JPS58203093A - 光記録用媒体およびその製造方法 - Google Patents
光記録用媒体およびその製造方法Info
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- JPS58203093A JPS58203093A JP57086463A JP8646382A JPS58203093A JP S58203093 A JPS58203093 A JP S58203093A JP 57086463 A JP57086463 A JP 57086463A JP 8646382 A JP8646382 A JP 8646382A JP S58203093 A JPS58203093 A JP S58203093A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Read Only Memory (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ光などの光の熱作用により情報を記録
する光記録用媒体、特に高感度でかつ経時安定性の優れ
た光記録用ビスマス薄膜およびその製造方法に藺するも
のである。
する光記録用媒体、特に高感度でかつ経時安定性の優れ
た光記録用ビスマス薄膜およびその製造方法に藺するも
のである。
光、例えばレーザ光による情報の讐き込みおよび読み取
りは、光源として用いる半導体レーザの進歩により、小
型で低価格、の装置が作製可能になったため、大容量フ
ァイルメモリとしての利用が期待されている。従来は、
このような記録に用いる媒体としては、１’ｅ 、 Ｂ
ｉなとの金属薄膜、Ａ９゜Ｓｅ 、 Ｔｅ 、 Ｇｅな
どからなるカルコゲナイドカラス薄膜、スクアリウムな
どの色素薄膜か知られてし〕る。モして、半導体レーザ
を記録光源とした場合に１＝、これら媒体のうち、Ｔｅ
乙？ １ｚ）Ｌ Ｂｉの薄膜か、ｒｊＸ度ｓ？−コン
トラストなとび）Ｌ已欽特性【こ伍れている。しかし、
これらの潰玉甑大気中番こ放置すると配化劣化が生じ、
反射率および辷過率カタ変イヒするなど、耐候性に劣る
。そのため、長期番：わたり使用または保存するとき、
記録感度のイ斤下やＳ／Ｎ比の劣化が生じ、これが問題
となってし〕る。
りは、光源として用いる半導体レーザの進歩により、小
型で低価格、の装置が作製可能になったため、大容量フ
ァイルメモリとしての利用が期待されている。従来は、
このような記録に用いる媒体としては、１’ｅ 、 Ｂ
ｉなとの金属薄膜、Ａ９゜Ｓｅ 、 Ｔｅ 、 Ｇｅな
どからなるカルコゲナイドカラス薄膜、スクアリウムな
どの色素薄膜か知られてし〕る。モして、半導体レーザ
を記録光源とした場合に１＝、これら媒体のうち、Ｔｅ
乙？ １ｚ）Ｌ Ｂｉの薄膜か、ｒｊＸ度ｓ？−コン
トラストなとび）Ｌ已欽特性【こ伍れている。しかし、
これらの潰玉甑大気中番こ放置すると配化劣化が生じ、
反射率および辷過率カタ変イヒするなど、耐候性に劣る
。そのため、長期番：わたり使用または保存するとき、
記録感度のイ斤下やＳ／Ｎ比の劣化が生じ、これが問題
となってし〕る。
そこで、本発明の目的は、上述した酸イヒＣ）追打によ
るビスマス膜の劣化とし）う欠点を解決して経時安定性
の優れた光記録用媒体を提供すること番こおる。
るビスマス膜の劣化とし）う欠点を解決して経時安定性
の優れた光記録用媒体を提供すること番こおる。
本失明の他の目Ｂつは、ビスマス薄膜の耐酸イし性を同
上させて、高ｒ１度でかつ経時安定性の優れた光記録用
