JPS58190073A - 薄膜光電素子 - Google Patents
薄膜光電素子Info
- Publication number
- JPS58190073A JPS58190073A JP58044691A JP4469183A JPS58190073A JP S58190073 A JPS58190073 A JP S58190073A JP 58044691 A JP58044691 A JP 58044691A JP 4469183 A JP4469183 A JP 4469183A JP S58190073 A JPS58190073 A JP S58190073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- type
- carbide
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜光電素子に関する。
シラン（ＳｉＨ４）のプラズマ分解法で得られるアモル
ファスシリコンは、Ｗ、Ｅ、５ｐｅａｒ等によって、Ｐ
Ｈ３やＢ２Ｈ６でドープする事により、その伝導度を大
きく変える事ができることが発見され（１９７６年）、
Ｄ、Ｅ、Ｃａｒｌｓｏｎ等によってアモルファスシリコ
ンを用いた太陽電池が試作（１９７６年）されて以来注
目を集め、アモルファスシリコン薄膜太陽電池の効率を
改善する研究が活発Ｑて行なわれている。
ファスシリコンは、Ｗ、Ｅ、５ｐｅａｒ等によって、Ｐ
Ｈ３やＢ２Ｈ６でドープする事により、その伝導度を大
きく変える事ができることが発見され（１９７６年）、
Ｄ、Ｅ、Ｃａｒｌｓｏｎ等によってアモルファスシリコ
ンを用いた太陽電池が試作（１９７６年）されて以来注
目を集め、アモルファスシリコン薄膜太陽電池の効率を
改善する研究が活発Ｑて行なわれている。
これまでの研究により、アモルファスシリコン薄膜光電
素子の構造としでは、ショットキーバリヤー型、ｐｉｎ
型、ＭＩＳ型、ペテロ接合型がある。
素子の構造としでは、ショットキーバリヤー型、ｐｉｎ
型、ＭＩＳ型、ペテロ接合型がある。
ｐｉｎジャンクション型太陽電池の場合、ｐ型アモルフ
ァスシリコンでは、キャリヤーの寿命が短かく有効なキ
ャリヤーにならず、また光の吸収係数が中層に比べて大
きい事からｐ層での光の吸収ロスが大きい点に問題があ
る。このような欠点を改良する為に、インバーティドｎ
−ｉ −ｐ型の光電素子が提案されている。すなわちｎ
型アモルファスシリコン側から光を照射する素子である
。この場合もｎ型アモルファスシリコンでもｐ型と同様
でキャリヤーの寿命が短かく有効なキヘリャーにならな
いが、ｐ型に比べると光の吸収係数が小さい為に、ｐ
０ｌｌｌから光を照射するよりは有利になるが、ｎ型ア
モルファスシリコンで光の吸収ロスがある点では問題が
あった。
ァスシリコンでは、キャリヤーの寿命が短かく有効なキ
ャリヤーにならず、また光の吸収係数が中層に比べて大
きい事からｐ層での光の吸収ロスが大きい点に問題があ
る。このような欠点を改良する為に、インバーティドｎ
−ｉ −ｐ型の光電素子が提案されている。すなわちｎ
型アモルファスシリコン側から光を照射する素子である
。この場合もｎ型アモルファスシリコンでもｐ型と同様
でキャリヤーの寿命が短かく有効なキヘリャーにならな
いが、ｐ型に比べると光の吸収係数が小さい為に、ｐ
０ｌｌｌから光を照射するよりは有利になるが、ｎ型ア
モルファスシリコンで光の吸収ロスがある点では問題が
あった。
本発明者ね１、ジャンクシジン型光電素子の効率を改善
する為に鋭意研究した結果、シランと・・イドロカーボ
ンをプラズマ分解して得られるアモルファスシリコンカ
ーバイトのｎ型ドープ薄膜をｎ層に用いる事により効率
の大巾な改善を見い出したもので、以下にその詳細を説
明する。
する為に鋭意研究した結果、シランと・・イドロカーボ
ンをプラズマ分解して得られるアモルファスシリコンカ
ーバイトのｎ型ドープ薄膜をｎ層に用いる事により効率
の大巾な改善を見い出したもので、以下にその詳細を説
