JPS58201379A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
- Publication number
- JPS58201379A JPS58201379A JP57085119A JP8511982A JPS58201379A JP S58201379 A JPS58201379 A JP S58201379A JP 57085119 A JP57085119 A JP 57085119A JP 8511982 A JP8511982 A JP 8511982A JP S58201379 A JPS58201379 A JP S58201379A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- aluminum
- electrode
- solar cell
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１．光導電セル、感光体、太陽電池等の非晶質
半導体を用いる光電変換素子の改良に関する。
半導体を用いる光電変換素子の改良に関する。
まず、従来のとの稲光電変換素子の構成について、太陽
電池を例に第１〜４図により説明する１第１図は平面図
、第２図はその防食用樹脂膜を除いた平面図、第３図は
第２図ＩＩＩ −ＩＩＩ’線断面図、第４図は同要部の
拡大断面図である。
電池を例に第１〜４図により説明する１第１図は平面図
、第２図はその防食用樹脂膜を除いた平面図、第３図は
第２図ＩＩＩ −ＩＩＩ’線断面図、第４図は同要部の
拡大断面図である。
１はガラス等の透明基板であり、この基板上には透明電
極２１Ｌ ＋ ２ ｂ ＠ ２０が複数個分割形成
され、その上に非晶質半導体薄膜３が形成され、さらに
その上にアルミニウム電極４ａ、４ｂ、４０が複数個分
割形成されている。
極２１Ｌ ＋ ２ ｂ ＠ ２０が複数個分割形成
され、その上に非晶質半導体薄膜３が形成され、さらに
その上にアルミニウム電極４ａ、４ｂ、４０が複数個分
割形成されている。
アルミニウム電極４ａ、４ｂの突起部５Ｊ ５ｂは透明
電極２ｂ、２０の突起部６ｂ、６０と密着して電気的に
結合し、アルミニウム電極と透明電極の上下の組み合わ
せによって分１シリされた複数個の太陽電池素子を直列
接続している。アルミニウム電極４Ｃの突起部５０と独
立の透明電極端子７も同様に電気的に結合し、第１図に
おける防食用樹脂膜８からアルミニウム電極が露出せず
、透明電極４１Ｌの突起部６ａと端子７が露出して光電
変換素子を外部に接続する電気端子となっている。
電極２ｂ、２０の突起部６ｂ、６０と密着して電気的に
結合し、アルミニウム電極と透明電極の上下の組み合わ
せによって分１シリされた複数個の太陽電池素子を直列
接続している。アルミニウム電極４Ｃの突起部５０と独
立の透明電極端子７も同様に電気的に結合し、第１図に
おける防食用樹脂膜８からアルミニウム電極が露出せず
、透明電極４１Ｌの突起部６ａと端子７が露出して光電
変換素子を外部に接続する電気端子となっている。
これはアルミニウムが湿度に弱く、すぐに腐食するのに
対し、透明電極はＩＴＯ（インジウム・ナイン・オキサ
イド、 Ｉｎ２Ｏ５とＳｎＯ２の混合物）やネサ（Ｓ
ｎＯｚ）が一般的であり、外気による腐食が生じにくい
からである。
対し、透明電極はＩＴＯ（インジウム・ナイン・オキサ
イド、 Ｉｎ２Ｏ５とＳｎＯ２の混合物）やネサ（Ｓ
ｎＯｚ）が一般的であり、外気による腐食が生じにくい
からである。
非晶質半導体薄膜３は、シランＳｉＨ＋ 混合ガス等を
０．１〜４ Ｔｏｒｒ程度の減圧下の容器内で直流ある
いはＲＦ放電させて分解し、１５０〜３００’Ｃに加熱
した基板上に堆積させる方法による水素化非晶質シリコ
ン半導体が一般的である。シランの分解時に必然的に発
生する水素化の１動きは、結合の切れたＳ１原子のダン
グリングボンドに水素原子が結合して局在準位を減少さ