媒体を簡単な製布工程で安価に製造することＣ）できる
製造方法を提供することｔこおる。
上させて、高ｒ１度でかつ経時安定性の優れた光記録用
媒体を簡単な製布工程で安価に製造することＣ）できる
製造方法を提供することｔこおる。
が１幡目的を達成するために、本発明光Ｂ己欽用１、；
、１・ 象、一体０よ、光を吟収する吸収ルを□、夢１ミ質ビス
マス４ Ｍ、て１戻して抜威４でる（ ここも究５．質ヒスマス香肌Ｃ］表ＥｉＬこ酊：イし層
を設けることもできる。
、１・ 象、一体０よ、光を吟収する吸収ルを□、夢１ミ質ビス
マス４ Ｍ、て１戻して抜威４でる（ ここも究５．質ヒスマス香肌Ｃ］表ＥｉＬこ酊：イし層
を設けることもできる。
本発明製造方法では、不活性ガス中あるし）は不活性ガ
スと酸素とを混合した混合カス甲でビスマスを蒸発させ
て基板上に非晶質ヒスマス斯朕を形成し、この非置質ビ
スマス蛮膜を光を吸収する吸収層とする。
スと酸素とを混合した混合カス甲でビスマスを蒸発させ
て基板上に非晶質ヒスマス斯朕を形成し、この非置質ビ
スマス蛮膜を光を吸収する吸収層とする。
本発明１走方法の他の形態では１．不活性ガス中あるい
は不活性カスと酸素とを混合した混合カス中で放電を行
なうとともに、ビスマスを蒸発させて、基板上に非晶質
ビスマス薄膜を形成し、この非晶質ビスマス薄膜を光を
吸収する吸収層とする。
は不活性カスと酸素とを混合した混合カス中で放電を行
なうとともに、ビスマスを蒸発させて、基板上に非晶質
ビスマス薄膜を形成し、この非晶質ビスマス薄膜を光を
吸収する吸収層とする。
ここで、非晶質ビスマス薄膜に熱処理を施して結晶化し
たビスマス薄膜を光吸収層とすることもできる。
たビスマス薄膜を光吸収層とすることもできる。
以下に回向を参照して本発明の詳細な説明する。
ます、説明の渚（１合上、本発明による九記ｅ、用媒仲
の製造方法を先に銭明する。
の製造方法を先に銭明する。
第１図は本発明□による光記録用媒体の製造方法を笑旅
？るための装りの］例の析式図てあ、す、区１中、ｌは
■空容器、２は頁空容伜−１へぴノカス導ノ（口、：；
（＝Ｘ＝仝宕器ｌからの朴Ｆ気口、４はｔ空容器１の底
Ｅ′：に配置したヒスマス蒸光用ヒータ、５はヒータ４
の上方に配置した高周波１Ｌ ６はＱ＆５の上方にｅ
Ｑした基板、７は膜厚モニタである。
？るための装りの］例の析式図てあ、す、区１中、ｌは
■空容器、２は頁空容伜−１へぴノカス導ノ（口、：；
（＝Ｘ＝仝宕器ｌからの朴Ｆ気口、４はｔ空容器１の底
Ｅ′：に配置したヒスマス蒸光用ヒータ、５はヒータ４
の上方に配置した高周波１Ｌ ６はＱ＆５の上方にｅ
Ｑした基板、７は膜厚モニタである。
不発明による光記録用媒体の製造にあたっては、まず、
真空各編１を真空に排気した茅、不活性ガス、た・るい
（１オ不活性ガスと酸素との混合ガスをガス導入口２か
ら容器１内へ導入する。かかるガス導入後、高周波電板
５に高層波電圧を印加して導入ガスの放電を起こさせる
。ここで、不活性ガスとしては、Ａｒ 、 Ｎ２ 、
Ｈｅなどを用いることができ、そのガス圧としては１〜
１０”” Ｔｏｒｒが好適でｉｃ＞る。モの理由は、ガ
ス圧がＩ Ｔｏｒｒを超えると、以下で示す工程におい
てビスマス１．’＋ｓ ’６ Ｒしにくく、逆に１（１
−’Ｔｏｒｒ未満では安定した放電か得られにくいから
である。
真空各編１を真空に排気した茅、不活性ガス、た・るい
（１オ不活性ガスと酸素との混合ガスをガス導入口２か
ら容器１内へ導入する。かかるガス導入後、高周波電板
