JPS5819003A - マイクロ波共振回路装置 - Google Patents
マイクロ波共振回路装置Info
- Publication number
- JPS5819003A JPS5819003A JP11730381A JP11730381A JPS5819003A JP S5819003 A JPS5819003 A JP S5819003A JP 11730381 A JP11730381 A JP 11730381A JP 11730381 A JP11730381 A JP 11730381A JP S5819003 A JPS5819003 A JP S5819003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric resonator
- dielectric
- dielectric substrate
- microwave
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波帯信号の受信機等に用いられている
マイクロ波共振回路装置に関し、特に、誘電体基板上に
形成されたストリップラインとこのス） ＩＪツブライ
ンの近傍に設けられた誘電体共振器との結合により形成
される共振回路の共］辰周波数が、温度変化等によって
変動しないようにされたマイクロ波共振回路装置に関す
る、マイクロ波帯の周波数を有する信号に共振するマイ
クロ波共振回路を用いたものの一例としては、マイクロ
波発振回路があり、し０えば、ガリウムひ素電界効果ト
ランジスタ（以下ＧａＡｓ・ＦＥＴという）等の３端子
能動素子を用いて構成したものが提案されている。この
回路を第１図に示す１゜同図に於いて、／はＧａＡ、・
ＦＥＴで、そのゲート電極Ｇはストリップラインλに接
続され、スｉ・リップラインコの一端は抵抗３を介して
接地されている。また、ソース電極Ｓはストリップライ
ングに接続され、このストリップライングの一端は高周
波阻止用のイ／ダクタノスタ及びバイアス用抵抗Ａを介
して接地されており、更に、ドレイ／電極りはストリッ
プライ／７に接続され、このストリップライン７は高周
波駆出用のインダクタ７スｇを介して電源子Ｂに接続さ
れるとともに、その一端・は直流阻ＩＥ用のギャップコ
／デノサ９を介シてストリップライン１０に接続されて
いる。ストリップラインＩＯは高周波出力端子ＯＵＴを
形成している４、一方、発振周波数を安定化する為、ス
トリップライ／２の近傍にはＱの高い誘電体共振器／／
が結合されて設けられている１、 以上の様に構成された発振回路は、ＧａＡｓ−ＦＥＴ〆
のゲート電極Ｇ１ ソース電極Ｓ、及びドレイ／電極り
の各々に、ストリップライン、２及び誘電体共振器／／
により形成される等価イ／ピーダ／ス素子、ス） ｌ）
ツブライ／Ｖにより形成される等価イノビーダンス素子
、及びストリップライン７で形成される等価イノビーダ
ンス素子が夫々接続され、これらの３種の等価イノピー
ダンス素子の一端が共通接続されて帰還路が形成された
ものとなっている１、これにより発振動作がなされるが
、その発振周波数はス） ＩＪフッブライ２、グ、７の
長さが適宜選定され、また、誘電体共振器／／が調整さ
れることにより決定される。
マイクロ波共振回路装置に関し、特に、誘電体基板上に
形成されたストリップラインとこのス） ＩＪツブライ
ンの近傍に設けられた誘電体共振器との結合により形成
される共振回路の共］辰周波数が、温度変化等によって
変動しないようにされたマイクロ波共振回路装置に関す
る、マイクロ波帯の周波数を有する信号に共振するマイ
クロ波共振回路を用いたものの一例としては、マイクロ
波発振回路があり、し０えば、ガリウムひ素電界効果ト
ランジスタ（以下ＧａＡｓ・ＦＥＴという）等の３端子
能動素子を用いて構成したものが提案されている。この
回路を第１図に示す１゜同図に於いて、／はＧａＡ、・
ＦＥＴで、そのゲート電極Ｇはストリップラインλに接
続され、スｉ・リップラインコの一端は抵抗３を介して
接地されている。また、ソース電極Ｓはストリップライ
ングに接続され、このストリップライングの一端は高周
波阻止用のイ／ダクタノスタ及びバイアス用抵抗Ａを介
して接地されており、更に、ドレイ／電極りはストリッ
プライ／７に接続され、このストリップライン７は高周
波駆出用のインダクタ７スｇを介して電源子Ｂに接続さ
れるとともに、その一端・は直流阻ＩＥ用のギャップコ
／デノサ９を介シてストリップライン１０に接続されて