明する。
本発明は、シラン（ＳｉＨ４）又はその誌導体を水素又
はアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスと水素で希釈した
混合ガスを容量結合法又は誘導結合法による高周波グロ
ー分解法又は直流グロー放電分解法を用いる。混合ガス
中のシランの濃度は０．５〜５０チ、好ましくは１〜２
０チである０ 基板の温度は２００〜３００℃が好ま［７く、透明電極
（ＩＴＯ１ＳｎＯ２等）を蒸着したガラスや高分子フィ
ルム、金属等の構成に必要なあらゆる基板が含まれる。
はアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスと水素で希釈した
混合ガスを容量結合法又は誘導結合法による高周波グロ
ー分解法又は直流グロー放電分解法を用いる。混合ガス
中のシランの濃度は０．５〜５０チ、好ましくは１〜２
０チである０ 基板の温度は２００〜３００℃が好ま［７く、透明電極
（ＩＴＯ１ＳｎＯ２等）を蒸着したガラスや高分子フィ
ルム、金属等の構成に必要なあらゆる基板が含まれる。
光電素子の基本構成は、図−２の（ａ） 、 （ｂ）に
代表例が示される。（ａ）は透明基板を用いるタイプで
、例えばガラス−透明電極−ｐ−ｉ−ｎ−ＡＩ。
代表例が示される。（ａ）は透明基板を用いるタイプで
、例えばガラス−透明電極−ｐ−ｉ−ｎ−ＡＩ。
（ｂ）は不透明基板を用いるタイプで、例えばステンレ
ス−１） −ｉ −ｎ−透明電極の構成であり、いずれ
もｐ側から光を照射する。その他、ｐ層と透明電極の間
に薄い絶縁層をつけたり、薄い金属層をつけた構造でも
よい。要はｎ、ｉ及びｐの三層を含むジャンクションを
基本とするものであればいかなる構成でもよくｎ層での
光吸収を減少できる。
ス−１） −ｉ −ｎ−透明電極の構成であり、いずれ
もｐ側から光を照射する。その他、ｐ層と透明電極の間
に薄い絶縁層をつけたり、薄い金属層をつけた構造でも
よい。要はｎ、ｉ及びｐの三層を含むジャンクションを
基本とするものであればいかなる構成でもよくｎ層での
光吸収を減少できる。
本発明の光電素子とは、光スィッチ、太陽室５−
池等圧代表される光を電流又は電圧に変換する素子であ
る。
る。
シラン又はフッ化シランのグロー放電分解で得られる約
１０−７秒以上のキャリヤー寿命で約１０１７ｘ ’
ｅＶ ’以下の局在準位密度および１０ ’ ｃｓｙ’
ｖ以上の易動度をもつ真性アモルファスシリコン（以
下、１−ａ−８ｉ：Ｈという）をｉ層として、ｐ層には
上記真性アモルファスシリコンをボロン等の周期率表■
族の元素でドープしたｐ型アモルファスシリコン（以下
、ｐ−ａ−５ｉ：Ｈという）を用いる。また、このｐ型
のアモルファスシリコンのかわりにｐ型にドープしたア
モルファスシリコンカーバイトを用いてもよい。薄膜の
厚みは特に限定されないが、通常１−ａ−８ｉ：Ｈ層で
約２５０θ〜１ｏｏｏｏλ、ｐ−ａ−８ｉ：Ｈで１００
〜５ｏｏλが用いられる。
１０−７秒以上のキャリヤー寿命で約１０１７ｘ ’
ｅＶ ’以下の局在準位密度および１０ ’ ｃｓｙ’
ｖ以上の易動度をもつ真性アモルファスシリコン（以
下、１−ａ−８ｉ：Ｈという）をｉ層として、ｐ層には
上記真性アモルファスシリコンをボロン等の周期率表■
族の元素でドープしたｐ型アモルファスシリコン（以下
、ｐ−ａ−５ｉ：Ｈという）を用いる。また、このｐ型
のアモルファスシリコンのかわりにｐ型にドープしたア
モルファスシリコンカーバイトを用いてもよい。薄膜の
厚みは特に限定されないが、通常１−ａ−８ｉ：Ｈ層で
約２５０θ〜１ｏｏｏｏλ、ｐ−ａ−８ｉ：Ｈで１００
〜５ｏｏλが用いられる。
本発明のアモルファスシリコン力−バイトハ、シラン等
のシリコンハイドライド（５ｉｎＨ２旧２− ）とメタ
ン、エタン等のハイドロカーボンをグロー放電分解し゛
て得られる。ハイドロカーボンに−６＝ ・ついては、飽和脂肪族・・イドロカーボン（ＣｎＨＦ
＆＃ン）、不飽和脂肪族ノ・イドロカーボンス４ｆ２ （例えばエチレン、プロピレン等の一般式ＣｎＨ２ｎ）