５に高層波電圧を印加して導入ガスの放電を起こさせる
。ここで、不活性ガスとしては、Ａｒ 、 Ｎ２ 、
Ｈｅなどを用いることができ、そのガス圧としては１〜
１０”” Ｔｏｒｒが好適でｉｃ＞る。モの理由は、ガ
ス圧がＩ Ｔｏｒｒを超えると、以下で示す工程におい
てビスマス１．’＋ｓ ’６ Ｒしにくく、逆に１（１
−’Ｔｏｒｒ未満では安定した放電か得られにくいから
である。
、この方でてを起こした状態て、前足用ヒータ４により
こ→′１にもモしたヒスマスを加１熱蒸発させ、透析Ｃ
上にビスマスの煎始、嘆を伺、１させる。ビスマン：Ｃ
１，ｉ（’；町１壬としては１．匡抗加す！渋または霜
子琳加熱法を用いることもできる。ただし７、腎、平削
加熱の炉台には、差動病り、；ｉ：を設けてこ・−子綜
汀を高い真至度に保つ必要がある。
こ→′１にもモしたヒスマスを加１熱蒸発させ、透析Ｃ
上にビスマスの煎始、嘆を伺、１させる。ビスマン：Ｃ
１，ｉ（’；町１壬としては１．匡抗加す！渋または霜
子琳加熱法を用いることもできる。ただし７、腎、平削
加熱の炉台には、差動病り、；ｉ：を設けてこ・−子綜
汀を高い真至度に保つ必要がある。
本発明による記り・、用ｔｉ′、体の哀遣方巳の他の・
１テ：２では、ガス導入後に放電を行なわずにビスマス
を蒸発させてビスマス蒸漿較を得ることもでとる。この
５２合には、鵬１しの高周波電極５は４妥となる。
１テ：２では、ガス導入後に放電を行なわずにビスマス
を蒸発させてビスマス蒸漿較を得ることもでとる。この
５２合には、鵬１しの高周波電極５は４妥となる。
そして、このぢ１合には於ｋを行なわないので、ガス圧
をｊ〜１０−’ Ｔｏｒｒの範囲に定めることができる
。
をｊ〜１０−’ Ｔｏｒｒの範囲に定めることができる
。
ただし、ｌ（］”−’ Ｔｏｒｒ以下では得られるハ（
が非起賀状態になりにくいので、１Ｏ−４Ｔｏｒｒ以上
のカス圧が好返である。
が非起賀状態になりにくいので、１Ｏ−４Ｔｏｒｒ以上
のカス圧が好返である。
以上のようにして得られたビスマス蒸米１は、非晶質状
態の肌となる。これは、ビスマスか蒸発過程で不活性ガ
スと衝医するためと考えられる。
態の肌となる。これは、ビスマスか蒸発過程で不活性ガ
スと衝医するためと考えられる。
示差前走測定によれば、この非晶質ビスマス膜には、１
５０〜２（［１”Ｃの範囲に不可逆な艷勲ピークが直置
され茗。これは非ＬＰ＋−費ヒスマスの←晶化による発
熱であ・す、この結晶化により膜の反射率は尾加し、透
過率は低下す己。
５０〜２（［１”Ｃの範囲に不可逆な艷勲ピークが直置
され茗。これは非ＬＰ＋−費ヒスマスの←晶化による発
熱であ・す、この結晶化により膜の反射率は尾加し、透
過率は低下す己。
したがって、この非晶質ビスマス膜は、レーザヒームイ
七四身でしてその■射ｂ１、分を刀口斧トし、それにさ
１゛ノ反４．′【ど−るいＬｆ透過座をｒ化させること
により、ＩＬ鉦を君ヲ匂できる。また、加熱による融解
および７／′または蒸発を利用して孔を形成することで
惰軒を記録することし可能でおる。
七四身でしてその■射ｂ１、分を刀口斧トし、それにさ
１゛ノ反４．′【ど−るいＬｆ透過座をｒ化させること
により、ＩＬ鉦を君ヲ匂できる。また、加熱による融解
および７／′または蒸発を利用して孔を形成することで
惰軒を記録することし可能でおる。
そこで、本発明記録用媒体は、葺板上に配ｔオるレーザ
光吸収層として上胚するように形成した非晶質ビスマス
薄膜を用いて蛛成する。
光吸収層として上胚するように形成した非晶質ビスマス
薄膜を用いて蛛成する。