いる。ストリップラインＩＯは高周波出力端子ＯＵＴを
形成している４、一方、発振周波数を安定化する為、ス
トリップライ／２の近傍にはＱの高い誘電体共振器／／
が結合されて設けられている１、 以上の様に構成された発振回路は、ＧａＡｓ−ＦＥＴ〆
のゲート電極Ｇ１ ソース電極Ｓ、及びドレイ／電極り
の各々に、ストリップライン、２及び誘電体共振器／／
により形成される等価イ／ピーダ／ス素子、ス） ｌ）
ツブライ／Ｖにより形成される等価イノビーダンス素子
、及びストリップライン７で形成される等価イノビーダ
ンス素子が夫々接続され、これらの３種の等価イノピー
ダンス素子の一端が共通接続されて帰還路が形成された
ものとなっている１、これにより発振動作がなされるが
、その発振周波数はス） ＩＪフッブライ２、グ、７の
長さが適宜選定され、また、誘電体共振器／／が調整さ
れることにより決定される。
とのような基本的構成を有する発振回路では、温度の変
化あるいは、その発振出力が供給される負荷の変動等の
影響を受けて発振周波数が変動するのを防ぐべく誘電体
共振器／／を用いており、ストリップライ／２に対する
誘電体共振器ｌ／の距離ｄ及び１を調整している３、即
ち、発振回路全体としての温度腸性（１Ｍ度変化に対す
る周波数の変化の特性）は、Ｇａ、Ａ３・ＦＥＴ／を含
む発振部の温度特性と、誘電体共振器ｌ／の温度特性と
が合成されたものとなるので、全体の温度特性を優れた
ものとするため、発振部の？ｉ １１特性を打ち消すよ
うな温度特性を有した誘電体共振器／／を選択し、これ
を適切な位置に配して使用しているのである５、この場
合、誘電体共振器／／の共振周波数を調整する為に第２
図の上断面図及び第３図の側断面図（Ｃ示すように、ン
ヤー／／グに収納された誘電体基板／２上にストリップ
ライ／２とともに設けられた誘電体共振器／／の上面側
に、金属導体でなる調整板／乙を調整ネジ１７に固着１
〜、これをカバー／左に設けたメネジ部にネジ込み、こ
のネジ込み量を調整して所定の特性を得た後ロックナラ
）ｔｇを締付けることによって調整ネジ／７をカバー７
５に固定するようにしている。。
化あるいは、その発振出力が供給される負荷の変動等の
影響を受けて発振周波数が変動するのを防ぐべく誘電体
共振器／／を用いており、ストリップライ／２に対する
誘電体共振器ｌ／の距離ｄ及び１を調整している３、即
ち、発振回路全体としての温度腸性（１Ｍ度変化に対す
る周波数の変化の特性）は、Ｇａ、Ａ３・ＦＥＴ／を含
む発振部の温度特性と、誘電体共振器ｌ／の温度特性と
が合成されたものとなるので、全体の温度特性を優れた
ものとするため、発振部の？ｉ １１特性を打ち消すよ
うな温度特性を有した誘電体共振器／／を選択し、これ
を適切な位置に配して使用しているのである５、この場
合、誘電体共振器／／の共振周波数を調整する為に第２
図の上断面図及び第３図の側断面図（Ｃ示すように、ン
ヤー／／グに収納された誘電体基板／２上にストリップ
ライ／２とともに設けられた誘電体共振器／／の上面側
に、金属導体でなる調整板／乙を調整ネジ１７に固着１
〜、これをカバー／左に設けたメネジ部にネジ込み、こ
のネジ込み量を調整して所定の特性を得た後ロックナラ
）ｔｇを締付けることによって調整ネジ／７をカバー７
５に固定するようにしている。。
しかしながら、このような従来装置にあっては、誘電体
共振器／／が誘電体の外部にも電磁界が存在する不完全
な共振器であり、周囲のンールド状態により結合度も共
振周波数も変化するので、所定の結合度と共振周波数を
得るべく調整板／乙の調整ネジ／７を調整しても、ロッ
クナラ）７ｇを締付けることにより設定値がずれてしま
い、正確な調整をすることが困難であり、調整作業に多
大の工数を要するという問題点がある。また、誘電体共
振器／／と対向する誘電体基板／２の下面に一様に接地
導体／３が形成されている為、誘電体基板／２の厚みが
温度変化によって変動した場合に、大幅に共振周波数が
変化するという問題点がある。これは誘電体共振器／／
を共振させたとすると、その時の電界分布のほとんどが
誘電体共振器／／の内側へ集中し、誘電体共振器／ｌの
外側においては指数関数的に減衰することになるが、誘
電体共振器／／の外側の比較的近い位置にある接地導体
１３との距離が、温度変動による誘電体基板／２の厚み
変動により変化すると、共振周波数変動に寄与する割合
が多くなるという事に起因している１、 本発明は上記の様な種々の問題点を解決する為になされ
たものであって、本発明の目的は、誘電体基板／２の厚
