JPH0370328B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0370328B2 JPH0370328B2 JP57093135A JP9313582A JPH0370328B2 JP H0370328 B2 JPH0370328 B2 JP H0370328B2 JP 57093135 A JP57093135 A JP 57093135A JP 9313582 A JP9313582 A JP 9313582A JP H0370328 B2 JPH0370328 B2 JP H0370328B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- transparent conductive
- sputtering
- light transmittance
- present
- Prior art date
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属インジウムを主成分とするター
ゲツト材料を用いたスパツタリング法により透明
導電膜を形成する方法に関するものである。
ゲツト材料を用いたスパツタリング法により透明
導電膜を形成する方法に関するものである。
このような方法で透明導電膜を形成する場合、
従来は、予め被着形成する基板を加熱しておき、
そこに酸素とアルゴンを導入してスパツタリング
を行なう方法や、酸素とアルゴンを導入してスパ
ツタリングを行ない薄膜を形成した後に、酸化雰
囲気中で加熱処理して透明導電膜とする方法が行
なわれている。
従来は、予め被着形成する基板を加熱しておき、
そこに酸素とアルゴンを導入してスパツタリング
を行なう方法や、酸素とアルゴンを導入してスパ
ツタリングを行ない薄膜を形成した後に、酸化雰
囲気中で加熱処理して透明導電膜とする方法が行
なわれている。
しかしながら、これらの方法では、低抵抗、高
光透過率の膜を得るためには被着形成基板を160
〜350℃に加熱する必要があり、130℃以下の基板
温度で低抵抗かつ高光透過率の透明導電膜を再現
性良く形成することは困難であつた。
光透過率の膜を得るためには被着形成基板を160
〜350℃に加熱する必要があり、130℃以下の基板
温度で低抵抗かつ高光透過率の透明導電膜を再現
性良く形成することは困難であつた。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、130℃以下の基板温度で
低抵抗かつ高透光性の透明導電膜を再現性良く被
着形成することが可能な透明導電膜の形成方法を
提供することにある。
のであり、その目的は、130℃以下の基板温度で
低抵抗かつ高透光性の透明導電膜を再現性良く被
着形成することが可能な透明導電膜の形成方法を
提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、
一酸化二窒素または二酸化窒素の少なくとも一方
を含む酸化性ガス雰囲気中で反応性スパツタリン
グを行なうものである。
一酸化二窒素または二酸化窒素の少なくとも一方
を含む酸化性ガス雰囲気中で反応性スパツタリン
グを行なうものである。
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。
る。
先ず、電極を兼ねた基板ホルダーに所定のガラ
ス基板を搭載し、これに、金属インジウムに金属
スズを５重量％含んだ合金からなるターゲツトを
装着した対向電極を対向させる。次いで、チヤン
バー内を１×10-6Torr程度の高真空にした後一
酸化二窒素を14％含むアルゴンガス雰囲気で満た
し、その圧力を１×10-3Torrに保持しながら電
極間に高周波電界を印加して高周波スパツタリン
グを行なつた。基板の温度は60℃であつた。
ス基板を搭載し、これに、金属インジウムに金属
スズを５重量％含んだ合金からなるターゲツトを
装着した対向電極を対向させる。次いで、チヤン
バー内を１×10-6Torr程度の高真空にした後一
酸化二窒素を14％含むアルゴンガス雰囲気で満た
し、その圧力を１×10-3Torrに保持しながら電
極間に高周波電界を印加して高周波スパツタリン
グを行なつた。基板の温度は60℃であつた。
この結果、ガラス基板上に、比抵抗が１×
10-3Ω・cm以下で光透過率が90％以上の透明導電
膜が極めて良い再現性で得られた。
10-3Ω・cm以下で光透過率が90％以上の透明導電
膜が極めて良い再現性で得られた。
この場合、上記雰囲気ガスの成分比と得られる
透明導電膜の比抵抗および光透過率との関係を第
１図に示す。即ち同図において、横軸には一酸化
二窒素とアルゴンとの混合雰囲気ガス中に占める
一酸化二窒素の重量比をとり、図中、実線イで比
抵抗を、破線ロで光透過率をそれぞれ示してい
る。
透明導電膜の比抵抗および光透過率との関係を第
１図に示す。即ち同図において、横軸には一酸化
二窒素とアルゴンとの混合雰囲気ガス中に占める
一酸化二窒素の重量比をとり、図中、実線イで比
抵抗を、破線ロで光透過率をそれぞれ示してい
る。
これに対し、従来の酸素を含んだアルゴンガス
雰囲気中で形成した場合について同様の関係を示
したものが第２図である。即ち、同図においては
横軸は酸素とアルゴンとの混合ガス中に占める酸
素の重量比を表わしている。
雰囲気中で形成した場合について同様の関係を示
したものが第２図である。即ち、同図においては
横軸は酸素とアルゴンとの混合ガス中に占める酸
素の重量比を表わしている。
第２図から、従来の酸素を用いた方法では光透
過率が90％以上の膜を形成するには雰囲気ガス中
に占める酸素量を９重量％以上としなければなら
ないが、酸素量を増加させると一方で比抵抗が増
大し、低抵抗の膜を形成することができないこと
が分る。特に、比抵抗が１×10-3Ω・cm以下で光
透過率が90％以上の膜を得ることは不可能であ
る。
過率が90％以上の膜を形成するには雰囲気ガス中
に占める酸素量を９重量％以上としなければなら
ないが、酸素量を増加させると一方で比抵抗が増
大し、低抵抗の膜を形成することができないこと
が分る。特に、比抵抗が１×10-3Ω・cm以下で光
透過率が90％以上の膜を得ることは不可能であ
る。
これに対し、本発明によれば、第１図から明ら