狂晶化現象のみを利用して記録する場合には、非晶質ビ
スマス膜上にプうス≦ツク膜あるいは５ｉ０２ ％など
を設けてビスマスの前兆を防ぐ精造と第２、のが好適で
ある。
スマス膜上にプうス≦ツク膜あるいは５ｉ０２ ％など
を設けてビスマスの前兆を防ぐ精造と第２、のが好適で
ある。
さらに、融解および／または蒸発現象のみを利用して記
肩するためには、非晶質ビスマス版をあらかじめ熱処理
し１、結晶化させた服を月いること１°パ°１て記６を
行左゛う° １１１１１゜ンた、τ笑鴫によるし・
−ザＬσバ用媒体は、通常／）Ｊ： ５． ンマフズ着
ハ（に比ｌ＼耐・［仁の点で柾めてｆれて（・・セー・
。し、たかって、長豪・間にわたる使用および保存が可
能である。この耐候性の原因は明らかでＣ’＝＝ ７−
″いか、本発明すこ釦用媒体の非Ｓ、賀服においては、
この服が結晶化した粉治も、その社、晶のれ径は１ｏ（
：Ａ程度であり、違算のヒスマス烈九」１の結晶かＨＪ
ＣＩＯＡ−朴度の粒径を有することと比しすると、釦め
て小さい。したかって、起モ゛粒子におけると同６：に
表面に動苔、て埃１−な酢化服が形成され、′９１Ｌっ
て膜内部の１５に化か行なわれにくくなると考えること
かできる。この耐候性は、不活性カスのみを用いて肌を
形厄オる場合よりも酸算と不活性カスとの洪合カスを用
いた場合の方か侵れている。
肩するためには、非晶質ビスマス版をあらかじめ熱処理
し１、結晶化させた服を月いること１°パ°１て記６を
行左゛う° １１１１１゜ンた、τ笑鴫によるし・
−ザＬσバ用媒体は、通常／）Ｊ： ５． ンマフズ着
ハ（に比ｌ＼耐・［仁の点で柾めてｆれて（・・セー・
。し、たかって、長豪・間にわたる使用および保存が可
能である。この耐候性の原因は明らかでＣ’＝＝ ７−
″いか、本発明すこ釦用媒体の非Ｓ、賀服においては、
この服が結晶化した粉治も、その社、晶のれ径は１ｏ（
：Ａ程度であり、違算のヒスマス烈九」１の結晶かＨＪ
ＣＩＯＡ−朴度の粒径を有することと比しすると、釦め
て小さい。したかって、起モ゛粒子におけると同６：に
表面に動苔、て埃１−な酢化服が形成され、′９１Ｌっ
て膜内部の１５に化か行なわれにくくなると考えること
かできる。この耐候性は、不活性カスのみを用いて肌を
形厄オる場合よりも酸算と不活性カスとの洪合カスを用
いた場合の方か侵れている。
そして、さらに数％７を起こしながらヒスマスを蒸着し
た方かに板とのは着任が埠し、従ってｊＺ録用媒体の経
時安定性は垢加することかＴ：′めら、！また。
た方かに板とのは着任が埠し、従ってｊＺ録用媒体の経
時安定性は垢加することかＴ：′めら、！また。
さらに、上述のも］化層形成による面〕餅性向上を秋仁
的に取り入れ、非晶質、ビフマス遡貯−の因面を強制酸
化することにより、その後の６１化を防止し、しかも好
体を安定化することかでき？・。七の１ζ日 ゛ば
、仕置粒径か士分にノ」・さく、非晶質とみなし得るよ
うなヒスマス肢であれば、老面のさ、がく埃−に配化し
得るため、形成された鹸化服（膜厚約５ｒ：／ｉ）が、
その下のヒスマスＶ、の＆ Ｅ ＩＧとして作用し、そ
れＶ上の酸化劣化カー進行し７ないからであ否。
的に取り入れ、非晶質、ビフマス遡貯−の因面を強制酸
化することにより、その後の６１化を防止し、しかも好
体を安定化することかでき？・。七の１ζ日 ゛ば
、仕置粒径か士分にノ」・さく、非晶質とみなし得るよ
うなヒスマス肢であれば、老面のさ、がく埃−に配化し
得るため、形成された鹸化服（膜厚約５ｒ：／ｉ）が、