みが温度変化によって変動したとしても、この厚み変動
が共振周波数の変動となる事を極力少なくすることにあ
る。
共振器／／が誘電体の外部にも電磁界が存在する不完全
な共振器であり、周囲のンールド状態により結合度も共
振周波数も変化するので、所定の結合度と共振周波数を
得るべく調整板／乙の調整ネジ／７を調整しても、ロッ
クナラ）７ｇを締付けることにより設定値がずれてしま
い、正確な調整をすることが困難であり、調整作業に多
大の工数を要するという問題点がある。また、誘電体共
振器／／と対向する誘電体基板／２の下面に一様に接地
導体／３が形成されている為、誘電体基板／２の厚みが
温度変化によって変動した場合に、大幅に共振周波数が
変化するという問題点がある。これは誘電体共振器／／
を共振させたとすると、その時の電界分布のほとんどが
誘電体共振器／／の内側へ集中し、誘電体共振器／ｌの
外側においては指数関数的に減衰することになるが、誘
電体共振器／／の外側の比較的近い位置にある接地導体
１３との距離が、温度変動による誘電体基板／２の厚み
変動により変化すると、共振周波数変動に寄与する割合
が多くなるという事に起因している１、 本発明は上記の様な種々の問題点を解決する為になされ
たものであって、本発明の目的は、誘電体基板／２の厚
みが温度変化によって変動したとしても、この厚み変動
が共振周波数の変動となる事を極力少なくすることにあ
る。
次に、本発明の実施例を図面の第ｖ図以降を参照して説
明する。第９図は本発明の一実施例の側断面図を示す。
明する。第９図は本発明の一実施例の側断面図を示す。
図において、誘電体基板２０の上面にはストリップライ
フ２／が形成されるとともに、このストリップライ／２
／の近傍には誘電体共振器２２が載置され、この誘電体
基板２０の下面には接地導体２３が形成されて、接地導
体２３の一部、即ち、誘電体共振器２２と対向する部分
に欠落部２．？Ａが形成されている。
フ２／が形成されるとともに、このストリップライ／２
／の近傍には誘電体共振器２２が載置され、この誘電体
基板２０の下面には接地導体２３が形成されて、接地導
体２３の一部、即ち、誘電体共振器２２と対向する部分
に欠落部２．？Ａが形成されている。
一方、このような誘電体基板２０は金属製のシャーシ２
ｖ内に収納され、このシャーシ２１１（７）下面の上記
欠落部、２．？Ａに対向する部位には、プレス加工等に
よって形成された突出部２夕が設けられている。さらに
、シャーシ、２ｔの上方は開口しており、この開口部を
覆うように金属製のカバー、２１．か図示しない取付ネ
ジ等によって固定できるようになっている６、このカバ
ー２Ａにはメネジ部が形成され、このメネジ部には調整
板２７が固着された調整ネジ２ｇがネジ込丑れ、調整板
２７と誘′甫、体共振器２．２の上面との間隔が調整で
きるようになっている１なお２ｑは調整ネジ２ｇをロッ
クする為のロックナツトである、。
ｖ内に収納され、このシャーシ２１１（７）下面の上記
欠落部、２．？Ａに対向する部位には、プレス加工等に
よって形成された突出部２夕が設けられている。さらに
、シャーシ、２ｔの上方は開口しており、この開口部を
覆うように金属製のカバー、２１．か図示しない取付ネ
ジ等によって固定できるようになっている６、このカバ
ー２Ａにはメネジ部が形成され、このメネジ部には調整
板２７が固着された調整ネジ２ｇがネジ込丑れ、調整板
２７と誘′甫、体共振器２．２の上面との間隔が調整で
きるようになっている１なお２ｑは調整ネジ２ｇをロッ
クする為のロックナツトである、。
ここで、誘電体共振器２２を共振させたとすると、その
時の電界分布けそのほとんどが誘電体共振器２２の内側
＼集中し誘電体共振器２２の外側においては指数関数的
に減衰する。本１＋ｌＪに於いては、共振周波数の設定
に寄与する上方及び下方の導体部は、上方に設けられた
調整板２７と下方に設けられた突出部２Ｎの内壁面とに
よって形成され、これらは誘電体共振器２２から比較的
離れた位置にあるので、誘電体共振器２２と調整板２７
もしくは突出部２Ｓの内壁面との距離が温度変動によシ
多少変動し、たとしても、誘電体共振器２２の共振周波
数変動に及ぼす影響は極めて小となる。
時の電界分布けそのほとんどが誘電体共振器２２の内側
＼集中し誘電体共振器２２の外側においては指数関数的
に減衰する。本１＋ｌＪに於いては、共振周波数の設定
に寄与する上方及び下方の導体部は、上方に設けられた
調整板２７と下方に設けられた突出部２Ｎの内壁面とに
よって形成され、これらは誘電体共振器２２から比較的