せ、不純物制御の可能な半導体材料を可能とする働きで
ある。
０．１〜４ Ｔｏｒｒ程度の減圧下の容器内で直流ある
いはＲＦ放電させて分解し、１５０〜３００’Ｃに加熱
した基板上に堆積させる方法による水素化非晶質シリコ
ン半導体が一般的である。シランの分解時に必然的に発
生する水素化の１動きは、結合の切れたＳ１原子のダン
グリングボンドに水素原子が結合して局在準位を減少さ
せ、不純物制御の可能な半導体材料を可能とする働きで
ある。
太陽電池として動作させるためには、第４図のように、
放電ガス中に少量の８２Ｈ６を混入させて形成したＰ型
不純物層９と少量のＰＨｓを混入させて形成したＮ型不
純物層１ｏを、真性半導体層１１の両側に接合した構成
にする。そして透明基板１と透明電極２を通して光を入
れ、主に真性半導体層１１に光励起による正負のキャリ
ヤーを発生させてＰ−ｉ−Ｎ接合による内部電界で分離
し、両電極間に光起電力を発生させるものである。もし
不純物層９，１ｏが無い場合は、太陽電池ではないが両
電極間に電圧を印加し、入射光に応じた光電流の流れる
光導電セルの機能を果たすことになる、上記の従来例は
、電極４にアルミニウムを用いるのが通常であるため、
以下のような欠点を有する。
放電ガス中に少量の８２Ｈ６を混入させて形成したＰ型
不純物層９と少量のＰＨｓを混入させて形成したＮ型不
純物層１ｏを、真性半導体層１１の両側に接合した構成
にする。そして透明基板１と透明電極２を通して光を入
れ、主に真性半導体層１１に光励起による正負のキャリ
ヤーを発生させてＰ−ｉ−Ｎ接合による内部電界で分離
し、両電極間に光起電力を発生させるものである。もし
不純物層９，１ｏが無い場合は、太陽電池ではないが両
電極間に電圧を印加し、入射光に応じた光電流の流れる
光導電セルの機能を果たすことになる、上記の従来例は
、電極４にアルミニウムを用いるのが通常であるため、
以下のような欠点を有する。
第一の欠点は、透明電極の突起部６ｂ、６０及び７とそ
れぞれに密着するアルミニウム電極の突起部５ａ、５ｂ
及び５Ｃが非常に腐食し易く信頼性に欠けることである
。この腐食は、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの防
食用樹脂膜８を通して入る微量の水蒸気によって容易に
発生し、例えば６６℃、９６％ＲＨの加速環境試験下で
は数時間で腐食が進行し、電気的接続が破壊する。これ
は、微量の水分の存在下でＩｎ２Ｏ５や５ｎ０２ の酸
素イオンが容易にアルミニウム原子と反応するためであ
る。即ち、光電変換素子に必要な透明電極とアルミニウ
ム電極の接触部がアルミニウムを腐食さ゛せる原因とな
っており、アルミニウム表面のアルヤイト処理や防食用
樹脂コーティング等では防止できない。
れぞれに密着するアルミニウム電極の突起部５ａ、５ｂ
及び５Ｃが非常に腐食し易く信頼性に欠けることである
。この腐食は、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの防
食用樹脂膜８を通して入る微量の水蒸気によって容易に
発生し、例えば６６℃、９６％ＲＨの加速環境試験下で
は数時間で腐食が進行し、電気的接続が破壊する。これ
は、微量の水分の存在下でＩｎ２Ｏ５や５ｎ０２ の酸
素イオンが容易にアルミニウム原子と反応するためであ
る。即ち、光電変換素子に必要な透明電極とアルミニウ
ム電極の接触部がアルミニウムを腐食さ゛せる原因とな
っており、アルミニウム表面のアルヤイト処理や防食用
樹脂コーティング等では防止できない。
従来例の第二の欠点は、高温に対する信頼性に欠ける点
である。アルミニウム原子は１００〜１５０°Ｃ以上の
高温で非晶質半導体中に容易に拡散し、たとえば太陽電
池の特性劣化やショートを起こし易い。これは単結晶シ
リコン太陽電池では見られない現象である。
である。アルミニウム原子は１００〜１５０°Ｃ以上の
高温で非晶質半導体中に容易に拡散し、たとえば太陽電
池の特性劣化やショートを起こし易い。これは単結晶シ