その下のヒスマスＶ、の＆ Ｅ ＩＧとして作用し、そ
れＶ上の酸化劣化カー進行し７ないからであ否。
強制酊、化の方法としてば、（１［；紫雰囲気下での茄
熱、（２）紫外線照射、または（３）プラズマ酸化があ
る。
熱、（２）紫外線照射、または（３）プラズマ酸化があ
る。
この他、不発明による配信用媒体は次のような利点を有
している。すなわち、製造方法が簡易でおり、従来のビ
スマスを奢鬼形成する工程に、ガス導入およびその放ｔ
をおこなう工程を加えるのめにより実現される。したが
って、安価に記録用媒体を作製することか可能となる。
している。すなわち、製造方法が簡易でおり、従来のビ
スマスを奢鬼形成する工程に、ガス導入およびその放ｔ
をおこなう工程を加えるのめにより実現される。したが
って、安価に記録用媒体を作製することか可能となる。
さらに加えて、本発明Ｂ’ＥＩ ４’Ｔ用媒体は、光の
吸収効塞が高く、しか５結晶化を起こす温度も低（、融
無および蒸発などの舵住し通常のビヌマス〃；着嗅と（
汗とん、と同じであるため、本発明畦、（用媒体に対し
て半導体レーヅを１「匂・Ｕ主光源とし７て用いたとき
、紡明およＱコントラストなどの計重酸性が優れている
。
吸収効塞が高く、しか５結晶化を起こす温度も低（、融
無および蒸発などの舵住し通常のビヌマス〃；着嗅と（
汗とん、と同じであるため、本発明畦、（用媒体に対し
て半導体レーヅを１「匂・Ｕ主光源とし７て用いたとき
、紡明およＱコントラストなどの計重酸性が優れている
。
ン２、に本発明の実施ｆ−を示す。
（実施例１）
窒素カスをＩ Ｘ １０” Ｔｏｒｒ 導入した容器中
で、を柾に１３．５６ ＭＨｚの高周波電圧を印加して
放電を行なうとともにビスマスをタングステンポートか
ら基板に蒸笈した。基板としてはアクリル（ｐｈｍ）基
板を用い、窒素ガス流ｔ １０ ｃｃ／ｒｔｓ、放電電
力１５０Ｗ、ビスマス蒸着速度的ｘｏＸ／ｓｅｃで１分
間前震を行ない、厚さ６ （！ ０λの非晶質ビスマス
膜を基板に付朱させた。この記録用媒体を１５０℃で３
０分間熱処理して結晶化を行なった。次いで、この記録
、用ＫＢに対して、波長８３０ｎｍのＧａＡ、ｓ半導体
レーザで記録と石化を行なった。その結果を菓２図に示
す。ここで、記録用妓体上のレーサパワ−５ｍｗ 、ビ
ーム径１．６μｍで媒体上に記録を行い、Ｑ、５ｍｗの
レーサバワーで石化を行なった。ダ２図の横軸は半填体
し−サのパルス幅（１区）を、わ。軸は記旬前後の反射
光強、寝（相対値）の差をそれぞれ表わしている。図中
の曲峡・から、不例の記録用媒体は侵れた記録６尻仕有
していることかわかる。
で、を柾に１３．５６ ＭＨｚの高周波電圧を印加して
放電を行なうとともにビスマスをタングステンポートか
ら基板に蒸笈した。基板としてはアクリル（ｐｈｍ）基
板を用い、窒素ガス流ｔ １０ ｃｃ／ｒｔｓ、放電電
力１５０Ｗ、ビスマス蒸着速度的ｘｏＸ／ｓｅｃで１分
間前震を行ない、厚さ６ （！ ０λの非晶質ビスマス
膜を基板に付朱させた。この記録用媒体を１５０℃で３
０分間熱処理して結晶化を行なった。次いで、この記録
、用ＫＢに対して、波長８３０ｎｍのＧａＡ、ｓ半導体
レーザで記録と石化を行なった。その結果を菓２図に示
す。ここで、記録用妓体上のレーサパワ−５ｍｗ 、ビ
ーム径１．６μｍで媒体上に記録を行い、Ｑ、５ｍｗの
レーサバワーで石化を行なった。ダ２図の横軸は半填体
し−サのパルス幅（１区）を、わ。軸は記旬前後の反射
光強、寝（相対値）の差をそれぞれ表わしている。図中
の曲峡・から、不例の記録用媒体は侵れた記録６尻仕有