離れた位置にあるので、誘電体共振器２２と調整板２７
もしくは突出部２Ｓの内壁面との距離が温度変動によシ
多少変動し、たとしても、誘電体共振器２２の共振周波
数変動に及ぼす影響は極めて小となる。
従って、誘電体基板２θの厚みが温度変動によって変化
しても、この厚み変動が共振周波数の実質的変動を生せ
しめないことになる４、第５図に本発明の他の実施例を
示す。この実施１９すは第７図の例のンヤーシ２りの下
面の突出部２りの代りに、シャーシ２ケの下面から誘電
体基板２０に形成された接地導体２３を浮かせて収納し
たものである１、この実施例に於いては誘電体共振器λ
ノの下面側に欠落部、！３Ａを形成しであるので、誘電
体共振器２２の共振周波数の設定に寄力する上方及び下
方導体部の各々が、調整板２７及びシャーシ２ｙの下向
壁部となっており、誘電体基板コθの厚みが温度変動に
よって変化しても共振周波数の変動が極めて小さな値に
抑えられるのである。
しても、この厚み変動が共振周波数の実質的変動を生せ
しめないことになる４、第５図に本発明の他の実施例を
示す。この実施１９すは第７図の例のンヤーシ２りの下
面の突出部２りの代りに、シャーシ２ケの下面から誘電
体基板２０に形成された接地導体２３を浮かせて収納し
たものである１、この実施例に於いては誘電体共振器λ
ノの下面側に欠落部、！３Ａを形成しであるので、誘電
体共振器２２の共振周波数の設定に寄力する上方及び下
方導体部の各々が、調整板２７及びシャーシ２ｙの下向
壁部となっており、誘電体基板コθの厚みが温度変動に
よって変化しても共振周波数の変動が極めて小さな値に
抑えられるのである。
第６図は、誘電体共振器２２の共振周波数の設定に寄与
する、シャーン２ｑの下面に設けられた突出部２Ｓの内
壁面と誘電体共振器２２との間隔を可変する手段の一例
を示したものである、図に於いて、ソヤーン２１の下面
には突出部２５が設けられ、この突出部２３−には切起
し加工等によって形成されたツメ部、？０が設けられ、
このツメ部３０を曲げる事によってツメ部、？ ０と誘
電体共振器２２の下面との間の実質的間隔を変えて、共
振周波数を微調整できるようになっている。
する、シャーン２ｑの下面に設けられた突出部２Ｓの内
壁面と誘電体共振器２２との間隔を可変する手段の一例
を示したものである、図に於いて、ソヤーン２１の下面
には突出部２５が設けられ、この突出部２３−には切起
し加工等によって形成されたツメ部、？０が設けられ、
このツメ部３０を曲げる事によってツメ部、？ ０と誘
電体共振器２２の下面との間の実質的間隔を変えて、共
振周波数を微調整できるようになっている。
第７図は、誘電体共振器２２の上面とカバー２１との間
隔を可変する手段の一例を示したものである。図に於い
て、誘電体共振器２２の上方にはカバー、、？ｂが位置
し、このカバー２Ａの誘電体共振器２２との対向部位に
は第６図で示したツメ部３０と同様のツメ部３／及び３
２が形成され、このツメ部、？／及び３２の曲げ具合を
調整する事によって、誘電体共振器２２とカバーコ乙と
の間の実質的間隔を変えて、共振周波数を微調整する事
ができるようになっている。
隔を可変する手段の一例を示したものである。図に於い
て、誘電体共振器２２の上方にはカバー、、？ｂが位置
し、このカバー２Ａの誘電体共振器２２との対向部位に
は第６図で示したツメ部３０と同様のツメ部３／及び３
２が形成され、このツメ部、？／及び３２の曲げ具合を
調整する事によって、誘電体共振器２２とカバーコ乙と
の間の実質的間隔を変えて、共振周波数を微調整する事
ができるようになっている。
以−ト詳細に説明したように、本発明によれば、誘電体
基板の下面に配された接地導体に、誘電体基板の上面に
配された誘電体共振器に対向する部分を欠落させた欠落
部を設け、この欠落部の誘電体基板側とは反対側に接地
導体に接続された導体部を設けるようにしているので、
誘電体基板の厚みが温度変動によって変化１〜たとして
も、誘電体共振器の共振周波数の変動が極めて小さな値
に抑えられるという効果がある１、 なお、前述の種々の実施列に於いては、誘電体共振器２
２の共振周波数を微調整する手段に調整板２７が用いら
れ、あるいは、ツメ部３０．３／、及び３２が用いられ
ているが、これらのいずれかの手段を単独に用いても、
あるいは、これらを糾合せて用いても良い。
基板の下面に配された接地導体に、誘電体基板の上面に
配された誘電体共振器に対向する部分を欠落させた欠落
部を設け、この欠落部の誘電体基板側とは反対側に接地