リコン太陽電池では見られない現象である。
第６図は従来例の水素化非晶質シリコン太陽電池の１６
０Ｌｘの白色螢光灯下でのＶ−Ｉ特性である。実線ムが
初期特性である。１５０℃、３０分間の空気中熱処理後
の特性が点線Ｂであり、フィルファクター（曲線因子）
と開放電圧が低下する。
０Ｌｘの白色螢光灯下でのＶ−Ｉ特性である。実線ムが
初期特性である。１５０℃、３０分間の空気中熱処理後
の特性が点線Ｂであり、フィルファクター（曲線因子）
と開放電圧が低下する。
さらに２００”Ｃ，，３０分間の空気中熱処理後では、
一点鎖線Ｃの様に、はとんどショートしてしまい太陽電
池としての機能がなくなる。これは、非晶質半導体とア
ルミニウムの接触によって生じる問題である。また非晶
質半導体は単結晶に比べ光吸収係数が大きく、膜厚は０
．３〜１μｍと非常に薄くなり、Ｐ層やＮ層の不純物層
は８０〜３００ムと極めて薄いため、アルミニウムの拡
散による影響を特に受けやすい。
一点鎖線Ｃの様に、はとんどショートしてしまい太陽電
池としての機能がなくなる。これは、非晶質半導体とア
ルミニウムの接触によって生じる問題である。また非晶
質半導体は単結晶に比べ光吸収係数が大きく、膜厚は０
．３〜１μｍと非常に薄くなり、Ｐ層やＮ層の不純物層
は８０〜３００ムと極めて薄いため、アルミニウムの拡
散による影響を特に受けやすい。
本発明は、以上のような従来の欠点を解消するもので、
非晶質半導体薄膜に密着して設け、透明電極と対をなす
電極として、真空蒸着により形成したニッケルもしくは
ニッケル合金を用いるものである。
非晶質半導体薄膜に密着して設け、透明電極と対をなす
電極として、真空蒸着により形成したニッケルもしくは
ニッケル合金を用いるものである。
以下、本発明を実施例によって説明する。第６図は一実
施例の太陽電池の平面円、第７図は第６図■−Ｗ線８＠
面図、第８図はその要部の拡大断面図である。これらの
図において、第１〜４図と同一の符号は同一の要素を表
す。
施例の太陽電池の平面円、第７図は第６図■−Ｗ線８＠
面図、第８図はその要部の拡大断面図である。これらの
図において、第１〜４図と同一の符号は同一の要素を表
す。
１２１Ｌ、１２ｂ、１２０は非晶質シリコンを用いた半
導体薄膜３０片面に分割形成した電極で、ニッケルまた
はニッケル合金を真空蒸着により形成したものである。
導体薄膜３０片面に分割形成した電極で、ニッケルまた
はニッケル合金を真空蒸着により形成したものである。
これらの電極の突起部１３ａ。
１３ｂは透明電極２ｂ、２ｃの突起部６ｂ、６０に電気
的に接続され、電極１２ｃの突起部１３Ｃは透明電極端
子７に電気的に接続されている。
的に接続され、電極１２ｃの突起部１３Ｃは透明電極端
子７に電気的に接続されている。
ここで、ニッケルおよびニッケル合金は、一般に酸やア
ルカリに対し安定であり、混生でも透明電極からの酸素
イオンによって酸化されることはほとんど無い。真空蒸
着によって形成したニッケルおよびニッケル合金は純度
が高く腐食に対してより安定である。たとえば、防食用
樹脂膜を塗布しないで６６℃、９５％ＲＨの加速環境試
験を５００時間続けても電気的接続はもちろん外観上の
変化も見られないことが分かった。従来のアルミニウム
電極では、防食用樹脂膜を塗布しても同一環境下で透明
電極との接触部は数時間で腐食してしまい、６６０時間
経過後には透明電極と非接触の部分でも腐食が開始して
いる。
ルカリに対し安定であり、混生でも透明電極からの酸素
イオンによって酸化されることはほとんど無い。真空蒸
着によって形成したニッケルおよびニッケル合金は純度
が高く腐食に対してより安定である。たとえば、防食用
樹脂膜を塗布しないで６６℃、９５％ＲＨの加速環境試
験を５００時間続けても電気的接続はもちろん外観上の
変化も見られないことが分かった。従来のアルミニウム
電極では、防食用樹脂膜を塗布しても同一環境下で透明
電極との接触部は数時間で腐食してしまい、６６０時間
経過後には透明電極と非接触の部分でも腐食が開始して