していることかわかる。
また、６０℃５，９０％相’ｉｉ湿度の珍、境で加速度
劣化テストを行なった結果を圧３図に示す。礼−３図の
縦軸ば反ｉ：Ｒを劣化テスト前の反射率ＲＯで割つＴこ
仙Ｒ，／１（ｏてあり、これによりＥ化劣化による膜の
反肘寛変化を表わしている。横１は劣化テストの経過時
間（日）を表わしている。図中の曲線ａは本実施例によ
る記録用媒体についての劣化テストの結果を示し、また
、比較のために通常のビスマス蒸着膜に対する劣化テス
トの結果を曲線すに示す。第３図から本発明による記録
用媒体が極めて耐酸化性に優れていることがわかる。
劣化テストを行なった結果を圧３図に示す。礼−３図の
縦軸ば反ｉ：Ｒを劣化テスト前の反射率ＲＯで割つＴこ
仙Ｒ，／１（ｏてあり、これによりＥ化劣化による膜の
反肘寛変化を表わしている。横１は劣化テストの経過時
間（日）を表わしている。図中の曲線ａは本実施例によ
る記録用媒体についての劣化テストの結果を示し、また
、比較のために通常のビスマス蒸着膜に対する劣化テス
トの結果を曲線すに示す。第３図から本発明による記録
用媒体が極めて耐酸化性に優れていることがわかる。
（実施例２）
実施例１において、窒素ガスの代わりに、５付和％の酸
素を混合した窒素と酸素との混合ガスを用いた。征：ら
れた記録用媒体の記録感度は実施例１よりわずかに低下
したものの、６時安定性は実施例１より亡れていＴこ。
素を混合した窒素と酸素との混合ガスを用いた。征：ら
れた記録用媒体の記録感度は実施例１よりわずかに低下
したものの、６時安定性は実施例１より亡れていＴこ。
（実施例３）
実施例、１と同じ条件でＩｌ、 、；量を行なわずにビ
スマフを蒸定した。徨られた３ｇ ｔは非晶質状態であ
１つ、こりｌを１５０°Ｃで３０力間熱処理すること番
こより結晶化を行なった。この記（ｉ、用媒体、は、実
施例１の板台より２割和度感度が向上した。経時安定性
については、実施例１の焦合よりわずかに劣る程度であ
り、榎れた安定性か代られた。
スマフを蒸定した。徨られた３ｇ ｔは非晶質状態であ
１つ、こりｌを１５０°Ｃで３０力間熱処理すること番
こより結晶化を行なった。この記（ｉ、用媒体、は、実
施例１の板台より２割和度感度が向上した。経時安定性
については、実施例１の焦合よりわずかに劣る程度であ
り、榎れた安定性か代られた。
（実施例４）
実施例３において、窒素の代わりに、５体積％の酸晃を
混ぜたし象と窒素との混合カスを用いてビスマス肢を形
成し、その後、１５０℃で３０分間熱処理を施した。得
られた記録用媒体の記録り度および経時安定性とも実施
例１と同程度であった。
混ぜたし象と窒素との混合カスを用いてビスマス肢を形
成し、その後、１５０℃で３０分間熱処理を施した。得
られた記録用媒体の記録り度および経時安定性とも実施
例１と同程度であった。
（実施例５）
実施例１において、非晶質ビスマス薄膜を作製した後、
その膜表面に酸素プラズマを浴びせて膜表面を均一に効
率良く酢化させた。本例では、厚さ６００ Ｘのビスマ
ス非晶質膜を形成しＪこ後に、容器中に酸素ガスを導入
し、ガス比的０．Ｉ Ｔｏｒｒ、 ＲＦパワー１００Ｗ
で放電させて膜表面をプラズマ酸化した。プラズマ酸化
は、回路象子の作製にお１．〕でシリコン・ウェーハ表
面を忙く均一にｎ−化でるのにしばしは′ｉｌｊ用さ２
１ていることかられかるように、［Ａ７庁でｇ大、・率
の蓑「酸化膜）Ｌに１国した技術であ、ご・。ｔイｉの
夛合にも、約５５分間処理で表面から５（ｉへの厚さに