でもよい。組成については、グロー放電分解時のガス組
成でＳｉ原子数とＣ原子数の比を用い、ＳｉｘＣ１−ｘ
で示す。例えばシラン（ＳｉＨ４）８モル、メタン２モ
ルの割合で混合した場合、Ｓ ｉ ｏ、ａ Ｃ０，２と
示される。エタン（Ｃ２１１５）を用いる場合、エタン
１モルにはメタン１モルの２倍のＣを含ムので、シラン
８モル、エタン１モルの混合でＳ ｉｏ、Ｂｃｏ、２と
なる。これらのガス組成で得られたアモルファスシリコ
ンカーパ（） ｔ ａ−ｓｔｘｃｌ−ｘ：Ｈとして以下
に示す。
のシリコンハイドライド（５ｉｎＨ２旧２− ）とメタ
ン、エタン等のハイドロカーボンをグロー放電分解し゛
て得られる。ハイドロカーボンに−６＝ ・ついては、飽和脂肪族・・イドロカーボン（ＣｎＨＦ
＆＃ン）、不飽和脂肪族ノ・イドロカーボンス４ｆ２ （例えばエチレン、プロピレン等の一般式ＣｎＨ２ｎ）
でもよい。組成については、グロー放電分解時のガス組
成でＳｉ原子数とＣ原子数の比を用い、ＳｉｘＣ１−ｘ
で示す。例えばシラン（ＳｉＨ４）８モル、メタン２モ
ルの割合で混合した場合、Ｓ ｉ ｏ、ａ Ｃ０，２と
示される。エタン（Ｃ２１１５）を用いる場合、エタン
１モルにはメタン１モルの２倍のＣを含ムので、シラン
８モル、エタン１モルの混合でＳ ｉｏ、Ｂｃｏ、２と
なる。これらのガス組成で得られたアモルファスシリコ
ンカーパ（） ｔ ａ−ｓｔｘｃｌ−ｘ：Ｈとして以下
に示す。
本発明の場合、アモルファスシリコンカーバイトをリン
等の周期率表■族の元素をドープしてｎ型ａ ５ｔｘ
ｃ１−ｘ ： Ｈとして用いる点に特徴がある。ドープ
蓋は任意であるが、通常ドーパント原子数／（Ｓｌ＋Ｃ
）原子数が０．０５〜５チで用いられる。
等の周期率表■族の元素をドープしてｎ型ａ ５ｔｘ
ｃ１−ｘ ： Ｈとして用いる点に特徴がある。ドープ
蓋は任意であるが、通常ドーパント原子数／（Ｓｌ＋Ｃ
）原子数が０．０５〜５チで用いられる。
ａ−８ｉ）（ＣＢ−ｘ ： ｔｔはシランのグロー放電
と同様の方法で作る事ができ、高エネルギーを加えて部
分的に秩序性をもたすこともできる。
と同様の方法で作る事ができ、高エネルギーを加えて部
分的に秩序性をもたすこともできる。
シランのグロー放電分解でメタン、エタン等のハイドロ
カーボンを混合してグロー放電分解してアモルファスシ
リコンカーバイトの得られる事は既に知られている〔例
えばｌｌＡ、Ａｎｄｅｒｓｏｎａｎｄ Ｗ、Ｅ、５ｐｅ
ａｒ、Ｐｈ１１．Ｍａｇ、 ３５ 、１ （１９７７）
）。
カーボンを混合してグロー放電分解してアモルファスシ
リコンカーバイトの得られる事は既に知られている〔例
えばｌｌＡ、Ａｎｄｅｒｓｏｎａｎｄ Ｗ、Ｅ、５ｐｅ
ａｒ、Ｐｈ１１．Ｍａｇ、 ３５ 、１ （１９７７）
）。
しかしながら、シランとメタンで得られるａ ５ＩＸ
ＣＩ Ｘ：Ｈを真性領域に用いた太陽電池は、Ｄ、Ｅ、
Ｃａｒｌｓｏｎ らの実験によりメタンを含まない場合
２．２７％の効率が、１０％のメタンを含むと１．４％
に低下し、さらに３０％のメタンを含む場合０．０８％
と極端に低下してし１う事が知られていた（例えばＴｏ
ｐｉｃｓ ｉｎ Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＶｏ
ｌ ３６ 、 Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒｓ ｐ層：３１１（Ｍ、Ｈ，Ｂｒｏｄｓｋｙ
、Ｓｐｒｉｎｇ−Ｖｅｒｌａｇ Ｂｅｒｌｉｎ Ｈｅｉ
ｄｅｌｂｅｒｇ刊１９７９年）。従ってメタン等のハイ
ドロカーボンは不純物として好ましくないとされていた
。
ＣＩ Ｘ：Ｈを真性領域に用いた太陽電池は、Ｄ、Ｅ、
Ｃａｒｌｓｏｎ らの実験によりメタンを含まない場合
２．２７％の効率が、１０％のメタンを含むと１．４％
に低下し、さらに３０％のメタンを含む場合０．０８％
と極端に低下してし１う事が知られていた（例えばＴｏ
ｐｉｃｓ ｉｎ Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＶｏ
ｌ ３６ 、 Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒｓ ｐ層：３１１（Ｍ、Ｈ，Ｂｒｏｄｓｋｙ
、Ｓｐｒｉｎｇ−Ｖｅｒｌａｇ Ｂｅｒｌｉｎ Ｈｅｉ
ｄｅｌｂｅｒｇ刊１９７９年）。従ってメタン等のハイ
ドロカーボンは不純物として好ましくないとされていた
。
本発明者は、アモルファスシリコンカーバイトをｎ型に
ドープする事によね大巾な効率を改善したものであり、
その効果は驚くべきものでおる。
ドープする事によね大巾な効率を改善したものであり、
その効果は驚くべきものでおる。
以下に実施例により説明するが、実施例では１−ａ−５
ｉ：Ｈが４５０ ＯＡ、 ｐ−ａ−５ｉ ： Ｈが２０
ＯＡのものを用いている。
ｉ：Ｈが４５０ ＯＡ、 ｐ−ａ−５ｉ ： Ｈが２０
ＯＡのものを用いている。
実施例
図−１に示す内径ｌｌ側の石英の反応管を用い１４．５
６ＭＨｚの高周波でグロー放電分解を行う。
６ＭＨｚの高周波でグロー放電分解を行う。
真性型（以後ｌ）アモルファスシリコンは、水素で希釈
したシランを２・〜１ＯＴｏｒｒでグロー放電分解する
。ｐ型アモルファスシリコンは水素で希釈したシランと
ジボラン（Ｂ２ Ｈ６）ＣＢ２ Ｈ６／ＳｉＨ，＝０．
５モル％）を同様にグロー放電分解する。
したシランを２・〜１ＯＴｏｒｒでグロー放電分解する
。ｐ型アモルファスシリコンは水素で希釈したシランと
ジボラン（Ｂ２ Ｈ６）ＣＢ２ Ｈ６／ＳｉＨ，＝０．
５モル％）を同様にグロー放電分解する。
ｎ型アモルファスシリコンカーバイトは水素で希釈した
シラン、メタン（ＣＨ４）、フォスフイン（ＰＨｓ ）
（Ｐ）１３／ （ＣＨ４＋５ｉＨ４）＝０．５モルチ
）を同様ニクロー放電分解する。ここでアモルファスシ
リコンカーバイト（ａ ５ＩＸＣＩ ｘ：’Ｈ）の組
成は、グロー放電時のガス組成５ＩＸＣＩ−ｘでＸを０
．９５〜０．５０に変１した。
シラン、メタン（ＣＨ４）、フォスフイン（ＰＨｓ ）
（Ｐ）１３／ （ＣＨ４＋５ｉＨ４）＝０．５モルチ
）を同様ニクロー放電分解する。ここでアモルファスシ
リコンカーバイト（ａ ５ＩＸＣＩ ｘ：’Ｈ）の組
成は、グロー放電時のガス組成５ＩＸＣＩ−ｘでＸを０
．９５〜０．５０に変１した。
＝９−
太陽電池の構成は、ステンレス基板、ｐ型ａ−８ｉ：Ｈ
，ｉ型ａ−５ｉ：Ｈ，ｎ型ａ−５ｉ）（ＣＩ −ｘ ：
Ｈ。
，ｉ型ａ−５ｉ：Ｈ，ｎ型ａ−５ｉ）（ＣＩ −ｘ ：
Ｈ。
ＩＴＯ（インジウムスズオキサイド）電極からなり、こ
れにＡＭ−１１００ｍＷ／ｉのソーラーシュミレータ−
でｐ層側から光照射したときの太陽電池特性を調べた。
れにＡＭ−１１００ｍＷ／ｉのソーラーシュミレータ−
でｐ層側から光照射したときの太陽電池特性を調べた。
グロー放電時の基也温度は２５０℃で行なった。
又、ｉ層は４５００Ａ、 ｐ層は２００Ａ、ｎ型ａ
５ＩＸＣＩ ｘ：Ｈの厚みは１３５Ａである。
５ＩＸＣＩ ｘ：Ｈの厚みは１３５Ａである。
ｎ型ａ−３ｉ）（ＣＩ −ｘ ： Ｈのガス組成による
太陽電池特性をみると本発明の５ｉ）（ＣＩ −ｘ ：
Ｈを用いた場合、Ｘの値により異るが５ｉｌＣ（、を
用いた場合に比し約５〜５０％の変換効率向上がみられ
た。
太陽電池特性をみると本発明の５ｉ）（ＣＩ −ｘ ：
Ｈを用いた場合、Ｘの値により異るが５ｉｌＣ（、を
用いた場合に比し約５〜５０％の変換効率向上がみられ
た。
図−１は本発明のプラズマ分解装置の概略図、図−２は
本発明太陽電池の基本構成を示すもので、（ａ）は透明
基板を用いるタイプ、（ｂ）は不透明基板を用いるタイ
プである。 ｌは電柾、２はす七ブタ−１３は基板加熱用ヒーター、
４はガス（シラン、メタン、ドービングガス）の入口、
５は真空に引くためのガス出口、６は基板、７はガラス
又は透明フィルム、８は透明電極、９はｐ型のａ−５ｔ
：Ｈ，１０はｉ型ａ−５ｌ：Ｈ，１１はｎ ｍ ａ−ｓ
ｉｘｃｌ−Ｘ ： Ｈ，１２は電極、１３は透明電極、
１４はステンレス、モリブデン、金属全蒸着１．たフィ
