JPS58199039A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS58199039A JPS58199039A JP8217682A JP8217682A JPS58199039A JP S58199039 A JPS58199039 A JP S58199039A JP 8217682 A JP8217682 A JP 8217682A JP 8217682 A JP8217682 A JP 8217682A JP S58199039 A JPS58199039 A JP S58199039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- mask
- transparent
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
μ） 発明の技術分野
本発明は薄膜形成７７法に係り、特にあらかじめ払板表
面ＶＣ岐宥形成された透明導電幌上に反応性ガス雰囲気
中でスパッタリングによって絶縁！ｌ！を破着形成する
方法の改良に関するものである。
面ＶＣ岐宥形成された透明導電幌上に反応性ガス雰囲気
中でスパッタリングによって絶縁！ｌ！を破着形成する
方法の改良に関するものである。
（１従来技術と間趙点
１！； ［・表示バネｐ、ガス故電パネルの如き平板状
表１Ｉクパネルを構成するに用いられるＷ極基板は、一
般にガ゛７ス基板の表面に酸化インジウム（ｆｒ１２Ｌ
）＋３）、めるいは酸化錫（ＳｎＯ）またはそれらのｌ
昆む物等からなる透明４電映を蒸着法ろるいはスパッタ
リング等の破着方法によって形成し、該透明導４頃をノ
シｒ定の表示用°鉦瑚バクーンにフォトリソ１、、程Ｖ
こよりバターニングした後、かかる透明電極を衣小謀俸
から絶縁するために、該透明電像りに例えばｒルゴ／（
Ａｒ）ガスをＪａＪ１添卯した窒素（ＩＪ２）ガスを主
成分とするガス雰囲気中でスパッタリングによって窒化
珪素（ＦＳｉａ凶４）からなる絶縁膜を被覆した構成が
とられている。
表１Ｉクパネルを構成するに用いられるＷ極基板は、一
般にガ゛７ス基板の表面に酸化インジウム（ｆｒ１２Ｌ
）＋３）、めるいは酸化錫（ＳｎＯ）またはそれらのｌ
昆む物等からなる透明４電映を蒸着法ろるいはスパッタ
リング等の破着方法によって形成し、該透明導４頃をノ
シｒ定の表示用°鉦瑚バクーンにフォトリソ１、、程Ｖ
こよりバターニングした後、かかる透明電極を衣小謀俸
から絶縁するために、該透明電像りに例えばｒルゴ／（
Ａｒ）ガスをＪａＪ１添卯した窒素（ＩＪ２）ガスを主
成分とするガス雰囲気中でスパッタリングによって窒化
珪素（ＦＳｉａ凶４）からなる絶縁膜を被覆した構成が
とられている。
ところがに述のようにスパッタリングＶこよって絶縁膜
會刀フヌ基板の透明電１徊上に破着する場合従来におい
ては、第１図に示すようにスパッタ、リング装置のチャ
ンバー１内に配備された陰極２上Ｖ（珪素あるいは窒化
珪素からなるターゲラ１゛８が配置され、該ターゲット
８に対向して配置されている陽−４上に、図示の如く透
明電極６が配設された＊ｍ基板５が、その、ヒ面に１！
［接ステンレス等から−なる金属マスク７を載置した形
で取付けられている。そして前記チャンバー１内へ例え
ばアルゴン（Ａｒ）ガスを１址添加した窒素（Ｎ２）ガ
スを流入し、該Ｎ２ガス冥囲気中において前記ターゲッ
トＢ側の１物２に高周波電圧（ＲＦ）を印加し、両電瑚
２と４間に発生するプラズマ放電における窒素イオン（
、Ｎ ）を１１ｍ１１ｍ２側のターゲット８表面に衝
突きしめ、該衝突によってスパッタされたターゲット８
財の原子と窒素イオンが反応して生成された窒化珪素（
Ｓｉ３Ｎ４ ）からなる絶縁膜を前記基板５上に破着さ
ｔている。従ってかかるスパッタ中にアース側から陽極