いる。
次に太陽電池としての耐熱性を第９図に示す実線ムは初
期特性である。１５０℃、３０分間の空気中熱処理後の
特性は点線Ｂで示すように、フィルファクター（曲線因
子）と開放電圧が従来例と違ってむしろ向上している。
期特性である。１５０℃、３０分間の空気中熱処理後の
特性は点線Ｂで示すように、フィルファクター（曲線因
子）と開放電圧が従来例と違ってむしろ向上している。
これはニッケル原子がアルミニウム原子と異なり、非晶
質半導体中に拡散せず、その表面と電極との密着性、す
なわち実効接触面積が大きくなったためと考えられる。
質半導体中に拡散せず、その表面と電極との密着性、す
なわち実効接触面積が大きくなったためと考えられる。
２ｏＯ’Ｃｐ ３０分間の空気中熱処理後でも一点鎖
線Ｃの様にショートせず特性の劣化もあまり貼られない
。ニッケルメッキう異なり、真空蒸着によるニッケル膜
は、リンやイオウの不純物がほとんどなく、これらの不
純物が薄い非晶質半導体中に一拡赦して不純物準位をつ
くり特性を劣化させることが無い。もちろん、酸やアル
カリのメッキ液のイオンが拡散してくる心配もない。ま
た透明ノＩ（仮への付着防止の必要もない。
線Ｃの様にショートせず特性の劣化もあまり貼られない
。ニッケルメッキう異なり、真空蒸着によるニッケル膜
は、リンやイオウの不純物がほとんどなく、これらの不
純物が薄い非晶質半導体中に一拡赦して不純物準位をつ
くり特性を劣化させることが無い。もちろん、酸やアル
カリのメッキ液のイオンが拡散してくる心配もない。ま
た透明ノＩ（仮への付着防止の必要もない。
真空蒸着の方法としては、タングステンボートとニッケ
ルが反応しやすい抵抗加熱よりも、電子ビーム蒸着やス
パフタリングの方がすぐれているし容易である。上記不
純物、たとえばイオウはニッケルの耐食性を劣化させる
ことが知られている。
ルが反応しやすい抵抗加熱よりも、電子ビーム蒸着やス
パフタリングの方がすぐれているし容易である。上記不
純物、たとえばイオウはニッケルの耐食性を劣化させる
ことが知られている。
ニッケルト銅、ニッケルとモリブテン、ニッケルとクロ
ムなどの合金は材料自体の耐食性向トに効果があり、モ
ネル（７ｏ％ＮＬ ３０ ％ Ｃｕ）、ハステロイ （
６０％Ｎｉ＋ ３０％Ｍ０．５％Ｆｅ）、ニクロム（８
０％Ｎｉ、 ２０％Ｏｒ） など種々のニッケル合金
が知られており、真空蒸着も可能である。
ムなどの合金は材料自体の耐食性向トに効果があり、モ
ネル（７ｏ％ＮＬ ３０ ％ Ｃｕ）、ハステロイ （
６０％Ｎｉ＋ ３０％Ｍ０．５％Ｆｅ）、ニクロム（８
０％Ｎｉ、 ２０％Ｏｒ） など種々のニッケル合金
が知られており、真空蒸着も可能である。
以−トの様に本発明によれば、非晶質半導体を用いる光
電変換素子における従来の耐熱および、１ｆＪ４湿信頼
件の二つの大きな欠点を同時に解決することができる。
電変換素子における従来の耐熱および、１ｆＪ４湿信頼
件の二つの大きな欠点を同時に解決することができる。
また第１０図の実施例の様に、半１１１付けのできない
透明電極の電気端子６ａ、７の代わりに、半田付けの可
能なニッケルの電気端子１４．１５を同時に形成するこ
とも可能となる。まだ耐湿信頼性を確保するための防食
用樹脂膜も実用−Ｆ特に必要ではなく、電気絶縁用とし
て薄い絶縁被膜を塗布するだけで良い。防食や絶縁を目
的としてエポギシ樹脂が良く使われるが、その中のアミ
ン基によってムｅは腐食されるがニッケルは安定である
。
透明電極の電気端子６ａ、７の代わりに、半田付けの可
能なニッケルの電気端子１４．１５を同時に形成するこ
とも可能となる。まだ耐湿信頼性を確保するための防食
用樹脂膜も実用−Ｆ特に必要ではなく、電気絶縁用とし
て薄い絶縁被膜を塗布するだけで良い。防食や絶縁を目
的としてエポギシ樹脂が良く使われるが、その中のアミ
ン基によってムｅは腐食されるがニッケルは安定である
。
真空蒸着によるニッケルの膜厚は０．１〜０．２μｍの
りすい膜厚でも信頼性があり、従来例のアルミニウムの