ルム。 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社・浜川圭弘代理人弁
理士内田敏彦 −】ｌ− 図−１ 図−２
本発明太陽電池の基本構成を示すもので、（ａ）は透明
基板を用いるタイプ、（ｂ）は不透明基板を用いるタイ
プである。 ｌは電柾、２はす七ブタ−１３は基板加熱用ヒーター、
４はガス（シラン、メタン、ドービングガス）の入口、
５は真空に引くためのガス出口、６は基板、７はガラス
又は透明フィルム、８は透明電極、９はｐ型のａ−５ｔ
：Ｈ，１０はｉ型ａ−５ｌ：Ｈ，１１はｎ ｍ ａ−ｓ
ｉｘｃｌ−Ｘ ： Ｈ，１２は電極、１３は透明電極、
１４はステンレス、モリブデン、金属全蒸着１．たフィ
ルム。 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社・浜川圭弘代理人弁
理士内田敏彦 −】ｌ− 図−１ 図−２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真性アモルファスシリコン層を含む１−１−ｎ接合
型薄膜光電素子において、プラズマ気相分解法で得られ
るアモルファスＶリコンカーバイドのｎ型ドープ層を光
の入射と反対側に存在させることを特徴とすゐ薄膜光電
素子。 １ 前記アモル７１スＶリコンカーバイドが、プラズマ
分解時のＶランとハイドロカーボンのガス組成８１ｘＯ
ｊ 、 （但し、Ｘは約０．９７〜０．３である）で示
される特許請求の範囲第１項記載の薄膜光電素子。 ３、 アセルア１スＶリコンカーバイドのｎ型ドープ薄
層の厚さが約５０〜４００ｉである特許請求の範囲第１
項または第２項記載の薄膜光電素子。 ４、特許請求の範囲第５項記載の光電素子を用いること
を特徴とする薄膜太陽電池。 （以下余白 第３頁に続く）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044691A JPS58190073A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 薄膜光電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044691A JPS58190073A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 薄膜光電素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55181150A Division JPS57104276A (en) | 1980-02-04 | 1980-12-19 | Amorphous silicon thin film photoelectric element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190073A true JPS58190073A (ja) | 1983-11-05 |
Family
ID=12698441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58044691A Pending JPS58190073A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 薄膜光電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58190073A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05146217A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-06-15 | Iseki & Co Ltd | コンバインにおける穀粒貯留装置 |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP58044691A