４全通して前記金属マスク７を介し、ガラス基板５との
透明１［に電子（０−）が流れ、該金属マスク７と接し
ている透明電極６部分ニオイテ例えば２Ｉｎ１０３ ＋
８ｅ−＋ ８Ｎ”−＋４Ｆ＋１ ＋８ＮＯｚなる化学
反応が生じ、酸化インジウムからなる透明＊ｆｆ１６が
部分的に還元されて黒く変色するといった全都αがあっ
た。このような透四峨−６の部分的変色は表示バネｐの
輝度むらとなって硯われ、表示品質を著しく劣化させる
欠点がめった。
會刀フヌ基板の透明電１徊上に破着する場合従来におい
ては、第１図に示すようにスパッタ、リング装置のチャ
ンバー１内に配備された陰極２上Ｖ（珪素あるいは窒化
珪素からなるターゲラ１゛８が配置され、該ターゲット
８に対向して配置されている陽−４上に、図示の如く透
明電極６が配設された＊ｍ基板５が、その、ヒ面に１！
［接ステンレス等から−なる金属マスク７を載置した形
で取付けられている。そして前記チャンバー１内へ例え
ばアルゴン（Ａｒ）ガスを１址添加した窒素（Ｎ２）ガ
スを流入し、該Ｎ２ガス冥囲気中において前記ターゲッ
トＢ側の１物２に高周波電圧（ＲＦ）を印加し、両電瑚
２と４間に発生するプラズマ放電における窒素イオン（
、Ｎ ）を１１ｍ１１ｍ２側のターゲット８表面に衝
突きしめ、該衝突によってスパッタされたターゲット８
財の原子と窒素イオンが反応して生成された窒化珪素（
Ｓｉ３Ｎ４ ）からなる絶縁膜を前記基板５上に破着さ
ｔている。従ってかかるスパッタ中にアース側から陽極
４全通して前記金属マスク７を介し、ガラス基板５との
透明１［に電子（０−）が流れ、該金属マスク７と接し
ている透明電極６部分ニオイテ例えば２Ｉｎ１０３ ＋
８ｅ−＋ ８Ｎ”−＋４Ｆ＋１ ＋８ＮＯｚなる化学
反応が生じ、酸化インジウムからなる透明＊ｆｆ１６が
部分的に還元されて黒く変色するといった全都αがあっ
た。このような透四峨−６の部分的変色は表示バネｐの
輝度むらとなって硯われ、表示品質を著しく劣化させる
欠点がめった。
（Ｑｌ 発明の目的
本発明の目的は、上記従来の不都合を除去するため、陽
極側に配置したガラス基板五の透明電極を、＆Ｉｍマス
クあるいはスパッタリング装置と絶縁してスパッタ中に
前記透明電極に電子（ｅ−）が流れないようＶＣＬ、酊
記透明電轍とに該ｖｔ他を変色させることなく窒化珪素
からなる絶縁膜を安定に、かつ歩留りよく？１１着する
ことのできる新規な４映形成方法を提供するにある。
極側に配置したガラス基板五の透明電極を、＆Ｉｍマス
クあるいはスパッタリング装置と絶縁してスパッタ中に
前記透明電極に電子（ｅ−）が流れないようＶＣＬ、酊
記透明電轍とに該ｖｔ他を変色させることなく窒化珪素
からなる絶縁膜を安定に、かつ歩留りよく？１１着する
ことのできる新規な４映形成方法を提供するにある。
（ＣＩＪ 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、表面に透明４ｗｔｖ
４を被着形成してなる基板Ｅに、窒素ガスを主成分と、
するガス雰囲気中でのスパッタリングによって窒化珪素
からなる絶縁膜を破着せしめるに際【７、前記透明４′
４ｃ映を接地電位から絶縁した状鯨で、Ｅ記絶縁暎を被
着形成するようにしたことを特徴とするｌＩＩ！ＩＩ形
成方法を提供することによりて連成される。
４を被着形成してなる基板Ｅに、窒素ガスを主成分と、
するガス雰囲気中でのスパッタリングによって窒化珪素
からなる絶縁膜を破着せしめるに際【７、前記透明４′
４ｃ映を接地電位から絶縁した状鯨で、Ｅ記絶縁暎を被
着形成するようにしたことを特徴とするｌＩＩ！ＩＩ形
成方法を提供することによりて連成される。
ｔｅ＋ 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第２図は本開明に係る薄膜形成方法の一実施例を、透明