２つたって均一にＵ化オることができたーこの方法で作
芥、した計、舒用好体の刀ｒｌ速度劣化テストの１演晃
を紀″２図の曲線Ｃに示す３反射率変化゛の・′り少ｔ
ざ小さく、仁ねた耐酸化性を示しＴこ。なお、この実施
例のようにプラズマ酸化を行う以外に、酸素または空気
を容器内に導入し、常圧下で、１５０”Ｃ２２０分Ｆ」
の基板加熱または約３０品へ７ｄ、５分間の紫外線照射
を加えることによっても、表面に均一な酸化膜が形成さ
れ、りはり第２図の曲線〔゛と同様に経時安定性の向上
を示した。
その膜表面に酸素プラズマを浴びせて膜表面を均一に効
率良く酢化させた。本例では、厚さ６００ Ｘのビスマ
ス非晶質膜を形成しＪこ後に、容器中に酸素ガスを導入
し、ガス比的０．Ｉ Ｔｏｒｒ、 ＲＦパワー１００Ｗ
で放電させて膜表面をプラズマ酸化した。プラズマ酸化
は、回路象子の作製にお１．〕でシリコン・ウェーハ表
面を忙く均一にｎ−化でるのにしばしは′ｉｌｊ用さ２
１ていることかられかるように、［Ａ７庁でｇ大、・率
の蓑「酸化膜）Ｌに１国した技術であ、ご・。ｔイｉの
夛合にも、約５５分間処理で表面から５（ｉへの厚さに
２つたって均一にＵ化オることができたーこの方法で作
芥、した計、舒用好体の刀ｒｌ速度劣化テストの１演晃
を紀″２図の曲線Ｃに示す３反射率変化゛の・′り少ｔ
ざ小さく、仁ねた耐酸化性を示しＴこ。なお、この実施
例のようにプラズマ酸化を行う以外に、酸素または空気
を容器内に導入し、常圧下で、１５０”Ｃ２２０分Ｆ」
の基板加熱または約３０品へ７ｄ、５分間の紫外線照射
を加えることによっても、表面に均一な酸化膜が形成さ
れ、りはり第２図の曲線〔゛と同様に経時安定性の向上
を示した。
以上説明したように、本発明光記釘、用媒体は、６時安
定性に伍れ、しかも半導体レーザによる高辺記使が可能
／、Ｉ−記釘特性をあわせ具えている。したかつで、不
ｙ７明記録弓媒体ば犬容ｔファイルメモリに有に１に迎
、用オることができる。更に加えて、オ尖明製迎方渋は
、七の躬迄工暗がＦＤ便であり、しかｂ云１に４Ｆ記録
用媒犀のＬうたか可能でおる千：２点を、ｆ−？ シ
ーＪ・、
定性に伍れ、しかも半導体レーザによる高辺記使が可能
／、Ｉ−記釘特性をあわせ具えている。したかつで、不
ｙ７明記録弓媒体ば犬容ｔファイルメモリに有に１に迎
、用オることができる。更に加えて、オ尖明製迎方渋は
、七の躬迄工暗がＦＤ便であり、しかｂ云１に４Ｆ記録
用媒犀のＬうたか可能でおる千：２点を、ｆ−？ シ
ーＪ・、
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明劉企方法を実施するだめの装置の］例を
示す枡弐図、第２し」は本会、明光記４．・用媒体の記
鉾峙性を示オ吋性曲紐図、第３図は本発明光記録用媒体
の卜時安定性を示す特性曲組図である。 １・・・容器、 ２・・・ガス導入口、３
・・・ガス排タロ、 ４・−・蒸着膜ヒータ、５
・・・高周波電板、 ６・・・基板、７・・・版
厚モニタ。 特許出願人 日本電信電話公社
示す枡弐図、第２し」は本会、明光記４．・用媒体の記
鉾峙性を示オ吋性曲紐図、第３図は本発明光記録用媒体
の卜時安定性を示す特性曲組図である。 １・・・容器、 ２・・・ガス導入口、３
・・・ガス排タロ、 ４・−・蒸着膜ヒータ、５
・・・高周波電板、 ６・・・基板、７・・・版
厚モニタ。 特許出願人 日本電信電話公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ）光を吸収する吸収層を、非晶質ビスマス薄膜で形成