ように０．４〜１μｍの厚い膜厚を必要とせず、蒸着時
間が短縮される。まだ、非晶質半導体を製膜するプラズ
マＣＶＤ装置は、真空容器内で１６０〜３ｏＯ℃で製膜
するが、本発明では同一真空容器内で連続して電極蒸着
が可能であり、電解メッキや無電解メッキに比べて量産
性にすぐれるばかりでなく、途中で外気に触れて非晶質
半導体薄膜の表面が酸化する恐れもない。
りすい膜厚でも信頼性があり、従来例のアルミニウムの
ように０．４〜１μｍの厚い膜厚を必要とせず、蒸着時
間が短縮される。まだ、非晶質半導体を製膜するプラズ
マＣＶＤ装置は、真空容器内で１６０〜３ｏＯ℃で製膜
するが、本発明では同一真空容器内で連続して電極蒸着
が可能であり、電解メッキや無電解メッキに比べて量産
性にすぐれるばかりでなく、途中で外気に触れて非晶質
半導体薄膜の表面が酸化する恐れもない。
また、熱膨張率の点でも、たとえばガラス基板の熱膨張
率は（８〜１０）Ｘ１０ でシリコンやゲル々ニウムは
（２〜６）Ｘ１０ であるが、アルミニウムは２３×
１０ と大きく、ニッケルは１３Ｘ１０であり、熱膨張
による内部歪は実施例の方が小さくなる。さらに真空蒸
着によればメッキと異なり０．１〜０．２μｍの薄い均
一な膜が容易に得られ、熱膨張による内部ストレスも小
さい。
率は（８〜１０）Ｘ１０ でシリコンやゲル々ニウムは
（２〜６）Ｘ１０ であるが、アルミニウムは２３×
１０ と大きく、ニッケルは１３Ｘ１０であり、熱膨張
による内部歪は実施例の方が小さくなる。さらに真空蒸
着によればメッキと異なり０．１〜０．２μｍの薄い均
一な膜が容易に得られ、熱膨張による内部ストレスも小
さい。
第１１図の実施例は、セラミック、ガラス等の絶縁基板
１６に分割された複数側のニッケルまたはニッケル合金
の電極１７をあらかじめ真空蒸着しておき、その上にプ
ラズマＣＶＤで水素化非晶質シリコンの非晶質半導体薄
膜３を形成し、更にその上に、分割された透明電極２を
形成して複数個の光電変換素子を直列接続したものであ
る。第１２図はその構成を説明する断面図である。つま
り、第６図や第１０図の実施例に対し光の入射方向およ
び電極構成が逆になっている。従来例の様にアルミニウ
ムの電極を用いれば、１６０〜３００℃の基板温度でプ
ラズマＣＶＤで非晶質半導体薄膜を形成する時にアルミ
ニウムが拡散しノヨートしてしまう、即ち第１１図の様
な構成の実施例は本発明によって可能となるものである
。第１１図の実施例は、光の入射側にガラス等の透過率
７０〜９０％の透明基板が無く、特に短波長の透過率が
向上して、光電変換素子の変換効率を向上できる。
１６に分割された複数側のニッケルまたはニッケル合金
の電極１７をあらかじめ真空蒸着しておき、その上にプ
ラズマＣＶＤで水素化非晶質シリコンの非晶質半導体薄
膜３を形成し、更にその上に、分割された透明電極２を
形成して複数個の光電変換素子を直列接続したものであ
る。第１２図はその構成を説明する断面図である。つま
り、第６図や第１０図の実施例に対し光の入射方向およ
び電極構成が逆になっている。従来例の様にアルミニウ
ムの電極を用いれば、１６０〜３００℃の基板温度でプ
ラズマＣＶＤで非晶質半導体薄膜を形成する時にアルミ
ニウムが拡散しノヨートしてしまう、即ち第１１図の様
な構成の実施例は本発明によって可能となるものである
。第１１図の実施例は、光の入射側にガラス等の透過率
７０〜９０％の透明基板が無く、特に短波長の透過率が
向上して、光電変換素子の変換効率を向上できる。
第１図は従来の太陽電池の平面図、第２図はその防食用
樹脂膜を除いた平面図、第３図は第２図Ｉｎ −ＩＩＩ
’線断面図、第４図は同要部の拡大断面図、第５図は従
来例の特性を示す図、第６図は本発明の太陽電池の一実
施例を示す平面図、第７図は第６図■−■′線断面図、
第８図は同要部の拡大断面図、第９図はその特性を示す
図、第１０図及び第１１図は他の実施例の太陽電池の平