溝１４ｃ映からなる透明を極が形成された電瑚基板五に
スパッタリングによって絶縁膜を破着する場合における
Ｆ４８記スパッタリング装置内への電ｆ＃１基板の配役
構成を示す咬部断面図であり、第１図と同等部分には同
一符号を付している。
溝１４ｃ映からなる透明を極が形成された電瑚基板五に
スパッタリングによって絶縁膜を破着する場合における
Ｆ４８記スパッタリング装置内への電ｆ＃１基板の配役
構成を示す咬部断面図であり、第１図と同等部分には同
一符号を付している。
図示のように本発明にあっては、スパッタリング装置内
の陽ｍ４ｋにマスク支持具８によって絶縁膜を破着すべ
き電１蔀基板５と金属マスク７とを配置する場合に、前
記ｗｔ、極基板５トの透明溝ｔａｌｌからなる透明電−
６に金属マスク７が直接接触しないように、例えばガラ
スまたはセラミック等からなる肩板片状の絶縁スペーサ
を介在させた形で絶縁配置するか、めるいは前記金属マ
スク７の材質をセラミックあるいはガラス等からなる絶
縁物に替えた薄板状の絶縁性マスク２７をマスク支持具
８によって前記ｔ＊基板５上に載置して、該電幽基ａｔ
５にの透明電極６と腸管−４とを電気的に絶縁し／ｃ＃
４我とし、かかる伏線で前記［極基板５上ＶこＳＬ Ｂ
ＩＮ ４からなる絶縁膜を従来と同様のスパッタリン
グによって破着することにより、従来のクロきアース−
より陽極４および絶縁性マスク２７を通して前記基板５
上の透明電極６へ電子（ｅ−）が流れるといった境象が
なくなり、前記透明ｍ＆６が部分的に黒色変化すること
が排除される。
の陽ｍ４ｋにマスク支持具８によって絶縁膜を破着すべ
き電１蔀基板５と金属マスク７とを配置する場合に、前
記ｗｔ、極基板５トの透明溝ｔａｌｌからなる透明電−
６に金属マスク７が直接接触しないように、例えばガラ
スまたはセラミック等からなる肩板片状の絶縁スペーサ
を介在させた形で絶縁配置するか、めるいは前記金属マ
スク７の材質をセラミックあるいはガラス等からなる絶
縁物に替えた薄板状の絶縁性マスク２７をマスク支持具
８によって前記ｔ＊基板５上に載置して、該電幽基ａｔ
５にの透明電極６と腸管−４とを電気的に絶縁し／ｃ＃
４我とし、かかる伏線で前記［極基板５上ＶこＳＬ Ｂ
ＩＮ ４からなる絶縁膜を従来と同様のスパッタリン
グによって破着することにより、従来のクロきアース−
より陽極４および絶縁性マスク２７を通して前記基板５
上の透明電極６へ電子（ｅ−）が流れるといった境象が
なくなり、前記透明ｍ＆６が部分的に黒色変化すること
が排除される。
なお以北の実施例では透明電極が形成された電極基板Ｅ
にスパッタリングによってＳｉ３Ｎ４からなる絶縁膜を
形成する場合の例について説明したが。
にスパッタリングによってＳｉ３Ｎ４からなる絶縁膜を
形成する場合の例について説明したが。
本発明はこれに限定されるものではなく、例えば窒化ボ
リン（ＢＮ）からなる絶縁膜％あるいはＮ２ガス以外の
陽イオンとなるガスを用いて絶縁膜をａｔｌ、１４４１
ｔ１１１に上にスパッタリングにより被着する場８・に
も同様の効果が得られる。
リン（ＢＮ）からなる絶縁膜％あるいはＮ２ガス以外の
陽イオンとなるガスを用いて絶縁膜をａｔｌ、１４４１
ｔ１１１に上にスパッタリングにより被着する場８・に
も同様の効果が得られる。
（１″）発明の効果
以りの説明から明らかなように本発明に係る薄膜形成方
法によれば、あらかじめ基板表面に形成された透明導電
映からなる透明電極１に反応性スパッタリングによって
窒化珪素等からなる絶縁膜を被着させる際に前記透明ｗ
ｆ極が変色することが俳味されるので、Ｃ；Ｌ表示パネ
ルあるいはガス放電バネ７し寺の各種表示バネｐ用の透
明ｗｌＬｌ＊ｉが形成された電績基板北に絶縁膜を被着
するのに適用して極めて有利であり、高品質の各種表σ
くパネル相電極基板を歩留りよく得ることができる利点
を有する。また上記表示パネルの製造分野に限らず、透