patent/JPS58190073A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05146217A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-06-15 | Iseki & Co Ltd | コンバインにおける穀粒貯留装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4504518A (en) | Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy | |
| US5730808A (en) | Producing solar cells by surface preparation for accelerated nucleation of microcrystalline silicon on heterogeneous substrates | |
| US4615905A (en) | Method of depositing semiconductor films by free radical generation | |
| EP0104907B1 (en) | Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy | |
| US4664937A (en) | Method of depositing semiconductor films by free radical generation | |
| US5646050A (en) | Increasing stabilized performance of amorphous silicon based devices produced by highly hydrogen diluted lower temperature plasma deposition | |
| US4385199A (en) | Photovoltaic cell having a hetero junction of amorphous silicon carbide and amorphous silicon | |
| JP2616929B2 (ja) | 微結晶炭化ケイ素半導体膜の製造方法 | |
| SE457125B (sv) | Fotocellsdon och saett att framstaella detsamma | |
| JP2692091B2 (ja) | 炭化ケイ素半導体膜およびその製造方法 | |
| JPH0363229B2 (ja) | ||
| JPH0544198B2 (ja) | ||
| US4701343A (en) | Method of depositing thin films using microwave energy | |
| JPS58190073A (ja) | 薄膜光電素子 | |
| JP2530408B2 (ja) | アモルフアスシリコン系光電素子の製造方法 | |
| JP2688219B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS6216031B2 (ja) | ||
| JPS6148276B2 (ja) | ||
| JPH0315335B2 (ja) | ||
| JP2659369B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS63220581A (ja) | 光電変換素子の製造法 | |
| JPH0714072B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| Itozaki et al. | Amorphous Silicon-Germanium Deposited by Photo-CVD | |
| JPH0554272B2 (ja) | ||
| JPH05275726A (ja) | 光電変換装置 |