面図、第１２図は第１１図の要部の拡大断面図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・透明電極、３
・・・・・・非晶質半導体薄膜、１２ｔ１７・・・・・
・ニッケルまたはニッケル合金電極、６”ｐ ７ｔ
１４１ １５・・・・・・端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｌ１
４１図 第３図 ＠４Ｆｇ４ 第５図 第６因 第７図 第８ｒ５４ 第９図 第１０因
樹脂膜を除いた平面図、第３図は第２図Ｉｎ −ＩＩＩ
’線断面図、第４図は同要部の拡大断面図、第５図は従
来例の特性を示す図、第６図は本発明の太陽電池の一実
施例を示す平面図、第７図は第６図■−■′線断面図、
第８図は同要部の拡大断面図、第９図はその特性を示す
図、第１０図及び第１１図は他の実施例の太陽電池の平
面図、第１２図は第１１図の要部の拡大断面図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・透明電極、３
・・・・・・非晶質半導体薄膜、１２ｔ１７・・・・・
・ニッケルまたはニッケル合金電極、６”ｐ ７ｔ
１４１ １５・・・・・・端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｌ１
４１図 第３図 ＠４Ｆｇ４ 第５図 第６因 第７図 第８ｒ５４ 第９図 第１０因
Claims (1)
- 非晶質半導体薄膜の一方の面にニッケルもしくはニッケ
ル合金の真空蒸着層からなる電極を設けるとともに、前
記薄膜の他方の而に透明電極を設けたことを特徴とする
光電変換素子、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57085119A JPS58201379A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57085119A JPS58201379A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201379A true JPS58201379A (ja) | 1983-11-24 |
Family
ID=13849738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57085119A Pending JPS58201379A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201379A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174779A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集光型発電装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54141593A (en) * | 1978-04-24 | 1979-11-02 | Rca Corp | Amorphous silicon solar battery |
-
1982
- 1982-05-19 JP JP57085119A patent/JPS58201379A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54141593A (en) * | 1978-04-24 | 1979-11-02 | Rca Corp | Amorphous silicon solar battery |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174779A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集光型発電装置 |
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