明導ｔＩｔ膜を５ｉａＮ４あるいはＢＮ等からなる絶縁
膜で被覆する工程に適用してすぐれた効果が発揮される
。
法によれば、あらかじめ基板表面に形成された透明導電
映からなる透明電極１に反応性スパッタリングによって
窒化珪素等からなる絶縁膜を被着させる際に前記透明ｗ
ｆ極が変色することが俳味されるので、Ｃ；Ｌ表示パネ
ルあるいはガス放電バネ７し寺の各種表示バネｐ用の透
明ｗｌＬｌ＊ｉが形成された電績基板北に絶縁膜を被着
するのに適用して極めて有利であり、高品質の各種表σ
くパネル相電極基板を歩留りよく得ることができる利点
を有する。また上記表示パネルの製造分野に限らず、透
明導ｔＩｔ膜を５ｉａＮ４あるいはＢＮ等からなる絶縁
膜で被覆する工程に適用してすぐれた効果が発揮される
。
第１図は従来の薄膜形成方法を説明するためのスパッタ
リング装置を示す概略図、第２図は本発明に係る薄膜形
成方法の一実施例を説明するスパッタリング装置内への
絶縁ｇを被着すべき１１ｃ極基板の配設構成を示す委部
断面図である。 図において４は陽−１５は［極基板、６は透明４電膜か
らなる透明電極、８はマスク支持具、２７は絶縁性マス
クを示す。
リング装置を示す概略図、第２図は本発明に係る薄膜形
成方法の一実施例を説明するスパッタリング装置内への
絶縁ｇを被着すべき１１ｃ極基板の配設構成を示す委部
断面図である。 図において４は陽−１５は［極基板、６は透明４電膜か
らなる透明電極、８はマスク支持具、２７は絶縁性マス
クを示す。
Claims (2)
- （１）表面に透明導ｌ４ｃｌｌｌＪ！を破着形成してな
る基板上に、ガス雰囲気中でのスパッタリングによって
絶縁膜を？１１着せしめるに際し、前記透明導電膜を接
地電位から絶縁した状覇で、上記絶縁膜を破着形成する
、よう圧したことを特徴とする薄膜形成方法。 - （２）前記ガスガ曲気が窒素ガスを主成分とするガスで
あり、かつｉｌ！ｌ！着形成する絶瞼膜が窒化珪素膜で
あることを特徴とする特ｒＦ請求の範囲第（１１項記載
の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8217682A JPS58199039A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8217682A JPS58199039A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199039A true JPS58199039A (ja) | 1983-11-19 |
Family
ID=13767119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8217682A Pending JPS58199039A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199039A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0660334U (ja) * | 1993-02-02 | 1994-08-23 | 茂典 元村 | 支骨部材およびそれを使用したビニルハウス |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP8217682A patent/JPS58199039A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0660334U (ja) * | 1993-02-02 | 1994-08-23 | 茂典 元村 | 支骨部材およびそれを使用したビニルハウス |
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