは誘電率が大きく、かつその温度変化率の′1
・さいことが要求される。なお、誘電率が大きいことは
素子の小形に重要である。また、広い温度僅囲で安定し
た特性を得るためには、誘電率の温度変化率の小さいこ
とが望ましい。本発明はこのような用途に適する磁器組
成物を提供することを目的とする。
以t、本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例1
原料としてBaCO5、TiO2,ZnO、Nb2O5
オヨび5iC03を用いて、これらを下表に示した組成
比に秤量し混合したものを1000℃で2時間仮焼して
から、ボールミル のを乾燥したのち、ポリビニルアルコールの水溶液を一
バインダとして直径13m+111、長さ約1012F
の円柱状に加圧成形し、これを12’50〜1600’
Cの範囲内の温度で2時間焼成した。
オヨび5iC03を用いて、これらを下表に示した組成
比に秤量し混合したものを1000℃で2時間仮焼して
から、ボールミル のを乾燥したのち、ポリビニルアルコールの水溶液を一
バインダとして直径13m+111、長さ約1012F
の円柱状に加圧成形し、これを12’50〜1600’
Cの範囲内の温度で2時間焼成した。
焼成した磁器を厚さ1線に切断し、この両面にOr −
Auを蒸着したのち、誘電率と誘電正接を1KHzで
、室温において測定した。誘電率の温度変化率は20’
Cを基準として一25℃〜85℃の範囲で測定した。そ
の結集を下表に示す。
Auを蒸着したのち、誘電率と誘電正接を1KHzで
、室温において測定した。誘電率の温度変化率は20’
Cを基準として一25℃〜85℃の範囲で測定した。そ
の結集を下表に示す。
」1表において、試料1,7は本発明の範囲外の比較
豐+例であり、試料2〜6および試料8〜11は本発明
の実施例である。
の実施例である。
上表から明らかなように、本発明の範囲内の組成物より
なる磁器は、大きな誘電率(3056〜6472)と比
較的小さな誘電率の温度変化率(−26〜85℃の温度
範囲で一39〜37%)を示す。また、本発明の範囲内
の組成物は誘電正接も小さい特徴がある。
なる磁器は、大きな誘電率(3056〜6472)と比
較的小さな誘電率の温度変化率(−26〜85℃の温度
範囲で一39〜37%)を示す。また、本発明の範囲内
の組成物は誘電正接も小さい特徴がある。
以」−のように、本発明の組成物を誘電率が大きく、か
つその温度変化率が小さいため、セラミックコンデンサ
材料として有用である。また、本発明の組成物は誘電正
接の小さいことも一つの特徴である。
つその温度変化率が小さいため、セラミックコンデンサ
材料として有用である。また、本発明の組成物は誘電正
接の小さいことも一つの特徴である。
実施例2
実施例1に記載した方法で作製した円板状試料の両電極
間に電圧(0・01Hz)を印加し、そのときの試料の
厚さ方向の電歪を差動トランスを用いて測定した。測定
は試料をシリコン油中につけて行なった。試料4,9で
は゛、印加電圧が20KV4の場合に′電歪はそれぞれ
0・61 Xl 0 と0・53×1σ3であった。
間に電圧(0・01Hz)を印加し、そのときの試料の
厚さ方向の電歪を差動トランスを用いて測定した。測定
は試料をシリコン油中につけて行なった。試料4,9で
は゛、印加電圧が20KV4の場合に′電歪はそれぞれ
0・61 Xl 0 と0・53×1σ3であった。
また、この歪には両者ともヒステリシスがほとんど認め
られなかった。
られなかった。
以」−のように、本発明の組成物では電歪が大きく、か
つ、歪のヒステリシスのほとんどない材料が得られるだ
め、VTRオートトラッキング用ヘット駆動素イ,ミラ
ー制御素子々どの変位素子に適した組成物でもある。
つ、歪のヒステリシスのほとんどない材料が得られるだ
め、VTRオートトラッキング用ヘット駆動素イ,ミラ
ー制御素子々どの変位素子に適した組成物でもある。
なお、本発明でXがQ・01未満とXが0・08を越え
る組成およびSrの置換量が3o係を越える組成は誘電
率が小さくなるため、本発明の範囲から除き、本発明の
範囲は誘電率が30oO以」二の組成に限定した。
る組成およびSrの置換量が3o係を越える組成は誘電
率が小さくなるため、本発明の範囲から除き、本発明の
範囲は誘電率が30oO以」二の組成に限定した。
Claims (2)
- (1)BaCT11−x(Zn1/3Nb2/15)x
)05、 (ただし、○・o1≦X≦0・08)で示さ
れる組成よりなることを特徴とする高誘電率磁器組成物
。 - (2) Ba原子の3o%以下をSr原子で置換した
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の高誘電
率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070048A JPS58188004A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070048A JPS58188004A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58188004A true JPS58188004A (ja) | 1983-11-02 |
| JPS6116133B2 JPS6116133B2 (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=13420287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57070048A Granted JPS58188004A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58188004A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156062A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-06-29 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-04-26 JP JP57070048A patent/JPS58188004A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156062A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-06-29 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6116133B2 (ja) | 1986-04-28 |
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