導体に接続された導体部を設けるようにしているので、
誘電体基板の厚みが温度変動によって変化１〜たとして
も、誘電体共振器の共振周波数の変動が極めて小さな値
に抑えられるという効果がある１、 なお、前述の種々の実施列に於いては、誘電体共振器２
２の共振周波数を微調整する手段に調整板２７が用いら
れ、あるいは、ツメ部３０．３／、及び３２が用いられ
ているが、これらのいずれかの手段を単独に用いても、
あるいは、これらを糾合せて用いても良い。
また、接地導体２３に形成する欠落部２．）Ａの形状及
び大きさは、任意に設定できるものであり、本発明に係
るマイクロ波共振回路装置は、マイクロ波発振回路のみ
ならずトラップ回路、フィルタ回路等に於いても上記同
様に適用できる事は勿論である。
び大きさは、任意に設定できるものであり、本発明に係
るマイクロ波共振回路装置は、マイクロ波発振回路のみ
ならずトラップ回路、フィルタ回路等に於いても上記同
様に適用できる事は勿論である。
第１図はマイクロ波発振回路の一例を示す回路図、第２
図は従来のマイクロ波共振回路装置の一列を示す上面面
図、第、７図は第２図に示されるし１１の側断面図、第
グ図は本発明の一実施例を示す側断面図、第５図は本発
明の他の実施し１１を示す側断面図、第６図は共振周波
数の微調整手段の一列を示す側１折面図、第７図は上記
微調整手段の他の列を示す側断面図である。 図中、コ、２／はストリップライ／、／／、２２け誘電
体共振器、ｌス、２０は誘電体基板、／３、コ、？は接
地導体、２３Ａは欠落部、／す、２グ、はンヤーシ、２
５は突出部である。 （／／） 第 １ 図
図は従来のマイクロ波共振回路装置の一列を示す上面面
図、第、７図は第２図に示されるし１１の側断面図、第
グ図は本発明の一実施例を示す側断面図、第５図は本発
明の他の実施し１１を示す側断面図、第６図は共振周波
数の微調整手段の一列を示す側１折面図、第７図は上記
微調整手段の他の列を示す側断面図である。 図中、コ、２／はストリップライ／、／／、２２け誘電
体共振器、ｌス、２０は誘電体基板、／３、コ、？は接
地導体、２３Ａは欠落部、／す、２グ、はンヤーシ、２
５は突出部である。 （／／） 第 １ 図
Claims (1)
- 誘電体基板の下面に接地導体を配し、上面にストリップ
ラインを形成するとともに該ストリップラインの近傍に
誘電体共振器を設けて成るマイクの上記誘電体基板側と
は反対側に、上記接地導体に接続された導体部を設けた
事を特徴とするマイクロ波共振回路装置３．
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11730381A JPS5819003A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | マイクロ波共振回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11730381A JPS5819003A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | マイクロ波共振回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5819003A true JPS5819003A (ja) | 1983-02-03 |
Family
ID=14708407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11730381A Pending JPS5819003A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | マイクロ波共振回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819003A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382202A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Nippon Dengiyou Kosaku Kk | 誘電体共振器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5372438A (en) * | 1976-12-09 | 1978-06-27 | Toshiba Corp | Microwave circuit unit using dielectric resonator |