したことを臀部°とする光記録用媒体。 ２、特許請求の範凹評：１項記載の光記録用媒体におい
て、前記非晶質ビスマス菌膜の表面に酸化層を設けたこ
とを屯徴とする光記録用媒体。 ３）不活性ガス中あるいは不活性ガスと酸素とを混合し
た混合ガス中でヒスマスを蒸発させて基板上に非晶質ビ
スマス薄膜を形成し、該非晶質ビスマス薄膜を光を吸収
する吸収層とすることを特徴とする光記録用媒体の製造
方法。 ４）不活性ガス中あるいは不活性ガスと酸素とを混合し
た混合カス中で放電を行なうとともに、ヒスマスを蒸発
させて、基板上に非晶質ビスマス薄膜を形成し、し非晶
質ビスマス薄膜を光を吸収する吸収層とすることを特徴
とする光記録用媒体の製造方法。 ５）特許請求の範囲第３項または第４項に記載の光記録
用媒体の＆遣方法において、前記非晶質ビスマス薄膜に
熱処理を施して結晶化したビヌマス薄膜を光吸収層とす
ることを特徴とする光記録用媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57086463A JPS58203093A (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | 光記録用媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57086463A JPS58203093A (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | 光記録用媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58203093A true JPS58203093A (ja) | 1983-11-26 |
Family
ID=13887641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57086463A Pending JPS58203093A (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | 光記録用媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58203093A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7952984B2 (en) | 2004-04-22 | 2011-05-31 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method of recording and reproducing of optical recording medium |
-
1982
- 1982-05-24 JP JP57086463A patent/JPS58203093A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7952984B2 (en) | 2004-04-22 | 2011-05-31 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method of recording and reproducing of optical recording medium |
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