かなように低抵抗・高透光性の膜を得るための雰
囲気ガス成分について十分に大きな条件裕度があ
り、比抵抗が１×10-3Ω・cm以下で光透過率が90
％以上の膜も容易に形成できる。
かなように低抵抗・高透光性の膜を得るための雰
囲気ガス成分について十分に大きな条件裕度があ
り、比抵抗が１×10-3Ω・cm以下で光透過率が90
％以上の膜も容易に形成できる。
なお、上述した実施例ではアルゴンガスに一酸
化二窒素を混合した酸化性ガスを雰囲気ガスとし
て用いたが、一酸化二窒素の代りに二酸化窒素を
用いても同様の効果を得ることができる。
化二窒素を混合した酸化性ガスを雰囲気ガスとし
て用いたが、一酸化二窒素の代りに二酸化窒素を
用いても同様の効果を得ることができる。
また、上述した実施例ではターゲツト材料とし
てインジウムに５重量％のスズを含むものを用い
たが、このインジウムとスズの重量比は、85：15
〜97：３程度の範囲内であれば同様に良好な特性
の透明導電膜を得ることができた。
てインジウムに５重量％のスズを含むものを用い
たが、このインジウムとスズの重量比は、85：15
〜97：３程度の範囲内であれば同様に良好な特性
の透明導電膜を得ることができた。
更に、例えばカラー撮像管においては、ガラス
基板に有機樹脂材料からなる色分解フイルタを被
着形成し、その上に同じく有機樹脂材料からなる
接着剤を介して薄いガラス板を設け、その上に透
明導電膜が形成されるが、本発明はこのような有
機樹脂材料を内蔵したガラス基板を用いる場合に
適用しても同様の効果を得ることができることは
言うまでもない。
基板に有機樹脂材料からなる色分解フイルタを被
着形成し、その上に同じく有機樹脂材料からなる
接着剤を介して薄いガラス板を設け、その上に透
明導電膜が形成されるが、本発明はこのような有
機樹脂材料を内蔵したガラス基板を用いる場合に
適用しても同様の効果を得ることができることは
言うまでもない。
また、上述した実施例においては、高周波スパ
ツタリング法を用いた場合についてのみ説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、そ
の他のスパツタリング法、例えばDCスパツタリ
ング、四極スパツタリング、マグネトロン型スパ
ツタリング等の各種スパツタリング装置を用いた
場合に適用しても同様の効果を得ることができ
る。
ツタリング法を用いた場合についてのみ説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、そ
の他のスパツタリング法、例えばDCスパツタリ
ング、四極スパツタリング、マグネトロン型スパ
ツタリング等の各種スパツタリング装置を用いた
場合に適用しても同様の効果を得ることができ
る。
以上説明したように、本発明によれば、一酸化
二窒素または二酸化窒素の少なくとも一方を含む
酸化性雰囲気ガス中で金属インジウムを主成分と
するターゲツト材料を用いてスパツタリングを行
なうことにより、低抵抗かつ高透光性の透明導電
膜を極めて良好な再現性で形成することができる
という効果を有する。
二窒素または二酸化窒素の少なくとも一方を含む
酸化性雰囲気ガス中で金属インジウムを主成分と
するターゲツト材料を用いてスパツタリングを行
なうことにより、低抵抗かつ高透光性の透明導電
膜を極めて良好な再現性で形成することができる
という効果を有する。
第１図は本発明の一実施例により得られる透明
導電膜の比抵抗および光透過率の酸化性雰囲気ガ
ス成分依存性を示すグラフ、第２図は従来法によ
る場合の同様の関係を示すグラフである。
導電膜の比抵抗および光透過率の酸化性雰囲気ガ
ス成分依存性を示すグラフ、第２図は従来法によ
る場合の同様の関係を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 酸化性ガス雰囲気中で金属インジウムを主成
分とするターゲツト材料を用いた反応性スパツタ
リング法により所定の基板上に透明導電膜を被着
形成する透明導電膜の形成方法において、酸化性
ガスとして一酸化二窒素または二酸化窒素の少な
くとも一方を含むガスを用いることを特徴とする
透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9313582A JPS58212009A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9313582A JPS58212009A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58212009A JPS58212009A (ja) | 1983-12-09 |
| JPH0370328B2 true JPH0370328B2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=14074074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9313582A Granted JPS58212009A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58212009A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5813006B2 (ja) * | 1975-07-14 | 1983-03-11 | 松下電器産業株式会社 | サンカブツハンドウタイハクマクノ セイゾウホウホウ |
| JPS54130497A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-09 | Agency Of Ind Science & Technol | Production of indium oxide ( ) film |
-
1982
- 1982-06-02 JP JP9313582A patent/JPS58212009A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58212009A (ja) | 1983-12-09 |
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