-
1981
- 1981-07-27 JP JP11730381A patent/JPS5819003A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5372438A (en) * | 1976-12-09 | 1978-06-27 | Toshiba Corp | Microwave circuit unit using dielectric resonator |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382202A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Nippon Dengiyou Kosaku Kk | 誘電体共振器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1101085A (en) | Integrated microwave oscillator | |
| US4307352A (en) | Micro-strip oscillator with dielectric resonator | |
| US4565979A (en) | Double dielectric resonator stabilized oscillator | |
| CA2172462A1 (en) | Dielectric Resonator and Dielectric Resonator Device Using Same | |
| US4630003A (en) | FET oscillator exhibiting negative resistance due to high impedance at the source of an FET thereof | |
| US4445097A (en) | Microstrip transistor oscillator with dielectric resonator stabilization | |
| US4477788A (en) | Dielectric resonator tuner and mechanical mounting system | |
| US4034319A (en) | Coupled bar microwave bandpass filter | |
| JPS58168306A (ja) | マイクロ波発振装置 | |
| JPS5819003A (ja) | マイクロ波共振回路装置 | |
| CA1115361A (en) | Microwave oscillator for microwave integrated circuit applications | |
| DE69606750T2 (de) | Mikrowellen-Oszillator und diesen verwendender Abwärts-Umsetzer | |
| JPS6218971Y2 (ja) | ||
| JPS6228083Y2 (ja) | ||
| US5204641A (en) | Conducting plane resonator stabilized oscillator | |
| JPS5836002A (ja) | 共振回路装置 | |
| US3693118A (en) | Variable tuning arrangement for a strip transmission line circuit | |
| JPS6218967Y2 (ja) | ||
| US6225879B1 (en) | Unperturbed ring resonator with an odd overtone vibration mode | |
| Komatsu et al. | A frequency-stabilized MIC oscillator using a newly-developed dielectric resonator | |
| US4799035A (en) | Microwave diode tuning circuit | |
| JP2731571B2 (ja) | ストリップライン型発振器 | |
| JPH021969Y2 (ja) | ||
| JPH01309501A (ja) | マイクロ波集積回路装置 | |
| JPS6224961Y2 (ja) |